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Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik n-Kanal und p-Kanal MOSFET?


Autor: Hans Wurst (wursthans)
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Hi Leute!

Ich hab ein paar Fragen zu den n-Kanal bzw. p-Kanal MOSFETs.

n-Kanal:

Ein n-Kanal MOSFET leitet ja wenn eine logische 1 bzw. Spannung am Gate 
anliegt. Source und Drain sind beim n-Kanal MOSFET negativ und das 
Substrat ist positiv dotiert. Wenn nun negative Ladung bzw. negative 
Spannung am Gate anliegt, werden Löcher (vom Substrat) zum Gate hin 
angezogen. Bei pos. Spannung werden die Löcher abgestoßen.

Nur, wo kommt dann der Punkt wo das Teil leitet? Besser gesagt wo fließt 
dann in der Zeichnung der Strom? Ist das dann der Fall wenn sich 
zwischen Source und Drain soviele negative Ladungsträger vom Substrat 
angesammelt haben bis quasi im Substrat eine leitende Verbindung 
zwischen Source und Drain entstanden ist?
Link zum Bild: 
http://de.wikipedia.org/w/index.php?title=Datei:Sc...


Genauso beim p-Kanal-MOSFET. Wann ist da der Punkt bis der Transistor 
leitet?

: Verschoben durch Admin
Autor: H.Joachim Seifert (crazyhorse)
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Autor: Hans Wurst (wursthans)
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Wo soll man es da besser sehen?

Autor: A. K. (prx)
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Hans Wurst schrieb:

> Ein n-Kanal MOSFET leitet ja wenn eine logische 1 bzw. Spannung am Gate
> anliegt.

MOSFETs leiten wenn passende Spannungen anliegen. Eine logische "1" ist 
eine willkürliche Festlegung, kein physikalischer Begriff (daher 
"logisch").

Autor: Hans Wurst (wursthans)
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Ja, wann leitet er denn nun? Ein n-Kanal leitet wenn ein pos. Spannung 
ansteht soviel weiß ich auch, nur wie siehts da dann mit den Elektronen 
aus? Wenn pos. Spg ansteht, dann werden die Löcher vom Substrat 
zurückgedrängt und dann?

Autor: A. K. (prx)
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Hans Wurst schrieb:

> Wo soll man es da besser sehen?

Wenn man bischen runterblättert:
http://de.wikipedia.org/wiki/Metall-Oxid-Halbleite...

Autor: Hans Wurst (wursthans)
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Du meinst wohl das hier:

http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thum...

Kann mir vielleicht jemand sagen ob das hier soweit stimmt:

Nur, wo kommt dann der Punkt wo das Teil leitet? Besser gesagt wo fließt
dann in der Zeichnung der Strom? Ist das dann der Fall wenn sich
zwischen Source und Drain soviele negative Ladungsträger vom Substrat
angesammelt haben bis quasi im Substrat eine leitende Verbindung
zwischen Source und Drain entstanden ist?

Autor: daniel(root) (Gast)
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Hans Wurst schrieb:
> Genauso beim p-Kanal-MOSFET. Wann ist da der Punkt bis der Transistor
> leitet?

wenn die threshold Spannung, sprich Grenzspannung, überschritten wird
üblicherweise mit Vt angegeben.

Vt ist prozessabhängig und variirt auch je nach Ort auf dem Si-Substrat
(body effect)

Autor: daniel(root) (Gast)
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Hans Wurst schrieb:
> n-Kanal:
>
> Ein n-Kanal MOSFET leitet ja wenn eine logische 1 bzw. Spannung am Gate
> anliegt. Source und Drain sind beim n-Kanal MOSFET negativ und das
> Substrat ist positiv dotiert. Wenn nun negative Ladung bzw. negative
> Spannung am Gate anliegt, werden Löcher (vom Substrat) zum Gate hin
> angezogen. Bei pos. Spannung werden die Löcher abgestoßen.

Die Leitung kommt nachdem Erreichen der Inversion zustande.
Inversion = auf der Oberfläche, direkt unter Gate, wird aus dem
p-Substrat Halbleiter ein n-Leiter. Deswegen bewegen sich die Elektronen
ungehindert in die Source/Drain Bereiche.

Autor: Hans Wurst (wursthans)
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> Die Leitung kommt nachdem Erreichen der Inversion zustande.
> Inversion = auf der Oberfläche, direkt unter Gate, wird aus dem
> p-Substrat Halbleiter ein n-Leiter. Deswegen bewegen sich die Elektronen
> ungehindert in die Source/Drain Bereiche.


OK, das hab ich mir schon fast gedacht. Beim p-Kanal ist es dann so, 
wenn neg. Spg. anliegt wird aus dem n-Substrat ein p-Leiter wodurch sich 
die Elektronen dann in die Source/Drain Bereiche bewegen könne. Stimmt 
das so?

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