Hallo Leute, ich habe ein Problem mit meiner Schaltung, bei dem ich nicht so richtig weiterkomme. Im Anhang könnt ihr dazu ein Bild meines MOSFET Treibers sehen. Mein Hauptproblem ist, das sich das Source-Level des MOSFETS Q13 ändern kann (0,2V-etwa 30V). Dieser MOSFET braucht etwa 3-5V um voll durchzuschalten. Somit muss dass Gate-Level bei etwa 35V liegen. Der MOSFET überbrückt ein Bauteil, welches von einer Konstantstromquelle (Imax = 1A) versorgt wird. Am Drain liegt der positive Pol der Stromquelle. Wenn das floating level bei etwa 1V liegt, dann beträgt Ugs etwa 34V, was natürlich zu viel ist! Nun meine Frage: Welche Möglichkeiten gibt es, Ugs auf max. +/- 18V zu begrenzen und trotzdem ein sicheres Schalten zu garantieren. Es sollte dabei auch nicht zu viel Verlustleistung entstehen da alles sehr dicht gepackt werden soll ;-) Ist es sinnvoll das Collector Potential des PNPs mit dem floating potential zu verbinden? Vielen Dank für Eure Mühen und Antworten Stefan
Du musst einen high-side Gate Treiber benutzen. Der erzeugt dir für deinen N-FET immer eine U_GS relativ zum Source Potential. Stichwort wäre hier boot-strap Schaltung. Schau mal bei IRF oder Intersil - die haben solche Treiber im Angebot. Die application notes sollten Dich auch weiter bringen. Grüße
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