Hallo, ich möchte einen Verstärker für 2,4GHz aufbauen. Leider schwingt der Transistor. Aufbau ist: Vorverstärker-Isolator-BiasT-Transistor-BiasT-Sumpf. Der Transistor verstärkt ab DC. Das BiasT ist bei 300 MHz schlecht angepasst:S22=-5dB bei 300 MHz. Wenn ich das tausche, mit einem das besser angepasst ist, schwingt der Transistor nicht mehr. Jetzt würde ich gerne wissen warum eine schlechte Anpassung des BiasT zum Schwingen des Transistors führt.(alles eingangsseitig) Gruß blubblabla
> Wenn ich das tausche, mit einem das > besser angepasst ist, schwingt der Transistor nicht mehr. Das ist natürlich Mist, aber nicht aufgeben.- Mit dem richtigen Aufbau erreicht man auch das Soll-Ergebnis: >> Verstärker schwingen immer, Oszillatoren nie ;-)
"...Vorverstärker-Isolator-BiasT-Transistor-BiasT-Sumpf." Verstärker entsumpfen.
Blub B. schrieb: > Jetzt würde ich gerne wissen warum eine schlechte > Anpassung des BiasT zum Schwingen des Transistors > führt.(alles eingangsseitig) Vermutlich deshalb, weil von der Energie, die über die Rückwirkung des Transistors wieder zum Eingang kommt, bei eingangsseitiger Fehlanpassung mehr übrig bleibt als bei guter Anpassung.
> Eine Erklärung wäre schön
Was einen guten Oszillator ausmacht: Die Phase dreht sich und stimmt bei
irgendeiner Frequenz und das Feedback ist ausreichend. Bei welcher
Frequenz schwingt er denn?
B e r n d W. schrieb: >> Eine Erklärung wäre schön > > Was einen guten Oszillator ausmacht: Die Phase dreht sich und stimmt bei > irgendeiner Frequenz und das Feedback ist ausreichend. Bei welcher > Frequenz schwingt er denn? Hab ich vergessen zu sagen, bei eben den 300MHz vom BiasT.
Reden wir von einem Streifenleiter- , Crimp-, Faedel-, oder Steckbrettaufbau ?
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Es handelt sich um einen Schraubaufbau SMA und Testfixture für den Transistor mit 50Ohm Streifenleitung.
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Blub B. schrieb: > Das BiasT ist bei 300 MHz schlecht > angepasst:S22=-5dB bei 300 MHz. Kritischer ist vermutlich das eingangsseitige Bias-T. Ausserdem kann der Isolator bei der falschen Frequenz eine hohe Reflexion haben, so dass du zwischen Bias-T und Isolator evtl. noch ein 10dB Dämpfungsglied setzen solltest.
Zeig mal ein Schema und ein Foto des Aufbaus. Wenn das ausgangsseitige BiasT an zu wenig Spannung laeuft, resp der Widerstand zu klein ist, hat man die RF auf der Speisung. Resp zu stark auf der Speisung.
Hp M. schrieb: > Blub B. schrieb: >> Das BiasT ist bei 300 MHz schlecht >> angepasst:S22=-5dB bei 300 MHz. > > Kritischer ist vermutlich das eingangsseitige Bias-T. > > Ausserdem kann der Isolator bei der falschen Frequenz eine hohe > Reflexion haben, so dass du zwischen Bias-T und Isolator evtl. noch ein > 10dB Dämpfungsglied setzen solltest. Ja ich habe das gelöst bekommen indem ich ein gutes BiasT verwendet habe. Ausgangsseitig ist alles bestens. Mich interessiert nur die Physik dahinter, warum der Transistor bei den 300 MHz schwingt. Die RF Isolation Richtung DC ist sehr gut und nicht das Problem. Ein Bild kann ich leider nicht machen. Aufbau aber wie beschreiben: Vorverstärker-Isolator-BiasT-50Ohm_Leitung-Transistor-50Ohm_Leitung-Bias T-Sumpf.
Blub B. schrieb: > Mich interessiert nur die Physik dahinter, warum der Transistor bei den > 300 MHz schwingt. Weil die Schwingbedingung erfüllt ist. ;-) Wenn dein BiasT bei 300 MHz „schlecht“ ist, heißt das doch in erster Linie, dass es dort Reaktanzverhalten zeigt. Damit ist es letztlich ein Schwingkreis für diese Frequenz, und zusammen mit irgendwie rückgekoppeltem Signal (bspw. über die internen Kapazitäten des Transistors) hast du eben nun einen Oszillator gebaut.
Blub B. schrieb: > Aufbau aber wie beschreiben: > Vorverstärker-Isolator-BiasT-50Ohm_Leitung-Transistor-50Ohm_Leitung-Bias T-Sumpf. Bei HF ist auch der physikalische Aufbau entscheidend, d.h. die Bauteile und deren Anordnung bestimmen über die Funktion mit. Teilweise stehen die parasitären Anteile der Komponenten nicht mal im Datenblatt. Da braucht es dann ein wenig "Gespür" Also ohne Bild, Platinenaufbau und Pläne/Bauteilelisten wird das nichts mit einer besseren Erklärung jenseits von dem, was hier im Thread schon genannt wurde. Da musst du dem Rat der Experten schon vertrauen.
Blub B. schrieb: > Mich interessiert nur die Physik dahinter, warum der > Transistor bei den 300 MHz schwingt. Ich hab's oben schonmal geschrieben: Der Transistor hat eine innere RÜCKWIRKUNG . Es gelangt also ein Teil der bereits verstärkten Ausgangsleistung wieder auf den Eingang des Transistors, und zwar nicht unbedingt nur "außen herum" durch die Schaltung, sondern auch DURCH DEN TRANSISTOR SELBST. Ob die Schwingbedingung dann erfüllt wird, hängt somit, wie Jörg schon schrieb, auch von der Eingangsanpassung ab. Belies Dich mal zum Stichwort "Neutralisation".
Blub B. schrieb: > Die RF Isolation Richtung DC ist sehr gut und nicht das Problem. Das habe ich ja auch nicht behauptet. Der "Isolator" könnte das Problem sein, denn gewöhnlich sind das Zirkulatoren, bei denen ein Port mit einem Abschlußwiderstand versehen ist. Es gibt unterschiedliche Konstruktionen, aber wahrscheinlich stellt ein 2,5GHz Isolator so weit ab seiner Arbeitsfrequenz eine erhebliche Reflexion dar. Deshalb empfahl ich ja auch den Abschwächer zwischen Isolator und Bias-T zu setzen, damit die aus dem Eingang des Transistors strömende Energie absorbiert und nicht reflektiert wird.
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