Hallo Zusammen, ich hätte eine Frage bezüglich der oben gezeigten Schaltung. Und zwar wird der Fet "IRFR5305" (T4 in Schaltung) extrem Heiß, obwohl "nur" 5A fließen! Im Datenblatt kann man aber entnehmen das er ein Drainstrom bis zu 31A verträgt. Außerdem hat er doch nur ein RDSon von 0.065 ohm. Er dürfte deshalb doch nie so heiß werden. Die Pinbelegung habe ich schon überprüft! Nun ist meine Frage was habe ich falsch gemacht? Dankeschön schon im Vorraus. Hanz
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Verschoben durch Admin
Wie schnell ist denn die PWM? Die 10k Widerstände direkt vor dem oberen Gate sind doch viel zu groß. Das Gate hat eine bestimmte Kapazität, die man umladen muss.
@ Hanz (Gast) >ich hätte eine Frage bezüglich der oben gezeigten Schaltung. Und zwar >wird der Fet "IRFR5305" (T4 in Schaltung) extrem Heiß, obwohl "nur" 5A >fließen! Was heisst hier "nur"? >Im Datenblatt kann man aber entnehmen das er ein Drainstrom bis zu 31A >verträgt. Bei enstrechender Ansteuerung UND einem Kühlkörper. > Außerdem hat er doch nur ein RDSon von 0.065 ohm. Er dürfte >deshalb doch nie so heiß werden. Mal gerechnet? P = I^2*R = 5^2 * 0,065 = 1,6W. Da ist zuviel für ein TO220 Gahäuse ohne Kühlkörper > Die Pinbelegung habe ich schon >überprüft! Nun ist meine Frage was habe ich falsch gemacht? Für PWM ist deine Gateansteuerung unbrauchbar, weil viel zu hochohmig und damit langsam und schwach. Du brauchst einen Mosfet-Treiber, siehe Artikel Treiber und MOSFET-Übersicht. MfG Falk
Naja, 0.065 Ohm ergeben bei 5A auch über 1.6W und wenn du keinen Kühlkörper benutzt erwärmt sich dein Gehäuse eben auf bis 100°C. Das ist dann schon schön warm.
@simon: die PWM Feq beträgt 350 Hz! Habs auch ohne PWM versucht wurde genau so heiß. Ja da habt ihr wohl recht mit den Gate R. Ich habe den D-Pack ja auf einer Platine verlötet und genügend Lot rundum gepackt. Das sollte doch eigendlich, für diesen Strom, als Kühlfläche reichen oder?
@ Hanz (Gast) >die PWM Feq beträgt 350 Hz! Ok, das entspannt die Sache ein wenig, aber . . . >Ich habe den D-Pack ja auf einer Platine verlötet und genügend Lot >rundum gepackt. Das sollte doch eigendlich, für diesen Strom, als >Kühlfläche reichen oder? Nö ;-) MfG Falk
Ok! ;-) Dann pack ich noch einen drauf! Danke euch für die schnellen Antworten. MFG Hanz
Hanz schrieb: > Dann pack ich noch einen drauf! Das ändert aber nichts an der Gesamt-Verlustleistung, die bleibt genau so groß! Wenn die FETs nah zusammen liegen wird das nicht besser. Du brauchst mehr Kühlfläche!
>> Dann pack ich noch einen drauf! > Das ändert aber nichts an der Gesamt-Verlustleistung, die bleibt > genau so groß! Stimmt so nicht ganz, da sich bei zwei FETs der RdON halbiert: P = I^2*(R/2) = 5^2 * (0,065/2) = 0,8W Abwärme Aber 0,8W Abwärme benötigen immer noch einen Kühlkörper...
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