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Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik Frage zur einer Mos-Fet Schaltung IRFR5305


Autor: Hanz (Gast)
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Hallo Zusammen,

ich hätte eine Frage bezüglich der oben gezeigten Schaltung. Und zwar 
wird der Fet "IRFR5305" (T4 in Schaltung) extrem Heiß, obwohl "nur" 5A 
fließen!
Im Datenblatt kann man aber entnehmen das er ein Drainstrom bis zu 31A 
verträgt. Außerdem hat er doch nur ein RDSon von 0.065 ohm. Er dürfte 
deshalb doch nie so heiß werden. Die Pinbelegung habe ich schon 
überprüft!  Nun ist meine Frage was habe ich falsch gemacht?


Dankeschön schon im Vorraus.

Hanz

: Verschoben durch Admin
Autor: Simon K. (simon) Benutzerseite
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Wie schnell ist denn die PWM? Die 10k Widerstände direkt vor dem oberen 
Gate sind doch viel zu groß. Das Gate hat eine bestimmte Kapazität, die 
man umladen muss.

Autor: Falk Brunner (falk)
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@  Hanz (Gast)

>ich hätte eine Frage bezüglich der oben gezeigten Schaltung. Und zwar
>wird der Fet "IRFR5305" (T4 in Schaltung) extrem Heiß, obwohl "nur" 5A
>fließen!

Was heisst hier "nur"?

>Im Datenblatt kann man aber entnehmen das er ein Drainstrom bis zu 31A
>verträgt.

Bei enstrechender Ansteuerung UND einem Kühlkörper.

> Außerdem hat er doch nur ein RDSon von 0.065 ohm. Er dürfte
>deshalb doch nie so heiß werden.

Mal gerechnet?

P = I^2*R = 5^2 * 0,065 = 1,6W. Da ist zuviel für ein TO220 Gahäuse ohne 
Kühlkörper

> Die Pinbelegung habe ich schon
>überprüft!  Nun ist meine Frage was habe ich falsch gemacht?

Für PWM ist deine Gateansteuerung unbrauchbar, weil viel zu 
hochohmig und damit langsam und schwach. Du brauchst einen 
Mosfet-Treiber, siehe Artikel Treiber und MOSFET-Übersicht.

MfG
Falk

Autor: Andy (Gast)
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Naja, 0.065 Ohm ergeben bei 5A auch über 1.6W und wenn du keinen 
Kühlkörper benutzt erwärmt sich dein Gehäuse eben auf bis 100°C. Das ist 
dann schon schön warm.

Autor: Hanz (Gast)
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@simon:

die PWM Feq beträgt 350 Hz! Habs auch ohne PWM versucht wurde genau so 
heiß.
Ja da habt ihr wohl recht mit den Gate R.

Ich habe den D-Pack ja auf einer Platine verlötet und genügend Lot 
rundum gepackt. Das sollte doch eigendlich, für diesen Strom, als 
Kühlfläche reichen oder?

Autor: Falk Brunner (falk)
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@  Hanz (Gast)

>die PWM Feq beträgt 350 Hz!

Ok, das entspannt die Sache ein wenig, aber . . .

>Ich habe den D-Pack ja auf einer Platine verlötet und genügend Lot
>rundum gepackt. Das sollte doch eigendlich, für diesen Strom, als
>Kühlfläche reichen oder?

Nö ;-)

MfG
Falk

Autor: Hanz (Gast)
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Ok! ;-)

Dann pack ich noch einen drauf!

Danke euch für die schnellen Antworten.

MFG
Hanz

Autor: Sebastian (Gast)
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Hanz schrieb:
> Dann pack ich noch einen drauf!

Das ändert aber nichts an der Gesamt-Verlustleistung, die bleibt genau 
so groß!
Wenn die FETs nah zusammen liegen wird das nicht besser.
Du brauchst mehr Kühlfläche!

Autor: Jens (Gast)
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>> Dann pack ich noch einen drauf!
> Das ändert aber nichts an der Gesamt-Verlustleistung, die bleibt
> genau so groß!

Stimmt so nicht ganz, da sich bei zwei FETs der RdON halbiert:
P = I^2*(R/2) = 5^2 * (0,065/2) = 0,8W Abwärme
Aber 0,8W Abwärme benötigen immer noch einen Kühlkörper...

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