Längstransistor als Schalter

OP #652796
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Hallo,
folgende Schaltung soll als Schalter betrieben werden (s. Anhang).

Wie dimensioniere ich denn die beiden Widerstände?
Ich will einen Strom von 200 mA schalten; ich brauche also ~1mA IB.

Über R1 fallen ~8,3 V ab; und wie weiter? :)
Fallen über R2 dann 0,7 V ab? Und wähle ich jetzt wie beim 
Spannungsteiler einen Querstrom, z.B. 3*IB durch R1 und dann 4*IB durch 
R2?

Mfg
Mr.Green
#653062
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Hä hä, es gilt immer noch der gute, alte Georg Simon Ohm, vereinfacht zu 
U = R * I.
Den Laststrom Ic durch ß (bzw. hFE) teilen, diesen Basisstrom mal 10 
nehmen (Faustformel, um den Transistor dick in die Sättigung zu 
treiben).
Den Basisableitwiderstand R2 kann man einfach 10k machen, ist nicht 
kritisch (formal müsstest Du Dir den maximalen Basisleckstrom bei oberer 
Temperaturgrenze angucken).
Durch R2 fließen also 0,7V/10k=70µA; die zum Ib zu addieren sind.
R1 = 8,3V/(Ib+70µA)
#653187
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Was noch wichtig wäre:
Woher kommt dein Steuersignal?

Ists ein 0V / 3.3V µC Ausgang? => Die Schaltung wird so nicht laufen, 
zweiter Transistor nötig.
Ists ein 0V/9V CMOS-Ausgang? => Der Ableitwiderstand ist unnötig (bei 9V 
Steuerspannung wird über den Basisvorwiderstand abgeleitet)

usw...
OP #655173
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Die Schaltung entstammt einer ELV-Schaltung, die jedenfalls 
funktioniert.

Geschaltet wurde der Schalter oben durch ein FlipFlop.

Und wieso müsste ein weiterer NPN rein? Ich muss doch nur genug Strom in 
die Basis treiben (bzw beim PNP aus der Basis entnehmen), damit der 
Transistor schaltet?

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