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Forum: Mikrocontroller und Digitale Elektronik MOSFET: Spannung zwischen Gate & Source


Autor: Karlheinz (Gast)
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Wenn ich einen MOSFET mit einer Source-Gate Spannung von max. +/-12 Volt 
mit 18 Volt über einen Widerstand von 470 K Ohm "versorge", kann dies zu 
dauerhaften Schäden führen oder "nur" ab und zu zu einer Fehlfunktion.

Autor: Wolfgang Horn (Gast)
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Karlheinz schrieb:
> Wenn ich einen MOSFET mit einer Source-Gate Spannung von max. +/-12 Volt
> mit 18 Volt über einen Widerstand von 470 K Ohm "versorge", kann dies zu
> dauerhaften Schäden führen oder "nur" ab und zu zu einer Fehlfunktion.
>

Wenn die Gate-Source Spannung innerhalb der Grenzen laut Datenblatt 
bleibt, dürfte alles sicher sein.

Allerdings hatte ich einigen Ärger mit
a) wilden Schwingungen
b) der Miller-Kapazität zwischen Drain und Gate: Diese kann bis zu 
Nanofarad betragen. Mit dem 470kOhm bekommst Du einen Spannungsteiler. 
Transienten an der Drain können die Gate-Spannung weit stärker 
beeinflussen, als Dir lieb ist.

Ciao
Wolfgang Horn

Autor: Gerhard (Gast)
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Hallo

wie Wolfgang schon geschrieben hat, im Datenblatt nachlesen.

Im Gegensatz zu Bipolaren Transistoren verzeihen MOSFETs keine 
Überspannungen. Wenn er durchschlägt, dann wars das.

Gruß
Gerhard

Autor: Karlheinz (Gast)
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... Im Gegensatz zu Bipolaren Transistoren verzeihen MOSFETs keine
Überspannungen. Wenn er durchschlägt, dann wars das. ...

D. h. einmal durchgeschlagen und der MOSFET ist irreparabel defekt, 
unabhängig davon, ob noch ein Widerstand den Strom begrenzt oder nicht.

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