Hallo Zusammen, der USB3320 im QFN Gehäuse hat einzig das Thermal Pad in der Mitte als GND-Verbindung. Im Anhang sind zwei prinzipiell mögliche Layoutvorschläge für Bypass-Kondensatoren. Der obere platziert den Kondensator auf der Rückseite und verbindet die beiden Pins (Masse und Versorgung) dann über die Vias. Diese sind gemäß der allgemeinen vorherrschenden Meinung in den Versorgungsleitungen suboptimal. Der untere setzt den Kondensator auf die Oberseite der Platine. Mangels verfügbarkeit eines zugänglichen Massepins auf der Oberseite muss diese Verbindung auch über ein Via erfolgen. Zusätzlich werden die Leitungen länger. Meiner Meinung nach ist die erste Variante zu bevorzugen, weil kompakter. Die Anzahl der Vias im Versorgungspfad bleibt in diesem konkreten Fall immer gleich, weil die Versorgungspins zwingend auf zwei Ebenen angebunden werden müssen. VG Karl
Kurzer Nachtrag: Microchip scheint die letztere Variante vorzuschlagen. Siehe Punkt 2.6, Seite 3: http://ww1.microchip.com/downloads/en/AppNotes/en562708.pdf
Hallo, > Karl schrieb: > der USB3320 im QFN Gehäuse hat einzig das Thermal Pad in der Mitte als > GND-Verbindung. Ich kenne solche IC. > Der obere platziert den Kondensator auf der Rückseite und verbindet die > beiden Pins (Masse und Versorgung) dann über die Vias. Diese sind gemäß > der allgemeinen vorherrschenden Meinung in den Versorgungsleitungen > suboptimal. Ja was will man machen? Es geht ja nur über Vias. > Der untere setzt den Kondensator auf die Oberseite der Platine. Mangels > verfügbarkeit eines zugänglichen Massepins auf der Oberseite muss diese > Verbindung auch über ein Via erfolgen. Zusätzlich werden die Leitungen > länger. > Meiner Meinung nach ist die erste Variante zu bevorzugen, weil > kompakter. Die Anzahl der Vias im Versorgungspfad bleibt in diesem > konkreten Fall immer gleich, weil die Versorgungspins zwingend auf zwei > Ebenen angebunden werden müssen. Am Ende wird der Unterschie von 3...5mm Leiterzug kaum relevant sein. Ein Via mehr macht evtl. mehr aus. Aber normal sollte man solche Layout wegen der zu erwartenden Komplexität und den daraus resultierenden EMV-Probleme mit mind. 4 Lagen machen, so dass in den Mittellagen Powerplanes für Masse und Betriebsspannung Platz finden. da spielt dann die Plazierung der Kond. keine so große Rolle mehr, weil die Impedanz der Powerplanes sehr niedrig sein wird. Dann muß nicht mehr neben jedes IC ein Blockkond. Da ist es dann vielmehr wichtig, dass die Verbindungen zu den Powerplanes mögl. niedrige Impedanz haben und übe die die Fläche der Powerplanes genügend Block-C mit unterschiedlichen Werten verteilt vorhanden sind. Sonst noch paar allg. Vorschläge: Setze möglichst mehrere Vias auf die Kühlfläche bzw. deren Rand. Verbinde diese mit möglichst massiven Leitungen oder besser mit Flächen. Setze auch an die SV-Pins und auch an die Kond. möglichst dicht mehrere Vias mit möglichst viel Innenfläche (größere Bohrdurchmesser). Ziehe auch die SV-Pins mit mögl. massiven Leiterzügen heraus. Gruß Öletronika
Man geht bei sowas davon aus daß in den Innenlagen mindesens eine Massefläche existiert. Du haust also mindestens 4 Vias in das Exposed Pad und ein Via bei deinem StützKo.
Danke für die Antworten. Plane das Layout mit 4 Lagen, von denen die erste Innenlage als reine GND-Lage ausgeführt werden wird. Diese wird an die 4 großen Vias (manuelles Löten für den Prototyp) im Pad angebunden. Ich schlussfolgere aus Euren Antworten, dass die Platzierung der Stützkondensatoren bei durchgehender Massefläche und großzügig als Polygon ausgelegter Versorgungslage etwas an Bedeutung verliert.
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