Hallo
möchte mit einem ESP mit PWM LED's dimmen
Mit dem Arduino ging das mit BS170 und ich glaub auch den IRLZ-34N
In einem Artikel hier las ich da der ESP ja nur 3.3v (bei mir am ESP PWM-Ausgang max 2.96V), reicht das für den IRLZ-34N nicht und beimn BS170 bin ich mir nicht sicher .
Ich wollte beide verwenden, da ich den IRLZ-34 auch für 12V Gehäuselüfter benötige und der BS170 da wohl zu schwach ist!
Ich glaub aber mit 4V müssten die klar kommen oder?
Grund: ich dachte ich schicke das PWM-Signal über einen 3.3v-5V LevelShifter
Geht das?
edit: via Multimeter hatte ich da am LeveShifter 5V-Ausgang 4.08V gemessen !
Ja, ein 3.3V-5V-LevelShifter kann aus 3.3 V 5 V machen. Benutze einen Puffer mit TTL-kompatiblen Eingang wie (SN)74AHCT1G125, oder einen Levelshifter wie (SN)74LVC1T45 oder TXU0101, oder für größere Ströme oder Spannungen einen Gatetreiber wie z.B. UCC27517.
ich dachte ich schicke das PWM-Signal über einen 3.3v-5V
LevelShifter
Wenn es darum geht, ein MOSFET-Gate mit ordentlich Spannung zu versorgen (und auch schnell umzuladen) dann nennt man das für gewöhnlich nicht "LevelShifter" sondern "Gatetreiber".
wenn das tatsächlich so ist das für die benötigte Schaltspannung eines Mosfets hier die Angabe der Vgs(th) Gate Threshold Voltage entscheidend ist und die Mosfets die ich hier Zuhause habe , wie i.a. der IRLZ34N hier zw 1-2V benötigen dann sollte doch der ESP32 PWM mit seinen 2.96V (konnte ich zumindest mit dem Multimeter messen) völlig i.O. sein oder?
Zumindest steht im Datenblatt des IRLZ34N beim Reichelt 1-2V hier im Forum in diesem Datenblatt steht.
Da verstehe ich dann aber die hier im Forum geführte Diskussion nicht
Beitrag "MOSFETs zur LED-Schaltung"
wieso der ESP32 den IRLZ34N nicht schalten kann...
bin da gerade total verwirrt
Bei mir macht der IRLB 8721 am ESP8266 was er soll, nämlich schalten.
Nach Gerüchten bedeutet das "L" in der Typenbezeichnung LogicLevel.
aber da liegt doch fast kein Unterschied zwischen dem IRLB 8721 und dem IRLZ34N
außer in der sehr geringeren Verlustleistung von Rds(on) 0,0065 Ohm
oder deute und lese ich die beiden Datenblätter falsch, denn auch die Schaltspannung liegt bei Beiden im Bereich was der ESP max an Schaltspannung hergibt oder?
Naja. Wenn du mit dem zufrieden warst, was ein BS170 schalten kann, dann
brauchst du weder Gatetreiber noch dicke MOSFET.
Tu doch mal Butter bei die Fische: welche Spannung mit welchem Strom
willst du schalten?
DEN BS170 hatte ich für weniger Spannung und Strom die geschaltet werden musste im Einsatz... mir ging es bei der Frage hauptsächlich ob mein ESP die Schaltspannung bringt damit der Mosfet überhaupt schaltet.
Ich möchte 4x 12V/0,16A Lüfter also max 0,84A mit 12V Spannung schalten.
Bei mir macht der IRLB 8721 am ESP8266 was er soll, nämlich schalten.
Nach Gerüchten bedeutet das "L" in der Typenbezeichnung LogicLevel.
Glück gehabt - mehr als 10% des zulässigen Stromes willst du bei der schwachen Ansteuerung dann besser nicht durchschicken und ein Exemplar, das mit seiner Kennlinie etwas abseits der typischen Kennlinie liegt, willst du auch nicht erwischen.
p.s.
Mach's der Forensoftware doch nicht unnötig schwer.
Schreib an Stelle von "IRLB 8721" einfach IRLB8721
aber da liegt doch fast kein Unterschied zwischen dem IRLB 8721 und dem
IRLZ34N
außer in der sehr geringeren Verlustleistung von Rds(on) 0,0065 Ohm
oder deute und lese ich die beiden Datenblätter falsch
Wahrscheinlich schon.
Der R_DS(on) von typ. 6.5mΩ beim IRLB8721 bezieht sich auf U_GS=10V.
Für Ansteuerung mit 3.3V sind beide nicht geeignet.
wenn das tatsächlich so ist das für die benötigte Schaltspannung eines
Mosfets hier die Angabe der Vgs(th) Gate Threshold Voltage entscheidend
ist
Dabei solltest du aber im Auge behalten, welcher DS Strom dabei als geschaltet gilt. Das sind nämlich im Allgemeinen 250µA (nicht mA!) und das ist so gut wie nix, bzw. ein Viertel mA. Aus den Diagrammen geht dann hervor, mit welcher Ugs Spannung welcher Strom geschaltet werden kann.
Und wohlgemerkt, es handelt sich um typische Werte. MOSFets haben Streuung, und es kann durchaus passieren, das du ein Exemplar erwischst, das bei 2V erst 250µA schalten kann. Dann wirds knapp mit 2,96V Ugs.
Unabhängig davon, ob 3,3V oder 5V Input, die angehängte Schaltung funktioniert zuverlässig und lässt die Lüfter gegen Masse zu, was die Tachosignal Problematik vereinfacht.
Tu doch mal Butter bei die Fische: welche Spannung mit welchem Strom
willst du schalten?
DEN BS170 hatte ich für weniger Spannung und Strom die geschaltet werden
musste im Einsatz... mir ging es bei der Frage hauptsächlich ob mein ESP
die Schaltspannung bringt damit der Mosfet überhaupt schaltet.
"der Mosfet" ist keine Typenbezeichnung. Aber ja, es gibt n-Kanal-MOSFET, für die der Hersteller den R_ds_on bei U_gs von z.B. 2.5V garantiert.
Denn das ist das Kriterium ob ein MOSFET "logic level" bzw. geeignet ist. Nicht die Threshold-Spannung, denn die unterliegt exemplarbedingten Schwankungen. Auch das steht im Datenblatt.
Kurven zeigen immer nur "typische" Verläufe. Also den Mittelwert. Das heißt auch, daß 50% aller real existierenden Exemplare schlechter sein werden. Die andern 50% sind besser, aber das hilft dir nicht wenn du ein schlechtes Exemplar hast.
Ich möchte 4x 12V/0,16A Lüfter also max 0,84A mit 12V Spannung schalten.
Wenn die alle parallel geschaltet sind, also 0.84A über einen MOSFET fließen sollen, dann reicht einer mit R_ds_on <= 200mΩ. Denn gemäß P=I²·R fallen bei 0.84A dann weniger als 150mW am Mosfet ab. Das kann auch ein SOT-23 noch abführen. Allerdings solltest du vorher noch klären, ob deine Lüfter beim Anlaufen oder wenn sie blockiert sind, mehr Strom ziehen.
PS: andererseits hast du ohnehin die 12V im System. Dann kannst du genausogut irgendeinen Gatetreiber und einen "normalen" MOSFET nehmen.
Unabhängig davon, ob 3,3V oder 5V Input, die angehängte Schaltung
funktioniert zuverlässig und lässt die Lüfter gegen Masse zu, was die
Tachosignal Problematik vereinfacht.
Vielen Dank dafür aber was bedeutet der P-Kanal gibt es dazu eine Bezeichnung?
ich müsste also 2 verbauen?
einmal den Bipolartransitor on den P-Kanal?
genausogut irgendeinen Gatetreiber und einen "normalen" MOSFET nehmen.
das härt sich füer mich fast am besten an..., wenn es so ein gefrickel ist hier einen geeigneten Mosfet für eine Handvoll Lüfter die statt an einem Arduino nun an einem ESP hängen
dann wäre mir so eine Lösung mit einem Gatetreiber die beste Lösung
genausogut irgendeinen Gatetreiber und einen "normalen" MOSFET nehmen.
das härt sich füer mich fast am besten an..., wenn es so ein gefrickel
ist hier einen geeigneten Mosfet für eine Handvoll Lüfter die statt an
einem Arduino nun an einem ESP hängen
Na na, nun übertreib nicht so maßlos. Die MOSFET-Übersicht nennt beispielsweise SI2302DS (115mΩ @ 2.5V) oder IRF7401 (30mΩ @ 2.7V)
dann wäre mir so eine Lösung mit einem Gatetreiber die beste Lösung
Damit ich die Fachsprache richtig verstehe... Gatetreiber ist hier wie
ein LevelShifter?
So ungefähr - die Sache mit der Gateschwellspannung kann man vielleicht mal überarbeiten.
Die "Gate Threshold Voltage" ist nicht die Schwelle, aber welcher der Transistor so gerade eben zu leiten beginnt (was ist "so gerade eben" - 1µA, 10µA ...?) sondern ein wohldefinierter Kennwert. Das ist genau die Spannung (bei verbundenen Gate und Source), bei der der angegebene Strom durch den Kanal fließt, meist 250µA, kann aber auch anders sein.
wenn das tatsächlich so ist das für die benötigte
Schaltspannung eines Mosfets hier die Angabe der Vgs(th) Gate
Threshold Voltage entscheidend ist
Ist es aber nicht wirklich. Vgs(th) gibt an bis zu welcher Spannung der Fet noch sicher sperrt. Die für die Verwendung als Schalter interessante Angabe im Datenblatt findest Du indirekt als Anmerkung bei der Angabe Rds(on) als GS-Spannung für die dieser Wert gilt; bei den FETs die für niedrigere GS-Spannungen gedacht sind findet man da üblicherweise zwei (oder mehr) Angaben, einmal für GS=10V und zusätzlich für z.B. GS=4,5V (oder eben noch kleinere Spannungen).
Nicht die Threshold-Spannung, denn die unterliegt
exemplarbedingten Schwankungen.
Das gilt doch eigentlich für sämtliche Werte im DB; für die mittlere Spalte (typ) explizit und für die min/max Spalten implizit auch. Ein Wert der tatsächlich nicht schwankt müßte identische Werte in min/max eingetragen haben, wenn es ein solches Bauteil real gäbe.
Bei mir macht der IRLB 8721 am ESP8266 was er soll, nämlich
schalten. Nach Gerüchten bedeutet das "L" in der Typenbezeichnung
LogicLevel.
Och nöö, das ist doch nun wirklich nicht nötig, dass nach so langer Zeit und so vielen Erklärungen IMMER noch einer kommt der beweist dass er der Dümmste der Dummen ist und es immer noch nicht begriffen hat.
LogicLevel heisst zunächst mal nur, dass er garantiert mit 5V voll durchschaltet, daher steht auch eine Angabe zum RDSon bei UGS 4.5V im Datenblatt, das hat der Hersteller getestet.
Es heisst noch lange nicht, dass er auch bei 3.3V voll durchschaltet. Im Gegenteil, unter 2.35V kann dein Exemplar schon so gut sperren dass nicht mal 25uA fliessen, daher steht 2.35 bei UGS(th).
Dazwischen, nun, ist der MOSFET halb-leitend, leitet so schlecht das er seinen aufgedruckten Strom nicht durchleiten kann und leitet sowieso nur bei erheblichem Spannungsabfall.
Es ist Schwachsinn, Idiotie und Dummheit, so einen MOSFET fur die Ansteuerung mit 3.3V zu empfehlen, das funktioniert nur bei einigen zufälligen Exemplaren und nicht mit dem vollen Strom.
Es gibt genügend MOSFETs mit 2.5, 2.7 oder 2.8V spezifizierten RDS(on) im Datenblatt, da muss man keine Schrottbauteile empfehlen. AON7520, PH2925U, IRL6283 sind alle kräftig, weit kräftiger als Achim braucht, der aber erst im spät folgenden Salamischeibenbeitrag gesagt hat, was er schalten will.
Zumindest steht im Datenblatt des IRLZ34N beim Reichelt 1-2V hier im
Forum in diesem Datenblatt steht.
Da verstehe ich dann aber die hier im Forum geführte Diskussion nicht
Beitrag "MOSFETs zur LED-Schaltung"
wieso der ESP32 den IRLZ34N nicht schalten kann...
bin da gerade total verwirrt
Na ja, weil es wie dort im thread immer wieder Thomasse gibt die RDS(on) und UGS(th) nicht verstehen.
So ungefähr - die Sache mit der Gateschwellspannung kann man vielleicht
mal überarbeiten.
Ich habe es jetzt dreifach hin geschrieben, das muss reichen.
" Die "Gate Threshold Voltage" ist die Schwelle, aber welcher der Transistor ganz schwach zu leiten beginnt. Um brauchbar ein zu schalten ist mehr Spannung nötig. In diesem konkreten Fall beginnt der Transistor irgendwo zwischen 1 und 2 Volt zu leiten. Genauer will sich der Hersteller wohl nicht festlegen.
Transistoren schalten nicht schlagartig an/aus wie Relais, sondern es sind analoge Bauteile mit fließendem Übergang. MOSFET begrenzen den Last-Strom je nach anliegender Steuerspannung. Das wird in folgendem Diagramm dargestellt:..."
Och nöö, das ist doch nun wirklich nicht nötig, dass nach so langer Zeit
und so vielen Erklärungen IMMER noch einer kommt der beweist dass er der
Dümmste der Dummen ist und es immer noch nicht begriffen hat.
Michael, darf ich dich mal fragen wieso du hier so angehst?
Letztens hast du mich anpissen wollen.
Eigentlich habe ich deine Beiträge immer gerne gelesen.
Du willst doch wohl nicht zum MaWin werden?
Bleibe doch einfach sachlich!
Du hast es doch drauf.
Damit, mit deinem Beschimpfungen, machst du leider alles kaputt.
Und manche Leute reagieren da auch empfindlich drauf.
Damals hätte MaWin fast Besuch bekommen, wegen eben solcher entwürdigenden Beleidigungen.
Hinter jedem Post steht auch ein realer Mensch.
Nicht jeder hat mit 8 Jahren angefangen mit einem Elektronikbaukasten zu basteln.
Ich bin durch den Tod meines Sohnes und diverser anderer Einschläge auch nicht mehr voll im Thema und habe auch erst mit über 40 Jahren angefangen.
Es gibt bestimmt eine Menge Sachen die andere, denen du so kommst, viel besser als du können.
Außerdem finde ich es sehr schade, dass du so geworden bist.
Hast du doch gar nicht nötig.
Ich habe dich immer für sehr intelligent und reflektiert gehalten. Schade wenn ich mich getäuscht haben sollte.
Die modernen anmeldepflichtigen MaWins von Heute, die jetzt quasi in die Fußstapfen des alten Ur-MaWins getreten sind, haben sich aber schon deutlich verbessert und sie sind nicht mehr alle ganz so muffelig wie damals der echte MaWin.
Ich habe es jetzt dreifach hin geschrieben, das muss reichen.
" Die "Gate Threshold Voltage" ist die Schwelle, aber welcher der
Transistor ganz schwach zu leiten beginnt.
Meiner Meinung nach müsstest du schreiben:
"Die Gate Threshold Voltage ist die Spannung unterhalb der der FET nicht mehr als (z.B.) 250µA fließen lassen kann."
" Die "Gate Threshold Voltage" ist die Schwelle, aber welcher der
Transistor ganz schwach zu leiten beginnt.
Meiner Meinung nach müsstest du schreiben:
"Die Gate Threshold Voltage ist die Spannung unterhalb der der FET
nicht mehr als (z.B.) 250µA fließen lassen kann."
Das ist doch beides das Gleiche. Ist das Glas halb voll oder halb leer?
Ebenfalls Wikipedia:
"The threshold voltage, commonly abbreviated as Vth or VGS(th), of a field-effect transistor (FET) is the minimum gate-to-source voltage (VGS) that is needed to create a conducting path between the source and drain terminals."
https://en.wikipedia.org/wiki/Threshold_voltage
Michael, das mag ja sein. Es gibt dir aber nicht das Recht, jemanden
derart zu beleidigen.
Ach Frank, seit wann beleidigen denn Tatsachenfeststellungen ? Nur wenn man glaubt man könne sich jeden Unsinn erlauben weil Mami einem den schon verzeihen wird. Eine Welt, die sich Kritik verbittet weil es politically not correct ist den anderen auf seine Fehler hinzuweisen endet im trumpschen fake news Irrenhaus.
Erklärungen IMMER noch einer kommt der beweist dass er der Dümmste der
Dummen ist und es immer noch nicht begriffen hat.
Dann lies deinen Beitrag selbst!
Dieser Abschnitt hat wenig von "Tatsachenfeststellung", dafür aber handfeste Beleidigungen.
Als ich dich hier im Anfang auftauchen sah, war ich schwer beeindruckt.
Ich will dir nichts und du kannst tun und lassen was du willst, aber es wird sicher nicht nur bei mir ein anderer Eindruck entstehen.
Ich hatte mal einen Kunden, keiner wollte dort hin fahren, der wurde total eklig während seiner Scheidung.
Als wir uns dann näher kannten, sprachen wir darüber. Natürlich hatte er teilweise recht, aber ich konnte mit ihm klar drüber sprechen und er hat dann irgendwann eingesehen, dass das sehr unfair war, wie er Mitarbeiter und andere, von ihn abhängige Personen behandelt hatte.
Ich will dir hier nichts unterstellen, vielleicht ist etwas aus deinem privaten oder beruflichen Leben anders geworden?
Denk bitte einmal drüber nach!
Denn, deine Fachkompetenz schätze ich sehr.
Michael B. schrieb im Beitrag #7422025:
Ach Frank, seit wann beleidigen denn Tatsachenfeststellungen ?
Das ist doch beides das Gleiche. Ist das Glas halb voll oder halb leer?
Meiner Meinung nach nicht, halb voll bzw. halb leer ist eine exakte Grenze.
Zumindest führt genau das immer zu den falschen Einschätzungen vieler Unerfahrener hier, die daraus schließen, dass man oberhalb dem U_GS-Threshold zu einem (gut) leitenden FET kommt und suchen den entsprechend aus. Und wundern sich dann, warum er heiß wird. Deshalb würde ich meine Variante zur Erklärung vorziehen, auch wenn die genannte Quellen das anders formulieren.
Das Datenblatt soll ja was garantieren. Unterhalb U_GS_min ist garantiert, dass der Strom kleiner ist als der angegebene Wert. Kann aber auch schon bei U_GS_max passieren - muss nicht.
Oberhalb von U_GS ist im Prinzip nichts garantiert - nur darf man annehmen, dass mehr als die häufig angegebenen 250µA fließen. Erst mit der Angabe der U_GS mit spezifiziertem RDS_on weiß man sicher, dass auch der angegebene Strom fließen kann.
Aber das alles weißt du ja auch.
" Die "Gate Threshold Voltage" ist die Schwelle, aber welcher der
Transistor ganz schwach zu leiten beginnt.
Meiner Meinung nach müsstest du schreiben:
"Die Gate Threshold Voltage ist die Spannung unterhalb der der FET
nicht mehr als (z.B.) 250µA fließen lassen kann."
Das ist doch beides das Gleiche. Ist das Glas halb voll oder halb leer?
Leute, so schwer ist das doch nun wirklich nicht.
Die Gate Threshold Voltage U_GS(th) ist genau die Spannung, bei der in der angegebenen Verschaltung (G-D verbunden) und der angegebenen Temperatur der angegebene Strom (meist 250µA) fließt. Nicht weniger und nicht mehr, kein "beginnt zu leiten", kein "sperrt fast ganz", kein "nicht mehr als" oder wie man es sonst betiteln möchte.
Im Datenblatt für diesen Typ von FET sind dann garantierte Werte für Minimal- und Maximalwert angegeben. In diesem Wertebereicht muss jeder ausgeliefert FET liegen, weil das der Hersteller so garantiert. Die andern wandern in den Schrott.
Wo innerhalb dieses Feldes der Wert für ein bestimmtes Exemplar liegt, hängt von Fertigungstoleranzen ab.
Zumindest führt genau das immer zu den falschen Einschätzungen vieler
Unerfahrener hier, die daraus schließen, dass man oberhalb dem
U_GS-Threshold zu einem (gut) leitenden FET kommt und suchen den
entsprechend aus. Und wundern sich dann, warum er heiß wird.
Naj, wer lesen kann ist klar im Vorteil:
"Die "Gate Threshold Voltage" darunter ist die Schwelle, aber welcher der Transistor ganz schwach zu leiten beginnt. Um brauchbar ein zu schalten ist mehr Spannung nötig."
Und darunter habe ich es ja nochmal verdeutlicht. Wer sich aus einem Absatz nur die gerade genehmen Teile heraus liest und den Rest ignoriert, hat kein Mitleid verdient.
Wenn man seine Anleitung zu sehr an solche Leute anpasst läuft man zu Recht Gefahr, nicht ernst genommen zu werden. Die Zielgruppe ist schließlich kein Kindergarten.
Die Gate Threshold Voltage U_GS(th) ist genau die Spannung, bei der in
der angegebenen Verschaltung (G-D verbunden) und der angegebenen
Temperatur der angegebene Strom (meist 250µA) fließt.
Mag ja sein, dass man das so bestimmt. Aber für den praktischen Anwendungsfall hat diese Beschaltung bzw. Definition genau Null Aussagekraft.
Und oberhalb von U_GS_max ist garantiert, dass der Strom größer ist als
der angegebene Wert.
Schon richtig, aber ich weiß nicht, wie groß. Was nützt es mir? Deshalb:
Oberhalb von U_GS ist im Prinzip nichts garantiert
Nein. Das hast du dir ausgedacht.
Nein, das ist letztlich die Konsequenz. Zwischen der Thresholdspannung und der Angabe der U_GS für ein bestimmtes RDS_on kann man bestenfalls aus den Kurven noch was typisches schließen. Das mag man zu Rate ziehen, wenn ich mit einem 5A-Tranistor nur 100mA schalten will.
Aber Kurven, die RDS_on über U_GS im Bereich ab der Gate-Thresholdspannung anzeigen, sind eher nicht zu finden.
Mag ja sein, dass man das so bestimmt. Aber für den praktischen
Anwendungsfall hat diese Beschaltung bzw. Definition genau Null
Aussagekraft.
Immerhin beschreibt solche Angaben für z.B. U_GS(th) einen Bereich für einen definierten Punkt der Kennlinie.
Auch R_DS(on) ist nur für bestimmte Bedingungen angegeben. Du willst doch nicht sagen, das so etwas ohne Aussagekraft ist.
Datenblattangaben definieren nun mal Grenzen und beschreiben Daten typischer Exemplare - lediglich eine statistische Aussage über die Eigenschaften - und das auch nur unter den angegebenen Bedingungen.
Aber Kurven, die RDS_on über U_GS im Bereich ab der
Gate-Thresholdspannung anzeigen, sind eher nicht zu finden.
Wozu auch. U_GS(th) ist ein recht wackeliger Parameter und kein ernstzunehmender Entwickler wird dort seinen Arbeitspunkt hinlegen - wozu also das Datenblatt vollmüllen.
R_DS(on) - was etwas mit on/off und digitalem Betrieb zu tun hat, ist dort wegen der Kennlinienkrümmung eine ziemliche Hausnummer.
Oberhalb von U_GS ist im Prinzip nichts garantiert
Darunter ist genau so wenig garantiert. Oder welche Spannung würdest du
anlegen, um 50µA fließen zu lassen?
Hier will niemand 50µA fließen lassen, sondern etwas schalten. Was genau geschaltet werden soll, wurde nicht beschrieben. Ist auch zweitrangig, passende LL-FETs sind problemlos bezahlbar zu bekommen.
Also der Achtundfünfzigste Schwachsinnsthread über UGS-th, wieder mal eine simple Schaltanwendung tot gelabert.
Das Kasperle TO hat sich vermutlich abgeseilt, weil die Antworten nicht zu seinen vorhandenen Teilen passen und es eindeutige Hinweise auf geeignete Typen nicht verstanden hat.
