Hi Leute! Ich hab ein paar Fragen zu den n-Kanal bzw. p-Kanal MOSFETs. n-Kanal: Ein n-Kanal MOSFET leitet ja wenn eine logische 1 bzw. Spannung am Gate anliegt. Source und Drain sind beim n-Kanal MOSFET negativ und das Substrat ist positiv dotiert. Wenn nun negative Ladung bzw. negative Spannung am Gate anliegt, werden Löcher (vom Substrat) zum Gate hin angezogen. Bei pos. Spannung werden die Löcher abgestoßen. Nur, wo kommt dann der Punkt wo das Teil leitet? Besser gesagt wo fließt dann in der Zeichnung der Strom? Ist das dann der Fall wenn sich zwischen Source und Drain soviele negative Ladungsträger vom Substrat angesammelt haben bis quasi im Substrat eine leitende Verbindung zwischen Source und Drain entstanden ist? Link zum Bild: http://de.wikipedia.org/w/index.php?title=Datei:Scheme_of_metal_oxide_semiconductor_field-effect_transistor.svg&filetimestamp=20060501172845 Genauso beim p-Kanal-MOSFET. Wann ist da der Punkt bis der Transistor leitet?
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Hans Wurst schrieb: > Ein n-Kanal MOSFET leitet ja wenn eine logische 1 bzw. Spannung am Gate > anliegt. MOSFETs leiten wenn passende Spannungen anliegen. Eine logische "1" ist eine willkürliche Festlegung, kein physikalischer Begriff (daher "logisch").
Ja, wann leitet er denn nun? Ein n-Kanal leitet wenn ein pos. Spannung ansteht soviel weiß ich auch, nur wie siehts da dann mit den Elektronen aus? Wenn pos. Spg ansteht, dann werden die Löcher vom Substrat zurückgedrängt und dann?
Hans Wurst schrieb: > Wo soll man es da besser sehen? Wenn man bischen runterblättert: http://de.wikipedia.org/wiki/Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor#Grunds.C3.A4tzlicher_Aufbau_und_physikalische_Funktion
Du meinst wohl das hier: http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/2/23/MOSFET_Modes_of_operation_-_DE.svg/1000px-MOSFET_Modes_of_operation_-_DE.svg.png Kann mir vielleicht jemand sagen ob das hier soweit stimmt: Nur, wo kommt dann der Punkt wo das Teil leitet? Besser gesagt wo fließt dann in der Zeichnung der Strom? Ist das dann der Fall wenn sich zwischen Source und Drain soviele negative Ladungsträger vom Substrat angesammelt haben bis quasi im Substrat eine leitende Verbindung zwischen Source und Drain entstanden ist?
Hans Wurst schrieb: > Genauso beim p-Kanal-MOSFET. Wann ist da der Punkt bis der Transistor > leitet? wenn die threshold Spannung, sprich Grenzspannung, überschritten wird üblicherweise mit Vt angegeben. Vt ist prozessabhängig und variirt auch je nach Ort auf dem Si-Substrat (body effect)
Hans Wurst schrieb: > n-Kanal: > > Ein n-Kanal MOSFET leitet ja wenn eine logische 1 bzw. Spannung am Gate > anliegt. Source und Drain sind beim n-Kanal MOSFET negativ und das > Substrat ist positiv dotiert. Wenn nun negative Ladung bzw. negative > Spannung am Gate anliegt, werden Löcher (vom Substrat) zum Gate hin > angezogen. Bei pos. Spannung werden die Löcher abgestoßen. Die Leitung kommt nachdem Erreichen der Inversion zustande. Inversion = auf der Oberfläche, direkt unter Gate, wird aus dem p-Substrat Halbleiter ein n-Leiter. Deswegen bewegen sich die Elektronen ungehindert in die Source/Drain Bereiche.
> Die Leitung kommt nachdem Erreichen der Inversion zustande. > Inversion = auf der Oberfläche, direkt unter Gate, wird aus dem > p-Substrat Halbleiter ein n-Leiter. Deswegen bewegen sich die Elektronen > ungehindert in die Source/Drain Bereiche. OK, das hab ich mir schon fast gedacht. Beim p-Kanal ist es dann so, wenn neg. Spg. anliegt wird aus dem n-Substrat ein p-Leiter wodurch sich die Elektronen dann in die Source/Drain Bereiche bewegen könne. Stimmt das so?
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