Wie funktioniert diese Treiberschaltung für MOSFET/IGBT

[David (daddy2024)]

Hallo nochmal,
habe die angehängte Schaltung nun von einem defekten Wechselrichter 
(Growatt MIC600) zusammengestellt. Ganz links der Optokoppler, der mit 
seinem Ausgang einen pnp Transistor ansteuert. Völlig unkonventionelle 
Schaltung, die mir nicht ganz verständlich ist:
- Warum die Diode mit 10 Ohm Widerstand parallel zur Baiss 
Emitter-Strecke des pnp ?
- Warum diese Kondensator/Zenerdioden Kombination im Gatepfad ?

[Marek N. (db1bmn)]

Der PNP soll das Gate des MOSFETs schnell entladen, mit einem höheren 
Strom, als der Optokoppler senken kann.
Die Z-Diode spannt den parallel geschalteten Kondensator so vor, dass 
wenn der PNP auf GND schaltet das Gate negativ vorgespannt wird: 
Schnellere Entladung und mehr "Abstand" zur Millerkapazität, falls am 
Drain schon der andere MOSFET der Brücke zerrt.

P.S. Die Diode + 10R parallel zur BE-Strecke des PNP soll dafür sorgen, 
dass der Ladestrom vom Optokoppler durch diesen Pfad in den MOSFET 
fließen soll, während er Entladestrom über die BE-Strecke fließen soll 
und somit der PNP aktiviert wird.

[Uwe (uhi)]

Ziemlich cleveres Design:
- Man nimmt einen eigentlich zu schwachen Gate-Treiber und verstärkt mit 
dem pnp den Entladestrom.
- Man erzeugt die negative Gatespannung beim Ausschalten (zumindest eine 
Zeit lang) ohne eine negative Versorgung zu brauchen.
- Man kann langsam einschalten (gut für EMV) und schnell ausschalten 
(wie erwähnt um Querströmen durch die Miller-Kapazität aus dem Weg zu 
gehn).

Andersrum kann man's wahrscheinlich auch als "billiges Design" 
betrachten, weil wenn Geld keine Rolle spielt, hätte man
- einen stärkeren Gate-Treiber verbaut, vielleicht sogar einen 
parametrierbaren, der die Flankensteilheit regeln kann
- eine isolierte Versorgung eingebaut, die z.B. -5V und +15V 
bereitstellt.