Hey bin mir mit dem Stromdiagramm(Drain to Source Strom und Spannungsverlauf zu der anliegenden Gatespannung) im Anhang noch ein bisschen unsicher. Lese ich richtig daraus, dass bei steigender Temperatur der Transistor mehr Strom, bei gleichbleibender DS Spannung, durchlässt(Widerstand sinkt)? gruß
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Verschoben durch Admin
Ja bei dem letzten Diagramm für RDSon steigt der RDSon auch, aber dann verstehe ich die 3 vorherigen Diagramme nicht, da dort (Temperatur) (Gate) (DS Spannung) (DS Strom) 25°C 5V 1V 0,2A 175°C 5V 1V 12A der mögliche Strom bei höherer Temperatur steigt? Oder was sagen die ersten drei Diagramme aus? gruß
Figure 3 zeigt sehr deutlich, daß das Verhalten eines MOSFETs voll durchgeschaltet (rechter Rand, Hochtemplinie liegt unten) genau anders ist als im Analogbetrieb (linkter Rand wo es nch ansteigt, Hochtemplinie liegt höher). Im Analogbetrieb steigt der Strom bei steigender Temp, im gesättigten Betrieb (Figure 4) steigt der Widerstand, sinkt also der Strom. Also nichts anderes als immer wieder in diesem Forum durchgekaut wird, wenn es um die Parallelschaltung von MOSFETs geht.
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