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Forum: Mikrocontroller und Digitale Elektronik MOSFET schaltet nicht vollständig durch


Autor: Mario (Gast)
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Was ist hier falsch.
Der FET Schaltet ein wenn der BC547 nicht eingeschaltet ist !

Jedoch fehlen 10mA !!

Last direkt betrieben = 71mA über FET fliesen nur noch 61mA.

Dabei wird der FET recht warm !!

Das kann doch nicht sein !! RDS on 0,077 Ohm.

Mit der Last im an Drain kein unterschied !

UB direkt an gate ohne 1 MOhm kein unterschied.

Autor: Mario (Gast)
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Hat sich erledigt ! die last muß über Drain und sorce direkt an GND und 
der 1MOhm direkt an Vb !!


Danke

Augen auf beim eierkauf!

Autor: Stefan Wimmer (wswbln)
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MOSFET Standardfehler Nr.1: N-Kanal FET als Highside-Schalter ohne 
Booster/Ladungspumpe für die Gatespannungserzeugung.

Tipp: Wie hoch ist Deine Gate/Source-Spannung bei durchgesteuertem 
MOSFET?

Autor: Mario (Gast)
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ca. 3V

Autor: Mario (Gast)
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gibt es ne Möglichkeit so eine Ladungspumpe mit diskreten Bauteilen 
einfach zu bauen ?

Autor: Matthias Lipinsky (lippy)
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Die Diode parallel zum FET ist auch Schwachsinn! Im Fet is schon 
einedrin.

Es muss aber zwingend eine parallel zur Last, besonders bei 
Induktivitäten.

Achja, für schnelle Schaltvorgänge ist die Schaltung ungeeignet.

Autor: Matthias Lipinsky (lippy)
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>gibt es ne Möglichkeit so eine Ladungspumpe mit diskreten Bauteilen
>einfach zu bauen ?

Ja, bringt dir aber nichts hier. Falls du unbedingt High-Side schalten 
musst, nimm einen P-Kanal-Fet.

Autor: Christoph E. (mechachris)
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Ich denke, ich habe das gleiche Problem.
Standartfehler Nr.1 "Keine Ladungspumpe"

Was macht die Ladungspumpe?
Ich habe einen IRFZ48VSPbF, der schaltet erst durch, wenn am Gate die 
Spannung um 1.5V höher ist als die Drain Spannung.
Und außerdem schaltet er nicht 100% durch.
Vgs max 20V, ID 72A, VDSS 60V

Bei Ugs 5V müssten schon 60V mit 72A fließen können.

Das gleiche Problem habe ich mit dem P-Fet
FQB47P06

Ich möchte damit eine Halbbrücke bauen, um einen 48V Motor mit 7,8A 
anzusteuern, und auch die Polarisation zu ändern

Autor: Max H. (hartl192)
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P-MOS mit Source an +Ub, N-MOS mit Source an GND, die Beiden Drains 
verbinden und die beiden Gates verbinden. Die ansteuernde Spannung muss 
gleich groß wie +Ub sein, +Ub darf aber nicht größer werden als Vgs(max) 
und die ist beim IRFZ48VSPbF ±20V.
Ich würde dringend empfehlen, dich mit den Grundlagen der Mosfets 
vertraut zu machen.

P.S. Mach in Zukunft deinen Eigenen Thread auf, und Poste nicht in einem 
anderen weiter, vor allem nicht, wenn er 6 Jahre alt ist.

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Autor: Lothar Miller (lkmiller) (Moderator) Benutzerseite
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Christoph E. schrieb:
> Standartfehler
Das allein ist schon ein Standardfehler...

Es fällt mir sehr schwer, das was nach Wiederstand oder Standart 
kommt noch ernstzunehmen.

Dass du für so einen Standardfehler auch noch einen Zombie ausgräbst, 
macht die Sache nicht besser...

> Ich möchte damit eine Halbbrücke bauen, um einen 48V Motor mit 7,8A
> anzusteuern, und auch die Polarisation zu ändern
Du willst die Polarität ändern. Das geht mit einer Halbbrücke nicht. Es 
sei denn, du hast zwei 48V Quellen. Aber mal ehrlich: dein Problem ist 
so trivial, dass es mich nicht wundern würde, wenn es schon eine fertige 
Appnote oder eine Bauleitung mit Schaltplan gäbe..

: Bearbeitet durch Moderator
Autor: Magic Smoke (magic_smoke)
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> Es fällt mir sehr schwer, das was nach Wiederstand oder Standart
> kommt noch ernstzunehmen.
Hallo?! Denkst Du mal dran, daß Du immer noch Mod bist? Ich glaube in 
der Position sollte man sich nicht über zwei StanDarD Rechtschreibfehler 
muckieren und lustig machen, die hier jeden Tag tausende Male vorkommen.

Autor: Christoph E (Gast)
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Max H. schrieb:
> +Ub darf aber nicht größer werden als Vgs(max)
> und die ist beim IRFZ48VSPbF ±20V.

Laut Datenblatt schafft der MOSFET VDS(max)60V.
Wenn aber VDS nicht höher sein darf als Vgs(max), dann würde man 
höchstens 20V durchschalten können.

Autor: MaWin (Gast)
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Christoph E. schrieb:
> ch möchte damit eine Halbbrücke bauen, um einen 48V Motor mit 7,8A
> anzusteuern, und auch die Polarisation zu ändern

Dann nimm einen Halbbrückentreiber (low+high side MOSFET driver) als IC, 
der steuert auch den oberen MOSFET als N-Kanal an, und kann mit 
einfachen (TTL kompatiblen) Eingangsspannungen gesteuert werden.

LT1162, LM5045 etc.

Autor: Udo Schmitt (urschmitt)
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Christoph E schrieb:
> Wenn aber VDS nicht höher sein darf als Vgs(max), dann würde man
> höchstens 20V durchschalten können.

Falsch, Ugs darf max. 20V sein. Also muss man über die Treiberschaltung 
sicherstellen daß das der Fall ist und nicht einfach die volle 
Betriebsspannung/Masse an die Gates schalten.

Christoph E. schrieb:
> Ich möchte damit eine Halbbrücke bauen, um einen 48V Motor mit 7,8A
> anzusteuern, und auch die Polarisation zu ändern

Geht wie schon gesagt nicht mit einer Halbbrücke, gezeichnet hast du 
aber eine (falsche) Vollbrücke, die kann das prinzipiell.
Aber wenn du da beide Gates mit 12V anstteuerst machst du einen prima 
Kurzschluss!

Machs wie MaWin gesagt hat.

: Bearbeitet durch User
Autor: Udo Schmitt (urschmitt)
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Nachtrag:
Wenn du wirklich wissen willst wie sowas diskret gebaut werden kann dann 
arbeite die Artikel durch:
Motoransteuerung mit PWM
Treiber

Beitrag #3630431 wurde vom Autor gelöscht.
Beitrag #3630437 wurde vom Autor gelöscht.
Autor: Christoph E. (mechachris)
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Ja stimmt!
Ich habe eine falsche Vollbrücke gezeichnet.
Im Anhang ist die Richtige.

Beide Gates werden nicht zur gleichen Zeit beschaltet
Es kommt aber vor, das an beiden Gates 0V anliegen.
Hier würden die P-Mosfet´s durchschalten und somit einen Kurzschluss
erzeugen. Daher muss ich wohl die Gates Eingänge invertieren.

Wäre das dann richtig?

Autor: Udo Schmitt (urschmitt)
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Christoph E. schrieb im Beitrag #3630431:
> Beide Gates werden nicht zur gleichen Zeit beschaltet
Es gibt 4 Mosfets also 4 Gates.
Dass du beide Gates einer Halbbrücke zusammenschaltest ist schon falsch, 
weil dann nur 0-2V oder 46-48V erlaubt sind sonst schalten beide Mosfets 
durch und machen einen Kurzschluss. Das aber geht auch nicht weil Ugs 
max. 20V sein darf!

Christoph E. schrieb im Beitrag #3630431:
> Es kommt aber vor, das an beiden Gates 0V anliegen.
> Hier würden die P-Mosfet´s durchschalten und somit einen Kurzschluss
Ist auch falsch

Ich habe dir 2 Links über die Grundlagen von Brückenschaltungen gegeben.
Da du völlig lernresistent zu sein scheinst ist deine einzige Chance die 
Lösung von MaWin.
Da du keine Lust hast dir die Grundlagen anzuschauen habe ich keine Lust 
mehr dir immer neue Fehler zu zeigen, dann lerne es auf die harte Tour, 
ich bin hier raus.

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Autor: Max H. (hartl192)
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Christoph E. schrieb:
> Wäre das dann richtig?
Nein. Überleg mal wie groß Vgs beim P-MOS ist, wenn das Eingangssignal 
auf 0V ist.
Um den P-MOS zu sperren, müsste Eingangsspannung 48V sein, wie groß ist 
dann Vgs beim N-MOS?

P.S. Der Mosfet wird bei Vgs>20V kaputt.

Edit: Da war jemand schneller.

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Beitrag #3630457 wurde vom Autor gelöscht.
Autor: Matthias Lipinsky (lippy)
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