Hallo, ich habe ein Verständnisproblem bei MOSFETs (inkl. Freilaufdiode). Ausgangssituation: Gate 0V, Drain 12V, Source "floating" keine Last Ein Messung mit dem Multimeter an Source gegen GND zeigt mir ca. 6V. Warum? Schalte ich das MOSFET durch, messe ich die erwarteten 12V. Hänge ich einen Lastwiderstand (10k) an Source gegen GND, messe ich die erwarteten Spannungen 0V (Gate "low") bzw. 12V (Gate "high"). Ist hier die hohe Impedanz des Multimeters (ohne Last) das Problem?
Gast
#7111214
Pa N. schrieb: > Ist hier die hohe Impedanz des Multimeters (ohne Last) das Problem? Nein, das hier: > Source "floating" keine Last Die Spannung zwischen Gate und Source bestimmt den Kanalwiderstand. Für gewöhnlich kommt die Last an Drain.
Gast
#7111342
Pa N. schrieb: > MOSFETs (inkl. Freilaufdiode) Was bedeutet das überhaupt? Mosfets haben eine sog. Bodydiode (ergibt sich bei der Herstellung "von allein", liegt antiparallel zum (geschalteten) Kanal, weswegen Mosfets "rückwärts" auch ausgeschaltet Strom führen können). Eine Freilaufdiode benutzt man beim Schalten einer stark induktiven Last (Relais(spule) oder Magnetventil, Speicherdrossel, Trafo...), um beim Wegschalten der Spannungsquelle die sog. Selbstinduktion in form eines Spannungsstoßes auf die Flußspannung jener Diode zu begrenzen. (Es werden teils auch Snubber (RC Kombi), Diode + R, (Diode +) Z-Diode etc. verwendet, je nach induktiver Last/genauem Zweck.) Die Mosfet-Bodydiode wäre (außer bei Halb- oder Voll-Brücken, wo die des gegenüberliegenden Mosfets als solche fungieren kann) für diesen Zweck - also als Freilaufdiode - falsch_positioniert ... Davon erst mal unabhängig: H. H. schrieb: > Für gewöhnlich kommt die Last an Drain. Das ist relativ häufig eine mögliche (und dann sehr einfache) Lösung. Sie funktioniert immer dann, wenn es der Last egal ist/sein kann, ob nun ihr (+) Pol oder ihre GND Verbindung geschaltet wird. Pa N. schrieb: > Ausgangssituation: > Gate 0V, > Drain 12V, > Source "floating" keine Last Bei Mosfets zählt die Spannung U_GS (= zwischen Drain und Source). Du scheinst "N-Channel Highside" (also die Last mit einer Seite fest an GND/0V, mit der anderen an Source des N-Ch Mosfet, und (+), den positiven Pol der Versorgung, mit dem Mosfet bei Bedarf geschaltet) geplant/gebaut zu haben - das erklärte Deine Meßergebnisse. Um N-Ch Highside auch bei Last durchzuschalten, bräuchtest Du eine (wie viel reichen könnte wäre abhängig vom genauen Laststrom) etwas höhere Zusatzspannung, also ein Potential oberhalb Deiner geplanten Last-/Betriebsspannung, um das durch die Last "hochsteigende" Source-Potential auszugleichen (= trotzdem ausr. hohe U_GS zum Durchschalten/Durchgeschaltetbleiben bereitstellen zu können). Oder potentialgetrennte (mit Source Potential "mitfloaten könnende") Ansteuerung. Oder Du benutzt statt des N-Ch Mosfet einen P-Ch, den könnte man ganz problemlos "Highside" setzen. Was überhaupt möglich wäre, sowie was hier "angebracht" (Aufwand zu Nutzen Verhältnis) sein könnte oder nicht, und diverse andere Infos, sind weitestgehend im Nebel... Weil Du weder angabst, um welche Art Last es sich handele, noch deren elektrische Daten nanntest, auch nicht angabst, welcher genaue Mosfet da im Spiel wäre (oder sogar was Du alternativ in der Kiste hättest), ist außer ganz allgemeinen Tipps nichts drin. (Deshalb war wohl auch Hinz recht wortkarg: Es fehlen halt Infos, um wirklich zielgerichtet helfen zu können.) Weitere allgemeine Tipps (so lange genaue Anwendung recht unklar): https://www.mikrocontroller.net/articles/FET (P.S.: Ein Schaltplan, und sei es nur das Foto einer Bleistiftskizze, wäre auch sehr viel eindeutiger und klarer gewesen als die Beschreibung. Vielleicht wäre darauf sogar die Last bezeichnet gewesen... ;-)
Gast
#7111477
Pa N. schrieb: > Ein Messung mit dem Multimeter an Source gegen GND zeigt mir ca. 6V. > Warum? Leckstrom der Body Diode?
Gast
#7111478
Pa N. schrieb: > Ein Messung mit dem Multimeter an Source gegen GND zeigt mir ca. 6V. > Warum? Leckstrom der Body Diode?
Gast
#7111711
Pa N. schrieb: > Ein Messung mit dem Multimeter an Source gegen GND zeigt mir ca. 6V. > Warum? Leckstrom des Kanals / subthreshold leakage current?
Gast
#7111720
pasta schuta massenvernichter schrieb: > Ein Schaltplan, und sei es nur das Foto einer Bleistiftskizze, wäre > auch sehr viel eindeutiger und klarer gewesen als die Beschreibung. > Vielleicht wäre darauf sogar die Last bezeichnet gewesen... Ein Schaltplan mit EINEM Bauteil? COOOOOOOOL!
Wie schön, dass noch nicht mal gesagt wurde ob es ein N oder P Kanal Mosfet ist. Ansonsten: Ein Anschluss offen, also undefiniertes Potential. Es stellt sich die Spannung ein die der Widerstandsteiler zwischen Messgeräteinnenwiderstand und Kanalwiderstand (parallel zu Bodydiode mit Leckstrom) ergibt. Die Messung so ist völlig unsinnig. Erst Grundlagen, dann basteln und messen.
Danke für die vielen konstruktiven Hinweise. Wie vermutet ist die Kombination von hohem Kanalwiderstand und Impedanz des MM und der sich dadurch ergebende Spannungsteiler der Grund für entsprechende (unsinnige) Messergebnisse.