Hallo, ich hoffe das der Titel so stimmt. Ich bin gerade am theoretischem Aufbau eines Labornetzteils. Es geht um die Verstärkerstufe siehe Bild. Natürlich währen es mehr als 4 Transistoren aber 3 (Q2;Q4;Q5) reichen zur Veranschaulichung. An der Basis des Transistors Q1 möchte ich einen Strom von 0-10mA fließen lassen. Dieser soll auf einen Strom von 10A verstärkt werden. Entspricht einem Verstärkungsfaktor von 1000. R2 würde ich so Dimensionieren, dass bei kleinen Strömen (bis 100mA) der Q1 den gesammten Laststrom übernimmt. Erst bei größeren Strömen sollten die anderen Transistoren leitfähig werden. R2 währe also 0,7V/0,1A= 700ohm Wenn es thermisch möglich ist würde ich für ihn auch einen höheren Strom wählen. Ganz klar bin ich mir jedoch nicht, wie ich die Ausgleichswiderstände (Bild 0,22ohm) dimensionieren soll. Aber nun zu meinem Hauptproblem. Ich weiß nicht, welche kaufbaren Transistoren ich verwenden könnte. Die Eingangsspannung beträgt max 60V. (35V AC gleichgerichtet) Die Tranistoren sollten also schon mindestens. 80V aushalten. Zusätzlich benötige ich natürlich noch eine entsprechend große Verstärkung und die Tranistoren sollten nicht extrem langsem sein. Die in der Library von diesem Forum sind fast alle auf niedrige Spannungen ausgelegt. Bauteile auf den Seiten der Hersteller sind leider meistens nicht beschaffbar.
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A. R. schrieb: > Entspricht einem Verstärkungsfaktor von 1000. mmh, der Verstärkungsfaktor einer Kollektor-Grundschaltung ist immer kleiner/gleich eins.
Du könntest den Typ BU508 für die 3 Längstransistoren nehmen. Der verträgt 5 Ampere und hat 125 Watt Ptot. Dann würden auf jeden der 3 Kollegen 3,3 Ampere entfallen. Der Q1 bildet mit den 3 anderen Burschen doch eine Anordung mit dem Verhalten eins Darlington-Transistors. Bei dem Strom haben die BU508 nur noch ein Beta von ca. 5. Das heißt, der Q1 muß dann einen Stromverstärkungsfaktor von 250 haben. Da könntest Du einen BD140 nehmen. MfG Paul
> An der Basis des Transistors Q1 möchte ich einen > Strom von 0-10mA fließen lassen Das ist dann wohl der falsche Ansatz. "Ich möchte 1 Lieter Bezin tanken und dann 160 km/h fahren" Man rechnet andersrum: Du willst 10A fliessen lassen. Die teilen sich auf 3 Transistoren auf, 2N3055 angenommen. Die Stromverteilungswiderstände R9 R3 R10 haben bei 3.33A einen Spannungsabfall von 0.726V. Wenn alle Basisanschlüsse auf derselben Spannung liegen, dann haben die Emitter durchaus unterschiedliche Spannungen je nach Temperatur und Bauteilstreuung des Transistors, so von 0.6 bis 1V, aber sagen wir sie sind halbwegs thermisch gleich und weichen maximal um 0.2V ab. Dann weichen die Spannungen an den Stromverteilungswiderständen auch nur um 0.2V ab. Dann weicht der Strom auch nur um 1A ab. Also maximal 2 Transistoren übernehmen 3.83A und einer 2.33A. Für 10A reichen als 3 Transisroren parallel die ca. 4A aushalten. Der Basisstom hängt von der Stromverstärkung ab, bei 10A und einer Verstärkung von ca. 30 fliessen 0.33A. zusätzlich fliessen bei 1V Basisspannung und 0.7V an den Stromverteilungswiderständen 166mA über R2 ab, zusammen also 0.5A. Die liefert Q1 (BD139 angenommen), der sie seinerseits um 90 verstärkt. also 5.5 mA BAasisstrom benötigt. Kannst di die nicht liefern, funktioniert die Schaltung nicht. Die 2N3055 halten je 4A aus, bis zu einer Spannung von 27V. DArüber ist das SafeOperatingArea überschritten und die Transistorn können durchlegieren. Als Netzteil ist die Scahltungalso nur bis 25V zu gebrauchen, oder viel weniger Ampere pro Transistor, bei 1A immerhin bis 55V.
>Da könntest Du einen BD140 nehmen. Ich korrigiere mich: BD139 (Das kommt davon, wenn man zuviele Datenblätter liest ;-)) MfG Paul
>R2 währe also >0,7V/0,1A= 700ohm das sind 7Ohm, nicht 700. >> Entspricht einem Verstärkungsfaktor von 1000. >mmh, der Verstärkungsfaktor einer Kollektor-Grundschaltung ist immer >kleiner/gleich eins. Quatsch - hier gehts um Stromverstärkung, nicht Spannungsverstärkung. > An der Basis des Transistors Q1 möchte ich einen > Strom von 0-10mA fließen lassen Diese Vorgabe ist nicht so toll - man kann sich vorgeben, max. 10mA Basisstrom brauchen zu müssen bei Vollast. Ansonsten willst Du ja sicherlich nur die Spannung regeln, und da interessiert der Strom dann nicht mehr so viel, wenn einmal auf Vollast berechnet.
Danke, dass sind erstmal sehr viele Informationen. Ich werde versuchen diese nacheinander abzuarbeiten und zu verstehen. ... schrieb: > mmh, der Verstärkungsfaktor einer Kollektor-Grundschaltung ist immer > kleiner/gleich eins. Wenn ich mich nicht irre aber nur auf die Spannung bezogen. Den Strom kann ich beliebig verstärken. Natürlich liegt das Potential an der Basis von Q1 über dem Potential am Emitter von Q1. Paul Baumann schrieb: > Du könntest den Typ BU508 für die 3 Längstransistoren nehmen. > Der verträgt 5 Ampere und hat 125 Watt Ptot. > Dann würden auf jeden der 3 Kollegen 3,3 Ampere entfallen. > Der Q1 bildet mit den 3 anderen Burschen doch eine Anordung mit > dem Verhalten eins Darlington-Transistors. Bei dem Strom haben die > BU508 nur noch ein Beta von ca. 5. Das heißt, der Q1 muß dann > einen Stromverstärkungsfaktor von 250 haben. Da könntest Du einen > BD140 nehmen. > > MfG Paul >Ich korrigiere mich: BD139 >(Das kommt davon, wenn man zuviele Datenblätter liest ;-)) >MfG Paul Ist nicht weiter tragisch, dass du dich vertan hast. Wenn man soetwas als Labornetzteil realisieren würde müsste man wahrscheinlih mehr als nur 3 Transistoren parallel schalten. Selbst bei 125W würde ich aus dem Bauch herraus mindesten 10 Stück nehmen. 60V*10A=600W Das währe eine ziemliche Menge an Wärme^^. Wenn man eine Langlebigkeit erzielen möchte und auch mit Umgebungstemperaturen von >=35C° rechnet werden 10 Stück auch schon knapp sein. http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/mospec/BU508.pdf http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/philips/BD139-16.pdf Bei 10 Tranistoren würde auf jeden Transistor 1A fallen. Das währe ein Beta von 15. Hier bemerke ich leider, dass ich mit Biplolartransistoren noch nicht viel gemacht habe. Kann es sein das der Verstärkungsfaktor Parabelförmig verläuft? weniger Basistrom = kleine Verstärkung mittlerer Basisistrom = hohe Verstärkung hoher Basistrom = kleiner Verstärkung Kann das sein, dass der BD139 laut meinem Datenblatt nur einen Verstärkungsfaktor von 125 hat? Als letztes möchte ich zu MaWin kommen. Danke für das Rechenbeispiel. Hast anscheinen viel Arbeit mit dem schreiben verbracht und vor allem mit dem Nachdenken, wenn das denn bei länger Erfahrung noch notwenig ist. MaWin schrieb: > Das ist dann wohl der falsche Ansatz. > "Ich möchte 1 Lieter Bezin tanken und dann 160 km/h fahren" Entschuldige wenn ich falsch liege. Es gibt doch auch Operationsverstärker, die einen Strom von wenigen µA auf mehrere mA verstärken. Theoretisch müsste es also funktionieren. Die Frage ist nur wie. Aber deswegen frage ich nach. Also scheinbar wird die Temperatur bemängelt. Die müsste sich doch normalerweise durch den Einsatz mehrer Transistoren vermeinden lassen. >Wenn alle Basisanschlüsse auf derselben Spannung liegen, >dann haben die Emitter durchaus unterschiedliche Spannungen >je nach Temperatur und Bauteilstreuung des Transistors, >so von 0.6 bis 1V, aber sagen wir sie sind halbwegs thermisch >gleich und weichen maximal um 0.2V ab. Lassen sich die Werte im Datenblatt nachlesen? Konnte leider nichts entsprechendes finden. Wenn ich das richtig verstehe. Dann wirken sich die Bauteiltoleranzen und die thermischen Unterschiede nur auf die Spannung aus. Das Bedeutet also durch größere Widerstände kann ich Stromverteilung der einzelnen Transistoren "linearisieren". Denn ein delta U von 0,2V macht an 0,2ohm einen Unterschied von 1A und an 1ohm macht es nur einen Unterschied von 0,2A. Mein Hauptproblem sehe ich momentan darin, dass ich mit den beiden Verstärkungsfaktoren. 125 vom BD139 und 5 vom BD139 keine Verstärkung von 1000 erreichen kann. EDIT: Ich sehe gerade das es 2 Grafiken zur Verstärkung gibt. Einmal für den BU508A und einmal für den BU508D. Der BU508A hätte einen gain von 10. Das würde mein Problem beseitigen.
Jens G. schrieb: > Quatsch - hier gehts um Stromverstärkung, nicht Spannungsverstärkung. Ist klar, aber dann sollte er auch von Stromverstärkung sprechen und nicht von Verstärkungsfaktor. A. R. schrieb: > Den Strom kann ich beliebig verstärken. Irrtum, der Stromverstärkungsfaktor hängt von deinen verwendeten Transistoren ab. Der liegt bei Leistungstransistoren in der Regel um 5 - 20.
"Lama": "Was du brauchst ist eine Darlington-Schaltung"
@ ... (Gast) Jetzt muss ich mich doch mal verteidigen. Ich sprach allgemein vom Verstärkungsfaktor. Ich sagte nicht Stromverstärkung und auch nicht Spannungsverstärkung. >An der Basis des Transistors Q1 möchte ich einen Strom von 0-10mA >fließen lassen. >Dieser soll auf einen Strom von 10A verstärkt werden. >Entspricht einem Verstärkungsfaktor von 1000. Aus dem Kontext konnte man erkennen, dass ich einen Strom verstärken möchte. >Irrtum, der Stromverstärkungsfaktor hängt von deinen verwendeten >Transistoren ab. >Der liegt bei Leistungstransistoren in der Regel um 5 - 20. Ich wollte damit suggestieren, dass die Stromverstärkung nicht so wie die Spannungsverstärkung begrenzt ist.
A. R. schrieb: > Jetzt muss ich mich doch mal verteidigen. Du musst dich nicht verteidigen, nur korrekt ausdrücken. A. R. schrieb: > Ich wollte damit suggestieren, dass die Stromverstärkung nicht so wie > die Spannungsverstärkung begrenzt ist. Genau das ist dein Denkfehler. Gerade die Stromverstärkung ist durch die von dir verwendeten Transistoren sehr stark begrenzt. Ich wiederhoel es noch einmal, die Lösung deines Problems liegt in einer Darlington-Schaltung. Einfach mal nach googeln.
> Lassen sich die Werte im Datenblatt nachlesen? http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/2N3773-D.PDF Beim 2N3773 wenigstens in Figure 5 erahnen: Bei steigender Temperatur fällt die BE-Spannung, insbesondere bei niedrigeren Strömen. Ab 8A kehren sich die Verhältnisse um. Allerdings sind das typische Werte und die Minimum-/ Maximum-Werte sind nicht erkennbar. Es gilt für alle Transistoren, daß die UBE-Spannung mit steigender Temperatur fällt, und das macht die Stromverteilung per Emitterwiderstand notwendig: Weil ohne Stromverteilungswiderstand der heissere Transistor mehr Strom übernimmt, würde er noch heisser werden, bis er überlastet wird. Legt man die Transistoren einzeln nebeneinander ohne thermische Kopplung, hat man ein Problem. Daher sollte alle Transistoren auf einen gemeinsamen Kühlkörper, damit sie ungefähr ähnliche Temperaturen haben, also wenn einer heisser wird, soll er die anderen auch erwärmen. In die Auslegung der Stromverteilungswiderstände spielt also die thermische Kopplung der Transistoren mit rein. Zudem wie weit man überdimensioniert, denn bei zu niedrigen Widerstandswerten ist die Stromverteilung nicht so gut, also kann ein einzelner mehr abbekommen als nur den Durchschnitt. Also muss man die Transistoren mit mehr Reserve auslegen. > also durch größere Widerstände kann ich Stromverteilung der einzelnen > Transistoren "linearisieren". Denn ein delta U von 0,2V macht an 0,2ohm > einen Unterschied von 1A und an 1ohm macht es nur einen Unterschied von > 0,2A. Ja. Dazu sind die da. Für 60V/10=600W eignet sich der MJ15023, der hält 4A aus und 200W, also reichen 3 parallel, wenn man den Kühlkörper auf unter 60 GradC halten kann (das kann man nur mit Wasserkühlung oder heftigem anblasen). Hat der Kühlkörper selbst 0.2 K/W (was bei nicht- angeblasenen schon ein heftiges Trumm ist), dann kann ein einzelner Transistor nicht mehr als 100 Watt abführen, also bräuchte man 6 parallel. Die Dinger haben noch eine relativ gute Stromverstärkung von 50. Der MJL21193, der derselbe Chip in anderem Gehäuse ist, kann schon weniger, der geht eigentlich nur mit 6 parallel. Achtung: Von beiden Chips sind viele Fälschungen in Umlauf, die erkennt man an niedriger Stromverstärkung und die platzen dann bei Volllast. Den BU508 kannst du vergessen, der ist für schnelles schalten von Hochspannung. 2N3055 und 2N3773 reichen nicht, die können bei so hoher Spannung kaum noch Strom.
>Den BU508 kannst du vergessen, Kaum. Ich habe BU508 in meinem Netzteil verbaut und keine Probleme damit. Gerade weil die 2N3055 hier auch nicht reichten. Sicher: Der BU508 ist oft in den Zeilenendstufen von Fernsehgeraeten ein- gebaut worden. Er freut sich aber auch ueber andere Aufgaben. ;-) MfG Paul
Idealerweise wird man die Emitterwiderstände so dimensionieren, das bei maximalen Strom an den Widerständen ca 0,6V -0,7V abfallen. Dann hat man eine ausreichende Stromgegenkopplung, die das thermische Davonlaufen einzelner Transistoren hinreichend verhindert. Als Transistor könnte man eventuell den BD249C nehmen. 125W Ptot, ( bei 25° Gehäusetemperatur!!! ), Rt ( Chip-Gehäuse ) 1,25°/Watt, 100V und 25Amp. Wieviel man davon paralell schalten muss, hängt auch extrem vom verwendeten Kühlkörper ab. Man muss halt den Wärmefluss ein wenig berechnen. Aber rein gefühlsmäßig ( ohne jetzt nachzurechnen ) werden wohl mindestens 10-15 von den BD249C benötigt werden, um thermisch auf der sicheren Seite zu sein. Eher noch mehr. Ich hatte mal ein Labornetzteil gebaut 0-30V 0-25Amp. Da sind 40 Stück !! BD249C paralell geschaltet. Trotz Monsterkühlkörper welches 30cm *30cm groß war und 6cm tiefe Kühlrippen besitzt, bin ich auch hier um eine Zwangsbelüftung mit 3 Papstlüftern nicht herum gekommen. Bei mir waren es knapp 1KW die ich an Verlustleistung im Worst Case Falle abführen muss. Bei dir sind es ja nur !! 600 Watt !!!!. Marwin hat die MJ15023 genannt. Mit diesen Transistoren wird man die Anzahl die benötigt werden um nicht ganz die Hälfte gegenüber den BD249C reduzieren können, sind auch schön schnelle Transistoren ( die werden in Beschallungsendstufen eingesetzt ), haben aber den Nachteil das sie die Bauform TO3 haben. Man kann keine Kühlkörper verwenden die auf der gesamten Fläche Kühlrippen haben, da man den Kühlkörper wegen der Transistoranschlüsse durchbohren muss. Transistoren die man flach auf den Kühlkörper schrauben kann erscheinen mir da etwas praxisnäher zu montieren. Ralph Berres
> Kaum. Ich habe BU508 in meinem Netzteil verbaut und keine Probleme > damit. Gerade weil die 2N3055 hier auch nicht reichten. > Sicher: Der BU508 ist oft in den Zeilenendstufen von Fernsehgeraeten > eingebaut worden. Er freut sich aber auch ueber andere Aufgaben. ;-) Klar, der freut sich bis zum platzen. Schau doch einfach mal ins Datenblatt: http://www.st.com/stonline/books/pdf/docs/4491.pdf Save Operating Area. Bei 60V in TO218 glatt 2A, in ISOWATT glatt 700mA. Gegenüber 4A vom MJ15023 braucht man doppelt bzw. 6 mal so viele.
Ich habe mir mal ein paar Notizen gemacht und etwas dimensioniert. MJL21194G hfe= 25 bei -25C° 50 bei 25C° Verstärkung VCEO= 250V Maximale Spannung VBE(on) = 2,2V 0,825V bei 1,25A Basisspannung Tmax=150°C --> 130°C wegen Sicherheit Thermal Resistance= 0,7C°/W Gehäuse: TO-264 http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/MJL21193-D.PDF Bei 8 Stück --> 75W/Transistor--> delta T 52,5°C --> 130°C-52,5°C=77,5°C= max. Kühlkörpertemperatur Ausentemperatur 35°C--> delta T von 42,5°C bei 600W--> Kühlkörper 0,07°C/W Ist dies möglich? Also großer Kühlkörper mit 0,2°C/W und Lüftern? Bei 8 Stück währen es max. 1,25A pro Transistor. Bei 0,6V am Emitterwiderstand ergibt sich ein R von 0,5ohm BD139 hfe= 125 VCEO= 80V VBE(on) = 1V Tmax=150°C --> 130°C Pmax = 8W Thermal Resistance= 10C°/W 100C°/W ohne Kühlkörper http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/philips/BD139-16.pdf Bei einem Kurzschluss fließen 10A. An den Emitterwiderständen liegt eine Spannung von 0,6V an. An der Basis liegt eine Spannung von 0,825V an. Gesammt ergibt dies 1,425V. Der BD139 muss im Kurzschlussfall den Basisstrom der MJL21194G und den Strom durch R2 vertragen. Schon allein der Basisstrom bei 10A währe 0,4A 0,4A*60V=24W Das ist mit dem BD139 leider unmöglich. Ich bräuchte also einen Transistor mit einem hohen gain. Möglichst über 100. Der auch auf einem Kühlkörper montiert werden kann und ohne Probleme eine höhere Verlustleistung ableiten kann.
>Schau doch einfach mal ins Datenblatt:
Genau das gebe ich an Dich zurück! Dein MJ15023 ist ein PNP-Transistor.
Der Mann hier braucht aber einen NPN-Typ.
MfG Paul
Dann nimm aus demselben Datenblatt den MJ15024 (die Transferleistung hat er bei MJL21193/21194 offenbar auch geschafft).
> Der BD139 muss im Kurzschlussfall den Basisstrom der > MJL21194G und den Strom durch R2 vertragen. Berechtigter Einwand, ABER: Der BD139 hat nur eine begrenzte Stromverstäkrung und wird nur mit 5mA (0-10mA) versorgt, und die Stromverstärkung fällt auch noch bei steigendem Strom. Also können acuh nur maximal deine 400mA fliessen. Das sind zwar mit 24W immer noch viel, aber du siehst, daß diese Schaltung eventuell die mangelnde Stromverstärkung sogar nutzt, um solche Sonderkonditionen trotzdem noch zu behandeln. Nimm 'nen BD241 :-)
Als Q1 könnte ich 2 mal den BD139 nehmen. Diese müssten dann thermisch gut gekoppelt sein. 30W an einem Gehäuse ist mir etwas viel. Als Kühlkörper könnte ich etwas in der Art verwenden. http://de.farnell.com/aavid-thermalloy/416401u00000g/heat-sink-hi-contact-lcp-2-pass/dp/1773327 Oder einfach einen Aluminiumblock nehmen und ein Durchgangsloch bohren. Vielleicht könnte ich eine kleine "Teichpumpe" oder soetwas mit 12-32V nehmen. Diese ließe sich auch elektronisch regeln. Als Kühlstrecke könnte ein langer Wasserschlauch fungieren. (ähnlich einer Fußbodenheizung^^) Werde dem nächst mal die Emitterwiderstände für die BD139 berechnen.
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Könnt ihr bitte über die angehangene Schaltung schauen. Es werden 8 MJL21194 verwendet. I max ist 10A Pro Transistor ergibt dies 1,25A Damit nun 0,6V an den Emitterwiderständen abfallen haben diese einen Wert von 0,5ohm. Der gain schwankt zwischen 25 und 100. 25 bei -25°C und 100 bei 100°C. Also muss ein Basisistrom von. 0,4A bzw. von 0,1A fließen. Da ich 2 BD241 verwende müssen dort 0,05A bis 0,2A fließen. Als Emitterwiderstand habe ich 3ohm gewählt. Bei 0,2A fallen dort 0,6V ab. (Was passiert wenn die MJL21194 sehr heißt werden, dann fließen nur noch 0,05A pro Transistor und die Spannung am Emitterwiderstand sinkt auf 0,15V) R2 sind 14ohm. Bei 10A fließen dort ca. 100mA.
warum so umständlich? Versuch es mal hiermit.
Das ist genau meine Schaltung wie im ersten Post. http://www.mikrocontroller.net/attachment/74630/Verst_rker.png http://www.mikrocontroller.net/attachment/74700/Netzteil.pdf
A. R. schrieb: > Das ist genau meine Schaltung wie im ersten Post. ;) ja sicher..nur Verstanden hast du sie immer noch nicht, wie man hieran sieht: http://www.mikrocontroller.net/attachment/74699/Verst_rker_1.png
Dann bitte ich dir mir zu erklären, wo der Fehler ist. Ich habe ledlich den Transistor T1 auf deinem Bild durch 2 parallele BD241 ersetzt um die Verlutleistung zu verteilen. Auf diesem Bild ist übrigend der Rest der Schaltung http://www.mikrocontroller.net/attachment/74698/Verst_rker_2.png
> Ich habe ledlich den Transistor T1 auf deinem Bild durch 2 > parallele BD241 ersetzt um die Verlutleistung zu verteilen. Ich sag mal, das halte ich für überflüssig, denn der BD241 schafft sowieso mehr als der BD139.
Gibt's Einwände gegen Mosfets in der Endstufe? Dann erledigt sich zumindest die Basistrom- und Treiberleistungsproblematik. Man hat zwar dann einen höheren Spannungsabfall über die Mosfets bei Vollaussteuerung (wegen Ugs), was sich aber mit p-Kanal-Mosfets regeln ließe. Läßt sich aber meines Wissens schwerer Regeln bei komplexeren Lasten. Wäre aber mal eine Überlegung wert ...
Jens unterschätze die Umladeströme der Gatekapazitäten nicht. Bei 6 oder mehr Transistoren paralell ( die er braucht )kommen da schnell bis zu einige zehn Nanofarad zusammen. Bei plötzlichen Lastwechsel fliesen auch dort schon beachtliche Ströme, wenn das Netzteil Lastwechsel schnell ausregeln soll. Das thermische Problem der Treibertransistoren wird zwar kleiner, weil sie nur kurzzeitig Ströme liefern müssen, aber sie müssen für die Umladeströme ausgelegt sein. Mal ganz davon abgesehen das man eine um einige Volt größere Oberspannung braucht als bei bipolare Transistoren. Das ist nicht sonderlich dienlich was die Verlustleistung im Worst Case Falle betrifft. Ich halte bei einen Netzteil einigermasen schnelle bipolare Transistoren für sinnvoller. Ralph Berres
>Ich sag mal, das halte ich für überflüssig, denn der BD241 >schafft sowieso mehr als der BD139. Im Kurzschlussfall bei 10A muss der DB241 0,5A liefern. An ihm fallen ca. 60V ab. Das sind 30W. Der BD241 kann laut Datenblatt 40W bei 25°C. Wenn wir nun von 40°C ausgehen dann wird der BD241 doch ziemlich gebraten. Deswegen lieber 2 Stück. Ein nicht kommerzielles Gerät lege ich lieber auf Langlebigkeit aus. Mosfets kommen wegen der Regelprobleme nicht in frage. Ich denke die Schaltung von Datum: 08.04.2010 19:00 sollte funktionieren. Danke für die Hilfe.
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Zur Kontrolle habe ich die Stufe noch etwas ersichtlicher angehangen.
BD243C Ptot (t=25°Case) 65W UCE 100V IC 6Amp R0J/C 2°/W hfe min. 30 aber tendiert eher gegen 100, bei 0,5Amp. Ich würde mal messen wie groß der Basisstrom der Endtransistoren wirklich ist. So ganz glaube ich die 0,5Amp noch nicht.Das sind sicherlich gut die Hälfte weniger, da jeder Transistor ja nur etwas über 1 Amp liefern muss. In diesem Falle würde 1 BD243C als Treiber ausreichen. Ralph Berres
Der BD243C kann mehr Energie abführen als der BD241C. Somit hast du recht beim BD243C könnte ich auf einen Transistor verzichten. Dann könnte ich auch auf die 2 Emitterwiderstände verzichten und somit meinen Dropout reduzieren. Die 0,5A Basisistrom sind bei 25°C genau die hälfte. Denn bei 25°C haben die MJL21193 einen gain von 50. Ich entnahm den gain von -25°C. Für den Fall das die Schaltung in einem etwas kälteren Raum betrieben wird. Wobei -25°C vielleicht doch etwas übertrieben sein könnten. Ich denke im Kurzschlussfall erhöhrt sich sowiso die Temperatur der MJL21193 dann brauchen die definitiv weniger Basisistrom.
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