IR2121 Arbeitet nicht

Dein FET schaltet gegen Masse, woher sollen da bitte 12V rauskommen? 
Oder meinst du mit Ausgang den vom IR2121? Hast du die Massen überall 
verbunden? Und bringt deine Versorgung auch überhaupt 12V?

_.-=: MFG :=-._

Basti schrieb:
> P=U² / R
>
> ausgang des Treibers liefert 12V beii 22 Ohm wären das dann 6,8W. stimmt
> das?

Stimmt, aber nur solange, wie deine Gatekapazität noch das Potential 0V 
hat.

Ohh - falscher Fehler

Der MOSFET ist ein Bauteil, dass quasi Leistungslos geschaltet wird. 
Daher fließt im stationären Betrieb auch kein Strom in das Gate.
Im dynamischen Fall muss der Gatetreiber zyklisch die Gate- und 
Millerkapazität auf und wieder entladen. Die dafür benötigten 
Spitzenströme können bei kleinen MOSFETs im A-Bereich liegen, jedoch nur 
für einen sehr kurzen Moment. Die mittlere Leistung (die deinen 
Widerstand erwärmt) ist hingegen recht klein.
In den hiesigen Umrichtern (>1kW) habe ich einen 10-22 Ohm 
Gatewiderstand im SMD 1206 / 0806 Gehäuse (250mW).

Der von dir vorgeschlagene Widerstand ist nicht nur überdimensiniert 
(Verlustleistung) sodern auch noch richtig übel. Ein gewickelter 
Drahtwiderstand hat eine erhebliche Induktivität die das Schalten 
drastisch verlangsamen kann. Für DC sind die Rs OK, nicht jedoch für 
schnelles AC.

EDIT:
Apropos, da du nicht eingezeichnet hast, was für eine Art Last Du hast 
kann der Hinweis auf die fehlende Freilaufdiode nicht schaden. Bei rein 
ohmschen Lasten mit kurzen Zuleitungen ist der nicht nötig, lange Kabel 
oder eine induktive Last machen dem MOSI den Garaus.

Basti schrieb:
> Also der MOSFET schaltet eine Induktive Last.
> also von daher sollte eine Gateiwderstand rein. ABer wenn ich das
> richtig gelesen habe, reicht eine 1/4W widerstand?!

Ein Blick in das Datenblatt verrät dass der MOSFET 19nC Total Gate 
Charge hat. Zum Laden / Entladen des Gates benötigt man einen Strom:
Q = I x t   oder als Strom  I = dQ / dt

Im Zeitterm steckt deine Schaltfrequenz, das Auf- und Entladen erfolgt 
zweimal pro PWM Peride:

I = 2 x Q * fPWM

I(1kHz)   = 2 x 19nC * 1kHz   = 38uA
I(10kHz)  = 2 x 19nC * 10kHz  = 380uA
I(100kHz) = 2 x 19nC * 100kHz = 3,8mA
I(1MHz)   = 2 x 19nC * 1MHz   = 38mA


Bei 22 Ohm ist der maximale Strom mit 1/4 W:
I = Wurzel (P / R) = Wurzel( 0,25W / 22R) = 106mA
Die oben berechneten Gateströme steckt dein Gatewiderstand ganz bequem 
weg.


ABER:
Das eigentliche Problem hast Du noch nicht gesehen. Ohne Freilaufdiode 
schaltet dein MOSFET vermultich genau einmal aus und ist kaputt!

Basti schrieb:
> Also ich habe antiparalel zur Induktiven last eine SB540 5A
> Schotkydiode. die ist recht schnell und sollte die Ströme der
> selbstinduktion abpuffern. ist doch rchtig dann so ?

Die Diode ist im unvollständigen Schaltplan nicht eingezeichnet.
Die Anschlussrichtung ist richtig. Es kommt auf deine Schaltfrequenz und 
die Ströme an, ob die Diode ausreicht.

Wie sieht denn die Last aus?
Sag auch was zur Betriebsspannung, Schaltfrequenz, Lastsrom.

Ich bin mir nicht sicher, ob die Peletier-Module in der von Dir 
vorgesehen Anordnung noch gut arbeiten. Du hast einen hohen Stromripple 
(trotz der hohen Schaltfrequenz. Vielleicht solltest Du über eine Art 
BuckConverter / Glättung der Spannung am Peletier nachdenken.

http://www.quick-ohm.de/peltierelemente/download/Stromversorgung-Peltier.pdf

Ich habe das in einem anderen Thread schon gefragt aber keine Antwort 
bekommen. Wie groß muss denn die Diode Dimensioniert sein? Im speziellen 
geht es um eine H-Brücke. Wenn der Motor 600mA zieht muss die Diode dann 
auch 600mA aushalten oder reicht es wenn der Peak Strom so groß ist? 
Oder teilt sich das auf 2 Dioden auf nachdem ja über jeden FET eine 
Diode ist?

Andreas Riegebauer schrieb:
> Ich habe das in einem anderen Thread schon gefragt aber keine Antwort
> bekommen. Wie groß muss denn die Diode Dimensioniert sein? Im speziellen
> geht es um eine H-Brücke. Wenn der Motor 600mA zieht muss die Diode dann
> auch 600mA aushalten oder reicht es wenn der Peak Strom so groß ist?
> Oder teilt sich das auf 2 Dioden auf nachdem ja über jeden FET eine
> Diode ist?

Jede Diode hat eine Angabe für den Nennstrom (Dauerstrom) sowie für den 
maximalen Peakstrom (repetitive / non repetitive). Wenn Du an einer 
induktiven Last einen Strom X aufgebaut hast und mit deinem Schalter 
abschaltest, unternimmt die Induktivität alles, damit dieser Strom 
weiterfließt (Lenz'sche Regel). Daher wird genau dieser Strom X in der 
H-Brücke auf die Dioden der jeweils anderen Schalterseite kommutieren.
Somit muss mindestens die Peakstrombelastbarkeit der Dioden zu diesem 
Strom passen. Ob dass schon ausreicht hängt maßgeblich von der im 
magnetischen Feld gespeicherte Energie und dem Tastverhältnis der 
Leitzeit der Diode ab.
Muss eine Diode (ohne MOSFET-Unterstützung) das regelmäßig mit einem 
hohen Strom abkönnen, so entstehen dort Wärmeverluste die im sicheren 
Betriebsbereich liegen müssen.

Bei einer H-Brücke ist es meist nicht nötig weitere Dioden zu verbauen. 
Normalerweise sind die MOSFET-intrinsischen Dioden auf den Nennstrom der 
Bausteine abgestimmt. Bei 600mA sehe ich da auch nicht das Problem, mit 
Uf = 1V wäre man bei 0,6W.