Weiß jemand wie die diversen HF-Schalter (SPST, SPDT, DPST, DPDT) intern aufgebaut sind? Um mal beim einfachsten, den SPST („Single Pole Single Throw“) zu bleiben, hatte ich mit zwei MOSFETs eine einfache Simulation versucht, siehe Attachment. Diese Intersil-FETs haben sehr geringe Kapazitäten, gelangen aber schon bei ein paar hundert mV an ihre Grenzen. Liegt wohl daran, dass die Gates genug Ladung zum Schalten bekommen. 1V Eingangsspannung geht noch, Aber bei 3V trennt der nicht mehr und im Durchlass gibt es bereits Verzerrungen. Von Infineon gibt es beispielsweise den BGS12P2L6, der bis zu 37dBm bis in den GHz-Bereich verarbeiten kann und in Kleinstückzahlen um 1€ kostet. Noch günstiger im sot23-Gehäuse bei etwas schlechteren Daten der AS169-73LF aus China. Kann DC-900MHz und verarbeitet 34dBm. Das sind Vpp = 32V, an 50 Ohm 2,5Watt! Trennt bei niedrigeren Frequenzen um 40dB, am oberen Ende immerhin noch 20dB. Durchlassdämpfung <1dB. Und kostet um 20ct, also nicht mehr als zwei FETs. PIN-Dioden können es nicht sein, die Teile brauchen praktisch keinen Strom. Bei Dioden wären immer mindestens 5-10mA pro Schalter fällig. Wie machen die das?
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