welchen Gatetreiber für esp12 zu einem Mosfet mit min 5V Gatespannung?

Helmut H. schrieb:

Sie besteht aus : Von 6V ein Widerstand an MosfetGate, dann 3 Dioden in Serie (in Durchlassrichtung)zum ESP GIO-Pin, dann wieder ein Widerstand zu Gnd.

Warum ist eigentlich ein Schaltplan mit Linien und Vierecken so viel einfacher zu lesen als Prosa?

Das tuts zwar

Allerdings schaltet der Mosfet möglicherweise nicht so richtig aus...

Gibts eine spontane Idee?

Transistor in Kaskodenschaltung als Levelshifter. Ansatzweise so wie im Beitrag "Re: Ansteuerung High-Side p-channel Mosfet"

Helmut H. schrieb:

meine Frage steht schon im Betreff. Ich hab zwar eine konventionelle Lösung, die ist aber wenig elegant. Sie besteht aus : Von 6V ein Widerstand an MosfetGate, dann 3 Dioden in Serie (in Durchlassrichtung)zum ESP GIO-Pin, dann wieder ein Widerstand zu Gnd. Die Dioden werkeln als Levelshifter zwischen den beiden Widerständen. Das tuts zwar,gefällt mir aber nicht, ich möchte das zuverlässiger.

Mir gefällt nicht wie Du das Problem schilderst. Mir gefällt auch nicht wenn jemand in einem Satz angibt dass es in der Titelzeile steht worum es geht, anstatt es in den Eröffnungsthread zu schreiben.

Gibts eine spontane Idee?

Ja, Schaltplan und erklären um was es eigentlich geht. Was soll geschaltet werden, mit welcher Spannung und welchem Strom? Welcher Mosfet wurde verwendet?

Auch hier wieder ein Thread in dem alles so dahingerotzt wieder, echt zum kotzen🤮 Nach 20 Kommentaren kommt dann vermutlich das nächste Salamischeibchen.

Helmut H. schrieb:

Gibts eine spontane Idee?

Wie schon gesagt, zeig mal den Schaltplan. mfg Klaus

Helmut H. schrieb:

Daher die Suche.

Wie schnell musst du schalten ?

Jeder 74HCT Chip lädt mit 20mA um.

MIC4414/4415 mit 1.5A

Helmut H. schrieb:

Sie besteht aus : Von 6V ein Widerstand an MosfetGate,

H. H. schrieb:

Ist ja nicht schwierig zu verstehen.

Widerstand vom Gate an + der Versorgungsspannung lässt mich eher auf einen P-Channel Mosfet schließen. Über die weitere Beschaltung des Mosfets lässt sich der TO nicht weiter aus, auch nicht welchen er verwendet.

Sollte er tatsächlich einen N-Channel verwenden wäre der Murks ja noch schlimmer. Der sieht am Gate niemals unter ca. 4V und sperrt deshalb nie.

Jörg R. schrieb:

H. H. schrieb:

Ist ja nicht schwierig zu verstehen.

Das ist eher geraten als verstanden.

Widerstand vom Gate an + der Versorgungsspannung lässt mich eher auf einen P-Channel Mosfet schließen. Über die weitere Beschaltung des Mosfets lässt sich der TO nicht weiter aus, auch nicht welchen er verwendet.

Wenn es ein P-FET für 5V ist, würde ich erwarten, dass der nicht ordentlich sperrt. Vielleicht klappt es, weil sein Exemplar zufällig an der Oberkante UGS-Threshold liegt.

Sollte er tatsächlich einen N-Channel verwenden wäre der Murks ja noch schlimmer.

Auch das könnte, wenn sein FET zufällig ...

Vielleicht besitzt Helmut ja noch die Güte, sein Ansinnen vollständig zu beschreiben.

H. H. schrieb:

Ist ja nicht schwierig

Hat mein mentaler txt2schematic-Konverter auch herausgebracht. Am R2 gabs aber eine Exception mit dem Ergebnis "Widerstand ist zwecklos!"

Ist denn überhaupt eine Massenproduktion geplant, so dass die Mehrkosten "3.3V LL Fet" vs "5V LL Fet" den ganzen Zusatzaufwand mit Single-Logikgatter, Treiber-IC, Transistoren oder auch dem Drei-Dioden-Pullup-Murks aufwiegen?

Ich würde davon ausgehen: "passenden FET kaufen" ist billiger. Vor allem wenn man die Zeit zum Entwickeln und Testen mit reinrechnet.