Guten Abend, suche Schaltung, mit welcher man per Taste einen N-Channel Mosfet als highside Fet bleibend einschalten kann, also Source nicht an GND, sondern Drain an Plus. Bei Wiederbetätigung der Taste sollte der Fet wieder ausschalten. Ein P-Channel eignet sich nicht, da grosser Strombedarf.
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Welche Spannung? Welcher Strom? Ist das denn so schwierig ein paar Angaben zu machen?
Bin mir nicht sicher was genau du suchst. Falls es sich um den Betrieb in einer Halbbrücke handelt kannst du die Potentialverschiebung im Brückenpunkt mit einer Bootstrape Schaltung kompensieren.
Ein RS-Flip-Flop, JK-Flip-Flop oder D-Flip-Flop. Zu spezifizieren wäre der Startzustand beim Anlegen der Versorgungsspannung.
Wissbegieriger schrieb: > suche Schaltung, mit welcher man per Taste einen N-Channel Mosfet als > highside Fet bleibend einschalten kann Na ja, du willst, aber was bietest du denn ? Damit der N-MOSFET durchschaltet brauchst du eine Spannung die ca. 10V ÜBER der zu schaltenden Spannung liegt. Hast du die ? Damit ein Taster bei einem Tastendruck ein und beim nächsten ausschalten kann, brauchst du ein eine Entprellung und ein FlipFlop. Hast du das denn ? Klar kann man so eine Spannung erzeugen, DC/DC-Wandler oder step up boost Wandler oder Ladungspumpen, aber das sind alles zusätzliche Bauteile. Es sei denn, man nutzt gleich einen passenden MOSFET, einen Smart High Side Switch, wie BTS555, dann geht die Schaltung auch mit einem Bauteil. Da du aber NATÜRLICH nicht schreibst, wie hoch deine Spannung und Strom ist, weiss man nicht, ob der ausreicht. Dann fehlt nur noch eine ein/aus Tastenschaltung. Da gibt es mehrere https://dse-faq.elektronik-kompendium.de/dse-faq.htm#F.29.1 und für die ganz Harten auch noch der neueste Beitrag aus diesem Forum der Ewiggestrigen Beitrag "T-Flip-Flop mit zwei Transistoren"
Antwortender schrieb: > Welche Spannung? Welcher Strom? > Ist das denn so schwierig ein paar Angaben zu machen? Spannung 42V, Strom bis zu 30A. Der Fet sollte einen ebike Controller ein- und ausschalten. Der MC des Controllers hat noch freie Pins zum programmieren.
Wissbegieriger schrieb: > Ein P-Channel eignet sich nicht, da grosser Strombedarf. Dieser Satz keinen Sinn. Weder ist klar, ob der Strombedarf für die Ansteuerung des MOSFET gemeint ist, oder ob der zu schaltende Strom zu groß wäre für einen p-Kanal MOSFET. Es stimmt auch beides nicht.
Bis anhin habe ich 3 parallel geschaltete irf4905(P-Channel) benutzt,die sind leider nach einer kurzen Überlastung abgeraucht(herrlicher Transistorduft.
Es gibt fertige high side Treiber mit integrierter Ladungspumpe. Schau z.B. bei TI.
Wissbegieriger schrieb: > Der Fet sollte einen ebike Controller ein- und ausschalten. Also der Controller braucht doch wohl nie im Leben 30A? Offenbar willst Du auch den Fahrstrom schalten, oder? > Der MC des Controllers hat noch freie Pins zum programmieren. Na dann kann er jedenfalls den Part des FlipFlops übernehmen. Wissbegieriger schrieb: > Bis anhin habe ich 3 parallel geschaltete irf4905(P-Channel) > benutzt,die sind leider nach einer kurzen Überlastung > abgeraucht Na dann fließen da offenbar deutlich mehr als nur 30A, denn dafür hätte schließlich ein einzelner IRF4905 ausgereicht. Eventuell den Anlaufstrom des Fahrmotors nicht bedacht?
Wissbegieriger schrieb: > Bis anhin habe ich 3 parallel geschaltete irf4905(P-Channel) benutzt,die > sind leider nach einer kurzen Überlastung abgeraucht(herrlicher > Transistorduft. Wie schon geschrieben, hätten die für die 30A locker reichen sollen. Wie steuerst Du die denn an ? Nicht das da das Problem liegt.
Vielen Dank für die Antworten. Inzwischen habe ich herausgefunden wo das Problem liegt, der Transistor, welcher die 3 irf4905 ansteuert, hatte einen Wackelkontakt zu GND, das hat wohl die 3 Fets überhitzt. Überlege mir nun, ob ich wieder 3 irf4905 oder eben einen starken n-Channel highside mit komplizierter Schaltung nehmen soll.
Wissbegieriger schrieb: > Ein P-Channel eignet sich nicht, da grosser Strombedarf. > [...] > Spannung 42V, Strom bis zu 30A. Also ich sehe da kein großartiges Problem... einfach bei Mouser mal Parameter in der Größenordnung (>=80V / >=150A) eingeben und schon hat man 5 p-MOSFET auf Lager... Die kosten dann zwar so 25-30€ aber mit der Aussage 'eignet sich nicht' wäre ich nicht so schnell. jetzt gilt es nur och abzuschätzen wie hoch der Aufwand für n-Kanal oder high side Switch dazu stehen und eine Abschätzung machen Grüße
Wissbegieriger schrieb: > Bis anhin habe ich 3 parallel geschaltete irf4905(P-Channel) > benutzt, die sind leider nach einer kurzen Überlastung > abgeraucht (herrlicher Transistorduft. Wissbegieriger schrieb: > Inzwischen habe ich herausgefunden wo das > Problem liegt, der Transistor, welcher die 3 irf4905 ansteuert, hatte > einen Wackelkontakt zu GND, das hat wohl die 3 Fets überhitzt. Wenn du drei parallel geschaltete p-MOSFETs für zusammen gut 100A kaputt bekommen hast, dann bekommst du auch einen n-MOSFET kaputt. Im Zweifelfall auf die gleiche dämliche Art. Statt auf die prinzipiell besseren Eigenschaften von n-MOSFET zu spekulieren, solltest du lieber deine Schaltung in den Griff kriegen. Und da gehört ein stabiler Aufbau dazu.
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Icke schrieb: > jetzt gilt es nur och abzuschätzen wie hoch der Aufwand für n-Kanal oder > high side Switch dazu stehen und eine Abschätzung machen Es besteht schlicht keine Notwendigkeit, dafür einen n-Kanal MOSFET zu verwenden. Es muß auch kein einzelner MOSFET die 30A schaffen, in Schaltanwendungen wie dieser kann man problemlos mehrere MOSFET parallel schalten. Aber das Problem des TE besteht nicht in der Auswahl des MOSFET, sondern darin eine zuverlässige Ansteuerung hinzubekommen. Seine Beschreibung vom "Transistor mit Wackelkontakt zu GND" spricht da Bände. Die für einen n-MOSFET nötige Ladungspumpe macht die Sache ganz sicher nicht einfacher.
Wissbegieriger schrieb: > suche Schaltung, mit welcher man per Taste einen N-Channel Mosfet als > highside Fet bleibend einschalten kann, also Source nicht an GND, > sondern Drain an Plus. Bei Wiederbetätigung der Taste sollte der Fet > wieder ausschalten. Für so etwas hatte ich mal einen MAX1614 verwendet und der funktionierte für mich gut.
Dieter schrieb: > MAX1614 Ein für so etwas prinzipiell praktisches IC, aber geht nicht. Datenblatt Seite 1, "Benefits and Features": • 5V to 26V Input Voltage Range Datenblatt Seite 2, "Absolute Maximum Ratings": BATT, SRC to GND..........................................-0.3V to +30V GATE to SRC...............................................-0.3V to +12V GATE to GND ..............................................-0.3V to +36V Vergleiche mit: Wissbegieriger schrieb: > Spannung 42V Das hätte freilich besser in die TE gehört, aber nachgereicht hat er's.
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Bratmaxxe schrieb: > Bootstrape Schaltung Wird problematisch, wenn der Schalter durchgehend an sein soll.
Vielen Dank für die guten Ratschläge! Der Transistor, welcher die 3 irf4905 steuert, ist nun stabil verlötet, der Hiside switch MAX1614 kommt wegen den max. 26V nicht in Frage, der BTS555 ist praktisch nicht mehr erhältlich. Einen P-Channel für 25€ mag ich nicht kaufen, ich glaube ich werde wieder 3 billige irf4905 bestellen, es scheint wirklich so, dass die halb durchgesteuerten Fets im Betrieb extrem heiss bis hin zum braten gekommen sind.
Alfred B. schrieb: > Ein für so etwas prinzipiell praktisches IC, aber geht nicht. Das geht durchaus mit dem IC und einfachstes Hühnerfütter. - Spannungsregler vor das IC - Kaskodenschaltung des Gate-steuernden Transistors
Wissbegieriger schrieb: > Bis anhin habe ich 3 parallel geschaltete irf4905(P-Channel) benutzt,die > sind leider nach einer kurzen Überlastung abgeraucht(herrlicher > Transistorduft. Wenn die Gatespannung zu niedrig war (beim Ein/Ausschalten der Elektronik) dann wird der MOSFet in Sekundenbruchteilen abgeheizt...
Bei der 2. Schaltung übernimmt ein ATtiny25 die Ein-Aus-Funktion und erzeugt ein 5 Vss Rechtecksignal. Dieses steuert über eine Ladungspumpe den N-Kanal FET an. Für größere FETs mit höherer GS-Kapazität sind die Widerstände so zu wählen, daß das Einschalten mit einer Rampe stattfindet. Möglichst langsam, um den Einschaltstrom zu begrenzen, und möglichst schnell, um die Verlustleistung klein zu halten. http://mino-elektronik.de/power_at90s/powerat90s.htm
H. H. schrieb: > Wissbegieriger schrieb: >> 3 billige irf4905 > > Welche von den bekannten Fälschungen...A Ebay oder Aliexpress- nie wieder für Transistoren oder andere Komponenten, ich besorge alles bei Reichelt. @ m.n.: So etwas in dem Stil habe ich mir vorgestellt, nur sollte es auch mit 42V funzen.
Wissbegieriger schrieb: > H. H. schrieb: >> Wissbegieriger schrieb: >>> 3 billige irf4905 >> >> Welche von den bekannten Fälschungen...A > > Ebay oder Aliexpress- nie wieder für Transistoren oder andere > Komponenten, ich besorge alles bei Reichelt. Auch Fälschungen...
Wissbegieriger schrieb: > @ m.n.: So etwas in dem Stil habe ich mir vorgestellt, nur sollte es > auch mit 42V funzen. Das macht es ja auch, wenn man an 'D' vom FET eine höhere Spannung anlegt. Wichtig ist, daß sich Vgs auf 'S' bezieht, was die Ladungspumpe ja erledigt. Ggf. brauchen die FETs eine höhere Vgs. Da könnte man einen NE555 (betrieben mit 12 V) als Quelle für die Ladungspumpe nehmen: ca. 10 V eff. Ausgangspegel bei höherem Strom. Das könntest Du doch einfach testen.(?)
Hier geht es doch um statisches Schalten. Da gibt eine einfache Möglichkeit einen N-FET anzusteuern. Mit dem Photovoltaic Mosfet Treiber APV1121 oder wer den als DIP braucht APV1122. Da braucht man nur die LED mit 10mA anzusteuern und spart sich den Krampf mit Ladungspumpe etc. Funktioniert bei mir in etlichen Teilen seit Jahren einwandfrei. Sogar mit Boliden Wie dem IRFP2907. In einer Anwendung wo ein sanftes Einschalten nötig war wurde sogar eine sehr niederfrequente PWM Rampe vorgesehen und das ging auch.
Steffen W. schrieb: > ... Krampf mit Ladungspumpe ... Soetwas ist natürlich eine immense Herausforderung für einen Schaltungsentwickler. Und einen NE555 muß man erst teuer beschaffen und dann noch zum Laufen bekommen. Aber gut, mit einem APV1121 funktioniert der FET entweder, oder er raucht wiederholt ab. Dran zu drehen, gibt es nichts. Kann der TO ja probieren.
Mir ist APV1121 noch nie ein FET abgeraucht, hat immer sofort problemlos funktioniert. Braucht wenig Platz auf der Platine und ich brauche so nur ein Bauteil das leicht anzusteuern ist. Wozu also mehr Aufwand treiben?
H. H. schrieb: > Wissbegieriger schrieb: >> H. H. schrieb: >>> Wissbegieriger schrieb: >>>> 3 billige irf4905 >>> >>> Welche von den bekannten Fälschungen...A >> >> Ebay oder Aliexpress- nie wieder für Transistoren oder andere >> Komponenten, ich besorge alles bei Reichelt. > > Auch Fälschungen... Hattest du schon mal Fakes von Reichelt? Die abgerauchten 4905 waren von Reichelt, aber ich denke der Fehler lag bei mir. @ Steffen w.: Muss das mit dem APV1122 mal studieren, habe schnell das DS schnell angeschaut, blicke aber nicht durch. @ m.n.: Werde mal die Schaltung aufbauen, PWM für Ladungspumpe werde ich vom bestehenden MC abzapfen, meine Sorge dabei ist, dass die Abschaltung (Überstrom) nicht schnell genug reagiert, mal schauen...
Anschluss ist eigentlich recht simpel. Pin4 oder 3 je nach Gehäuse (-) an MosFET Source, Pin& bzw 4 (+) an das Gate. Schutzwiderstand überflüssig. Die LED 1 Anode und 2 Kathode wie sonst auch mit Vorwiderstand für 10mA (ist recht unkritisch wenn es mehr sind) nach Wunsch ansteuern. Das wars auch schon.
Steffen W. schrieb: > Anschluss ist eigentlich recht simpel. Pin4 oder 3 je nach Gehäuse (-) > an MosFET Source, Pin& bzw 4 (+) an das Gate. Schutzwiderstand > überflüssig. > Die LED 1 Anode und 2 Kathode wie sonst auch mit Vorwiderstand für 10mA > (ist recht unkritisch wenn es mehr sind) nach Wunsch ansteuern. > Das wars auch schon. Und das funktioniert auch, wenn ein N-Channel am Plus(z.B 42V)? Dann gibt es intern eine Ladungspumpe? @ H H Hinz: Was hat Reichelt dazu gemeint?
Wissbegieriger schrieb: > @ H H Hinz: Was hat Reichelt dazu gemeint? Rücksendung. Die werden den Mist dem nächsten angedreht haben.
H. H. schrieb: > Die werden den Mist dem nächsten angedreht haben. Das wäre dann wirklich unseriös. Dass Reichelt viele Bauteile aus China bezieht, ist ja auf der beiliegenden Rechnung ersichtlich. Ist ja auch nicht erstaunlich, da heute von den Unterhosen über Brathähnchen, Büchsentomaten bis hin zu 5G modulen alles nur noch in China produziert wird. Aber man darf erwarten, dass Reichelt im eigenen Interesse die Lieferkette beobachtet und auch Tests durchführt....
Wissbegieriger schrieb: > Und das funktioniert auch, wenn ein N-Channel am Plus(z.B 42V)? Dann > gibt es intern eine Ladungspumpe? Intern werden mehrere in Reihe geschaltete Photodioden mit einer LED bestrahlt und erzeugen eine schwebende, galvanisch isolierte Gleichspannung von etwa 8V. Bei richtiger Beschaltung des NMOS-Transistors liegt dann dessen Gate um eben diese 8V höher als das Sourcepotential bzw. der Betriebsspannung von 42V.
Robert M. schrieb: > Intern werden mehrere in Reihe geschaltete Photodioden mit einer LED > bestrahlt und erzeugen eine schwebende, galvanisch isolierte > Gleichspannung von etwa 8V. Bei richtiger Beschaltung des > NMOS-Transistors liegt dann dessen Gate um eben diese 8V höher als das > Sourcepotential bzw. der Betriebsspannung von 42V. Danke für die Info, sehr interessantes Bauteil- und offenbar genügt ein einziges Bauteil.
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