Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik npn als hi-to-low level shifter, fallende flanke verzögert


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von Richard S. (rscheff)


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Hallo,

Ich bin gerade etwas verwundert über das Verhalten eines (IMHO) trivial 
einfachen NPN Level Shifters von High nach Low. Der Grund für den 
Transistor ist, dass die Spannung des Eingangssignals verschiedene Pegel 
annehmen kann (+6V..+12 nach einer Diode), und auch Vcc entweder 3.3 
oder 5.0 sein kann...

Daher kommt ein einfacher Spannungsteiler mit Widerständen nicht in 
Frage, und auf die Eingangs-ESD-Dioden des MCU will ich mich auch nicht 
verlassen.

Mein Gedanke war, mit einem kleinen Basisstrom (über 100k Vorwiderstand 
nach der Diode) einen NPN durchzuschalten, und den Kollektor mit einem 
Vorwiderstand gegen Vcc (3.3 oder 5V) zu schalten - das Eingangssignal 
ist dann direkt am Kollektor.

Das funktioniert auch soweit ganz gut bei einer steigenden Flanke des 
Eingangssignals, wenn auch ordentlich Strom durch die Diode fliesst.

(Und dann über eine 2. Diode in einen Kondensator, von dem aus ein LDO 
gespeist wird, der Vcc liefert).

Wenn nun aber die Eingansdiode sperrt (und der LDO nur noch via der 
Ladung in den Kondensatoren Spannung liefert), braucht der NPN offenbar 
rund 25 us, um zu sperren und damit dem MCU wieder High zu liefern...

Ich vermute einmal, dass hier die Ladungsträger nicht ausreichend rasch 
geräumt werden (aber 25 usec?)... Wie dem auch sein, wie kann ich dieses 
Eingangssignal (6..12V) in ein vernünftiges (Flanken idealerweise 
idealerweise ident, <1us) Logiksignal (3.3 / 5V) umwandeln?

Lt. Datenblatt ist Vhi 0.7Vcc, d.h. bei Vcc 5V mind. 3.5V, was jedoch 
über den 3.3V liegt, wenn der MCU nur mit 3.3V läuft (zur Reduktion der 
Leistungsaufnahme auf <30 uA), was eine Zener-diode als Begrenzer wohl 
ausschliesst... Auch ist das Eingangssignal bei einem höheren 
Spannungspegel (9..12V) währned dieses Low-Power Betriebsmodus, also ein 
inverses Verhältnis, das mit einem Widerstandsteiler auch nicht für 
beide Betriebszustände erreichbar ist.

: Verschoben durch Moderator
von Thomas Z. (usbman)


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schalt mal einen Kondensator zwischen Basis und Kollektor 10..100nF.
Dann wird der Transistor etwas schneller abschalten.

von Stefan ⛄ F. (stefanus)


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Die Basis-Schaltung ist schneller.

Anbei ein Beispiel für WS2812 Lichterketten. Links ist der Eingang 
(Signal und GND).

von Cartman (Gast)


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Man koennte einen schnellen Schalttransistor benutzen,
und keinen BCxyz.
Der will aber auch entsprechende Stroeme an der Basis sehen.
Sowohl zum Ein- als auch Ausschalten.
Mit 100k etwas illusorisch.

Fuer Leute die nicht wissen was sie tun, gibt es noch Komparatoren.

> schalt mal einen Kondensator zwischen Basis und Kollektor 10..100nF.
> Dann wird der Transistor etwas schneller abschalten.
Warum sollte er.

von Richard S. (rscheff)


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Cartman schrieb:
> Man koennte einen schnellen Schalttransistor benutzen,
> und keinen BCxyz.
> Der will aber auch entsprechende Stroeme an der Basis sehen.
> Sowohl zum Ein- als auch Ausschalten.
> Mit 100k etwas illusorisch.
>
> Fuer Leute die nicht wissen was sie tun, gibt es noch Komparatoren.
>
>> schalt mal einen Kondensator zwischen Basis und Kollektor 10..100nF.
>> Dann wird der Transistor etwas schneller abschalten.
> Warum sollte er

Das Ganze kann nur ein paar uA nehmen. Höhere Ströme / niedrigere 
Widerstände (unter 10k) sind daher nicht möglich.

Wenn ich weder Leistungs- noch Strom- noch Energielimitiert wäre, würde 
da ein OpAmp, CMOS Level Shifter o.dgl. reinkommen, oder man könnte mit 
einigen x bis xxx mA rumspielen...

Ich denke, dass ich vielleicht einfacher eine Schottky Diode gegen Vcc 
mit Vorwiderstand (~100k) nehme. Die PN Spannung der Schottky solle 
niedriger sein als die ESD Schutzdiode des MCU, und der Strom sollte 
daher primär dort abfliessen...

von Richard S. (rscheff)


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Stefan ⛄ F. schrieb:
> Die Basis-Schaltung ist schneller.
>
> Anbei ein Beispiel für WS2812 Lichterketten. Links ist der Eingang
> (Signal und GND).

Die Basis Schaltung funktioniert überhaupt nicht in der Schaltung.
Sobald der Kollektor an das eingangssignal vor der Diode angeschlossen 
ist (was, wie gesagt, auch die Stromversorgung der Schaltung darstellt), 
gibt es keinen Strompfad mehr, und der Fußpunkt des Potentials wird 
angehoben, dass der Transistor nie auf ein Potential schalten kann um 
den Ausgang auf Gnd (nach den Dioden zum LDO) zu ziehen, wenn ich das 
richtig verstehe...

von Stefan ⛄ F. (stefanus)


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Richard S. schrieb:
> Die Basis Schaltung funktioniert überhaupt nicht in der Schaltung.

Stimmt. Vielleicht eine gespiegelt aufgebaute Variante mit PNP 
Transistor.

von Hannes (Gast)


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Richard S. schrieb:
> Ich vermute einmal, dass hier die Ladungsträger nicht ausreichend rasch
> geräumt werden (aber 25 usec?)...

So ein BC5xx ist mit einer Ccb von typ. 1.7pF / max. 4.5pF (VCB = 10 V) 
gelistet. Die 10V hast du nicht, daher real etwas mehr.

1.7pF  150  100k ergibt ganz grob eine Zeitkonstante von 25 usec ...
(* 150 wg. Miller)

Unschön ist das ...

Was spricht gegen einen Inverter (HC-Derivat) mit Vorteiler? Wie schnell 
muss die Mimik denn sein?

von Lothar M. (lkmiller) (Moderator) Benutzerseite


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Richard S. schrieb:
> Der Grund für den Transistor ist, dass die Spannung des Eingangssignals
> verschiedene Pegel annehmen kann (+6V..+12 nach einer Diode), und auch
> Vcc entweder 3.3 oder 5.0 sein kann...
Ich würde sagen, man bekommt das mit einer Klemmdiode (wenn man der 
eingebauten nicht traut) und einem Vorwiderstand hin.

Wobei das mit "+6V..+12 nach einer Diode" nochmal genaues Augenmerk 
verdient hat. Was bedeutet "nach einer Diode"? Und welche 
Schaltung/Signalquelle findet sich "vor der Diode"?

: Bearbeitet durch Moderator
von michael_ (Gast)


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Cartman schrieb:
> Man koennte einen schnellen Schalttransistor benutzen,
> und keinen BCxyz.

Bei seinen 1KHz werden die 200MHz sicher reichen.

> Der will aber auch entsprechende Stroeme an der Basis sehen.
> Sowohl zum Ein- als auch Ausschalten.

Wird reichen.
Bei 0,3mA Kollektorstrom und einer Stromverstärkung von 300 sind das 
etwa 0,001mA Basisstrom.
Müßte man konkret nachrechnen.

von Stefan ⛄ F. (stefanus)


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michael_ schrieb:
> Bei seinen 1KHz werden die 200MHz sicher reichen.

Das habe ich auch vor wenigen Monaten geschrieben und wurde dann eines 
besseren belehrt. Mein eigenen Kontrollen mit Oszilloskop haben gezeigt, 
dass man mit dem BC548 digitale Schaltvorgänge mit 200 MHz gar nicht 
so einfach sauber hin bekommt. Schon bei 1 Mhz kommst du in den Bereich, 
wo es nicht mehr "einfach so" geht, wie man sich das als Laie denkt.

Die 200 MHz hast du wohl in einem Datenblatt gesehen. Die gelten aber 
nur für Sinus mit geringer Amplitude und niederohmigen Widerständen 
sowohl an der Quelle als auch am Ausgang.

: Bearbeitet durch User
von Udo S. (urschmitt)


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Mir ist nicht so ganz klar was es mit diesem "LDO" auf sich haben soll.
Und sehe auch nicht was da genau verbaut ist.
WO ist dein Problem mit dem Stromverbrauch, benenne doch mal konkret 
deine Randbedingungen.
Wenn die Quelle so hochohmig ist sollten die Eingangsschutzdioden kein 
Problem sein, man kann ja zusätzlich noch Dioden verbauen.

Siehe auch Beitrag "Eingangsschutzbeschaltung - Kompendium gesucht"

: Bearbeitet durch User
von Axel R. (axlr)


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Dann kannst Du aber mit den 100K auch direkt gleich auf den Portpin 
gehen. Da passiert nix schlimmes.

von Jens G. (jensig)


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Stefan ⛄ F. schrieb:
> michael_ schrieb:
>> Bei seinen 1KHz werden die 200MHz sicher reichen.
>
> Das habe ich auch vor wenigen Monaten geschrieben und wurde dann eines
> besseren belehrt. Mein eigenen Kontrollen mit Oszilloskop haben gezeigt,
> dass man mit dem BC548 digitale Schaltvorgänge mit 200 MHz gar nicht

Das hat auch keiner geschrieben, daß der T Schaltvorgänge mit 200MHz 
ermöglichen solle ...


Thomas Z. schrieb:
> schalt mal einen Kondensator zwischen Basis und Kollektor 10..100nF.
> Dann wird der Transistor etwas schneller abschalten.

Dann wird's noch langsamer, und nicht schneller.
Eher eine Schottky-Diode in Sperrrichtung, die die Recoveryzeit (nix 
anderes ist diese Verzögerung) weitgehend wegputzt ...

von Lothar M. (lkmiller) (Moderator) Benutzerseite


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Jens G. schrieb:
> Eher eine Schottky-Diode in Sperrrichtung
In der originalen Schaltung vom ersten Post sind einfach die beiden 100k 
Widerstände viel zu hochohmig. Deshalb dauert das Entladen der BE 
Strecke ewig. Mit 2x 4k7 sieht das schon ganz anders aus.

: Bearbeitet durch Moderator
von Jens G. (jensig)


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@TO
das mit dem LDO habe ich ehrlich gesagt überhaupt nicht verstanden. Wenn 
der wirklich vor der Basis hängt, inkl. einem C (wozu auch immer das gut 
sein soll), dann wundere Dich auch nicht, daß hier nicht nur die 
Recoveryzeit des T zu Buche schlägt (was eigentlich nur eine µs bewirken 
würde), sondern gleich ganze 25µs durch die Kapazitäten.
Wie schon irgendjemand schrieb, bei einer Ansteuerung über 100k braucht 
man überhaupt keinen Levelschifter - der R, zusammen mit den 
Clamping-Dioden im µC, ist bereits der Levelshifter. Und wenn Du den 
Clampingdioden die paar µA nicht zutraust, dann baue doch einffach Deine 
eigenen Clampingdioden mit ran (1N4148 o.ä.)

von Günni (Gast)


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Für diesen Zweck verwende ich einen Emitterfolger mit einem 
NPN-Transistor, wobei der Kollektor an der 3,3 V Versorgungsspannung 
liegt. Dieser invertiert das Signal nicht, sondern begrenzt nur den 
Pegel. Bei hohen negativen Eingangsspannungen muss die 
Basis-Emitterstrecke durch eine Diode (Anode an GND, Kathode an der 
Basis) vor einem Durchbruch geschützt werden.

von Jens G. (jensig)


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Lothar M. schrieb:
> Jens G. schrieb:
>> Eher eine Schottky-Diode in Sperrrichtung
> In der originalen Schaltung vom ersten Post sind einfach die beiden 100k
> Widerstände viel zu hochohmig. Deshalb dauert das Entladen der BE
> Strecke ewig. Mit 2x 4k7 sieht das schon ganz anders aus.

Auch mit 100k gibt's keine 25µs, wenn man die Sättigung vermeidet, 
ebenso wie irgendwelche lästigen C an der Basis ...

von Cartman (Gast)


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Hier sind ja wieder viele Schlaumaier unterwegs.

> Bei seinen 1KHz werden die 200MHz sicher reichen.
> Bei 0,3mA Kollektorstrom und einer Stromverstärkung von 300 sind das
> etwa 0,001mA Basisstrom.

Mit einem Mikroampere Basisstrom kann man ihn fuer 1 kHz vllt
gerademal schnell genug einschalten.
Das Ausschalten wird aber bei einem BCxyz dann immer noch
erheblich laenger brauchen.
Nebenbei soll dieses Mikroampere auch noch Kapazitaeten auf- bzw.
entladen.

> Müßte man konkret nachrechnen.

Ja, und die Rechnung wird wesentlich komplexer ausfallen,
als dein bisheriger geistiger Ansatz, der ueberwiegend aus
falschen Annahmen besteht.

Die Hersteller haben nicht umsonst schnelle Schalttransistoren
in ihrem Programm. Du solltest dir davon mal welche zulegen
und am praktischen Beispiel die Schaltvorgaenge studieren.

Fuer die 200 MHz aus dem DB von so einem "BCxyz" kannst du dir im
Schaltbetrieb exakt gar nichts kaufen.

von Dieter H. (kyblord)


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wie wärs mit einem C an der Basis, der den R überbrückt im Moment des 
Einschaltens. Im stationären Zustand ist dann nur der R aktiv. Beim 
Ausschalten lädt sich der C um und es fließt ein entsprechend hoher 
Ausräumstrom. Eventuell noch eine Schottky Diode an U_BC damit der 
Transistor nicht so stark sättigt, dann ist die Überschussladung und 
damit Speicherzeit entsprechend geringer.

: Bearbeitet durch User
von jooo michael (Gast)


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michael_ schrieb:
> Bei seinen 1KHz werden die 200MHz sicher reichen.

Als stiller Mitleser erlaube ich mir anzumerken dass eine
MHz-Angabe im Datenblatt eines Transistors meist das Current−
Gain−Bandwidth Product gemeint ist (auch als Transitfrequenz
bekannt). Für den BC546 BC547 BC548 sind das in meinem
Datenblatt 150-300MHz. Dieser Wert sagt nichts darüber aus
dass der Transistor bei dieser Frequenz noch sinnvoll als
Verstärker betrieben werden kann.

von Dieter H. (kyblord)


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                                 .-.
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                                 | |
                          ||     '-'
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                      |   ||   |  |
               _    |   _  ||/
             -|___|---|--|___|-||    npn
                                |>
                R          R      |
                                  |
                                  |
(created by AACircuit v1.28.7 beta 10/23/16 www.tech-chat.de)

: Bearbeitet durch User
von Jens G. (jensig)


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Dieter H. schrieb:
> wie wärs mit einem C an der Basis, der den R überbrückt im Moment des
> Einschaltens. Im stationären Zustand ist dann nur der R aktiv. Beim

Diese Aussage ist ja eigentlich richtig, nur der Kontext ist falsch, 
denn der TO will ja nicht das Einschalten behandeln, sondern das 
Ausschalten. und zwar Ausschalten durch simples "Loslassen" der Basis, 
und da hat diese Maßnahme null Effekt ...

von Richard S. (rscheff)


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Lothar M. schrieb:
> Richard S. schrieb:
>> Der Grund für den Transistor ist, dass die Spannung des Eingangssignals
>> verschiedene Pegel annehmen kann (+6V..+12 nach einer Diode), und auch
>> Vcc entweder 3.3 oder 5.0 sein kann...
> Ich würde sagen, man bekommt das mit einer Klemmdiode (wenn man der
> eingebauten nicht traut) und einem Vorwiderstand hin.
>
> Wobei das mit "+6V..+12 nach einer Diode" nochmal genaues Augenmerk
> verdient hat. Was bedeutet "nach einer Diode"? Und welche
> Schaltung/Signalquelle findet sich "vor der Diode"?


Der nominelle Eingang liefert  +12V, 1kOhm Impedanz, und schaltet dann 
auf +/- 12V 1kHz PWM um. Allerdings ist das über einen "offenen" 
Stecker, d.h. diese Signale können durchaus ordentliche ESD (nicht nur 
HBM, sondern auch MM) abbekommen bei normaler Nutzung - idealerweise 
macht natürlich Gnd zuerst Kontakt... Und im Fehlerfall könnte da auch 
Phase (230Vac +20%) raufkommen. Aber ich denke dass ein 100..330kOhm mit 
zwei ausreichend Dimensionierten Schottky-Diode sowohl zur ableitung 
dieser Spannungen, als auch zur Begrenzung des Eingangs auf die MCU die 
beste Variante ist. (Schottky wird ja ein paar 100 mV früher leitend, 
als die Si-PN Schutzdiode im MCU).

Als Teil der Signalisierung wird die Eingangsspannung über eine Diode 
(nur der +12V PWM Teil) und variable Widerstände (zB programmierbaren 
Shunt-Regler) auf niedrigere Pegel gezogen - daher verändert sich der 
Pegel des PWM Eingangssignals (nach der Diode) auf unterschiedliche 
Spannungsniveaus, sodaß ein simpler Widerstandsteiler nicht wirklich 
funktioniert.

von Richard S. (rscheff)


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Lothar M. schrieb:
> Jens G. schrieb:
>> Eher eine Schottky-Diode in Sperrrichtung
> In der originalen Schaltung vom ersten Post sind einfach die beiden 100k
> Widerstände viel zu hochohmig. Deshalb dauert das Entladen der BE
> Strecke ewig. Mit 2x 4k7 sieht das schon ganz anders aus.

Korrekt. Bei einem Strom von ~1-3 mA bricht einfach alles zusammen und 
man kann sich den kompletten Aufwand sparen, weil das um ca. 10-20x mehr 
Strom ist, als zur Verfügung steht.

Unter normalen Umständen wäre das natürlich die Methode der Wahl.

Ich kann rund 1-10 uA für dieses Signal aufwenden - muß aber auch mit 
ESD zurechtkommen. Die Kombination von ESD Schutz und Klemmen der 
Signalspannung gegen Vcc/Vss ist da wohl am besten erfüllt, in 
Kombination mit einem entsprechenden Vorwiderstand von 100k bis 330k.

von Lothar M. (lkmiller) (Moderator) Benutzerseite


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Richard S. schrieb:
> Der nominelle Eingang liefert  +12V, 1kOhm Impedanz, und schaltet dann
> auf +/- 12V 1kHz PWM um.
Jeden Tag eine Salamischeibe.

Jetzt fehlt ich die Info, wie schnell die Schaltung denn überhaupt sein 
soll.

Richard S. schrieb:
> Ich kann rund 1-10 uA für dieses Signal aufwenden
Was gilt jetzt? Da ist immerhin noch eine lockere Zehnerpotenz 
dazwischen. Mit 1uA bei 200k kommen grade mal 200mV zusammen. Zudem ist 
dieser Strom ja durch die ungünstig hochohmige Schaltung definiert.

Und dann soll sich das auch noch im unbekannten us-Bereich abspielen.

Richard S. schrieb:
> sodaß ein simpler Widerstandsteiler nicht wirklich funktioniert
Ich denke noch immer, dass das geht. Denn dieser unnötig niedrige Strom 
ist ja nur durch die selbst gewählte Schaltungsauslegung zur Absicherung 
gegen jeden und alles bedingt.

Die eigentliche Signalquelle ist mit 1k Innenwiderstand angenehm 
niederohmig.

: Bearbeitet durch Moderator
von Richard S. (rscheff)


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Lothar M. schrieb:
> Richard S. schrieb:
>> Ich kann rund 1-10 uA für dieses Signal aufwenden
> Ach, hier im Thread kommen relevante Informationen im
> anderthalb-Tage-Takt. Jeden Tag eine Salamischeibe.

;)

> Jetzt fehlt ich die Info, wie schnell die Schaltung denn überhaupt sein
> soll.

Sorry. Diese Info was gut versteckt offensichtlich in den Oszi Traces, 
und der mehrfachen Erwähnung eines 1kHz PWM Signals mit variablem 
Duty-Cycle. Was ich tatsächlich unterschlagen hatte, war die Erwähnung 
dass der Duty Cycle mit <0.5% genau bestimmt werden sollte (5us) im 
Bereich 10%..96%.

D.h. die Flanken sollten beide annähernd gleich steil sein, um diesen 
systematischen Fehler gering zu halten.



>
> Richard S. schrieb:
>> Ich kann rund 1-10 uA für dieses Signal aufwenden
> Was gilt jetzt? Da ist immerhin noch eine lockere Zehnerpotenz
> dazwischen.
> Und mit 1uA bei 200k kommen grade mal 200mV zusammen.

Beides: Das Signal kann mit +12V anliegen, oder auch mit nur +3 (was 
aber ein Fehlerzustand wäre), oder auch mit +6V oder +9V. Ggü Vcc sind 
also zwischen 9V (+12/+3.3Vcc) oder +1V (6V/5Vcc) Überhöhung vorhanden 
(und alle durchdeklinierten Kombinationen, wie zB +12V/5V, +9V/5V, 
+6V/5V, +6V/3.3V, +9V/3.3V sowie +12V/3.3V. Bei konstantem Widerstand 
also (leicht aufgerundet) eine Zehnerpotenz Unterschied.

Zu viel Stromaufnahme (niedrigerer Vorwiderstand) von rund 0.1mA / 100uA 
und die Signalspannung verändert sich zu stark, was als Signalisierung 
für einen Zustandsänderung (oder einen Fehlerzustand) auf 
Versorgungsseite interpretiert würde. Das muß koordiniert passieren, 
daher nur unter Kontrolle der MCU... "Nebenverbraucher" von 1..10uA 
können aber durchaus berücksichtigt werden.


> Richard S. schrieb:
>> sodaß ein simpler Widerstandsteiler nicht wirklich funktioniert
> Ich denke noch immer, dass das geht. Denn dieser absurd niedrige Strom
> ist ja nur durch die ominöse Schaltungsauslegung zur Absicherung gegen
> jeden und alles bedingt. Die eigentliche Signalquelle ist mit 1k
> Innenwiderstand angenehm niederohmig.

Die zweite Info (auch bereits im 1. Threadpost offen versteckt) ist, 
dass der MCU mit zweierlei Vcc betrieben werden wird - 3.3V im Low-Power 
Modus, und 5V für einige Peripherieelemente, wenn das "richtige" 
Netzteil Strom liefern kann.

Die Signalquelle ist faktisch auch die Stromversorgung (während der 
10..96% wo das PWM Signal +12V liefert, aber, je nach Zustand mit 0.1, 3 
oder 6 mA belastet werden kann (muss - daher ein TLV431 in der 
Gesamtschaltung, der das Signal "von Haus aus" auf 12, 9 oder 6V ggü Vss 
hält).

Aber wie weiter oben schon geschrieben - die Lösung mit einer (zwei) 
Schottky-Dioden als externe ESD und Limiting Dioden plus Vorwiderstand 
löst mir zwei Probleme (ESD Ableitung und Einschränkung des Signals auf 
die variable Vcc der MCU).

von michael_ (Gast)


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Stefan ⛄ F. schrieb:
> Die 200 MHz hast du wohl in einem Datenblatt gesehen. Die gelten aber
> nur für Sinus mit geringer Amplitude und niederohmigen Widerständen
> sowohl an der Quelle als auch am Ausgang.

Das ist fT, die Frequenz in Emitterschaltung, wo die Verstärkung gleich 
1 wird.

Cartman schrieb:
> Hier sind ja wieder viele Schlaumaier unterwegs.
>
>> Bei seinen 1KHz werden die 200MHz sicher reichen.
>> Bei 0,3mA Kollektorstrom und einer Stromverstärkung von 300 sind das
>> etwa 0,001mA Basisstrom.
>
> Mit einem Mikroampere Basisstrom kann man ihn fuer 1 kHz vllt
> gerademal schnell genug einschalten.
> Das Ausschalten wird aber bei einem BCxyz dann immer noch
> erheblich laenger brauchen.
> Nebenbei soll dieses Mikroampere auch noch Kapazitaeten auf- bzw.
> entladen.
>
>> Müßte man konkret nachrechnen.

Wollte ich eigentlich anderen überlassen, weil ich faul bin.
Aber es sind 0,06mA bei 6V.
Selbst bei 12V ist es dann etwa das Doppelte.
Das verkraftet die Basis locker ohne zusätzliche Maßnahmen.

> Ja, und die Rechnung wird wesentlich komplexer ausfallen,
> als dein bisheriger geistiger Ansatz, der ueberwiegend aus
> falschen Annahmen besteht.
>
> Die Hersteller haben nicht umsonst schnelle Schalttransistoren
> in ihrem Programm. Du solltest dir davon mal welche zulegen
> und am praktischen Beispiel die Schaltvorgaenge studieren.
>
> Fuer die 200 MHz aus dem DB von so einem "BCxyz" kannst du dir im
> Schaltbetrieb exakt gar nichts kaufen.

Seine 1KHz gehen sogar mit einem ollen Ge-Transi mit 300KHz.

jooo michael schrieb:
> michael_ schrieb:
>> Bei seinen 1KHz werden die 200MHz sicher reichen.
>
> Als stiller Mitleser erlaube ich mir anzumerken dass eine
> MHz-Angabe im Datenblatt eines Transistors meist das Current−
> Gain−Bandwidth Product gemeint ist (auch als Transitfrequenz
> bekannt). Für den BC546 BC547 BC548 sind das in meinem
> Datenblatt 150-300MHz. Dieser Wert sagt nichts darüber aus
> dass der Transistor bei dieser Frequenz noch sinnvoll als
> Verstärker betrieben werden kann.

Siehe oben, fT.
Solltest dir wieder mal die alten Grundlagen anschauen.

von Lothar M. (lkmiller) (Moderator) Benutzerseite


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Richard S. schrieb:
> D.h. die Flanken sollten beide annähernd gleich steil sein, um diesen
> systematischen Fehler gering zu halten.
Wenn ich weiß, dass die steigende Flanke immer verzögert ist, dann 
kann ich das ermittelte TV entsprechend korrigieren.

Ich muss dazu nur ermitteln, ob unter den möglichen Betriebsbedingungen 
(Temperatur, Versorgung, Eingangssignal,...) die Abweichung unter 5us 
bleibt. Wenn das der Fall ist, dann bin ich fertig.

: Bearbeitet durch Moderator
von Peter D. (peda)


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Cartman schrieb:
> Die Hersteller haben nicht umsonst schnelle Schalttransistoren
> in ihrem Programm.

Die können aber auch nicht zaubern.
Für Transistorlogik hat man früher eine Ausräumspannung von -3V 
verwendet, damit konnte man bis 5MHz zählen.

von Cartman (Gast)


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> Für Transistorlogik hat man früher eine Ausräumspannung von -3V
> verwendet

Ich habe mit schnellen Schalttransistoren schon pMOS DRAMs
Intel 1103 (Daten/Adresse/Stuersignale) angesteuert, als auch
pMOS ICs fuer elektronische Orgeln mit mehreren MHz
(2 Phasen-)Takt versorgt.
Allerdings musste ich da nicht mit Mikroampere Basisstrom herumkrebsen.
In beiden Faellen ging es bei mir noch ohne zusaetzliche
Ausraeumspannungen.
Ich weiss zumindest, dass mit "NF"-Transistoren da kein Blumentopf zu
gewinnen ist.

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