Spannungsgesteuerter Schwellwert (Art Schmitttrigger)

[Günther P. (guenterinho)]

Hallo,

ich habe folgendes Problem: eine Ladepumpe erzeugt mir eine negative 
Spannung. Sobald die negative Spannung zu etwa 90% erreicht wurde, gibt 
die Ladepumpe ein Power-OK. Dieses Power-OK wird auf einen MOSFET 
gegeben, welcher dann durchschaltet, sodass eine Spannung von 30V vom 
MOSFET durchgeschaltet wird, sobald die Ladepumpe die negative Spannung 
erzeugt hat.

Das ist auch prinzipiell was ich brauche, allerdings tritt folgendes 
Problem auf:
Beim Einschalten der Schaltung steigt die Drainspannung am MOSFET auf 
ca. 10V an, bevor der MOSFET sperrt. Dann sinkt die Spannung wieder auf 
0
V ab und steigt erst wieder, wenn das POWER-OK anliegt.

Das möchte ich verhindern, meine Idee war eine Art Schmitt Trigger. 
Sobald eine Eingangsspannung von beispielsweise 15V überschritten wird, 
entspricht die Ausgangsspannung der Eingangsspannung. Vorher ist die 
Ausgangsspannung 0V.

Beim Ausschalten kann die Schaltung gleiches Verhalten zeigen oder auch 
nicht, hauptsache sie ist bei 0V Eingangsspannung auch bei 0V 
Ausgangsspannung.
Ich hoffe ich habe mich verständlich ausgedrückt.

Wie könnte eine solche Art von Schaltung aussehen? Ich habe mir schon 
reichlich Gedanken gemacht, evtl mit einer Z-Diode vor einem weiteren 
MOSFET, allerdings bin ich bisher nicht auf einen grünen Zweig gekommen.


Vielen Dank im Vorraus für die Antworten

[Pd G. (pdg)]

Hmm, muss man lange drüber nachdenken und weiß dann immer noch nicht, 
was du meinst.
Poste doch wenigstens mal eine Prinzipschaltung, aus der auch 
hervorgeht, wie dein FET (NFET/PFET?) verschaltet ist.

[foo (Gast)]

Günther Pressler schrieb:
> Beim Einschalten der Schaltung steigt die Drainspannung am MOSFET auf
> ca. 10V an, bevor der MOSFET sperrt. Dann sinkt die Spannung wieder auf
> 0
> V ab und steigt erst wieder, wenn das POWER-OK anliegt.

Das hört sich nach einer Ladungskopplung über die G-D-Kapazität an, aber 
so richtig habe auch ich nicht verstanden, was da abgeht.
Vermutlich ein völlig verkorkstes Design dieser Schaltstufe.

[Joe F. (easylife)]

Hört sich an wie ein p-ch, dem ein Pull-up am Gate fehlt.
Beschreibung der Schaltung ist allerdings sehr ominös.
Schaltplan wäre wirklich sehr hilfreich.

[Günther P. (guenterinho)]

Das ist die Beschaltung des PMOS.
Die gepulste Spannungsquelle ist das Power-OK, welches normalerweise von 
meiner Ladepumpe kommt.
Wenn das Power-OK auf 0V Potential liegt, schaltet der MOSFET. Liegt es 
auf 1V sperrt der MOSFET.
Das ganze funktioniert in der Simulation auch sehr gut, in der Praxis 
passiert allerdings folgendes: Wenn das Power-OK auf 1V liegt und ich 
die 28V anlege sperrt der MOSFET nicht, sondern die Drainspannung steigt 
erst auf ca. 10V an, bevor sie wieder auf 0V absinkt, obwohl das 
Power-OK nicht gegeben wurde.

[wartemal (Gast)]

R4 zu gross

[Joe F. (easylife)]

Du meinst R5 (und R4) zu groß.

Beim Einschalten ist das Gate ja auf 0V, und die Zeit das Gate auf die 
Source-Spannung zu bringen hängt von R5 ab.

Versuche es doch mal mit R5=1K, R4=3K3 (1/4W)

[Joe F. (easylife)]

Ist denn die Last von 1G tatsächlich so hochohmig?
In dem Fall wirkt sich natürlich der IRF5305 auch kapazitiv aus.
Probiere mal, eine Last im Bereich von 10K und evtl. noch 10-100nF 
parallel ranzuhängen.

[wartemal (Gast)]

1G? Das ist doch keine Last.
Vorstellungen ;-)