Hallo, ich müsste 13,8V DC ca. 10A high-side schalten. Es steht fast keine Kühlmöglichkeit zur Verfügung. Kennt jemand einen P-Kanal FET mit einem sehr niedrigen RDSon (<5mOhm) der verfügbar ist ? DPACK case wäre ideal. N-Kanal FET habe ich gefunden, aber der nutzt mir in diesem Fall nichts. Danke für sachdienliche Hinweise.
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Warum kein N-Kanal Highside Switch? Gibt extra Treiber dafür, die das Gate per Ladungspumpe auf eine höhere Spannung setzten als die Drain/Source Spannung, damit dein VGS wieder passt. z.B. https://www.mouser.de/ProductDetail/Microchip-Technology/MIC5019YFT-TR?qs=U6T8BxXiZAWthEI%2FdaCFzg%3D%3D
Thomas R. schrieb: > Gibt extra Treiber dafür, die das Gate per Ladungspumpe auf eine höhere > Spannung setzten als die Drain/Source Spannung, damit dein VGS wieder > passt. Genau das. Man muss aber darauf achten, dass der verwendete Treiber nicht nur eine Bootstrap Schaltung verwendet, da diese einen FET im PWM Betrieb benötigt, um die Ladung zu pumpen. Wenn statisches Schalten gefordert ist, muss der Treiber die Ladungspumpe selbst bespaßen. Thomas hat da schon ein passendes IC herausgesucht. Alternativ können natürlich auch mehrere FETs parallel geschaltet werden. Das geht bei MOSFETs ja glücklicherweise (positiver Temperaturkoeffizient von RDson). Ist auch von der thermischen Entwicklung her besser abführbar, sofern der Platz für mehrere FETs vorhanden ist.
Bot N. schrieb: > ich müsste 13,8V DC ca. 10A high-side schalten. Es steht fast keine > Kühlmöglichkeit zur Verfügung. Na das schafft sogar ein lächerlicher IRF9540 im TO220-Gehäuse ohne abzufackeln und der ist denkbar schlecht. 13.8V klingt nach KFZ...
M. K. schrieb: > Na das schafft sogar ein lächerlicher IRF9540 im TO220-Gehäuse ohne > abzufackeln und der ist denkbar schlecht. Überleg dir mal wieviel Spannung an dem abfällt, bei 10A.
H. H. schrieb: > M. K. schrieb: >> Na das schafft sogar ein lächerlicher IRF9540 im TO220-Gehäuse ohne >> abzufackeln und der ist denkbar schlecht. > > Überleg dir mal wieviel Spannung an dem abfällt, bei 10A. Das wird er nicht können, sonst hätte er gemerkt, daß 20W Verlustleistung (bei Tj=25°C) "etwas" viel selbst bei TO-220 wäre. Selbst mit aktiver Kühlung, weil man sich schon da bei der Montage auf dem Kühlkörper etwas Gedanken machen müsste.
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H. H. schrieb: > Überleg dir mal wieviel Spannung an dem abfällt, bei 10A. Bei nem UGS von 10V: Weniger als 2V Norbert S. schrieb: > Das wird er nicht können, sonst hätte er gemerkt, daß 20W > Verlustleistung (bei Tj=25°C) "etwas" viel selbst bei TO-220 wäre. > Selbst mit aktiver Kühlung, weil man sich schon da bei der Montage auf > dem Kühlkörper etwas Gedanken machen müsste. Es war auch nicht als Empfehlung gedacht den dafür einzusetzen. Ich wundere mich nur dass der Kollege keinen P-Kanal-FET findet denn die Randbedingungen sind ja nun mal doch eher in der Richtung lächerlich gering. Parameterische Suche bei Mouser, Digi-Key und Co, lasst uns maximal 2W im Transistor verheizen dann brauchen wir nur einen P-Kanal-FET mit nicht mehr als 20mΩ RDS(on). Die gibts wie Sand am Meer, das ist doch keine Raketentechnik.
M. K. schrieb: > H. H. schrieb: >> Überleg dir mal wieviel Spannung an dem abfällt, bei 10A. > > Bei nem UGS von 10V: Weniger als 2V 20W ist ja kein Pappenstiel ohne Kühlkörper
Joachim B. schrieb: > 20W ist ja kein Pappenstiel ohne Kühlkörper Auch das hab ich doch gar nicht gesagt. Alter Schwede, mit dem Mitdenken ist man heute sparsam unterwegs oder wie?
Danke sehr für die guten, die gut gemeinten und die suboptimalen Tips.
H. H. schrieb: > Überleg dir mal wieviel Spannung an dem abfällt, bei 10A. Es brauchen nur genuegend davon parallel geschaltet zu werden. ;)
Dieter D. schrieb: > H. H. schrieb: >> Überleg dir mal wieviel Spannung an dem abfällt, bei 10A. > > Es brauchen nur genuegend davon parallel geschaltet zu werden. ;) Um auf die Größe eines DPAK zu kommen....
M. K. schrieb: > Joachim B. schrieb: >> 20W ist ja kein Pappenstiel ohne Kühlkörper > > Auch das hab ich doch gar nicht gesagt. Alter Schwede, mit dem Mitdenken > ist man heute sparsam unterwegs oder wie? Was hast Du denn gesagt ausser, daß der Fet mit 200mOhm das kann?
H. H. schrieb: > Um auf die Größe eines DPAK zu kommen.... Alles überflüssige des TO-Gehäuses wegfräsen. ;)
Dieter D. schrieb: > H. H. schrieb: >> Um auf die Größe eines DPAK zu kommen.... > > Alles überflüssige des TO-Gehäuses wegfräsen. ;) So wie deine Postings....
M. K. schrieb: > lasst uns > maximal 2W im Transistor verheizen dann brauchen wir nur einen > P-Kanal-FET mit nicht mehr als 20mΩ RDS(on). Mit einem DPak. Hast Du irgendwo was von Aluplatine oder 200µ Kupfer und viel Platz drumherum gelesen? Wenn der schön warm wird, werden aus den 20mOhm schnell 30-40 und spätestens dann lötet sich das Ding unter normalen Bedingungen aus. Der TO lag mit seinen 5mOhm schon ganz gut!
M. K. schrieb: > Joachim B. schrieb: >> 20W ist ja kein Pappenstiel ohne Kühlkörper > > Auch das hab ich doch gar nicht gesagt. Alter Schwede, mit dem Mitdenken > ist man heute sparsam unterwegs oder wie? was interessiert was du gesagt hast? Bot N. schrieb: > Es steht fast keine > Kühlmöglichkeit zur Verfügung. Mit dem Lesen hast du es auch nicht so?
M. K. schrieb: > Auch das hab ich doch gar nicht gesagt Das war aber gefordert. Ursprungsbeitrag nicht gelesen ?
H. H. schrieb: > So wie deine Postings.... Mitgespielt und eine Flanke gesichert. Gäbe noch weitere Fallstricke. Kommt vielleicht spaeter noch.
https://industry.panasonic.eu/products/components/coupler/photovoltaic-mosfet-driver und dazu ein n-Kanal.
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Brüno schrieb: > https://industry.panasonic.eu/products/components/coupler/photovoltaic-mosfet-driver > und dazu ein n-Kanal. Er hat doch eh kaum Platz.
H. H. schrieb: > Er hat doch eh kaum Platz. Ein APV2111VY ist kleiner als so mancher Highside-Treiber.
Brüno schrieb: > H. H. schrieb: >> Er hat doch eh kaum Platz. > > Ein APV2111VY ist kleiner als so mancher Highside-Treiber. Den er auch nicht braucht.
Zur Ergänzung, hier wäre noch die Seite mit ein paar P-Mosfet Typen: https://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-%C3%9Cbersicht#P-Kanal_MOSFET H. H. schrieb: > Den er auch nicht braucht. Da wäre ich jetzt nicht so optimistisch, weil ein Teilauschnitt der Schaltung hier im Thread nicht steht. Wenn seine Ansteuerung so ähnlich, wie bei diesem Thread wäre, dann war ich zu pessimistisch: Beitrag "P Mosfet, Ugs mit Z-Diode begrenzen"
Norbert S. schrieb: > Was hast Du denn gesagt ausser, daß der Fet mit 200mOhm das kann? Dass es kein Problem darstellt, einen P-Kanal-FET zu finden, der die geforderte Leistung locker schalten kann. Joachim B. schrieb: > was interessiert was du gesagt hast? Dich offensichtlich nicht. Aber keine Sorge, bist ja nicht alleine. Joachim B. schrieb: > Mit dem Lesen hast du es auch nicht so? Na da bin ich ganz offensichtlich nicht alleine wie man es insbesondere an den letzten Postings sieht. Michael B. schrieb: > Das war aber gefordert. Ursprungsbeitrag nicht gelesen ? Und noch einer, ders nicht so mit dem Mitdenken hat. Hätte ich doch eher den SQD50 genannt...
M. K. schrieb: > Bot N. schrieb: >> ich müsste 13,8V DC ca. 10A high-side schalten. Es steht fast keine >> Kühlmöglichkeit zur Verfügung. > > Na das schafft sogar ein lächerlicher IRF9540 im TO220-Gehäuse ohne > abzufackeln und der ist denkbar schlecht. 13.8V klingt nach KFZ... M. K. schrieb: > Norbert S. schrieb: >> Was hast Du denn gesagt ausser, daß der Fet mit 200mOhm das kann? > > Dass es kein Problem darstellt, einen P-Kanal-FET zu finden, der die > geforderte Leistung locker schalten kann. Hmmm...
Wie waer es denn mit diesem Baby? https://www.nexperia.com/products/mosfets/power-mosfets/PXP010-20QX.html Vanye
Musste da zu erst an die Self protected High-side switches für den Automobilbereich denken, also z.B. BTS50025-1TEA, siehe auch hier für weitere: https://www.infineon.com/cms/de/product/power/smart-power-switches/high-side-switches/ oder von ST, wobei das meiste Power-SO8 o.ä. ist, z.B. VN5T006ASP-E, siehe https://www.st.com/en/automotive-analog-and-power/high-side-switches/products.html
Christian W. schrieb: > Musste da zu erst an die Self protected High-side switches für den > Automobilbereich denken, also z.B. > > BTS50025-1TEA, siehe auch hier für weitere: > https://www.infineon.com/cms/de/product/power/smart-power-switches/high-side-switches/ Schade, daß es den BTS555 nicht mehr gibt: BTS555: 1,9 mΩ 128 A 5 V - 34 V BTS50025: 5 mΩ 24 A 5,8 V - 18 V Vielleicht wurde er ja eingestellt, weil er in der Realität doch nicht der Spezifikation entsprach? Es gibt aber noch den BTS500051: 0,6 mΩ 65 A 3,1 V - 28 V allerdings frage ich mich, wie man das Ding verlötet, so daß man auch etwas von den 0,6 mΩ hat.
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Zino schrieb: > allerdings frage ich mich, Zwar nicht im Datenblatt nachgesehen, aber ich erinnere mich an ähnliche Mosfet, da stand so ein niedriger Wert auch drin. Aber da stand dazu das wäre der Widerstand des Chips und dazu käme der Widerstand des Casing mit Füßchen.
Zino schrieb: > Schade, daß es den BTS555 nicht mehr gibt: > Vielleicht wurde er ja eingestellt, weil er in der Realität doch nicht > der Spezifikation entsprach? Der war nur zu teuer. > Es gibt aber noch den > BTS500051: 0,6 mΩ 65 A 3,1 V - 28 V > > allerdings frage ich mich, wie man das Ding verlötet, so daß man auch > etwas von den 0,6 mΩ hat. Wenn du zu dünne Strippen dran machst, da kann der Hersteller nichts dafür.
M. K. schrieb: > Dass es kein Problem darstellt, einen P-Kanal-FET zu finden, der die > geforderte Leistung locker schalten kann. Das seh ich auch so - größtes Problem dürfte sein, dass man unbedingt irgendwas irgendwie verwenden möchte, was so in der Krabbelkiste herumfliegt anstatt die parametrische Suche von Mouser oder Digikey zu bemühen und ein passendes Bauteil zu bestellen.
Mampf F. schrieb: > irgendwie verwenden möchte, was so in der Krabbelkiste herumfliegt ... Gerade in dem Falle erwarten die meisten hier im Forum, jener möge die Internetsuche anwerfen und erstmal einen Blick in das gefundene Datenblatt werfen. Dann würden sich die Nachfragen beschränken auf mit dem Kürzel auf dem Bauteil fände man nichts, Hilfe bei der Suche und Ratsuche, auf welche Werte im Datenblatt es ankomme.
Ich nehm fuer solche Faelle zB IRF7416, die machen 20mOhm im SO8 Gehaeuse. Davon vielleicht 4 Parallel.
Purzel H. schrieb: > Ich nehm fuer solche Faelle zB IRF7416, die machen 20mOhm im SO8 > Gehaeuse. Davon vielleicht 4 Parallel. Er hat sich Dpak gewünscht und nicht viel Platz. Da wird es mit 4x SO-8 wohl nix denn routen muss er das ja auch noch. Wenn Du die rumliegen hast, wäre das ein guter Grund es zu versuchen es damit hinzukriegen aber wenn er sowieso was kaufen muss gibt es ja nun genug erheblich bessere Lösungen, auch in einem SO-8 (bzw. der Größe, Super-8 oder wie die Hersteller das jeweils nennen). Gruß, Norbert
Hier mal ein Powertyp, der mit einem niedrigen Rdson glänzt: https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IPB180P04P4L-02-DataSheet-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d4627aa5d4f5017b784846aa726d Gut: Vds = 40V Rdson(typ) = 1,8 mOhm @ Vgs = 10V Id = 140A @ Tc = 100°C Weniger gut: Lieferbarkeit Einige Millimeter größer als Dpak
Bernd K. schrieb: > Hier mal ein Powertyp, der mit einem niedrigen Rdson glänzt: > > https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IPB180P04P4L-02-DataSheet-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d4627aa5d4f5017b784846aa726d > > Gut: > Vds = 40V > Rdson(typ) = 1,8 mOhm @ Vgs = 10V > Id = 140A @ Tc = 100°C > > Weniger gut: > Lieferbarkeit > Einige Millimeter größer als Dpak Teuer, gibt es nirgendwo zu kaufen und not recommended for new design. Supertipp!
Farnell gibt an über 4000St auf Lager zu haben... https://de.farnell.com/infineon/ipb180p04p4l02atma1/mosfet-p-kanal-40v-180a-to-263/dp/2443386
Aber warum sollte man den nehmen? Ausser, wenn es aus der Bastelkiste sein soll und man nix passenderes hat.
M. K. schrieb: > Dass es kein Problem darstellt, einen P-Kanal-FET zu finden, der die > geforderte Leistung locker schalten kann. Das interessiert hier aber niemanden oder bist du beim Originalposting nicht bis zum zweiten Satz vorgedrungen?
Norbert S. schrieb: > Der Link ist etwas lang aber ... Was für Source-Code gilt, darf auch gerne sinngemäß auf Links übertragen werden. Mehrseitige Links bitte als Anhang Posten ;-)
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