Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik Klasse AB: Ruhestromproblematik


von Nikola T. (nikolatesla)


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Ich entwickle gerade eine AB-Endstufe und simuliere ein wenig in Spice 
herum.
Die größte Gefahr bei solchen Stufen ist ja der Ruhestrom, weil (bei 
konstanter Basis-Offsetspannung) der Ruhestrom bei Erwärmung immer 
größer wird (und zu noch mehr Wärme führt).

Ich verwende in der Angehängten Schaltung 2x2 Dioden um die 
Offsetspannung zu erzeugen, in diesen Zweig wird durch 2 Stromquellen 
(oben und unten) ein Strom von ~10mA eingeprägt (Die Stromdifferenz der 
Quellen frisst der Treiber)

Laut Spice funktioniert meine Schaltung und der Ruhestrom wird bei 
Erwärmung geringer, solange die Dioden mit den Leistungstransistoren 
thermisch gekoppelt sind.

Kann ich mich darauf verlassen? Und gibt es ein mögliches Szenario, in 
dem der Ruhestrom größer würde?

von MaWin (Gast)


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> Kann ich mich darauf verlassen?

Da Dioden nie perfekt mit den Transistoren gekoppelt sind:
Nein. Nicht perfekt. Aber i.A. ausreichend.

Es gäbe auch Transistorn mit einer extra Diodenstrecke
auf dem Kristall.

> Und gibt es ein mögliches Szenario, in
> dem der Ruhestrom größer würde?

Auch wenn er kleiner wird, wird die Übertragung schlechter.


2 gegeneinander arbeitende Konstantstromquellen sind recht
merkbefreit. Eine Seite verwendet man für die Ansteuerung.

von Nikola T. (nikolatesla)


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MaWin schrieb:
> 2 gegeneinander arbeitende Konstantstromquellen sind recht
> merkbefreit. Eine Seite verwendet man für die Ansteuerung.

Für die Ansteuerung will ich einen OPA454 benutzen, angeschlossen ist 
sein Ausgang in der Mitte der 4 Dioden (die horizontale Leitung links 
rein).

Der Ausgang ist über einen Spannungsteiler rückgekoppelt
Im Anhang ist nun die ganze Schaltung

Allerdings sind noch nicht die richtigen Transistoren in der Simulation.
Momentan sind es TO3-Transen deren Modelle ich noch hier hatte.
Später soll dann 2STA2121 und was ähnliches in NPN rein, allerdings habe 
ich kein Modell gefunden.

von ArnoR (Gast)


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Die Transistoren Q3 und Q4 sind viel zu schwach für die Aufgabe, 
mindestens BD139/40 einsetzen. Die Emitterwiderstände der Endstufen sind 
zu klein.

von Nikola T. (nikolatesla)


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ArnoR schrieb:
> Die Transistoren Q3 und Q4 sind viel zu schwach für die Aufgabe,
> mindestens BD139/40 einsetzen. Die Emitterwiderstände der Endstufen sind
> zu klein.

Das mit den Darlington-Transistoren habe ich vergessen zu erwähnen.
Ich kam einfach noch nicht dazu, ein passendes Modell in die Simu 
einzubauen.

Und wie groß soll ich die Emitterwiderstände auslegen?
Die Endstufe soll nämlich an 2 oder 4 Ohm Last funktionieren.

von Klaus R. (klara)


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Hallo Nikola,
schau Dir mal diese Modelle an. Diese Transistoren sind für Dich 
bestimmt besser geeignet.
Gruss Klaus.

von Nikola T. (nikolatesla)


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Klaus Ra. schrieb:
> Hallo Nikola,
> schau Dir mal diese Modelle an. Diese Transistoren sind für Dich
> bestimmt besser geeignet.
> Gruss Klaus.

Ich kenne die MJ15, aber ich will bewusst keine TO3-Transen verwenden, 
diese sind einfach blöd zu verbauen weil die Beine auf der Unterseite 
sind.
Statt dessen gibt es ja TO246 :)

Wie wäre es mit den Komplementärpaaren 2STA1943, 2STC5200?
Beide TO246, die schaffen auch 150W pro Stück (laut Datenblatt, aber ich 
habe ja 3 :) )
(Bei Vollauslastung (250W in 2 Ohm) fließen an der Amplitude 5,3A pro 
Transistor, passt das ungefähr?

von Klaus R. (klara)


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Hallo Nikola,
ich könnte Dir noch Thread "Verstärker TAS5630" empfehlen. Markus kann 
Dir vielleicht noch eine Platine besorgen.
Gruss Klaus.

von U. B. (Gast)


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Falls in der Endstufe doch parallele Transsitoren vorgesehen sind, NUR 
Emitterwiderstände zur Symmetrierung vorsehen, Basiswiderstände sind 
unzweckmässig.

von I. L. (Gast)


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U. B. schrieb:
> Basiswiderstände sind unzweckmässig.

Ich denke im Bereich 1R sind sie hilfreich den TK der Basis-Emitterdiode 
zu kompensieren!

Aber ansonsten hast du Recht


Gruß Knut

von Nikola T. (nikolatesla)


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ArnoR sagte, die Emitterwiderstände seien zu klein.

Stimmt dass?
Meine Frage nach sinnvolleren Werten wurde jedenfalls noch nicht 
beantwortet.

von Falk B. (falk)


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@  I. L. (knutinator)

>> Basiswiderstände sind unzweckmässig.

>Ich denke im Bereich 1R sind sie hilfreich den TK der Basis-Emitterdiode
>zu kompensieren!

Nö, das machen die Emitterwiderstände.

MfG
Falk

von Falk B. (falk)


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@  Nikola Tesla (nikolatesla)

>ArnoR sagte, die Emitterwiderstände seien zu klein.

>Stimmt dass?

Jain. Man nimmt hier was im Bereich zwischen 0,1 und 0,5 Ohm.

0,22 Ohm scheinen mir OK.

MFG
Falk

von I. L. (Gast)


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Falk Brunner schrieb:
> Nö, das machen die Emitterwiderstände.

Richtig, aber die Basis-R`s sorgen auch dafür, dass die 
Basis-Emitterdiode kompensiert wird, da diese embenfalls einen positiven 
TK besitzt.
Sie sollten eigentlich ergänzend wirken!



Gruß Knut

von U. B. (Gast)


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Basiswiderstände bei parallelen Leistungtransistoren verschlechtern das 
Ausschaltverhalten: die nach der Leitphase ( ggf. ungleiche ) noch in 
den Basen gespeicherte Ladung wird besser OHNE Widerstand abgeleitet.

von Falk B. (falk)


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@  I. L. (knutinator)

>Richtig, aber die Basis-R`s sorgen auch dafür, dass die
>Basis-Emitterdiode kompensiert wird,

Nö.

> da diese embenfalls einen positiven TK besitzt.

Ist aber reichlich sinnlos, da der Basistrom um fen Faktor beta kleiner 
ist.

>Sie sollten eigentlich ergänzend wirken!

Tun sie aber nicht wirklich.

von I. L. (Gast)


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Falk Brunner schrieb:
> Ist aber reichlich sinnlos, da der Basistrom um fen Faktor beta kleiner
> ist.

Genau deshalb ja, dadurch kann der Transistor verlustfreier kompensiert 
werden, ohne das der Strom durch einen Emitterwidertand muss.
Ich hab es zwar auch noch nicht gemacht, aber logisch ist es jedenfalls, 
oder nicht?

Überleg ma, wir reden hier ja von Bs im Bereich 20 nicht 500!

U. B. schrieb:
> Basiswiderstände bei parallelen Leistungtransistoren verschlechtern das
> Ausschaltverhalten: die nach der Leitphase ( ggf. ungleiche ) noch in
> den Basen gespeicherte Ladung wird besser OHNE Widerstand abgeleitet.

Hätten wir hier eine Schaltanwendung würde ich dir Recht geben, haben 
wir aber nicht zwingend! Der Widerstand macht der Regler höchstens etwas 
langsamer- aber nicht doll.

von Falk B. (falk)


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@  I. L. (knutinator)

>Genau deshalb ja, dadurch kann der Transistor verlustfreier kompensiert
>werden,

1.) Superlative kann man nicht steigern. "verlustfrei"
2.) Ohne Fleiß kein Preis, deine Kompensation funktioniert so nicht. 
Mach dich mal zum Thema Stromgegenkopplung schlau.

> ohne das der Strom durch einen Emitterwidertand muss.

Doch. Denn gerade DER macht die Gegenkopplung!

>Ich hab es zwar auch noch nicht gemacht,

OMG!

> aber logisch ist es jedenfalls, oder nicht?

Nö.

>Überleg ma, wir reden hier ja von Bs im Bereich 20 nicht 500!

Egal.

>wir aber nicht zwingend! Der Widerstand macht der Regler höchstens etwas
>langsamer- aber nicht doll.

Er macht den Ausgangsstrom weicher, das will man aber nicht, ist ja 
schliesslich ne Endstufe. Strombegrenzung macht man extern, u.a. über 
den Emitterwiderstand.

MFG
Falk

von U. B. (Gast)


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>> Ist aber reichlich sinnlos, da der Basistrom um fen Faktor beta kleiner
>> ist.

> Genau deshalb ja, dadurch kann der Transistor verlustfreier kompensiert
> werden, ohne das der Strom durch einen Emitterwidertand muss.

Wenn nun aber die Stromverstärkung unterschiedlich ist, sind die durch 
Basiswiderstände ( teilweise ) symmetrierten Basisströme auch im 
statischen Fall kontraproduktiv.

von I. L. (Gast)


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Falk Brunner schrieb:
> 1.) Supelative kann man nicht steigern. "verlustfrei"
Richtig...

Falk Brunner schrieb:
> Ohne Fleiß kein Preis, deine Kompensation funktioniert so nicht.
Mal mit ner Kausalkette  probiert?
T+ => Ib+ => Ube+ => Ic+ => Ure+; mit Usteuer = const. => Usteuer + Urb 
+ Ube + Ure + Ulast = 0 wenn Ube+ => Urb- => Ib- und wenn Ure+ => Urb--
=> Ib--

Falk Brunner schrieb:
> Doch. Denn gerade DER macht die Gegenkopplung!
Der soll ja auch nicht wegfallen, aber kleiner werden!

Falk Brunner schrieb:
> Nö.
Schade...

Falk Brunner schrieb:
> Egal.
Nicht ganz, bei Ic = 10A und B = 20 ==> Ib = 500mA

Falk Brunner schrieb:
> Er macht den Ausgangsstrom weicher...
Macht er nicht

Falk Brunner schrieb:
> Strombegrenzung macht man extern
Wir betreiben hier aber eine Kompensation des TK!


Gruß Knut

von I. L. (Gast)


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U. B. schrieb:
> Wenn nun aber die Stromverstärkung unterschiedlich ist, sind die durch
> Basiswiderstände ( teilweise ) symmetrierten Basisströme auch im
> statischen Fall kontraproduktiv.

OK, vor dem Gesichtspunkt hab ihr Recht... Gebe mich geschlagen!
trotzdem waren Falks Nö, Egal usw. unbegründet und daher nicht 
hinnehmbar.

Deine Begründung dagegen ist sehr plausibel, wieder was gelernt :-)

Gruß Knut

von Ulrich (Gast)


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So ganz abwegig die die Widerstände an der Basis nicht. Bei schnellen 
Transistoren reduzieren die Widerstände die Schwingungsneigung. Mit den 
oben genannten TIP3055 sollte es auch ohne gehen.
Ob es jetzt die statische Stromverteilung durch die Widerstände besser 
oder schlechter wird, ist nicht klar. Wenn die die Transistoren im Beta 
unterscheiden wird es schlechter, wenn der unterschied bei Ube liegt, 
wird es besser. Hinsichtlich Verlusten spart man in dieser Schaltung 
auch nichts: die Widerstände reduzieren den Spannungshub den man für die 
Basis hat. Man verschiebt also nur die Leistung vom Emitterwiderstand in 
den Transistor.

von MaWin (Gast)


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> Bei schnellen Transistoren reduzieren die Widerstände die
> Schwingungsneigung

Humbug. Du verwechselst MOSFETs und Bipolartransistoren.

von Nikola T. (nikolatesla)


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Was ist eigentlich die Beste Methode, so ein Ding mit logik-Pegel 
einzuschalten? (So wie es bei den TDA7293 mit dem Standby-Pin geht)

Bisher fielen mir 2 Möglichkeiten ein:
1)
Die ElKos auf der Platine werden schon vorher vom Netzteil geladen und 
die Versorgung für den Verstärker selbst wird mit FETs und Treibern 
eingeschaltet.
Das gibt aber einen ziemlichen Spannungssprung und ich habe keine Ahnung 
was dann hinten rauskommt.

2)
Die Versorgung für den Verstärker selbst wird mit FETs und Treibern 
eingeschaltet, erst über einen Leistungswiderstand, dann direkt.
Durch die Widerstände und ElKos steigt die Versorgungsspannung relativ 
langsam.

von Nikola T. (nikolatesla)


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MaWin schrieb:
> Es gäbe auch Transistorn mit einer extra Diodenstrecke
> auf dem Kristall.

Wo findet man denn sowas?
Ich habe danach gegockelt aber finde nur Transistoren mit antiparalellen 
Dioden.

von Pete S (Gast)


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Die Anzahl der Diodenstrecken ist nicht die Lösung des Problems!

Hier sollte ein VBE-Multiplier eingesetzt werden. das ist ein simpler 
Transistor. Siehe google.

von MaWin (Gast)


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> > Es gäbe auch Transistorn mit einer extra Diodenstrecke
> > auf dem Kristall.

> Wo findet man denn sowas?
> Ich habe danach gegockelt aber finde nur Transistoren mit antiparalellen
> Dioden.

z.B. Sanken STD0xN/P
http://www.sanken-ele.co.jp/en/prod/semicon/pdf/data_std03n_pe.pdf

von Nikola T. (nikolatesla)


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Ich habe nun relativ günstige Transistoren mit Diodenstrecke am Kristall 
bei RS gefunden:
NJL3281D (NPN), NJL1302D (PNP) von ON

Ihr habe ja schon gesagt, dass Basis-Widerstände mehr Nach- als Vorteile 
haben, aber spricht etwas dagegen, dem 1. Transistor der 
Darlington-Schaltung einen Emitter-Widerstand zu geben (das wäre also 
ein gemeinsamer Basis-Widerstand aller Leistungstransistoren)?

Über den könnte man den Ruhestrom einstellen ohne dass der Ausgangsstrom 
drüber muss (im Gegensatz zu den Emiterwiderständen der 
Leistungstransistoren) und die dort umgesetzte Leistung (<1W) wäre für 
Potis kein Problem...

von Ralph B. (rberres)


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Emitterwiderstände sollten so dimensioniert sein ,das bei vollen 
Emitterstrom etwa 0,6V abfallen. Dann wirken sie als Stromgegenkopplung, 
und die Ströme über die parallel geschaltete Transistoren werden 
zwangssymetriert. Was die Dioden an den Basen betrifft, sollten diese 
thermisch mit dem Kühlkörper gekoppelt sein.
Noch besser klappt die Ruhestromstabilisierung wenn man statt den Dioden 
ein Transistor zwischen den Basen schaltet, welcher ebenfalls Thermisch 
mit dem Kühlkörper gekoppelt ist.

Die Treibertransistoren sollten wenigstens BD139 BD140 oder eventuell 
sogar BD243C BD244C sein. Von den Emitter der hier genannten 
Treibertransistoren ist ein Widerstand von ca 10-22 Ohm gegen den 
Lautsprecherausgang zu schalten.

Ganz allgemein würde ich noch eine Strombegrenzung vorsehen, der die 
Endstufe gegen Kurzschluß am Ausgang schützt.
Dazu könnte ,man den Spannungsabfall an den Emitterwiderstände der 
Endtransistoren messen und damit ein Transistor ansteuern, der die Basis 
der Treibertransistoren gegen das Lautsprecherpotential zieht.

Ralph Berres

von ArnoR (Gast)


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Nikola Tesla schrieb im Beitrag #2076890:
> Dann sind ja 100mOhm doch richtig?
> Der Maximalstrom bei 250Wrms/2Ohm ist etwa 5.3A

Die Emitterwiderstände müssen bei 3K/W (und +-Ub=40V) 
Gesamtwärmewiderstand je Transistor mindestens 237mOhm sein, um 
thermische Stabilität zu haben.

Nikola Tesla schrieb im Beitrag #2076890:
> Die thermische Kopplung ist also ideal.

Nein, du musst die Ruhestromstabilität und die Stromverteilung unter den 
Transistoren auseinanderhalten.

von ArnoR (Gast)


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Na wie blöd, jetzt habe ich auf einen zwischenzeitlich gelöschten 
Beitrag geantwortet!

von Nikola T. (nikolatesla)


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ArnoR schrieb:
> Na wie blöd, jetzt habe ich auf einen zwischenzeitlich gelöschten
> Beitrag geantwortet!

Sry, ich wäre mit dem editieren nicht fertig geworden in den 15min, 
danach wird der Post gesperrt...

Ralph Berres schrieb:
> Die Treibertransistoren sollten wenigstens BD139 BD140 oder eventuell
> sogar BD243C BD244C sein. Von den Emitter der hier genannten
> Treibertransistoren ist ein Widerstand von ca 10-22 Ohm gegen den
> Lautsprecherausgang zu schalten.
Die Schaltung oben ist nicht wirklich aktuell.
BD139/BD140 habe ich schon eingeplant.
Die Stromverstärkung ist bei meinen Leistungstransistoren beim
Maximalstrom noch relativ hoch.
Laut Spice ist der maximale Strom durch den BD139 220mA.

> Ganz allgemein würde ich noch eine Strombegrenzung vorsehen, der die
> Endstufe gegen Kurzschluß am Ausgang schützt.
> Dazu könnte ,man den Spannungsabfall an den Emitterwiderstände der
> Endtransistoren messen und damit ein Transistor ansteuern, der die Basis
> der Treibertransistoren gegen das Lautsprecherpotential zieht.
Sowas muss ich noch reinbasteln.

Ich habe jetzt auch in der Simulation BD139/BD140 eingebunden (Die
Spice-Modelle von ON Semiconductor)
Vorher waren die Treibertransen FMMT493/2N5401 (weil die im LTSpice 
dabei sind und ungefähr passten)
Nun habe ich statt ~19mA Ruhestrom/Leistungstransistor plötzlich
~570mA/Leistungstransistor.

Wie können sich BJTs so fundamental unterscheiden? Immerhin ist das der 
30fache Ruhestrom.
Oder ist das hier einfach nur ein Fehler in der Simulation?

(Im Anhang ist das Spice-File und alle eingebunden Libs (gezippt)

von Ben (Gast)


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Du kannst auch die Emitter-Widerstände der Leistungs-Ts größer ausführen 
und mit Si-Dioden überbrücken, dann fallen dort nie mehr als ungefähr 
0,6V ab.

von Ralph B. (rberres)


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Ben du hast den Sinn der Emitterwiderstände verstanden?

Ralph Berres

von Ben (Gast)


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PS: sicher, dass so sein bc547c drei tip3055er-Ts treiben kann?

da müsste wohl eher ein bd135 o.ä. her


(analoges für bc557c)

von Ben (Gast)


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Ralph Berres schrieb:
> Ben du hast den Sinn der Emitterwiderstände verstanden?

Kompensation Stromverstärkungsunterschiede der parallel geschalteten Ts 
und Gegenkopplungseffekt bei Erwärmung.

Die Dioden sieht man ziemlich häufig parallel zum Re, damit die Verluste 
dort nicht allzu hoch werden. Ist halt ein Kompromiss.

von Daniel (Gast)


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Die Emitterwiderstände müssen ca. 0,22...0,33 Ohm haben - dies ist ein 
guter Kompromiss aus Stromgegenkopplung, Verlustleistung und 
Ausgangswiderstand der Endstufe (Dämpfungsfaktor).

Die thermische Stabilität kann in Leistungsstufen NICHT alleine mit den 
Emitterwiderständen erreicht werden, sondern nur über den VBE 
Multiplier. Der im Multipliert eingesetzte Transistor musss zu den 
Treiber+Endtransistoren passen, sonst ist der Ruhestrom instabil. 
Erstrebenswert ist z.B. ein Anstieg um maximal Faktor 3, wenn das Gerät 
von 20°C auf 80°C aufgewärmt wird. Mit wenigen Stunden Probieren ist 
dieses Ziel erreicht. Nur mit Dioden geht es nur schwierig, weil die 
Spannungen nur in Stufen von ca. 0,6V einstellbar sind und Widerstände 
auch die Kennlinie zu sehr verzerren.

Schau mal dieses Dokument an, mit Abbildung 2d habe ich in der Praxis 
sehr gute Erfahrungen gemacht. Es ist damit gleichermaßen eine sehr gute 
thermische Stab ilität möglich wie auch eine hervorragende Stabilität 
gegenüber Spannungsschwankungen.

http://peufeu.free.fr/audio/articles/Vbe%20Multiplier.pdf

Und zur Simulation: ja, die Kennlinien der Transistoren weichen 
tatsächlich soweit ab, dass der Strom um z.B. Faktor 50 höher liegt. 
Daher ist es unzulässig, Reperaturen an Verstärkern mit Ersatztypen 
auszuführen, ohne danach die Netzspannung langsam zu steigern und 
hierbei den Ruhestrom zu kontrollieren.

Kritisch sind immer die Endtransistoren mit Treiber und VBE Multiplier. 
Das muss zusammenpassen.

von Ralph B. (rberres)


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Daniel

Du must unterscheiden zwischen der thermischen Stabilität der 
Stromverteilung auf die parallel geschalteten Transistoren und der
Ruhestromstabilität.

Die Emitterwiderstaände können zwar in geringen Maße zur 
Ruhestromstabilisierung beitragen, doch dafür sind sie nicht gedacht. 
Sie dienen in allerster Linie zur Symetrierung der Stromverteilung.

Und das klappt am besten, wenn der Spannungsabfall an den Widerständen 
bei Vollast gleich der Emitter Basis Spannung der Transistoren ist. Dann 
kann die Symetrie nicht mehr aus dem Ruder laufen. Bei Netzteile macht 
man übrigens genau das gleiche. Dioden parallel zu den 
Emitterwiderstände gehören da nicht hin.

Für die Ruhestromstabilisierung ist in allererster Linie der Transistor 
, bzw die Dioden zwischen den beiden Basen der Treibertransistoren 
zuständig.
Der Transistor, bzw die Dioden sollten sich in unmittelbarer Nähe der 
Endtransistoren befinden. Bei richtiger Dimensionierung soll der 
Ruhestrom konstant bleiben, oder leicht zurück gehen, jedoch nicht bei 
80° das 2-3 fache betragen. Dann wird es nämlich richtig gefährlich.

Ralph Berres

von U. B. (Gast)


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> Und das ( Symmetrierung der Stromverteilung ) klappt am besten, wenn der
> Spannungsabfall an den Widerständen
> bei Vollast gleich der Emitter Basis Spannung der Transistoren ist. Dann
> kann die Symetrie nicht mehr aus dem Ruder laufen.

Richtig ist wohl:
Das klappt umso besser, je höher die Spannung an den Widerständen
( z.B. ) bei Vollast ist.
Bei dann 0,6 V liegt man diesbezüglich ganz gut.

von Daniel (Gast)


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Mit den 0,22...0,33 Ohm liegen unter Vollast sogar etwas über 1V an. Ist 
eigentlich Standard in HiFi Geräten. Dabei ergeben sich gemessene 
Stromabweichungen von ca. +/-20% ab 500mA.

Ideal wäre freilich ein völlig stabiler Ruhestrom. Die in der Praxis 
häufig eingesetzten Schaltungen haben aber nichtmal den Widerstand zur 
Kompensation von Spannungsschwankungen. Da die Wärmeabfuhr auch mit der 
Temperatur steigt, ist eine gewisse Zunahme an Strom durchaus vertretbar 
ohne die Stabilität zu riskieren.

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