74HCT Ausgangsstrom

Mosfet schrieb:
> Dazu die Frage wie viel strom kann der HCT liefern. Hat er eine interne
> Schaltung die den Io auf 25mA limitiert?

Da kannst du mal von etwa 40mA im Kurzschlussfall ausgehen. Der genaue 
Wert variiert je nach Hersteller, Versorgungsspannung und Temperatur.

Wenn man sie dauerhaft (mit DC) so hoch belastet riskiert man 
allerdings, dass die Ausgänge irgendwann kaputt gehen.

Ich würde einen 100Ω Widerstand zwischen das IC und dem Gate des MOSFET 
packen, dass bist du sicher das IC nicht zu überlasten.

Besser wäre 74ACxx zu verwenden.

Schau hier:

https://pdf1.alldatasheetde.com/pdfjsview/web/viewer.html?file=//pdf1.alldatasheetde.com/datasheet-pdf/view/82773/PHILIPS/74HCT/+527JWUL.hKpRudCvMIb+/datasheet.pdf

Der Anwendungsfall: ich muss ein (anderes) Signal auf 0 ziehen wenn das 
Eingangssignal 0 ist. Und das Signal sein lassen falls 1. Das ganze 
möglichst schnell. Meine Idee war 74hc00 (inverter) + kleinsignalmosfet.

Existieren hier elegantere lösungen? (zb invertierender Mosfettreiber 
der einen separaten sink Ausgang hat?). (das signal darf nicht gesourced 
werden).

Oder ein simpler NPN Transistor mit Widerstand vor der Basis.

Möglichst schnell:
Minimum spezifikation unter 100ns,
gewünscht unter 50ns.
Sinkleisting >250mA
Der BSS ist nur ein Mosfet und invertiert nicht (meine idee war ja sowas 
in Konbination mir 74hct00). 74HC07 invertiert auch nicht und mangelt 
sinkleistung.

Stefan F. schrieb:
> Oder ein simpler NPN Transistor mit Widerstand vor der Basis.

Wie schnell wird das, wenn man mittels 74hct und 680R Rb betreibt?

Mosfet schrieb:
> Wie schnell wird das, wenn man mittels 74hct und 680R Rb betreibt?

Keine Ahnung, ich weiß nur dass die kleinen normalen NPN Transistoren 
locker einige zig MHz schalten können.

Sage lieber mal was du brauchst, denn mit "möglichst schnell" wird 
unfassbar teuer. Die meisten sie so etwas verlangen brauchen es aber gar 
nicht und wollen es auch nicht bezahlen.

Falk B. schrieb:
>> Sinkleisting >250mA

> Noch so ein Schwachsinnswort! 250mA ist ein Strom und keine Leistung.


Ja 250mA ist ein Strom. Die Aussage bezieht sich auf die 
Leistungsfähigkeit des sink Treibers - deshalb bezieht sich die Leistung 
auf diese Leistungsfähigkeit.

Nun welche inverter/mosfet kombo schafft die zeitliche Spez.?

Mosfet schrieb:
> 250mA

Und wie niederohmig muss er sein?

Mosfet schrieb:
> Nun welche inverter/mosfet kombo schafft die zeitliche Spez.?

So ziemlich jede, die nicht maßlos überdimensioniert ist. Nimm einen 
IRLML6344 mit 100Ω vor dem Gate und irgendein schnelles AHC Logikgatter.

Das ist schon einer der größeren Brummer, verglichen mit dem was du 
brauchst. Ich habe den gewählt, weil er mir gerade einfiel und der BS138 
(an den ich zuerst dachte) für 250 mA zu viel Innenwiderstand hat.

H. H. schrieb:
> Mosfet schrieb:
>
>> 250mA
>
> Und wie niederohmig muss er sein?

Sollte das signal unter die TTL Schwelle reissen können. -> 3.2Ohm
Da habe ich noch etwas an Sicherheitsmarge drinn, also 250mA ist 
Wunschspezifikation. Mindestspezifikation ist 150mA. Quelle hat im 
Worstcase 3.6V mit 22Ohm.

Stefan F. schrieb:
> Mosfet schrieb:
>
>> Nun welche inverter/mosfet kombo schafft die zeitliche Spez.?
>
> So ziemlich jede, die nicht maßlos überdimensioniert ist. Nimm einen
> IRLML6344 mit 100Ω vor dem Gate und irgendein schnelles AHC Logikgatter.

Mache ich etwas falsch aber gem meiner Rechnung sollte der Schaltvorgang 
mit 100Ohm und dem besagten Mosfet min 200nS dauern.

Mosfet schrieb:
> Mache ich etwas falsch aber gem meiner Rechnung sollte der Schaltvorgang
> mit 100Ohm und dem besagten Mosfet min 200nS dauern.

Stimmt ich habe mich um eine Kommastelle verguckt oder vertippt.

Falk B. schrieb:
> Mosfet schrieb:
>
>> Sollte das signal unter die TTL Schwelle reissen können. -> 3.2Ohm
>
> Und was soll der ganze Unsinn? Wenn man Logiksignale verknüpft, muss man
> keine 250mA schalten.
>> Da habe ich noch etwas an Sicherheitsmarge drinn, also 250mA ist
>> Wunschspezifikation. Mindestspezifikation ist 150mA. Quelle hat im
>> Worstcase 3.6V mit 22Ohm.
>
> Warum meinst du, den Treiber kurzschließen zu müssen? Wäre es nicht
> sinnvoller, den Treiber am EINGANG auszuschalten? Nur so ne Idee.

Ja die Idee ist korrekt. Es geht un Redundanz und daher darf nich vorher 
eingegriffen werden, da sonnst der Treiber single Point of failure wäre.

Der IRLML2402 hat nur 2,6 nC, mit dem müsste es klappen, denke ich.

RHK005N03

Falk B. schrieb:
> Alles sehr merkwürdig

Geheime Spezialoperation...

Stefan F. schrieb:
> Ich würde einen 100Ω Widerstand zwischen das IC und dem Gate des MOSFET
> packen, dass bist du sicher das IC nicht zu überlasten.

Im von Falk B. angehängten user.guide.hcmos.pdf steht drin (S. 36):
The life of the IC will not be shortened if not more than one
input or output at a time is forced to GND or VCC during
in-circuit logic testing (“back drive”) as long as the following
rules are obeyed:
• maximum duration : 1 ms
• maximum duty factor : 10 %
• maximum VCC : 6 V

Beim Ansteuern eines MOSFET bist du weit unter der 1ms für die Ladedauer 
des Gate-Cs - außer eben bei einer schnellen PWM. Um PWM ging es hier 
jedoch nicht. Damit sind die 100Ω überflüssig.

HildeK schrieb:
> Stefan F. schrieb:
>
>> Ich würde einen 100Ω Widerstand zwischen das IC und dem Gate des MOSFET
>> packen, dass bist du sicher das IC nicht zu überlasten.
>
> Im von Falk B. angehängten user.guide.hcmos.pdf steht drin (S. 36):
> The life of the IC will not be shortened if not more than one
> input or output at a time is forced to GND or VCC during
> in-circuit logic testing (“back drive”) as long as the following
> rules are obeyed:
> • maximum duration : 1 ms
> • maximum duty factor : 10 %
> • maximum VCC : 6 V
> Beim Ansteuern eines MOSFET bist du weit unter der 1ms für die Ladedauer
> des Gate-Cs - außer eben bei einer schnellen PWM. Um PWM ging es hier
> jedoch nicht. Damit sind die 100Ω überflüssig.

Danke; habe etwas gegoogelt und den BSD840N gefunden: 0.26nC
Und zudem 2 Kanäle des 74HCT paralell (ist noch verfügbar) und ohne R.

Damit bin isch schneller als die Polizei erlaubt. (Oder zumindest spez 
sollte erfüllt sein).

Mosfet schrieb:
> BSD840N

Einen ULL-MOSFET mit 5V anzusteuern ist nicht sinnvoll.

H. H. schrieb:
> Mosfet schrieb:
>
>> BSD840N
>
> Einen ULL-MOSFET mit 5V anzusteuern ist nicht sinnvoll.

Ist 3.3V. Ja TH spannung ist etwas tief. Dennkst du für 3.3V liegts im 
Rahmen oder welchen würdest du vorschlagen?

Mosfet schrieb:
> Ist 3.3V.

Mit HCT?

Sehr merkwürdig das alles.

H. H. schrieb:
> Mosfet schrieb:
>
>> Ist 3.3V.
>
> Mit HCT?
> Sehr merkwürdig das alles.

ja die von nexperia: Wide supply range from 2.0 to 6.0V

Mosfet schrieb:
> H. H. schrieb:
>
>> Mosfet schrieb:
>>> Ist 3.3V.
>>
>> Mit HCT?
>> Sehr merkwürdig das alles.
>
> ja die von nexperia: Wide supply range from 2.0 to 6.0V

ups sehe gerade die HCT haben da einschränkungen... Danke fürn tipp. 
Dann halt LVT?

Mosfet schrieb:
> Mosfet schrieb:
>
>> H. H. schrieb:
>>> Mosfet schrieb:
>>>> Ist 3.3V.
>>>
>>> Mit HCT?
>>> Sehr merkwürdig das alles.
>>
>> ja die von nexperia: Wide supply range from 2.0 to 6.0V
>
> ups sehe gerade die HCT haben da einschränkungen... Danke fürn tipp.
> Dann halt LVT?

Nochmal falsch 74ALVC00 scheint der passende typ.

Was spricht gegen einen 74LVC06?
https://assets.nexperia.com/documents/data-sheet/74LVC06A.pdf

Wenn man alle Stufen parallel schaltet, kommt man auch auf die 
geforderten 250 mA und kann sich den separaten FET sparen.

Abdul K. schrieb:
> max. supply current 100mA !
Hmm, der Ausgangsstrom geht ja nach GND und nicht nach Vcc.
Wobei GND ist auch ein Supply-Pin...

Ja dann einfach 3 74LVC06. Benötigt es noch kleine Wiederstände um die 
Ströme zu balancen? Oder einfach alles zusammenschalten?

Abdul K. schrieb:
> Ist aber alles bisserl Pfusch.

Mir sieht der Ansatz des TE ein "Signal" mit bis zu 250mA erden zu 
wollen sowieso nach Pfusch aus.