Hallo, ich bin aktuell dabei eine Schaltung mit einem ESP32 zu entwickeln, die anschließend mit den 3V3 GPIO Ausgängen je einen 24V (~9W) und 12V (~3W) Verbraucher (mit externer Spannungsquelle) Schalten sollen, wenn ich "HIGH" am GPIO-Pin ausgebe. Anfangs habe ich mit den fertigen Relais-Modulen gearbeitet, jetzt ist mir aber eingefallen das man ja auch Transistoren als Schalter benutzen kann. Schaltungen habe ich Schnell gefunden, jedoch habe ich keine Angaben zu der Art der Transistoren (Modell bzw Bezeichnung) gefunden. Worauf muss ich bei der Auswahl achten und gibt es Empfehlungen und mit welchem Basis Vorwiderstand, oder sind eventuell die Relais besser? Über Freilaufdioden weiß ich schon Bescheid! Vielen Dank im Vorraus, Tobi
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Wenn es unbedingt ein THT-Transistor sein soll, dann nimm einen BD135. Kleiner wäre aber ein Logik Level Mosfet im SOT-23 Package. Der benötigt auch keinen Ansteuerstrom.
Tobias schrieb: > Hallo, > ich bin aktuell dabei eine Schaltung mit einem ESP32 zu entwickeln, die > anschließend mit den 3V3 GPIO Ausgängen je einen 24V (~9W) und 12V (~3W) > Verbraucher (mit externer Spannungsquelle) Schalten sollen, wenn ich > "HIGH" am GPIO-Pin ausgebe. > > Anfangs habe ich mit den fertigen Relais-Modulen gearbeitet, jetzt ist > mir aber eingefallen das man ja auch Transistoren als Schalter benutzen > kann. > > Schaltungen habe ich Schnell gefunden, jedoch habe ich keine Angaben zu > der Art der Transistoren (Modell bzw Bezeichnung) gefunden. Worauf muss > ich bei der Auswahl achten und gibt es Empfehlungen und mit welchem > Basis Vorwiderstand, oder sind eventuell die Relais besser? Über > Freilaufdioden weiß ich schon Bescheid! > > Vielen Dank im Vorraus, > Tobi Kurz..der Transistor muss im gesperrten Zustand die Versorgungsspannung aushalten, bei Dir 24V, also ein Transistor mit min. U(ds) 30V. Des weiteren muss er bei 3V3 vom GPIO sicher durchschalten. Je nach Art der Last muss er den Einschaltstrom verkraften. Ein möglicher Typ ist der IRF3708. Den gibt es bei Conrad tatsächlich noch: https://www.conrad.de/de/p/infineon-technologies-irf3708pbf-mosfet-1-n-kanal-87-w-to-220-162394.html https://asset.conrad.com/media10/add/160267/c1/-/en/000162394DS01/datenblatt-162394-infineon-technologies-irf3708pbf-mosfet-1-n-kanal-87-w-to-220.pdf
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Vielen Dank für die Antworten, Enrico E. schrieb: > Kleiner wäre aber ein Logik Level Mosfet im SOT-23 Package. Der benötigt > auch keinen Ansteuerstrom. ist damit gemeint ich kann das Gate ohne Widerstand direkt an den GPIO-Pin hängen? Jörg R. schrieb: > Ein möglicher Typ ist der IRF3708. Und trifft das auch auf diesen FET zu?
Tobias schrieb: > Enrico E. schrieb: >> Kleiner wäre aber ein Logik Level Mosfet im SOT-23 Package. Der benötigt >> auch keinen Ansteuerstrom. > ist damit gemeint ich kann das Gate ohne Widerstand direkt an den > GPIO-Pin hängen? > > Jörg R. schrieb: >> Ein möglicher Typ ist der IRF3708. > Und trifft das auch auf diesen FET zu? Wenn Du das mit dem ohne Widerstand am Gate meinst..ja. 100R zwischen GPIO und Gate sowie um die 47K zwischen Gate und GND schaden aber nicht.
Hi
>Eher Sowas: ...
Wäre auch mein Vorschlag gewesen-
NfG Spess
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Jörg R. schrieb: > 100R zwischen GPIO und Gate sowie um die 47K zwischen Gate und GND > schaden aber nicht. Passt die Schaltung (im Anhang) so und muss ich bei induktiven Lasten noch auf etwas achten?
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Tobias schrieb: > Jörg R. schrieb: >> 100R zwischen GPIO und Gate sowie um die 47K zwischen Gate und GND >> schaden aber nicht. > > Passt die Schaltung (im Anhang) so und muss ich bei induktiven Lasten > noch auf etwas achten? Die Last muss zwischen +24V und Mosfet. Freilaufdiode antiparallel zur Last.
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Tobias schrieb: > Vielen Dank für eure großzügige Hilfe! > Lg Tobias Für die 12V Last kannst Du z.B. auch den IRLML2502 nehmen, falls Du SMD löten kannst/willst.
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Hi >Vielen Dank für eure großzügige Hilfe! Kommt darauf an, wofür die 12/24 V gebraucht werden. mit >Die Last muss zwischen +24V und Mosfet. Freilaufdiode antiparallel zur >Last. MVerlierst du den Massebezug. MfG Spess
Spess53 .. schrieb: > Kommt darauf an, wofür die 12/24 V gebraucht werden. Ich möchte Lüfter, Lampen und Pumpen betreiben.
Tobias schrieb: > Passt die Schaltung (im Anhang) so Nein, um auf der 12V-Seite zu schalten, bräuchtest du zwischen Logik und Gate noch einen Pegelumsetzer
Man kann sowas selbstverstaendlich mit einzelnen Transistoren machen, es sei aber noch erwaehnt das es heutzutage auch bergeweise High und lowside lastswitches gibt die wir z.b auch alle in unseren Autos rumfahren: Hier mal die von Rohm: https://www.rohm.de/products/power-management/ipds#productFamily https://fscdn.rohm.com/en/products/databook/datasheet/ic/power/ipd/bd1hx500xxx-c-e.pdf Gibt es aber natuerlich auch noch von anderen Firmen! Vanye
Tobias schrieb: > Ich möchte Lüfter, Lampen und Pumpen betreiben. Dann achte drauf, dass die Transistoren den Einschaltstrom schalten können, der deutlich über dem nominellen Betriebsstrom liegt. Betriebsspannung/Innenwiderstand. Denn aus Sicht des Transistors dauert der Einschaltvorgang mit seinem Spitzenstrom ewig.
Michael B. schrieb: > Dann achte drauf, dass die Transistoren den Einschaltstrom schalten > können, der deutlich über dem nominellen Betriebsstrom liegt. Der IRF3708 ist da sehr robust, schon bald überdimensioniert für die beschriebenen Anforderungen. Ich denke, Tobias wird den IRF3708 nicht killen können, so lange er nicht die Freilaufdiode bei Induktivitäten vergisst. mfg Klaus
Klaus R. schrieb: > Der IRF3708 ist da sehr robust, schon bald überdimensioniert für die > beschriebenen Anforderungen. Ich denke, Tobias wird den IRF3708 nicht > killen können, so lange er nicht die Freilaufdiode bei Induktivitäten > vergisst. Gibts aber nur noch als Fälschung aus China...
Enrico E. (pussy_brauser) schrieb: > Wenn es unbedingt ein THT-Transistor sein soll, dann nimm einen BD135. Unsere Pussy hat leider nicht nachgedacht, wo der Basisstrom herkommen soll. H. H. schrieb: > Klaus R. schrieb: >> Der IRF3708 ist da sehr robust, schon bald überdimensioniert für die >> beschriebenen Anforderungen. Ich denke, Tobias wird den IRF3708 nicht >> killen können, so lange er nicht die Freilaufdiode bei Induktivitäten >> vergisst. Falls er ihn nicht per ESD tötet. > Gibts aber nur noch als Fälschung aus China... 12.09.2023 00:49 wurde Conrad verlinkt. Denkst Du, dass der Fakes eingelagert hat?
Manfred P. schrieb: > Unsere Pussy hat leider nicht nachgedacht, wo der Basisstrom herkommen > soll. Logischer Weise aus dem 3V3 GPIO Ausgang über einen 470R Widerstand an die Basis des BD135!
Manfred P. schrieb: >> Gibts aber nur noch als Fälschung aus China... > > 12.09.2023 00:49 wurde Conrad verlinkt. Denkst Du, dass der Fakes > eingelagert hat? Ja.
> Falls er ihn nicht per ESD tötet.
Wo kann ich die Kondensatoren platzieren um das zu vermeiden?
Beitrag #7496379 wurde vom Autor gelöscht.
Enrico E. schrieb: >> Unsere Pussy hat leider nicht nachgedacht, wo der Basisstrom herkommen >> soll. > Logischer Weise aus dem 3V3 GPIO Ausgang über einen 470R Widerstand an > die Basis des BD135! Deine 5mA reichen nicht annähernd, den bipolaren Transistor für 375mA I(C) sicher aufzusteuern. Tobias schrieb: >> Falls er ihn nicht per ESD tötet. > Wo kann ich die Kondensatoren platzieren um das zu vermeiden? Garnicht. Die Schaltung von Jörg 12.09.2023 01:34 ist in Ordnung. ESD = Elektrostatische Entladung, man muß halt aufpassen, das Bauteil nicht beim Auspacken oder Einlöten zu schädigen.
Tobias schrieb: > ich bin aktuell dabei eine Schaltung mit einem ESP32 zu entwickeln Tobias schrieb: > Schaltungen habe ich Schnell gefunden, jedoch habe ich keine Angaben zu > der Art der Transistoren (Modell bzw Bezeichnung) gefunden. Worauf muss > ich bei der Auswahl achten und gibt es Empfehlungen und mit welchem > Basis Vorwiderstand, oder sind eventuell die Relais besser? Über > Freilaufdioden weiß ich schon Bescheid! Wenn man etwas entwickeln möchte, dann sollte man auch auf das "Rundum" achten, ohne dem jede Entwicklung zum Stillstand kommt... Programierung ist ein Teil, die Praxisschaltung ein großer Teil, und der braucht zwangsweise viel Wissen über Bauteile und wie sie eingesetzt werden... Also, mach Dich schlau...
Michael B. schrieb: > Einschaltstrom schalten können, der deutlich über dem nominellen > Betriebsstrom liegt. Das gilt für Glühlampen und elektronische Komponenten mit Kapazitäten. Induktivitäten sind gutmütig beim einschalten. Zudem musst Du klären, ob Du die verschiedenen Spannungsquellen überhaupt verbinden darfst. Ansonsten sind (photomos-)Relais gut.
Für diese Aufgabe würde ich einen Hi Side Switch nehmen, so etwas wie z.B. BTS555 oder BTS432. Die haben gleich noch eine Überstrom und Übertemperatur Abschaltung mit drin, die bekommt man so gut wie nicht kaputt.
H. H. schrieb: > Manfred P. schrieb: >>> Gibts aber nur noch als Fälschung aus China... >> >> 12.09.2023 00:49 wurde Conrad verlinkt. Denkst Du, dass der Fakes >> eingelagert hat? > > Ja. Die IRF3708 bei Conrad/Voelkner sind höchstwahrscheinlich echt. Conrad hatte bei Abkündigung des IRF3708 wohl noch ausreichend bestellt Am 1.10.2022 waren dort noch 1400 Stück verfügbar: Beitrag "Re: Betrieb von MOSFETS bei maximalstrom?" Irgendwann um die Zeit habe ich bei Voelkner welche bestellt und ich halte die erhaltenen Exemplare für echt. Seither ist der Bestand bei Conrad/Voelkner beständig gefallen und es kommt schon lange der Hinweis "Nur solange der Vorrat reicht". Der kleine Rest von gerade noch 299 Stück wird jetzt zu einem sehr guten Preis verkauft.
Stefan K. schrieb: > Die IRF3708 bei Conrad/Voelkner sind höchstwahrscheinlich echt. Conrad > hatte bei Abkündigung des IRF3708 wohl noch ausreichend bestellt Naja, LDD war vor 2,5 Jahren.
Für die 24V Versorgung würde ich einen MOSFET/High-Side Switch mit einer höheren Spannungsfestigkeit als 30V vorschlagen.
Stephan C. schrieb: > Für die 24V Versorgung würde ich einen MOSFET/High-Side Switch mit einer > höheren Spannungsfestigkeit als 30V vorschlagen. Sehe ich genau so, mehr Luft nach oben ist von Vorteil. Nun ist aber ein MOSFET mit Vds > 30V und spezifiziert für Vgs 3,3V nicht so leicht zu finden. Aber: Wer suchet, der findet: https://www.vishay.com/docs/79285/sis176ldn.pdf Vds = 70V Rdson(typ) < 10mOhm @ Vgs = 3,3V Qg = 9,2nC @ Vgs = 3,3V Die Fälschungsgefahr ist 0, wenn man bei Mouser oder Digikey bestellt. Zumal der Typ erst seit ca. 3 Jahren am Markt ist. Ok, SMD ist sicher nicht jedermanns Sache. Sollte aber easy sein, Drähte anzulöten. Bis ca. 10A kann man ihn ohne Kühlung betreiben, denn die entstehende Verlustleistung von ca. 1W kann er locker an die Luft abgeben, ohne zu überhitzen.
Bernd K. schrieb: > Ok, SMD ist sicher nicht jedermanns Sache. Sollte aber easy sein, Drähte > anzulöten. Macht keinen Spaß bei diesem 3,3mm x 3,3mm Gehäuse ohne Beinchen. Drain lässt sich einfach an einen Draht anlöten, Source geht so einigermaßen weil es bei freier Verdrahtung fest egal ist ob man alle drei Anschlussflächen nutzt aber das Gate hat nur eine einzige winzige Anschlussfläche von nominell 0,3mm x 0,43mm dicht neben einem Source-Anschluss.
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Wenn es denn wirklich kein High Side Switch sein soll, vielleicht wenigstens einen P-Kanal-FET? Der IRFU5305 ist kein Logiklevel Typ, taugt aber für 12V und ungeregelte 24V und hat noch echte Pins ;) Edit: Bestellnr. 5429951 bei www.rsonline-privat.de
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Bauform B. schrieb: > Wenn es denn wirklich kein High Side Switch sein soll, vielleicht > wenigstens einen P-Kanal-FET? Der Bedarf dann allerdings eines zusätzlichen Pegelwandlers, um ihn vom ESP32 per GPIO anzusteuern.
Rainer W. schrieb: >> wenigstens einen P-Kanal-FET? > Der Bedarf dann allerdings eines zusätzlichen Pegelwandlers, um ihn vom > ESP32 per GPIO anzusteuern. Dieser "Pegelwandler" heißt NPN-Transistor und drei Widerstände, zwei davon, um an 24V die zulässige U(GS) einzuhalten. Der TO scheint sich verabschiedet zu haben, wird ihm wohl zu kompliziert.
Den Mosfet zum Schalten kann man galvanisch getrennt von der Ansteuer-Elektronik ausführen. - DCDC Wandler mit 4-Pins z.B. ein 0512 Typ. - Optisch isolierte Mosfet Gate-Treiber UCC23513 - Und ein beliebiger Mosfet, der mindestens den 3-Fachen zu erwartenden Maximalstrom aushält. Dabei kann es problemlos ein N-Mosfet sein, da der DCDC Wandler ohnehin die Spannung trennt. Es ist auch egal ob man die 12/24 V seite oder die 0V Seite schalten möchte. Im Datenblatt vom UCC23513 gibt es ein Schaltungsbeispiel.
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Ich würde einen soliden PFET als Highside-Schalter nehmen und mit einem simplen Optokoppler das Gate auf Masse (bei 12v) oder auf halbe Spannung (bei 24V) ziehen.
Markus M. schrieb: > - DCDC Wandler mit 4-Pins z.B. ein 0512 Typ. > - Optisch isolierte Mosfet Gate-Treiber UCC23513 > - Und ein beliebiger Mosfet, der mindestens den 3-Fachen zu erwartenden > Maximalstrom aushält. Dabei kann es problemlos ein N-Mosfet sein Das geht gut, wenn die Potentialtrennung an der Stelle sinnvoll ist. Allerdings braucht man bei mehreren Ausgängen auch entsprechend viele DC/DC-Wandler. Da man die Potentialtrennung oft nicht braucht, kauft man all das fertig integriert in einem einzigen kleinen Bauteil. Digikey hat sogar noch den BTS50080-1TMB im TO-220 Gehäuse und ein paar im DIL-8 und natürlich SOT-223 aka TO-261. Das sind formal SMD-Teile, aber die kann auch jeder Grobmotoriker löten ;) Gibt es eigentlich sowas auch für Optokoppler? https://porkmail.org/era/unix/award
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Es reicht 1 DCDC Wandler wenn die zu schaltende Quelle immer die gleiche ist, z.B. der gleiche Akku oder der gemeinsame +12V/+24V. Dafür hat man sämtliche Störungen und eventuelle Potentialunterschiede auf der Masse-Leitung gegenüber der Steuereinheit weg.
Markus M. schrieb: > - DCDC Wandler mit 4-Pins z.B. ein 0512 Typ. > - Optisch isolierte Mosfet Gate-Treiber UCC23513 Jobst Q. schrieb: > mit einem simplen Optokoppler das Gate Bauform B. schrieb: > Da man die Potentialtrennung oft nicht braucht, kauft man all das fertig > integriert in einem einzigen kleinen Bauteil. Markus M. schrieb: > Es reicht 1 DCDC Wandler wenn die zu schaltende Quelle immer die gleiche > ist, z.B. der gleiche Akku oder der gemeinsame +12V/+24V. Mir stehen die Nackenhaare zu Berge - ist hier niemand mehr in der Lage, eine simple Schaltaufgabe mit Standardbauteilen aus der Grabbelkiste aufzubauen? Die 250/375mA High-Side kann ein bipolarer-PNP, die gibt es mit genug Sperrspannung und ohne überfahren der U(GS). Je einen NPN zur Ansteuerung ist nun kein Hexenwerk - macht vier Bauteile pro Kanal. Low-Side würde ich zum FET greifen, weil der ESP32 nicht genug Steuerstrom für die bipolarem NPN bringt.
Manfred P. schrieb: > Mir stehen die Nackenhaare zu Berge - ist hier niemand mehr in der Lage, > eine simple Schaltaufgabe mit Standardbauteilen aus der Grabbelkiste > aufzubauen? Von wann ist denn deine Grabbelkiste? MOSFETs und Optokoppler sind in meiner schon seit Jahrzehnten. Und eine klare Trennung zwischen Lastkreis und Ansteuerungselektronik kann eine Menge Ärger ersparen.
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H. H. schrieb: > Manfred P. schrieb: >>> Gibts aber nur noch als Fälschung aus China... >> >> 12.09.2023 00:49 wurde Conrad verlinkt. Denkst Du, dass der Fakes >> eingelagert hat? > > Ja. Ich habe einige von den IRF3708 bei Voelkner gekauft, kommen aus dem selben Lager wie wenn man bei Conrad bestellt. 3 von den Exemplaren habe ich getestet. Meine Messungen waren statisch, die 3 getesteten IRF3708 weichen nur unwesentlich voneinander ab. Ugs(th) wird im DB mit min. 0,6V bis max. 2V spezifiziert, für einen Strom Id von 250uA. Den Wert erreichen meine Exemplare bei Ugs von ca. 900mV. Rds(on) ist ab Ugs 2,8V spezifiziert. In meinem Aufbau habe ich mit einem Strom von 4,25A getestet. Dabei war Uds 0,0719V. Das entspricht einem Rds(on) von 17mR, nahezu ideal. Mein statistischer einfacher Test entspricht natürlich nicht dem aus dem DB. Ich bin aber der Meinung die IRF3708 sind in Ordnung.
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Tobias schrieb: > ich bin aktuell dabei eine Schaltung mit einem ESP32 zu entwickeln, die > anschließend mit den 3V3 GPIO Ausgängen je einen 24V (~9W) und 12V (~3W) > Verbraucher (mit externer Spannungsquelle) Schalten sollen, wenn ich > "HIGH" am GPIO-Pin ausgebe. Grundsätzlich am einfachsten und betriebssichersten für diesen Anwendungsfall: ein High-Side Smart-Switch. Der ist gegen all das abgesichert, wogegen so ein Schalttransistor abgesichert sein sollte. Allem voran ist er kurzschlussfest.
Nachtrag: Die Werte für Ugs und Uds habe ich über Prüfklemmen direkt an den Anschlüssen abgegriffen. Zuerst hatte ich Drähte in das Breadboard gesteckt um die Messwerte abzugreifen. Das hat den Wert für Uds aber total verfälscht.
Jörg R. schrieb: > Ich bin aber der Meinung die IRF3708 sind in Ordnung. Ja, sieht gut aus, auch das Marking. Da hat Conrad wohl doch eine größere Menge eingelagert.
H. H. schrieb: > H. H. schrieb: >> Da hat Conrad wohl doch eine größere Menge eingelagert. > > Hatte! Vermutlich Zufall, aber unmittelbar bevor ich meinen Kommentar geschrieben habe waren noch 49 Stück bei Conrad/Voelkner verfügbar. Kurz danach waren sie ausverkauft.
Jörg R. schrieb: > Vermutlich Zufall, aber unmittelbar bevor ich meinen Kommentar > geschrieben habe waren noch 49 Stück bei Conrad/Voelkner verfügbar. Kurz > danach waren sie ausverkauft. Tauchen bestimmt bald hier im Marktforum auf, für 3,99€/Stk. + Porto....
H. H. schrieb: > Jörg R. schrieb: >> Vermutlich Zufall, aber unmittelbar bevor ich meinen Kommentar >> geschrieben habe waren noch 49 Stück bei Conrad/Voelkner verfügbar. Kurz >> danach waren sie ausverkauft. > > Tauchen bestimmt bald hier im Marktforum auf, für 3,99€/Stk. + Porto.... Das wäre eine gute Marge, bei einem Einkaufspreis von 71 Cent/Stück;-)
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H. H. schrieb: > Jörg R. schrieb: >> Ich bin aber der Meinung die IRF3708 sind in Ordnung. > > Ja, sieht gut aus, auch das Marking. Ich hatte mir nach einigem Zögern auch über Voelkner IRF3708 aus dem Conrad-Bestand bestellt, wegen des guten Preises und weil ich eine ganze Stange mit Etikett haben wollte gleich 50 Stück. Ich wollte mich vergewissern, dass diese echt sind nachdem ich das hier geschrieben hatte. Ja, die sehen echt aus, das Marking sieht allerdings nicht gut aus (im Sinne von schön). Es wirkt wie schlecht gedruckt ist aber gelasert und das mit einem Laser der deutlich feinere Strukturen erzeugen könnte. Infineon hat anscheinend nicht alle Abschnitte der Fertigung der International Rectifier MOSFETs im Griff, auch bei solchen die noch produziert werden. Wie alle halbwegs aktuellen IRF im TO220 Gehäuse, die ich in den letzten Jahren gesehen habe, haben diese IRF3708PbF das Langloch im Leadframe am Übergang vom Gehäuse zur Kühlfahne. Auch andere Hersteller haben solche Langlöcher zu besseren Verankerung der Vergussmasse aber die sind normalerseise weiter unten und somit nicht von der Vorderseite sichtbar. Ich wollte die MOSFETs erst noch testen bevor ich hier schreibe, da ist mir Jörg jetzt zuvorgekommen. Jörg R. schrieb: > Ugs(th) wird im DB mit min. 0,6V bis max. 2V spezifiziert, für einen > Strom Id von 250uA. Den Wert erreichen meine Exemplare bei Ugs von ca. > 900mV. Bis zum Test von Ugs(th) war ich bei 10 meiner Exemplare schon gekommen: alle liegen sehr dicht beieinander bei 1,34V bis 1,36V. Da die aus dem gleichen Fertigungslos wie deine sind hätte ich auch bei deinen einen ähnlichen Wert erwartet. Kannst du deine Messung einmal überprüfen? Eine ganz schnelle Möglichkeit ist der Diodentest eines Multimeters: + Messspitze zwischen Gate und Drain um die beiden miteinander zu verbinden und - an Source. Bei etwa 1mA Teststrom sehe ich dann rund 1,4V. Jörg R. schrieb: > Vermutlich Zufall, aber unmittelbar bevor ich meinen Kommentar > geschrieben habe waren noch 49 Stück bei Conrad/Voelkner verfügbar. Kurz > danach waren sie ausverkauft. Das war ich nicht, ich hatte die 49 Stück übriggelassen. H. H. schrieb: > Tauchen bestimmt bald hier im Marktforum auf, für 3,99€/Stk. + Porto.... Im Conrad Marketplace für Geschäftskunden sind schon welche "Lieferung in 8 Wochen (49 Stück)". Jörg R. schrieb: > Das wäre eine gute Marge, bei einem Einkaufspreis von 71 Cent/Stück;-) Ab 25 Stück waren es sogar nur 67 Cent/Stück"
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Stefan K. schrieb: > Im Conrad Marketplace für Geschäftskunden sind schon welche "Lieferung > in 8 Wochen (49 Stück)". Für 4,50€/Stk...
Ich habe jetzt bei allen 50 IRF3708 aus meiner Stange Ugs(th) bei einem ID von 0,25mA gemessen: alle Werte lagen zwischen 1,3V und 1,4V. Bei einem habe ich getestet welcher Strom bei Ugs=0,9V fließt, das waren eher 0,25µA als 250µA.
Stefan K. schrieb: > Ich habe jetzt bei allen 50 IRF3708 aus meiner Stange Ugs(th) bei einem > ID von 0,25mA gemessen: alle Werte lagen zwischen 1,3V und 1,4V. Überflüssug und irrelevant! Im Titel diese Threads steht Schalten Niemand will wissen, wann ein TO-220 ein paar µA fließen lässt, sondern die Gatespannung, bei der er ein paar Ampere führen kann, ohne abzubrennen. Da ist einzig die Messung von Jörg maßgeblich: Jörg R. schrieb: > Das entspricht einem Rds(on) von 17mR, nahezu ideal.
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Manfred P. schrieb: > Stefan K. schrieb: >> Ich habe jetzt bei allen 50 IRF3708 aus meiner Stange Ugs(th) bei einem >> ID von 0,25mA gemessen: alle Werte lagen zwischen 1,3V und 1,4V. > > Überflüssug und irrelevant! > > Im Titel diese Threads steht Schalten > > Niemand will wissen, wann ein TO-220 ein paar µA fließen lässt, sondern > die Gatespannung, bei der er ein paar Ampere führen kann, ohne > abzubrennen. Schon richtig. Der TO hat sich aber bereits am selben Tag der Threaderöffnung aus seinem Thread verabschiedet. Vorschläge hat er genug bekommen. Ob er einen davon umgesetzt hat bleibt wohl sein Geheimnis;-( Daher können wir den Thread schon Offtopic weiterführen. Ich finde den Einwand von Stefan K. zu meiner Messung was Ugs(th) betrifft ok, denn er hat Recht. Die Messung die ich gemacht habe ist falsch. In meinem Aufbau ist der Strom abhängig von der Versorgungsspannung, bei mir 5V. Daher stimmt meine Messung diesbezüglich nicht. Daher habe ich einen neuen Aufbau gemacht. LT. DB wird Ugs(th) für einen Strom Id=250uA bestimmt für Ugs=Uds. Ich habe die Spannung im Aufbau, siehe Anhang „Vgs-th.jpg“, so lange erhöht bis Id=250uA erreicht hat. Mit dieser Messung komme ich auf nahezu ähnliche Werte wie Stefan K., siehe Fotos. https://www.mikrocontroller.net/attachment/610938/250uA.png https://www.mikrocontroller.net/attachment/610939/U-ID250uA.jpg https://www.mikrocontroller.net/attachment/610942/Vgs-th.jpg https://www.mikrocontroller.net/attachment/610943/IRF3708-DB-Auszug.jpg Auch mit den ca. 1,3V liegen die gelieferten IRF3708 voll in der Toleranz. Ich habe noch eine weitere Messung gemacht, ohne Fotos. Id=15A, Ugs=10V. Rds(on) beträgt dann 12mR. Lt. DB der max. Wert, aber in der Toleranz. Es gibt noch weitere Threads zum Thema (Fake) IRF3708. In einem der Threads gab es tatsächlich Fake IRF3708. Beitrag "5V Input an LED schalten mit 3V3 vom ESP01s" Beitrag "Fake IRF3708 MOSFET von Aliexpress"
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Danke für die erneute Messung. Jörg R. schrieb: > Es gibt noch weitere Threads zum Thema (Fake) IRF3708. In einem der > Threads gab es tatsächlich Fake IRF3708. Gefälschte IRF3708 habe ich auch. Die sehen, anders als die echten, sogar fast so aus wie im Datenblatt gezeigt. Das Diodensymbol im Logo ist etwas unsauber und dem R fehlen die Serifen, aber sonst ist alles da wo es sein soll. Von den "Part Marking Information" in den International Rectifier Datenblättern scheinen Infineon oder die beauftragten Fertiger häufiger abzuweichen. Von den vier Mosfets in den leider ziemlich misslungenen IR_D-Pak Fotos sind drei echt und einer ist eine per Messung leicht erkennbare Fälschung. Bei dem linken IRLR6225 ist das Logo ähnlich unsauber wie bei den IRF3708 von Voelkner. Auf den zweiten IRLR6225 ist das uralte Logo mit dem Diodensymbol gelasert. Auf dem linken der beiden IRLR8743 ist ebenfalls das alte Logo und beim Date Code steht nur der Buchstabe "P" für bleifrei aber kein weiterer für die Fertigungslinie. Der IRLR8743 ganz rechts im den Fotos sieht so aus, wie er laut Datenblatt auszusehen hat. Die linken drei Mosfets habe ich bei Digikey gekauft, den ganz links in diesem Monat, die beiden in der Mitte im November letzten Jahres. Der Fake-IRLR8743 ganz rechts wurde über ebay gekauft.
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Über die schlechte Qualität der letzten beiden Fotos habe ich mich ein wenig geärgert und dann das USB-Mikroskop rausgeholt. Auf dem Foto sind nur die echten IRLR. Auf den Etiketten der drei Digikey-Tüten steht bei COO bzw. CTRY ORGN als Herkunftsland UNITED KINGDOM. Damit ist leider nur angegeben wo der letzte Arbeitsschritt erfolgte (Back-End) nicht wo der Wafer gefertigt wurde (Front-End). Auf einer Originalverpackung von Infineon CoolMOS IPD... an meinem Arbeitsplatz steht es vollständiger: "Diffused in GERMANY, Assembled in CHINA".
Stefan K. schrieb: > Über die schlechte Qualität der letzten beiden Fotos habe ich mich > ein wenig geärgert und dann das USB-Mikroskop rausgeholt. Das sind ja gute Aufnahmen. Ich glaube so ein USB-Mikroskop kaufe ich mir auch. Welches benutzt Du? Mit den Teilen habe ich mich noch überhaupt nicht beschäftigt.
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Die Aufnahmen hebe ich mit einem Andonstar AD249S-M mit der A-Linse für einen Objektabstand von 12mm bis 320 mm gemacht. Den vollen Abstand erreicht man mit dem Ständer nicht, aber es reicht um eine kleines Mikrocontroller-Board ganz zu erfassen. Bei weniger Abstand reicht es dann noch für ein IC und ganz nah dran kann man schon sehr feine Details erkennen. Dann wird allerdings die richtige Beleuchtung schwieriger weil das Objektiv im Weg ist und die kleinste Berührung führt zu heftigen Wacklern. Die drei Bilder vom Pi-Pico und dem EPROM habe ich auf 50% herunterskaliert. Ich habe noch nicht viel mit dem Mikroskop gemacht, die L-Linse unter der man löten können soll und den HDMI-Anschluss habe ich nicht einmal getestet. Da finden sich im Forum bestimmt bessere Informationen zu USB-Oszilloskopen - das Thema taucht ja immer wieder mal auf. Das Foto mit dem Pi Pico zeigt einen Teil eines ersten Versuches zur Messung des Rds(on) von Power MOSFETS. Der RP2040 steuert einen IRLR6225 (ganz links oben im Foto) mit kurzen Impulsen an. In Reihe zu diesem Schalttransistor liegen der zu testende MOSFET (Vgs kommt von einem Labornetzteil) und ein Shunt zur Strommessung und Strombegrenzung. Versorgt wir das ganze aus einer kleinen Kondensatorbatterie aus mehreren 1000µF 10V Elkos die über einen Widerstand langsam geladen wird. Da ich bei kurzen Pulsen eh mit einem Oszilloskop messen muss spielt es keine Rolle wenn der Strom während des Pulses nicht konstant ist wenn nur die RC-Zeitkonstante lang genug ist. Bei diesem ersten Versuch hatte ich nicht auf einen kompakten Aufbau mit möglichst kurzer Leitungsführung und andere Details geachtet, eine neuere Version ist noch in Planung.
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IRF3708_5V_15A.png
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Jörg R. schrieb: > Ich habe noch eine weitere Messung gemacht, ohne Fotos. Id=15A, Ugs=10V. > Rds(on) beträgt dann 12mR. Lt. DB der max. Wert, aber in der Toleranz. Mit einem ganz übel zusammengebratenen Testaufbau mit 120µs Pulsen: Echter IRF3708 knapp 10mΩ bei Id=15A, Ugs=5V knapp 10mΩ bei Id=12A, Ugs=4,5V rund 13mΩ bei Id=7,5A, Ugs=2,8V Fake IRF3708 gut 7mΩ bei Id=15A, Ugs=5V gut 7mΩ bei Id=12A, Ugs=4,5V rund 13mΩ bei Id=7,5A, Ugs=2,8V Ja, dieser eine gefälschte MOSFET ist bei den getesteten Strömen etwas besser als der eine getestete echte. Der MOSFET wird von einem Frequenzgenerator mit 120µs langen Pulsen am Gate angesteuert. Weil ich das BNC-Kabel hinten links auf der Platine mit 50Ω abgeschlossen habe sind max. 5V Vgs möglich. Masse von Oszilloskop und Frequenzgenerator liegen am Sourceanschluss des MOSFETs ebenso ein Ende des Shunts aus zwei parallelen 1Ω Widerständen. Die beiden Klemmhaken an Drain und Source sind für die Messung von Ugs, Die Kondensatoren werden über einen 100Ω Widerstand von einem einstellbaren Netzteil geladen. Diese Art der Messung hat einige heftige Nachteile: man braucht einen Frquenzgenerator und ein Oszilloskop mit hoher Auflösung. Solange der MOSFET sperrt liegt an seiner Drain-Source-Strecke die volle Kondensatorspannung von bis zu 10V an, während des Pulses dann nur noch einige 10mV bis höchstens einige 100mV. Damit wird dann entweder das Oszilloskop gnadenlos übersteuert oder man nutzt nur einen winzigen Teil des Messbereichs. Ich habe mich für zweites entschieden und Ugs im +-10V Bereiich gemessen (ganzer Bereich, nicht pro DIV). Mit einem Oszilloskop mit 8 Bit Auflösung wäre das sehr ungenau geworden. Die unten im Oszillogramm des echten IRF3708 gezeigten Werte sind die Mittelwerte über die 80µs zwischen den beiden Linealen bei Ugs=5V und Id=15A.
Stefan K. schrieb: > Ja, dieser eine gefälschte MOSFET ist bei den getesteten Strömen etwas > besser als der eine getestete echte. Q_g und C_iss?
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C_iss liegt bei den Fakes laut Transistortester bei etwa 3nF, egal ob als Transistor getestet (SDG in Anschlüsse 123) oder als Kondensator (SDG in 311). Ein Fluke 289 zeigt bei kurzgeschlossener Drain-Source-Strecke auch etwas über 3nF an. Bei den echten liegen die Messwerte etwas höher bei ca 3,5nF. Beides scheint mir unauffällig. Wie ich die Abhängigkeit von C_iss von der Drain-Source-Spannung und Q_g einfach testen kann und ob ich das überhaut testen wiil weiß ich noch nicht. Die starke Streuung bei bei Ugs(th) zwischen den verschiedenen Exemplaren ist neben dem Aussehen ein starkes Indiz für Fälschungen: Bei 10 getesteten Exemplaren lag der niedrigste Wert bei 1,38V der höchste bei 1,71V. Ebenso der zu hohe Wert der Durchbruchsspannung von über 40V der zudem nicht konstant ist. Die Spannung steigt zunächst langsam an, fällt dann plötzlich ab und sinkt dann langsam weiter und stabilisiert sich schließlich bei immer noch über 40V. Diesen plötzllichen Abfall kann ich nur ein Mal pro Exemplar sehen. Starte ich später eine weitere Messung mit dem gleichen MOSFET geht es mit etwa der Spannung weiter mit der die erste Messung endete. Bei den echten IRF3708 konnte ich solch ein Verhalten nie beobachten. Bei denen liegt die Durchbruchsspannung bei etwa 34V und beibt bleibt konstant solange die (Umgebungs-) Temperatur sich nicht ändert.
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Ich hatte vor ein paar Monaten ebenfalls über gefälschte IRF3708 berichtet. Sie hatten bei mir einen etwas höheren RDSon, entsprachen aber sonst den Erwartungen. Zwei davon habe ich seit dem ohne Probleme im Einsatz um eine LED Lampe zu schalten.
H. H. schrieb: > Stefan K. schrieb: >> Im Conrad Marketplace für Geschäftskunden sind schon welche "Lieferung >> in 8 Wochen (49 Stück)". > > Für 4,50€/Stk... Voelkner sagt sich..4,50,- Euro/Stk. sind gut, 8,21,- Euro/Stk. sind aber besser;-( https://www.voelkner.de/products/25939/Infineon-Technologies-IRF3708PBF-MOSFET-1-N-Kanal-87W-TO-220.html Lustiger Weise sind aktuell 49 Stück lieferbar. Das war der Bestand den ich gesehen habe unmittelbar bevor er dann nicht mehr lieferbar war.
Jörg R. schrieb: > H. H. schrieb: >> Stefan K. schrieb: >>> Im Conrad Marketplace für Geschäftskunden sind schon welche "Lieferung >>> in 8 Wochen (49 Stück)". >> >> Für 4,50€/Stk... > > Voelkner sagt sich..4,50,- Euro/Stk. sind gut, 8,21,- Euro/Stk. sind > aber besser;-( > > https://www.voelkner.de/products/25939/Infineon-Technologies-IRF3708PBF-MOSFET-1-N-Kanal-87W-TO-220.html > > Lustiger Weise sind aktuell 49 Stück lieferbar. Das war der Bestand den > ich gesehen habe unmittelbar bevor er dann nicht mehr lieferbar war. Da wird Conrad/Völkner nur als Marktplatz genutzt, in dem Falle von "Tease Solutions GmbH". Am Ende sind das die selben 49 Stück, oder jetzt Fälschungen aus CHina...
H. H. schrieb: > Jörg R. schrieb: >> H. H. schrieb: >>> Stefan K. schrieb: >>>> Im Conrad Marketplace für Geschäftskunden sind schon welche "Lieferung >>>> in 8 Wochen (49 Stück)". >>> >>> Für 4,50€/Stk... >> >> Voelkner sagt sich..4,50,- Euro/Stk. sind gut, 8,21,- Euro/Stk. sind >> aber besser;-( >> >> > https://www.voelkner.de/products/25939/Infineon-Technologies-IRF3708PBF-MOSFET-1-N-Kanal-87W-TO-220.html >> >> Lustiger Weise sind aktuell 49 Stück lieferbar. Das war der Bestand den >> ich gesehen habe unmittelbar bevor er dann nicht mehr lieferbar war. > > Da wird Conrad/Völkner nur als Marktplatz genutzt, in dem Falle von > "Tease Solutions GmbH". Stimmt, Voelkner ist ja auch Marktplatz für andere Anbieter. > Am Ende sind das die selben 49 Stück, oder jetzt > Fälschungen aus CHina... Ich tippe mal auf ersteres.
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H. H. schrieb: > Q_g und C_iss? Ich habe meinen Testadapter heute etwas umgebaut: * Shunt 50mΩ statt vorher 500mΩ * 5 Stück 1000µF 10V Elkos statt vorher 2 * sperrige Koaxkabel entfernt, Anschluss an FG und Oszilloskop jetzt über 10cm Zwillingslitze * 50Ω Abschluss am Gateanschluss enfernt * Serienwiderstände am Gate eingefügt die zusammen mit dem 50Ω Ausgang des Fünktionsgenerators wahlweise 50Ω. 100Ω, 200Ω und 300Ω Gesamt-Gatevorwiderstand ermöglichen. Bei auf 10V aufgeladenen Kondensatoren und 16µs 10V Ugs Pulsen erreiche ich jetzt mit einem echten IRF3708 gut 125A Drainstrom, mit einem Fake sogar gut 133A. Bei 130A fallen von den 10V Kondensatorspannung 6,5V über dem Shunt ab, die restlichen 3,5V enstsprchen etwa 27mΩ und davon entfallen rund 16mΩ auf die Kondensatoren selbst (80mΩ/5). Mit der Spannung über dem 250Ω Gatevorwiderstand auf dem Testadapter kann ich den Gatestrom bestimmen und zu Q_g integrieren: Original etwa 43nC, Fake 37nC. Das ganze ist noch sehr vorläufig, das waren die ersten Messungen mit dem umgebauten Testadapter In den Oszillogrammen ist rot Ugs, blau die Spannug zwischen dem Eingang des 250Ω Gatevorwiderstandes und Source, schwarz der daraus berechnete Gatestrom "(B-A)/250)" und türkis die Gateladung "integral((B-A)/250)" Schade, dass mein Picoscope nur 2 Kanäle hat, ich könnte jetzt gut 4 gebrauchen um gleichzeitig auch Uds und Id zu messen. H. H. schrieb: > Dennoch recht gute Fälschungen. Ja, aber es sind auch einzelne deutlich schlechtere Exmplare dabei.
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Jörg R. schrieb: > https://www.voelkner.de/products/25939/Infineon-Technologies-IRF3708PBF-MOSFET-1-N-Kanal-87W-TO-220.html > > Lustiger Weise sind aktuell 49 Stück lieferbar. Waren ...
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