Hallo, ich möchte eine Last, die an GND liegt, so schalten, dass sie Strom bekommt, wenn das Gate des MOSFET auf Hi-Potential liegt. Als MOSFET verwende ich im Moment einen IRLML2402. Im Anhang eine Skizze dazu. 1.) funktioniert gut, aber funktioniert 2.) auch ordentlich (also wenn die Last am Source-Anschluss gegen GND liegt)?
für 2. muss die spannung am gate aber höher sein als +UB
Danke für die schnelle Antwort! theguy schrieb: > für 2. muss die spannung am gate aber höher sein als +UB Mehr als 3,3V bis 5V werden dort nicht bereitstehen können. Kann man alternativ einen P-Kanal-MOSFET benutzen und den Pegel am Gate invertieren (also H für aus und L für an)? Wenn ja, gibt es so etwas wie einen Komplementärtypen zum IRLML2402?
Jo. Einfacher wirds mit nem p-FET oder gleich einem fertigen highside-smart-switch (BTS_irgendwas).
Sicher: es gibt sogar welche, bei denen der N-Channel auch gleich dabei ist. Mit dem kannst Du das Steuersignal an den erforderlichen Pegel für den P-Channel anpassen. SI5513? FDMA1032CZ? FDC6333C? alles sowas könnte passen.
Danke für die Antworten! Bei welchem Pegel geschaltet wird (ob bei H oder L) ist letztlich nicht so wichtig. Der IRLML2402 hat eine Cg von ca. 110pF und einen R von 0,25 Ohm. Ein P-Channel MOSFET, der bei gleichen Abmessungen ähnliche oder kleinere Werte hat, wäre mein Kandidat (es geht um eine PWM-Schaltung mit relativ hoher Frequenz)!
Schön, dass du das jetzt schon sagst... Und wie hoch ist "relativ hoch"...
H.Joachim Seifert schrieb: > Und wie hoch ist "relativ hoch"... Irgendwo im unteren bis mittleren kHz-Bereich.
So etwas wie einen "echten" Komplementär-Typen zum N-Channel IRLML2402 gibt es wohl nicht?!? Habe einige ähnliche Exemplare gefunden, sie weichen allerdings im einen oder anderen Parameter ab. Vor allem soll er auch zwischen GND und 5V (= +Ub) schon voll durchsteuern bzw. sperren.
Wern schrieb: > So etwas wie einen "echten" Komplementär-Typen zum N-Channel IRLML2402 > gibt es wohl nicht?!? Ein P-Kanal-FET hat, physikalisch bedingt, immer schlechtere Daten als ein gleich aufgebauter N-Typ. Das war auch schon bei den bipolaren Transistoren so. Gruss Harald
Harald Wilhelms schrieb: > Ein P-Kanal-FET hat, physikalisch bedingt, immer schlechtere Daten > als ein gleich aufgebauter N-Typ. Das war auch schon bei den > bipolaren Transistoren so. Danke für die Info! Dann nehme ich jetzt einen von den P-Channels, die der Sache am nächsten kommen! Danke an alle Poster!
theguy schrieb: > z.B. der IRLML6402 > > von den Daten etwa gleich, geringerer RDSON Jo, Danke! Der hat allerdings Eingangskapazität typ. @ Vds 633 pF V @ 10V
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