Hallo! Beim Stöbern durch diverse Kataloge nach einem einfachen Mosfet tauchen immer wieder einzelne Produkte mit galaktischem Maximum Continuous Drain Current auf, so z.B. beim HEXFET IRFS3206PBF mit über 200A! Wie ist dieser Wert zu verstehen?
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Verschoben durch Admin
Das klingt logisch.. aber wieso besitzen die meisten der Kollegen dieses Types so Werte um -wenns hoch kommt- einen (gut vorstellbaren) Ampere?
Das hängt halt einfach von dem Teil ab. Im Prinzip gilt: Je niedriger der RDSon um so mehr Strom kann das Teil ab. Natürlich nur bei entsprechender Kühlung...
Hab grade mal ins Datenblatt geschaut, die 200A+ sind der theoretisch möglich Strom des DIE, die Bond-Drähte machen nur 120A. Und 120A bei den angegebenen 2mOhm Rdson, wären ca.30W Abwärme, alles im grünen Bereich ;), ... oder doch im rot-glühenden
Impulsstrom sogar bis 840A. http://de.farnell.com/international-rectifier/irfs3206pbf/mosfet-n-60v-d2-pak/dp/1436973?Ntt=IRFS3206PBF Peter
Ich mag mir die Bond-Drähte garnicht vorstellen^^ Diese (Haar)dünnen Drähte mit 120A dauer, auch wenns 20 Stück sein sollten, ich glaube aber eher so um 5 Stück. ürks
Simon L. schrieb: > die Bond-Drähte garnicht vorstellen Dann halt das Ding mal an die Schleifmaschine. Die Wissenschaft fordert auch mal kleine Opfer und freut sich über schöne Fotos.
@ Simon L. (simon_l) >Ich mag mir die Bond-Drähte garnicht vorstellen^^ Diese (Haar)dünnen >Drähte mit 120A dauer, Wer sagt denn, dass das haardünne Golddrähte sein sollen? Das ist kein EPROM. AFAIK wird Leistungselektronik mit recht dickem Aluminium gebondet. Wenn da nicht sowieso eine andere Verbindungsart genutzt wird. MFG Falk
Die 210A sind eher theoretischer Natur. Sie gelten dann, wenn der Kühl- körper einen Wärmewiderstand von 0 hat und die Umgebungstemperatur maxi- mal 25°C beträgt. Selbst wenn es den perfekten (passiven) Kühlkörper gäbe, würde der Mosfet am oberen Ende seiner Temperaturskala vor sich hinbruzzeln und bei einem Wetter wie heute tot umfallen :) > aber wieso besitzen die meisten der Kollegen dieses Types so Werte um > -wenns hoch kommt- einen (gut vorstellbaren) Ampere? Naja, die meisten TO-220-Mosfets für denselben Spannungsbereich haben können schon so 30A und mehr. > die 200A+ sind der theoretisch möglich Strom des DIE, die Bond-Drähte > machen nur 120A. Ist das wirklich so, dass die Bond-Drähte den Flaschenhals darstellen. Wenn ja, müsste man die Angabe von 210A ja fast schon als Betrug werten. Oder wird vom Kunden erwartet, dass er den Die aus dem Gehäuse schält und selber geeignete Anschlussleitungen daran befestigt?
@ Simon L. (simon_l) >machen nur 120A. Und 120A bei den angegebenen 2mOhm Rdson, wären ca.30W >Abwärme, alles im grünen Bereich ;), ... oder doch im rot-glühenden Die Hälfte davon ist Marketing Blabla. Wärmewiderstand ist 1K/W, da muss man schon SEHR gut kühlen, um die 30W++ wegzubekommen. Und bei 120A durch das Source Pin entsteht dort auch ordentlich Wärme. Bei mal sportlich angesetztem Kühlkörper von 1K/W kann man bestenfalls 50W verheizen. Dann ist aber ALLES ausgereizt. Sowas baut man aber nicht als Serie. Ich behaupte mal, den MOSFET wird man sinnvollerwise mist eher bis 30..40A nutzen, darüberhinaus wirds Unsinn. Pulse mal ausgenommen. MfG Falk
>Ist das wirklich so, dass die Bond-Drähte den Flaschenhals darstellen. >Wenn ja, müsste man die Angabe von 210A ja fast schon als Betrug werten. >Oder wird vom Kunden erwartet, dass er den Die aus dem Gehäuse schält >und selber geeignete Anschlussleitungen daran befestigt? Bei neueren Datenblättern (von IR zumindest) werden inzwischen schon 2 max-Werte eigetragen: - der Imax, den der Chip max. vertragen würde ( bei Rt=0 des KK) - der Strom, den das Package vorgibt (bzw. dessen Anschlüsse/Bonddrähte) Ansonsten stehts auch in irgendwelchen AppNotes, was die Packages üblicherweise vertragen.
Hallo Yalu X. > > Ist das wirklich so, dass die Bond-Drähte den Flaschenhals darstellen. > Wenn ja, müsste man die Angabe von 210A ja fast schon als Betrug werten. Vertriebler halt. > Oder wird vom Kunden erwartet, dass er den Die aus dem Gehäuse schält > und selber geeignete Anschlussleitungen daran befestigt? Nee. In gewissen Sinne hat das für Pulsleistungen schon einen gewissen Gehalt: Weil für einen einzelnen kurzen Puls kannst Du ja Energie in der Wärmekapazität des Materials/Dyes selber deponieren. Dafür spielt dann der Wärmewiderstand nur für den Mittelwert über einem passendes Zeitfenster eine Rolle.......allerdings üblich und gebräuchlicher wäre es dann, repetitive und nonrepetitive Spitzenwerte anzugeben, mit einem Zeitrahmen als Fußnote. Weil ich Momentan nicht an das Datenblatt rankomme, kann ich jetzt nur raten, ob der fragliche Transistor flott genug ist, so kurze Pulse zu machen. ;-) Jedenfalls schürt eine so undurchsichtige Angabe mein Misstrauen, was denn da wohl versteckt werden soll. ;-) Mit freundlichem Gruß: Bernd Wiebus alias dl1eic http://www.dl0dg.de
> Wenn ja, müsste man die Angabe von 210A ja fast schon als Betrug werten.
Es stehen dort tatsächlich oft mehrere Werte:
- für den nackten Chip
- für jedes Gehäuse mit (*)
(*) limitied due to internal wiring
Es ist schon so, dass der neue Porsche durchaus 300km/h könnte. Nur darf
er es meistens nicht. Die Autoindustrie sagt dir auch nicht, dass du
normalerweise nicht mehr als 140 draufpacken kannst...
(OKOK ich sehe ein, dass die Autoindustrie nicht selber die
limitierenden Verkehrsschilder aufstellt)
@Falk ja ich stimme dir mit den 30-40A vollkommen zu. Mit den Aludrähtchen ist mir neu, danke für das Wissen ;) zum Thema Marketing-Bla-Bla IRF hat auch einen Fet im Programm bei dem sowas um 400A drin stehen, im Kleingedruckten dann max. 160A durch das Gehäuse, alles auch noch in SMD, * sarkastischen Kommentar weg lass *
> im Kleingedruckten dann max. 160A durch das Gehäuse
Das Einschalten wird theoretisch sogar noch gehen,
aber wehe, du willst das Ding bei dem Strom abschalten.
Langsam Abschalten geht nicht, weil du weit weg von der SOA und damit
dann Ptot=PTod ist...
Schnell Abschalten geht nicht, weil dann parasitäre Induktivitäten das
mickrige 20V Mosfetchen einfach per Selbstinduktion um die Ecke
bringen... :-o
Ich besichtigte mal einen Automaten, an dem Hochstromdioden getestet wurden, die später in einen Kühlkörper eingepresst wurden. Die bekamen einen Stromimpuls, etwa wie er im Datenblatt unter Peak beschrieben ist. Daraus läßt sich die Bauteilqualität ableiten, z.B. ob der Die gut auf die Kühlplatte geklebt ist, oder sich im Kleber noch eine winzige Luftblase befindet. Dann wurde selektiert, und die Bauteile bekamen unterschiedliche Stempel mit einem Seriennummerncode. Die Daten wurden auch einzeln in einer Datenbank gespeichert. So ähnlich machte man das sogar schon 1970, damals aber mit schnellen X-Y-Schreibern oder stark nachleuchtendem Oszi. Wenn man sich ans Datenblatt und die Bedingungen hält, dürfte so ein Baustein keinen Schaden nehmen. Auch wenn ich hier einen Diodentest nannte, aber das gilt stellvertretend für alle Leistungshalbleiter. Marketing hat meiner Meinung nach in Bauteildaten absolut nichts zu suchen. Das ist eher beim Endverbraucher des fertigen Gerätes besser angebracht.
Das Abschalten von Induktivitäten ist bei modernen Power-MOSFETs auch kein so großes Problem mehr: Die meisten modernen FETs sind "Avalanche rated", das bedeutet, dass die Drain-Source-Strecke bei Überspannung wie eine Zenerdiode leitend wird. Die Energie wird dann in Wärme umgesetzt. Solange die Energie nicht zu hoch ist, schadte das dem FET nicht. Im Datenblatt sind bei Avalanche-fähigen FETs die Angaben "Repetive Avalanche Energy" (meist einige 10mJ) und "Single Pulse Avalanche Energy" (meist einige 100mJ bis mehrere Joule) zu finden. Zudem ist der maximal zulässige Avalanche-Strom angegeben. Und die Bond-Drähte von Leistungshalbleitern halten einiges aus, weil sie nur sehr kurz sind und gut gekühlt werden. Es macht ja z.B. auch bei einem 1mm² Kupferdraht einen riesigen Unterschied, ob man ein 10m langes Stück lose irgendwo hinlegt und "bestromt", oder ob man ein 5mm langes Stück zwischen 2 große Kupferblöcke spannt und da dann Strom anlegt. Das lose 10m-Stück würde natürlich bei viel geringerem Strom durchbrennen als das 5mm-Stück. Das 5mm-Stück wird ja durch die Kupferblöcke gekühlt. Wenn es z.B. darüber 5 Watt abführen kann, dann dürfte ein Strom von ungefähr 250 Ampere über den Draht fließen, ohne dass er durchbrennt. Das 10m-Stück dagegen würde bei 250A über 10kW Wärme entwickeln und wohl ziemlich schnell wegschmelzen...
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