Hallo an alle, Microkontroler.net I have a problem. Ich habe mir eine FET-treiberschaltung gebaut (siehe Bild). Aber die Schaltet nicht so wie sie soll. Der FET ist i.o. nur wenn ich High an den IR2121 anlege (5V) dann sollte doch 12V am Ausgang anliegen. Tut es aber nicht :-(. Sieht jemand ein fehler? Gruß Basti
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Dein FET schaltet gegen Masse, woher sollen da bitte 12V rauskommen? Oder meinst du mit Ausgang den vom IR2121? Hast du die Massen überall verbunden? Und bringt deine Versorgung auch überhaupt 12V? _.-=: MFG :=-._
Markus ---- schrieb: > Dein FET schaltet gegen Masse, woher sollen da bitte 12V rauskommen? > Oder meinst du mit Ausgang den vom IR2121? Hast du die Massen überall > verbunden? Und bringt deine Versorgung auch überhaupt 12V? > > _.-=: MFG :=-._ Ja Massen sind alle verbunden, und das Netzteil leifert 12V
Was sagt denn der ERR-Ausgang? Fehler oder nicht? Du solltest auch grundsätzlich ma über einen Gatevorwiderstand nachdenken. Gruß Knut
Vielleicht hift es, den "VCC"-Pin (Pin 8) an eine Versorgung (z.B. 12V) anzuschließen. ;-)
Johannes schrieb: > Vielleicht hift es, den "VCC"-Pin (Pin 8) an eine Versorgung (z.B. 12V) > anzuschließen. ;-) Jupp das wars, ich dachte das der mit dem gegenüberliegenden verbunden ist, so scheint es ja aus dem blockdiagram. aber dem ist net so.
> Jupp das wars, ich dachte das der mit dem gegenüberliegenden verbunden > ist, so scheint es ja aus dem blockdiagram. aber dem ist net so. Selbst wenn die Pins intern verbunden sind, müssen grundsätzlich alle Pins, die mit VCC bezeichnet sind, auch von außen beschaltet werden. Genau so mit GND, ... Das gilt nicht speziell für Gate-Treiber, sondern für alle ICs. Gerade bei größeren Bauteilen (z.B. Mikrocontroller) kommt es sehr oft vor, dass man mehrere Versorgunspins hat und auch hier müssen alle Pins angeschlossen werden!
Welchen sin würde ein 10Ohm Gatewiderstand machen? Gut die Chance das Oszillationen aufgrund der Gatekapazität auftreten wird eleminiert. Aber ist dann die Erwärmung im PWM betrieb nicht höher, da der FET länger im Lineraen bereich bleibt?
Wie hoch ist dein Gatestrom beim Pulsen? Du weisst es nicht, da du keine Berechnungsgrundlage hast. Du musst dich halt selber fragen, ob du einen Stromimpuls ,theoretisch unendlich hoch und unendlich kurz, auf deiner Versorgungsspannung haben willst oder nicht. Ein 22R vorm Gate schadet der Schaltzeit kaum, schont deinen Treiber und is gesünder für deine Versorgungsspannung.Der schöne Nebeneffekt ist, dass du nun weißt wie hoch dein Pulsstrom ist. Gruß Knut
und bei wieviel Watt sollten die Gatewiderstände liegen? P=U² / R ausgang des Treibers liefert 12V beii 22 Ohm wären das dann 6,8W. stimmt das?
Basti schrieb: > P=U² / R > > ausgang des Treibers liefert 12V beii 22 Ohm wären das dann 6,8W. stimmt > das? Stimmt, aber nur solange, wie deine Gatekapazität noch das Potential 0V hat.
Das heißt ein kleiner 22 Ohm 10% Leistungswiderstand sollte das ohne probs halten können, bei 500kHZ PWM?
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So anbei mal ein bild von dem 22 Ohm widerstand den ich in der Grabbelbox gefunden habe. ich hoffe ihr stimmt zu das der gehen wird.
Ohh - falscher Fehler Der MOSFET ist ein Bauteil, dass quasi Leistungslos geschaltet wird. Daher fließt im stationären Betrieb auch kein Strom in das Gate. Im dynamischen Fall muss der Gatetreiber zyklisch die Gate- und Millerkapazität auf und wieder entladen. Die dafür benötigten Spitzenströme können bei kleinen MOSFETs im A-Bereich liegen, jedoch nur für einen sehr kurzen Moment. Die mittlere Leistung (die deinen Widerstand erwärmt) ist hingegen recht klein. In den hiesigen Umrichtern (>1kW) habe ich einen 10-22 Ohm Gatewiderstand im SMD 1206 / 0806 Gehäuse (250mW). Der von dir vorgeschlagene Widerstand ist nicht nur überdimensiniert (Verlustleistung) sodern auch noch richtig übel. Ein gewickelter Drahtwiderstand hat eine erhebliche Induktivität die das Schalten drastisch verlangsamen kann. Für DC sind die Rs OK, nicht jedoch für schnelles AC. EDIT: Apropos, da du nicht eingezeichnet hast, was für eine Art Last Du hast kann der Hinweis auf die fehlende Freilaufdiode nicht schaden. Bei rein ohmschen Lasten mit kurzen Zuleitungen ist der nicht nötig, lange Kabel oder eine induktive Last machen dem MOSI den Garaus.
Michael O. schrieb: > Ohh - falscher Fehler > > Der MOSFET ist ein Bauteil, dass quasi Leistungslos geschaltet wird. > Daher fließt im stationären Betrieb auch kein Strom in das Gate. > Im dynamischen Fall muss der Gatetreiber zyklisch die Gate- und > Millerkapazität auf und wieder entladen. Die dafür benötigten > Spitzenströme können bei kleinen MOSFETs im A-Bereich liegen, jedoch nur > für einen sehr kurzen Moment. Die mittlere Leistung (die deinen > Widerstand erwärmt) ist hingegen recht klein. > In den hiesigen Umrichtern (>1kW) habe ich einen 10-22 Ohm > Gatewiderstand im SMD 1206 / 0806 Gehäuse (250mW). > > Der von dir vorgeschlagene Widerstand ist nicht nur überdimensiniert > (Verlustleistung) sodern auch noch richtig übel. Ein gewickelter > Drahtwiderstand hat eine erhebliche Induktivität die das Schalten > drastisch verlangsamen kann. Für DC sind die Rs OK, nicht jedoch für > schnelles AC. > > EDIT: > Apropos, da du nicht eingezeichnet hast, was für eine Art Last Du hast > kann der Hinweis auf die fehlende Freilaufdiode nicht schaden. Bei rein > ohmschen Lasten mit kurzen Zuleitungen ist der nicht nötig, lange Kabel > oder eine induktive Last machen dem MOSI den Garaus. Also der MOSFET schaltet eine Induktive Last. also von daher sollte eine Gateiwderstand rein. ABer wenn ich das richtig gelesen habe, reicht eine 1/4W widerstand?!
Basti schrieb: > Also der MOSFET schaltet eine Induktive Last. > also von daher sollte eine Gateiwderstand rein. ABer wenn ich das > richtig gelesen habe, reicht eine 1/4W widerstand?! Ein Blick in das Datenblatt verrät dass der MOSFET 19nC Total Gate Charge hat. Zum Laden / Entladen des Gates benötigt man einen Strom: Q = I x t oder als Strom I = dQ / dt Im Zeitterm steckt deine Schaltfrequenz, das Auf- und Entladen erfolgt zweimal pro PWM Peride: I = 2 x Q * fPWM I(1kHz) = 2 x 19nC * 1kHz = 38uA I(10kHz) = 2 x 19nC * 10kHz = 380uA I(100kHz) = 2 x 19nC * 100kHz = 3,8mA I(1MHz) = 2 x 19nC * 1MHz = 38mA Bei 22 Ohm ist der maximale Strom mit 1/4 W: I = Wurzel (P / R) = Wurzel( 0,25W / 22R) = 106mA Die oben berechneten Gateströme steckt dein Gatewiderstand ganz bequem weg. ABER: Das eigentliche Problem hast Du noch nicht gesehen. Ohne Freilaufdiode schaltet dein MOSFET vermultich genau einmal aus und ist kaputt!
Also ich habe antiparalel zur Induktiven last eine SB540 5A Schotkydiode. die ist recht schnell und sollte die Ströme der selbstinduktion abpuffern. ist doch rchtig dann so ?
Basti schrieb: > Also ich habe antiparalel zur Induktiven last eine SB540 5A > Schotkydiode. die ist recht schnell und sollte die Ströme der > selbstinduktion abpuffern. ist doch rchtig dann so ? Die Diode ist im unvollständigen Schaltplan nicht eingezeichnet. Die Anschlussrichtung ist richtig. Es kommt auf deine Schaltfrequenz und die Ströme an, ob die Diode ausreicht. Wie sieht denn die Last aus? Sag auch was zur Betriebsspannung, Schaltfrequenz, Lastsrom.
Ganz einfach Peltierelement in reihe eine Spule 100µH. 12V versorgung 2A fließen. die Spule macht 5A mit
Ich bin mir nicht sicher, ob die Peletier-Module in der von Dir vorgesehen Anordnung noch gut arbeiten. Du hast einen hohen Stromripple (trotz der hohen Schaltfrequenz. Vielleicht solltest Du über eine Art BuckConverter / Glättung der Spannung am Peletier nachdenken. http://www.quick-ohm.de/peltierelemente/download/Stromversorgung-Peltier.pdf
Ich habe das in einem anderen Thread schon gefragt aber keine Antwort bekommen. Wie groß muss denn die Diode Dimensioniert sein? Im speziellen geht es um eine H-Brücke. Wenn der Motor 600mA zieht muss die Diode dann auch 600mA aushalten oder reicht es wenn der Peak Strom so groß ist? Oder teilt sich das auf 2 Dioden auf nachdem ja über jeden FET eine Diode ist?
Andreas Riegebauer schrieb: > Ich habe das in einem anderen Thread schon gefragt aber keine Antwort > bekommen. Wie groß muss denn die Diode Dimensioniert sein? Im speziellen > geht es um eine H-Brücke. Wenn der Motor 600mA zieht muss die Diode dann > auch 600mA aushalten oder reicht es wenn der Peak Strom so groß ist? > Oder teilt sich das auf 2 Dioden auf nachdem ja über jeden FET eine > Diode ist? Jede Diode hat eine Angabe für den Nennstrom (Dauerstrom) sowie für den maximalen Peakstrom (repetitive / non repetitive). Wenn Du an einer induktiven Last einen Strom X aufgebaut hast und mit deinem Schalter abschaltest, unternimmt die Induktivität alles, damit dieser Strom weiterfließt (Lenz'sche Regel). Daher wird genau dieser Strom X in der H-Brücke auf die Dioden der jeweils anderen Schalterseite kommutieren. Somit muss mindestens die Peakstrombelastbarkeit der Dioden zu diesem Strom passen. Ob dass schon ausreicht hängt maßgeblich von der im magnetischen Feld gespeicherte Energie und dem Tastverhältnis der Leitzeit der Diode ab. Muss eine Diode (ohne MOSFET-Unterstützung) das regelmäßig mit einem hohen Strom abkönnen, so entstehen dort Wärmeverluste die im sicheren Betriebsbereich liegen müssen. Bei einer H-Brücke ist es meist nicht nötig weitere Dioden zu verbauen. Normalerweise sind die MOSFET-intrinsischen Dioden auf den Nennstrom der Bausteine abgestimmt. Bei 600mA sehe ich da auch nicht das Problem, mit Uf = 1V wäre man bei 0,6W.
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