|
Anzeige
|
Transistoren - Die-BilderHewlett Packard AT-32011, ein kleiner, schneller Transistor: https://www.richis-lab.de/BipolarA50.htm Kantenlänge 230µm, ihr könnt euch vorstellen wieviel Spaß es macht dieses Teilchen aus dem Package heraus zu graben, sauber zu machen und auszurichten. :) BLX15, ein HF-Leistungstransistor: https://www.richis-lab.de/BipolarA51.htm Diese zwei Vertreter haben schon sehr stark gelitten.
Gast
#7601345
Aber das BeO blieb drin. :-)
Immerhin! Zur explosiven Zerlegung hat es dann doch nicht gereicht. In dem Fall hätte ich aber auch nicht mehr viel zu dokumentieren gehabt. :) Obwohl das Datenbuch von Philips 1978 beim BLX15 keinen Hinweis zu BeO drinstehen hat. http://www.bitsavers.org/components/philips/_dataBooks/1978_Philips_Semiconductors_and_Integrated_Circuits_Part_4a_Transmitting_Transistors_and_Modules.pdf Kann schon sein, dass das kein BeO ist. Ich weiß nicht wie ordentlich das früher angegeben wurde. Man sieht es dem Material leider nicht an. Die Keramiken selbst sind meistens weiß. Eventuell vorhandene Farbtöne entstehen üblicherweise von Verunreinigungen.
Gast
#7601451
Ist schon BeO drin, siehe Anhang. Stimmt! Dieses Datenblatt habe ich auch. Den BeO-Hinweis habe ich aber diskret überlesen. :)
Ach, der wird mit Flachsteckhülsen angeschlossen! Sicher aus dem Automobil-Bereich ;-)
Gast
#7601560
Daher auch das Gewinde: Wird direkt in den Rahmen geschraubt. :)
Gast
#7601583
"Mount on the engine coolant radiator!" Heute nur ein kleiner Kleinsignaltransistor, ein BC178:
Gast
#7604076
Valvo? Dem Topmarking nach auf jeden Fall.
Valvo/Philips wäre auf Grund des Alters wahrscheinlich, ich könnte es aber nicht sicher sagen. Wenn du sagst, dass das Valvo ist, dann muss es ja fast so sein. :)
Gast
#7604088
Die haben die Teile ja unter beiden Namen vermarktet. Bei beiden ist das Marking auf dem Deckel, aber bei Philips wäre auch "PH" oben drauf. Bei Valvo stünde der Name normalerweise auf dem Mantel, aber ich hatte schon welche wo der fehlte, die kamen als Muster direkt aus Hamburg. Das klingt sehr plausibel. Ich übernehme das mal so... Danke! Wir hatten ja schon mal ein paar IRF3708. In der Zwischenzeit habe ich noch ein paar mehr dieser Transistoren bekommen und analysiert: https://www.richis-lab.de/Transistoren_FET_IRF3708.htm Ich bin mittlerweile der Meinung, dass #1 doch keine Fälschung ist. Das Design des Dies findet sich in diversen anderen Chargen und mittlerweile habe ich auch mehrere IR-Transistoren gesehen, die dieses IR-Logo mit dem Zylinder auf dem Kreis tragen. Auch der Transistor #7, der eine sehr ursprüngliche Beschriftung trägt, beinhaltet das gleiche Die. #4a und #4b sind interessante Fälschungen von Aliexpress.
Auch die Streifenstruktur passt zu einem IR-MOSFET aus dem Jahr 2000. Im Jahr 1999 hatte IR neue MOSFETs eingeführt und als "Benchmark" HEXFET® bezeichnet: https://www.irf.com/pressroom/pressreleases/nr990728.html "The chips used in the new low voltage Benchmark HEXFET® products are manufactured using IR's brand new low voltage planar stripe HEXFET® power MOSFET technology." Bei Infineon findet man ein Paper mit der Beschreibung der Technologie: https://www.infineon.com/dgdl/q101fets.pdf?fileId=5546d462533600a401535748449d3fc3
Ja, sehr interessant, dass da in gleich aussehenden MOSFETs aus der gleichen Lieferung unterschiedliche Dies sind. Der hier vermessene dürfte einer mit dem großen Die gewesen sein und hatte sogar einen niedrigeren RDS(on) als das Original: Beitrag "Re: Transistor zum Schalten von 24V/12V"
Darauf hatte mich Stefan früher schon mal hingewiesen. Das hatte ich unterschlagen, ist jetzt aber korrigiert. Danke! :)
Das war wahrscheinlich ein Charge, bei der man alles zusammengesammelt hat, was ansatzweise ein MOSFET war und dann die gewünschte Beschriftung aufgebracht. Signetics NE543, ein Servomotortreiber:
Gast
#7612511
Ein RCA 2N3878 inklusive Basis-Emitter-Durchbruch und IR-Bildern: Wir hatten uns im Rahmen der IRF3708 (https://www.richis-lab.de/Transistoren_FET_IRF3708.htm) über die HEXFET-Strukturen unterhalten. Hier haben wir jetzt mit einem IRLZ44 einen HEXFET mit der Wabenstruktur: Danke. Genau genommen ist es ein IRLZ44NPbF. Das "N" steht wie bei vielen IR MOSFETs für eine neure Generation und damit geändertem Strukturen als das Bauteil ohne "N" und natürlich neuem Datenblatt. Das "PbF" steht für bleifrei. Bei IR gab es für die bleifreie Version ein neues Datenblatt mit neuer Datenblattnummer. Inzwischen gibt es auch einen IRLZ44ZPbF mit "Z" statt des "N", mit wieder leicht anderen Daten. Bei dem wird keine HEXFET Generation mehr genannt und er wird wohl keine Wabenstruktur mehr haben. Die Assembly Line "J" ist die gleiche wie bei #7 des IRF3708NPbF, daher wohl auch die sehr ähnliche Art der Beschriftung. Die Aufteilung des Lot Codes wurde hier gemacht weil der Auswerferabdruck im Weg war, die Beschriftng ist leichter zu ändern als das Werkzeug zum Umspritzen. Bei Assembly Sites bei denen der Auswerferabruck eher an der oberen Gehäusekante ist wird der vierstellige Lot Code nicht aufgeteilt. Als das Datenblatt des als Vorlage genutzen IRF1010 erstellt wurde war wohl zufällig der Auswerferabdruck unten, wurde so im Datenblatt dargestellt und in allen späteren Datenblättern der IR MOSFETs im TO-220 Gehäuse beibehalten. Inzwischen könnte es auch schon IRLZ44N mit Infineon Logo geben: https://www.mouser.com/PCN/Infineon_20176A.pdf Interessant ist dieser Hinweis in der PCN über der Zeichnung: "Note: Existing there are slight variations in the marking layout across different production site." Ich warte schon gespannt auf den HEXSense mit der vermutlich gröberen Wabenstruktur der HEXFETs der dritten Generation und auch sonst interessanterem Aufbau. Gerne! Ich stimme dir in allen Punkten zu. Ich vermute das N mit dem PbF einher. Ein Datenblatt für einen IRLZ44PbF habe ich nicht gefunden.
Gast
#7629176
PbF später. Die N gabs ab der zweiten Hälfte der '90er.
Oh, mein Satz war nicht so wirklich deutsch. Naja, wurde richtig verstanden. Würde man die verschiedenen Varianten herbekommen, dann könnte man sie vergleichen... Bei Alldatasheets git es ein Datenblatt des IRLZ44N aus dem Jahr 1997. Die Datenblattnummer endet mit einem "B", wahrscheinlich ist es nicht die erste Version. Da es in International Rectifier Datenblättern seltenst eine "revision history" gibt ist nicht feststellbar wann die erste Version erstellt wurde. Jetzt noch einen IRLZ44 ohne N zu finden dürfte schwer sein, selbst bei Pollin gibt es keine HEXFETs der dritten Generation (mehr).
Gast
#7629200
Nach der Vorgeschichte mit den verschiedenen IRF3708 haben wir jetzt endlich auch einen HEXFET der dritten Generation, noch dazu einen HEXSense-MOSFET. Es handelt sich außerdem um eine Fälschung, einen IRCZ34 der sich als sein großer Bruder IRC540 ausgibt: https://www.richis-lab.de/FET39.htm ...aus einer Sammlung von Stefan K. (stk)...
Damit keine Missverständnisse aufkommen: ich sammele nicht MOSFETs ;-) Ich hatte anfangs nur etwas Zweifel ob Reichelt wirklich gefälschte IRF3708 verkauft hat, ich hatte dort früher selbst welche gekauft (#5). Ich habe dann im Internet nach Informationen zu den HEXFETs und deren verschiedenen Generationen gesucht, einige gekauft und zusammen mit einzelnen aus meinem Bastelvorrat nach Absprache an Richi geschickt. Später habe ich einen IRFBC20, einen aus einem Netzteil ausgeschlachteten 600V Third Generation HEXFET, nicht an Richi geschickt sondern leider selbst geöffnet. Erstaulicherweise hat das sogar recht gut geklappt, das Gehäusmaterial war damals wohl noch nicht so hitzebeständig. Bei der Suche nach anderen Third Generation HEXFETs fand ich die IRC540 bei Pollin, habe die dort bei meiner nächsten Bestellung mitbestellt und gleich weitergeschickt. Bei mir angekommen waren sie in einem Pollintypischen LDPE-Tütchen im Karton.
Angehängte Dateien:
Ich meinte aus der Sammlung, die du mir zukommen hast lassen. :) Eine gute Informationssammlung zu dieser Generation der HEXFETs ist das "HEXFET Power MOSFET Designer´s Manual" von International Rectifier. Es handelt sich dabei um eine Sammlung von Application Notes und ein paar zusätzlichen Informationen. Und nochmal so ein IRF, nämlich ein IRF1010N: Wenn es etwas mehr Strom sein muss: IRF1404PbF Und hier noch etwas niederohmiger: IRF2804PbF Hier mal wieder etwas älteres, ein Siemens ADY13 Germaniumtransistor: Passend zum ADY13 hier ein ADY20: Nexperia PMPB19, ein etwas modernerer MOSFET, dieses Mal auch mit Link: https://www.richis-lab.de/FET44.htm :) Moin, Daraus: "Der PMPB19 enthält eine Schutzstruktur zwischen Gate und Source." Nur wo ist sie? Versteckt unter der Metallschicht? Oder ist diese Schutzfunktion eigentlich nur ein kontrollierter parasitärer Effekt (Durchschlag durch Isolation) den eigentlich jeder Mosfet hat, nur eben meistens nicht zerstörungsfrei funktioniert? Gruß, Roland Ohne Weiteres ist die Schutzstruktur nicht sichtbar. Einen reversiblen Durchbruch in "normalen" Gatestrukturen würde ich ausschließen. Ist das Gateoxid einmal durchschlagen, dann ist die Isolation irreversibel zerstört. Ich werde bei nächster Gelegenheit versuchen die Metallschicht abzutragen. Vielleicht findet sich darunter eine Struktur, die das Gate schützt. Grüße, Richard Sanyo 2SC4632, ein kleiner Hochspannungstransistor mit interessanten Strukturen:
Gast
#7671796
Schoen! SM200, ein Dual-Gate-MOSFET entwickelt im Funkwerk Erfurt: https://www.richis-lab.de/FET45.htm Der zweite Baustein scheint ein Entwicklungsmodell gewesen zu sein.
Ich habe versucht die Metallschicht abzutragen. So wirklich erfolgreich war ich leider nicht: Moin,
Danke für die Mühe. Wie immer sehr interessant, deine Seiten. Gruß, Roland Gerne! Ich werde noch eine weiteren Versuch mit Flusssäure starten. Vielleicht lässt sich die aktive Ebene doch noch freilegen. Grüße, Richard
Boah. Davor habe ich Respekt. Das ist so ziemlich das Einzige, was ich nicht im Haus haben möchte, naja, von Plutonium vielleicht mal abgesehen.
Ich arbeite nur mit dieser Glasätzpaste, die Flusssäure freisetzt. Ein gutes Gefühl hat man damit auch nicht, aber es ist doch deutlich ungefährlicher.
Gast
#7679027
Es geht doch nichts über einen eigenen RTG. Moin,
Ich habe für ein gescheitertes Kunstwerk mal versucht, die Verspiegelung von einem Spiegel teilweise zu entfernen. Den Lack abkratzen, war einfach. Die Metallisierung ging aber zunächst nicht ab. Die konnte ich dann aber mit Zahnbürste und Zahnpasta mit Schleifmittel drin verblüffend einfach wegbekommen. Immerhin ist das Silizium oder Siliziumoxid unter dem Metall eher härter als Glas. Und auf jeden Fall härter als die Metalllage. Bliebe aber die Frage, was man am Ende überhaupt noch sehen kann. Vielleicht Unterschiede zwischen Si und SiO2? Unterschiedliche Dotierungen dürfte man auf einem Foto ja kaum erkennen können. Gruß, Roland Schleifen beziehungsweise Polieren ist bei einem solchen Die nicht so einfach. Das geht schon los damit, dass die Teile so klein sind und dann muss man die Schichten noch hochgenau und plan abtragen. Es gibt aber Leute (im Hobby-Bereich), die damit experimentieren und ganz ansehnliche Ergebnisse vorweisen können. Unterschiedliche Dotierungen sieht man nicht, das hast du schon recht. (Wobei es angeblich Chemikalien gibt, die derartige Unterschiede sichtbar machen können.) Meist befinden sich über den unterschiedlichen Bereichen aber immer noch unterschiedliche Schichtdicken und die kann man dann üblicherweise erkennen. Entweder zeigen sie sich über den bekannten Resonanzeffekt, der dann die Farben erzeugt oder einfach durch die Unregelmäßigkeit der Oberfläche, wie man hier sieht: https://www.richis-lab.de/REF19.htm Grüße, Richard Moin,
Meine Idee wäre gewesen, den erheblichen Unterschied in der Härte zwischen Metall und Silizium auszunutzen. Also mit einem Schleifmittel arbeiten, welches härter als Metall aber weicher als Silizium ist. Deswegen Zahnpasta - die Schleifpartikel darin sollten ja nach Möglichkeit Zahnschmelz nicht abtragen. Härte nach Mohs: Silber - 2,5; SiO2 - 7; Si - 6,5; Kalk - 3; Fluorit - 4 Die Idee wäre ein Schleifmittel zu nehmen, welches Metall abträgt, das Si aber nicht. Dann ist das mit dem Planschleifen nicht so wichtig bzw. ergibt sich von alleine. Und natürlich das noch: https://www.notebookcheck.com/Solarzellen-recyceln-in-3-Minuten-mit-Salzwasser.844935.0.html Und müsste man das nicht auch noch elektrisch (Elektrolyse) unterstützen können? Gruß, Roland Probieren könnte man das Schleifen mal. Wobei das Handling trotzdem noch schwierig sein dürfte. Aluminium lässt sich recht gut mit Salzsäure auflösen, da braucht es eigentlich keinen Elektrolyse-Ansatz. Der Prozess lässt sich noch mit H2O2 unterstützen, aber ich war bisher mit der Reaktionsgeschwindigkeit immer sehr zufrieden. Bei diesen "Grenzflächenmaterialien" fängt das Problem schon damit an, dass man nicht genau weiß was verwendet wurde. Wolfram und Titan sind gängig, aber wer weiß... Und dann bin ich mir auch nicht sicher, was mit welchen Stoffen legiert und wie sich diese Legierungen dann wiederum verhalten. Grüße, Richard Hier haben wir nun erst mal einen schnellen Schalttransistor, etwas was man heute nicht mehr oft sieht: Motorola MMBT2369
Gast
#7679970
MMBT2369AL ist noch aktiv. Stimmt, da gibt es tatsächlich noch eine "aktive" Variante! Also doch noch nicht ganz angeschrieben...
Sehr schön! Die beiden Transistoren (MMBT2369 und PMBT2369) kamen frisch vom Distributor und sind beide noch aktiv. Hier hatte ich sie charakterisiert: Damit ordne ich den MMBT2369 ON Semiconductor zu. Der PMBT2369 folgt noch... :) Beide Transistoren sind Nachfolger des 2N709 https://cpldcpu.com/2020/02/14/what-made-the-cdc6600-fast/ Hier ist ein die-bild des 2N709: https://web.archive.org/web/20230308033536mp_/https://images.computerhistory.org/siliconengine/1961-1-2.jpg Und hier haben wir jetzt den PMBT2369: https://www.richis-lab.de/BipolarA59.htm Es ist immer wieder ein riesiger Spaß diese kleinen Siliziumbrösel zu finden, herauszuarbeiten, sauber zu machen und richtig ausgerichtet vor der Kamera zu platzieren! :) Interessant, der Die sieht ganz anders aus, als der den Zeptobars gefunden hat: https://zeptobars.com/en/read/NXP-PMBT2369-supercomputer-NPN-BJT-logic-resistor-logic Evtl. war das eine ältere Version. Der Die ist auch deutlich größer. Stimmt! Das scheinen unterschiedliche Generationen zu sein. Interessant... RCA 3N200, ein Dual-Gate-MOSFET: Und noch ein Dual-Gate MOSFET, ein KP350: 2N3568, ein kleiner, alter Fairchild-Transistor: Nochmal ein alter, kleiner Transistor, ein 2N5136 von CDC:
Wie süß .. ein Blümchen. Was Du alles findest. Immer wieder interessant Deine Seite. Weitermachen .. und vielen Dank! Danke! Sehr gerne teile ich noch das eine oder andere mit euch!
Gast
#7691039
Das rückt den Rat Gänseblümchen zu zählen in ein neues Licht. :-) Wir hatten doch diesen Nexperia PMPB19 mit einer letzten undurchsichtigen Schicht auf den aktiven Strukturen. Noch eine Stunde HF war dann doch ausreichend um auch die letzte Schicht aufzulösen: Moin,
Interessant. Also irgendwas ist da, was, ist aber nicht eindeutig erkennbar. Danke, Gruß Roland So ist es. Die modernen MOSFETs arbeiten offensichtlich auch schon sehr kleine Strukturbreiten. Wie weit kommt deine Technik runter, was die Auflösung angeht? Das kommt auf das Objekt an und in wie weit man geistig extrapolieren kann. Ich würde sagen mit Glück kann ich 1µm auflösen. Das ist aber nur bei "schönen" intakten Halbleiterstrukturen der Fall. Wenn wie hier die Farbunterschiede durch die Oxidschichten fehlen und man minimale Kanten erkennen muss, wird es schlechter. Über meine Kontakte kann ich manchmal etwas bessere Bilder machen lassen. Dazu zählen die letzten beiden. Ein optisches Wunder ist das aber auch nicht. Dort würde sagen kann ich ungefähr 750nm auflösen. Dann wirst du dich wohl mal nach einem ausgemusterten Rasterelektronenmikroskop umschauen müssen. :-) Wenn die nicht so viel Arbeit machen würden... :) Ein Oberklasse-Digitalmikroskop wäre weiter oben auf meiner Wunschliste.
Wäre eine hohe Auflösung nicht sinnvoller? Wer will denn schon eine niedrige, vor allem in dem Fall - und warum?
Das alte REM aus unserem Fablab ist dort gelandet: https://em-museum.org/ Kannst dich ja mal mit denen in Verbindung setzen, wenn du willst.
Angehängte Dateien:
Willst du wirklich in der Frage Haare spalten? Denkt man in nm, gehts runter, lässt man die Einheit weg, gehts hoch. :)
Es gibt wirklich ein Museum für Elektronenmikroskope? Nicht schlecht! Für meine Bedürfnisse ist das Aufwand/Nutzen-Verhältnis eines REMs leider nicht optimal. Je nach Typ/Alter: Platzbedarf, Stromaufnahme, Vakuum, Kryokühlung, rein analoge Ausgabe (Monitor), Altersschwäche/Reparaturen... Man kann ja die nächste Uni fragen, ob man mal etwas messen kann... Meiner Erfahrung nach lässt man nur ungern fremde Leute an ein solches Gerät. Gleichzeitig ist ein Großteil der Menschheit zu sehr im Stress, um sich für so etwas Zeit zu nehmen. Aber ich kann meine Fühler mal wieder ausstrecken... Hallo Richard, Glückwünsche! Gestern gab es ja in der aktuellen c't (15/2024) den Ritterschlag für Dich: https://www.heise.de/select/ct/2024/15/2402415154549433716 Der Artikel war Anfang Juni schon hier der Bezahlschranke zu sehen. Gruß Carsten Im Gegensatz zum c't Artikel dürfen wir Richards Fotos kostenfrei bestaunen! Danke! Freut mich immer, wenn meine Seite ihre Kreise zieht. :) Grüße, Richard Und hier nochmal ein Dual-Gate-MOSFET, ein SD304 von Signetics: Passend zum SD304 haben wir hier noch den SD305, der aber deutlich anders aufgebaut ist: Hier mal wieder etwas spezielleres, ein PIC647 von Unitrode, ein Sziklai-Leistungstransistor mit Freilaufdiode für den Einsatz in Schaltreglern: Sziklai-Transistor, wieder was Neues gelernt. ;-) Interessantes Teil, für seine Zeit jedenfalls. Wird vermutlich nicht billig gewesen sein.
Gast
#7709568
Waren wirklich kein Schnäppchen, und haben damals im Rütteltest versagt. Das BeO Substrat war dem nicht gewachsen. Ich hätte noch einen PIC625 mit Datecode 8027 zum Büchsenöffnen. Der Sziklai-Transistor, der weniger bekannte Bruder des Darlington-Transistors. :) Damals hatte man schon exklusive Produkte. Wie aus der Goldschmiede... Den PIC625 würde ich natürlich schon gerne daneben legen!
Gast
#7709576
Monolithisch halt schlecht zu bauen.
Aber diskret ab und zu zu sehen. Hat wohl nicht gereicht den Namen zu verbreiten. Bei Mouser kann man den PIC647 übrigens noch kaufen, für 462€: https://www.mouser.de/ProductDetail/Microchip-Technology/PIC647?qs=bP%2FQ3uAU8wuSB7VeNzxz6g%3D%3D "Sonderbestellung ab Werk" Dafür wird dann extra jemand aus dem Ruhestand in den Betrieb gerufen und das passende Equipment aus dem Lager geholt. :) 23 sofort lieferbar, immerhin werden sie kostenlos versandt. :-) Unitrode UMT1007, ein schneller Leistungstransistor:
daraus: "Aber es gibt auch Firmen, die Chips gegen Geld untersuchen, nämlich sogenannte Teardown-Dienstleister wie TechInsights aus Kanada oder die Yole Group aus Frankreich. " Oder damals im Gleichrichterwerk Stahnsdorf. Da haben wir "sowas" auch gemacht. Den Chip schräg aufgeschlliffen und partiell verdampfen lassen. Anhand der Spektrallinien im "Dampf" wurde dann die Materialzusammensetzung versucht herauszufinden. Durfte nicht jeder rein, da. ;) Waren schon abenteurliche Zeiten, in den 80ern des real existierenden - na lassen wir das. Wettbewerbsanalyse war schon immer wichtig. :) SU380 und SU311 hab ich noch hier liegen, sowie verschiedene Schalttransistoren aus der Produktreihe im TO-3, falls da Interesse besteht. Den 510er hast Du ja schon zerlegt. Die Keramikplatten wurde übrigens in einem, für die damalige Zeit recht spektalurärem Verfahren, nebenan den Hügel runter in Teltow mit Metalldampf "gesputtert". Ich hab da 1986 mit dran gewerkelt. War alles enthusiastische Handarbeit. Von einer wirklichen effizienten Serienfertigung, wie man das heute kennt, ganz weit entfernt. Klar, die würde ich in die Liste schon gerne mit einreihen. Kann immer etwas dauern bis die Teile online sind, aber früher oder später... :) TO-3 nehme ich gerne immer als "Auffüller". Die sind schnell geöffnet und digitalisiert. Die Effizient, mit der man heutzutage solche Dinge fertigt ist schon enorm. Anders wären die Preise aber auch nicht erreichbar. Motorola BDX66, ein PNP-Darlingtontransistor: Und noch ein BDX66, dieses Mal von Philips: Aus dem Nachlass von Professor Beneking habe ich hier einen interessanten Germaniumkristall: Ebenfalls aus dem Beneking-Nachlass ist dieser Siliziumtransistor: Im Nachlass von Professor Beneking waren auch noch fünf Galliumarsenidtransistoren: Hat jemand eine Idee was das für ein Hersteller ist? Es geht um einen Germaniumtransistor, TF65/3.
Angehängte Dateien:
Das ist Intermetall. Siehe https://de.wikipedia.org/wiki/Intermetall Mit diesem Logo hab ich auch noch diverse TF und OC-Typen. Interesse? Stimmt, Intermetall hatte dieses Logo! Danke! Intermetall TF65, mal wieder ein kleiner Germaniumtransistor: Valvo TAA320, man könnte das Teil als Vorläufer des IGBTs bezeichnen: Zwei Highside Smart-Switches: Infineon BTS432E2 https://www.richis-lab.de/FET50.htm Infineon BTS432F2 https://www.richis-lab.de/FET51.htm
Ich muss mich ein Stück weit korrigieren:
Also nochmal: Infineon BTS432E2 https://www.richis-lab.de/FET50.htm Infineon BTS432F2 https://www.richis-lab.de/FET51.htm Tesla 101NU71, mal wieder ein kleiner Germaniumtransistor: Ohje, da ist mir ein Fehler unterlaufen: Der 101NU71 ist etwas besonderes! Es handelt sich hier um einen NPN-Germaniumtransistor. Die NPN-Typen gab es ja nicht so oft. Tesla produziert allerdings einige. So, das wäre hiermit korrigiert.
Gast
#7913674
Wie hast du den geöffnet? Drehbank?
Da gibt es von Thorlabs eine sehr praktische Zange: https://www.richis-lab.de/Howto_Decap_Metall.htm (etwas nach unten scrollen) Die arbeitet wie ein Dosenöffner. Die zwei silbernen Rollen halten dagegen. Sie lassen sich nach außen versetzten, so kann man ganz kleine "Dosen" genauso wie TO-3 Töpfe öffnen. ST Microelectronics VN05N:
Ich frage mich, ob der obere VN05N nicht eine Fälschung ist. Diese Oberflächenstruktur, die Verzinnung der Pins,... Das würde auch erklären, warum der Baustein mit der moderneren Beschriftung eine ältere Maskenrevision enthält.
Da er offenbar den richtigen Die enthält, würde ich ihn nicht als Fälschung bezeichnen. Die Vermutung wäre, dass er „refurbished“ worden ist. Mir hat mal vor einiger Zeit jemand Fotos gezeigt von angeblichen ATmega128A, bei denen anhand der Rückseitenbeschriftung klar wurde, dass dort alte ATmega128 aufbereitet worden waren. So absurd das erscheinen mag, aber auch solch ein Geschäft scheint sich zu lohnen. Über den Begriff kann man sicherlich streiten. Ich würde bei "Fälschung" bleiben, da etwas anderes vorgegaukelt wird. Man weiß ja nicht welche PCNs zwischen der realen und der aufgedruckten Version liegen. Das kann für eine Applikation durchaus relevant sein. Hier hat sich ja sogar eine Maske geändert.
Vielleicht fand auch nur das Packaging an einem anderen Standort statt. Deutlich unterschiedliche Markings von verschiedenen Packaging-Standorten sind nicht ungewöhnlich und nur zum Teil ist der Ort des Packagings im Marking enthalten wie z.B. beim zweiten VN05N mit dem "MRC" rechts oben für Marokko. Auch Detais wie Auswerfermarke und Verzinnung können bei verschiedenen Standorten variieren. Da stimme ich zu. Selbst am gleichen Standort können verschiedene Gehäuse-Arten entstehen. Nichtsdestotrotz sehen die Oberflächen eigenartig aus. Als Beispiel wie unterschiedlich ST MOSFETs aussehen können habe ich hier mal ein Bild von zwei BUZ11. Die beiden waren auf gleichen vor 1998 industriell gefertigten Modulen verlötet und vernietet. Richard, ich habe schon ein paar von diesen ST BUZ11 STripFETs in der Kiste mit den Teilen die ich dir dir schon längst mal anbieten wollte, aber ich komme irgendwie nicht dazu mal alle aufzulisten und aufzuschreiben warum ich sie für untersuchenswert halte.
Angehängte Dateien:
:
Bearbeitet durch User
Ja, die Optik kann schon sehr unterschiedlich sein. Ich fand die Beschriftungen der VN05N anfänglich auch gar nicht dubios. Mir sind später erst die Schleifspuren und der Unterschied bei der Oberfläche der Einbuchtung aufgefallen.
Kein Problem, noch ist mehr als genug zu tun. Melde dich gerne sobald du alles zusammen hast. Hier haben wir nun einen VN05N mit einem neueren Design (1994): https://www.richis-lab.de/FET53.htm Interessant, dass man bei diesen SMART-MOSFETs schließlich doch eine Strommessung für den Überstromschutz integriert hat.
Ja, das funktioniert allerbestens, habe ich selber ausprobiert. Das Die vom 2N3055 sieht auch fast schon aus wie eine Solarzelle. Mit einer Lupe, die das Licht aufs Die bündelt, lässt sich noch deutlich mehr Strom gewinnen. Und noch ein gefälschter VN05N: Infineon BUZ100, ein SIPMOS Leistungstransistor: International Rectifier IRCZ44, ein HEXFET der dritten Generation mit zusätzlichen Kontakten zur Strommessung im Transistor: ST Microelectronics STN0214, ein kleiner Hochspannungstransistor, 1500V in SOT-223: Ich habe hier einen IRFD9120 von Siliconix: https://www.richis-lab.de/FET57.htm Mir ist es erst gar nicht aufgefallen, aber das muss wohl eine Fälschung sein. Danke für die Bilder. Ich halte das allerdings nicht für eine Fälschung, das ist ein echter IRFD9120 von Siliconix. Vishay/Siliconix verkauft(e) auf IR HEXFET Designs basierende "Third Generation MOSFET" auch noch lange nachdem die bei IR/Infineon längst durch Neuentwicklungen abgelöst waren. :
Bearbeitet durch User
Ach wirklich? Das wusste ich nicht (oder habe es vergessen). Siliconix und International Rectifier arbeiteten aber doch nie direkt zusammen (in größerem Umfang), oder? Ob oder welche Form der Zusammenarbeit es zwischen IR und Sliiconix gab weiß ich auch nicht. Möglicherweise gab es da etwas um für wichtige Kunden einen zweiten Lieferanten bereitzustellen. Ich selbst bin auch erst durch einen Beitrag von Hinz zum IRLZ44 darauf gestoßen und habe dann erst die extreme Ähnlichkeit einiger Datenblätter gesehen.
Ich hatte damals sogar enige der Vishay IRLZ44 bestellt um sie Dir zu schicken. Die liegen immer noch hier, zusammen mit einigen anderen hoffentlich interessanteren Bauteilen. Ich muss endlich mal aufräumen und ein Päckchen packen. :
Bearbeitet durch Moderator
Vishay hat sich 2007 durch einen Deal einen Teil der IR-Palette angeeignet. Als Label wird dabei Siliconix verwendet. Der Rest ist dann zu infineon gewandert. Aus einer Börsenmtteilung: "MALVERN, Pa.—April 2, 2007 – Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) today announced that it completed the acquisition of the Power Control Systems business (selected discrete semiconductor and module product lines) from International Rectifier (NYSE: IRF) for $290 million in cash. During the December quarter 2006 the revenues for the acquired product lines were $81 million for an annual run rate of about $320 million." Arno Sehr interessant! Das erklärt was wir hier sehen. Danke Arno! So, nun ein International Rectifier IRFD9120 https://www.richis-lab.de/FET58.htm HEXFET der dritten Generation, wie zu erwarten war... Einen IRFD9120 habe ich noch, dieses Mal von Motorola: Alpha & Omega Semiconductor AOTF27S60, Original und Fälschung: Ein Bosch-Transistor, über den es ansonsten keine Informationen gibt: Antwort schreibenBitte melde dich an, um einen Beitrag zu schreiben. |
Anzeige
|
