Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik MOSFET als Schalter mit Selbsthaltung


von Peter G. (Gast)


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Hallo,
Ich möchte eine USB-Spannung per Taster in Selbsthaltung 
einschalten/durchschalten können. Ausschalten ist nicht nötigt, dass 
passiert autom. sobald die USB-Spannung weg ist.

Ideal wäre es, wenn ich den P-Kanal FET Fairchild FDN306P verwenden 
könnte, denn diesen habe ich schon hier liegen.

Nun ist es so dass im Datenblatt des FET eine Substrat-Diode 
eingezeichnet ist. lasse ich diese Diode in LTspice weg, funktioniert 
die Schaltung. Zeichne ich die Diode mit ein, funktioniert die Schaltung 
nicht, am Ausgang liegt dann immer Spannung an (und nicht wie gewollt 
erst nach Tasterdruck).

Funktioniert die angehängte Schaltung dann später so nicht? ich verstehe 
nicht wieso die Substrat-Diode bei manchen FETs im Datenblatt 
eingezeichnet ist und bei manchen nicht. Wähle ich z.B. als FET den 
BSS84 (ohne Diode) funktioniert es im LTspice, zeichne ich zusätzlich 
eine Diode ein (so wie es reell sein sollte) geht es nicht mehr!?

Wo liegt hier der Wurm? bzw. würde ich Schaltung so wie im Anhang 
überhaupt funktionieren?

von ArnoR (Gast)


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Solche Schaltungen sind nicht so einfach wie es au den ersten Blick 
aussieht. Hast du mal diesen Beitrag gelesen?:

Beitrag "MOSFET // Selbsthaltung"

von Migelchen (Gast)


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Ein kleines Problem deiner Schaltung wird sein, dass dein MOSFET 
vermutlich nicht gerade voll geschaltet sein wird, wodurch er im 
Linearbetrieb arbeiten wird. (das ist natürlich auch ein wenig davon 
abhängig, was du für einen MOSFET verwendest und was du für Ströme 
ziehst). Manche Hardware-hersteller hören nicht unbedingt auf USB-Specs.
Du solltest schauen, dass deine Gate-Source-Spannung gesund über der 
Threshold-Spannung deines MOSFETs liegt. Sonst hast du unnötig zuviel 
Verlustleistung über dem MOSFET.

Gruß

Migelchen

von Migelchen (Gast)


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Magst du sonst mal die nicht funktionierende Schlatung mit Diode 
hochladen ?

von Tany (Gast)


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Denke daran, der Mosfet und Diode haben Leckströme. Ohne Last am Ausgang 
fliessen die über Base von Q1 nach Masse und somit ist Q1 leitend.
Wenn du am Ausgang ca. 5 mA belastet, wird's ok sein.

von Peter G. (Gast)


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Ich habe nochmal beide Schaltungen samt Spannungsdiagramm angehängt.
Bild 1.png funktioniert, Bild 2.png hat immer Spannung am Ausgang.

Die 12 ohm hinten sind die Last - einfach mal 400mA...

"MYSW" soll meinen Tastendruck simulieren, unbedeutend...

Im Spannungsdiagramm ist grün der Verlauf der Ausgangsspannung, diese 
schaltet (zusammen mit dem simulierten Tastendruck) nach 10ms ein. rot 
und pink sind die Ströme...

Eingentlich hat doch jeder MOSFET intern eine Substrat-Diode, d.h. ob 
ich diese dazu zeichne oder nicht dürfte keine Rolle spilen, oder?

von Felix A. (madifaxle)


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Probiere mal einen 10nF .. 1uF Kondensator parallel zu R1 aus. Bei einem 
Sprung am Eingang (beim Anstecken der Spannung) wird so das Gate auf dem 
Eingangspotential gehalten und der Mosfet sperrt weiterhin. Weiterhin 
als Verbesserung siehe statt eines einfachen Basiswiderstandes einen 
Spannungsteiler vor, der an der Basis bei 5V Ausgangsspannung etwa 0,7V 
als Pegel hat. Der Basisstrom sollte niedrig sein dürfen.

von adb (Gast)


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ArnoRs Beitrag hast du nicht gelesen?

von Migelchen (Gast)


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Kann es manchmael sein, dass die Simulation die Sperrkapazität der 
Bodydiode berücksichtigt und im Einschaltmoment halt der 
Ausgleichsvorgang ausreicht, um den MOSFET gleich zu schalten ?

Nur so eine flinke Idee.


Gruß

Migelchen

von Felix A. (madifaxle)


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@adb

Überflogen und die Bilder angesehen. Aber nicht komplett studiert.

von Tany (Gast)


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bei mir hat die Simulation funktioniert, wie's sein soll...

von Peter G. (Gast)


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doch ich habe Arnos Beitrag gelesen, auch Vielen Dank für Eure Hilfe 
bzgl. der Cs und des Spannungsteilers am Q1. Ihr habt recht, die 
Schaltspitzen sehen gleich viel besser aus!


Mein eigentliches Problem ist aber noch die Diode. Ob LTspice da 
irgendwas verrechnet weiß ich nicht, wenn ich einen bestimmten FET-Typ 
angeben, müsste das in etwas wie mit dem ideellen FET und extra Diode 
sein - aber es verhält sich eben doch ganz anders.

Ich stehe igendwie auf dem Schlauch, werde jetzt aber die Schaltung mal 
auf dem Steckbrett aufbauen. Das gibt mir dann zwar auch keine 
Sicherheit was die Zuverlässigkeit bei ständigen Ein- und Ausschalten 
betrifft, aber vlt. hat LTspice da wirklich ne Macke - wobei ich mir das 
nicht vorstellen kann.
Erfahrungsgemäß liegt der Fehler im Zweifel bei mir :-/

von Peter G. (Gast)


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Tany schrieb:
> bei mir hat die Simulation funktioniert, wie's sein soll...


ja richtig, aber mach' mal eine Bodytdiode (die in jedem FET vorhanden 
ist) über den FET!

von Migelchen (Gast)


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Ich bin mal gepsannt, was bei dem Steckbrettaufbau bei rauskommt.
Mein Bauch sagt, dass es vermutlich an der Simulation liegt.
Aber ich lasse mich gerne eines Besseren belehren. :)

von Felix A. (madifaxle)


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Bei jedem Simulationstool kommt es natürlich vor, dass Bausteine nicht 
in allen Details als Modell abgebildet werden. Daher gibt es immer 
Unsicherheiten zwischen Simulation und Praxis, meist bei den 
Kleinsignalabhängigkeiten.

von Tany (Gast)


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Peter G. schrieb:
> ja richtig, aber mach' mal eine Bodytdiode (die in jedem FET vorhanden
> ist) über den FET!

mit oder ohne, egal. funktionieren beide Fälle.
Die Schaltung ist logisch.

von adb (Gast)


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Peter G. schrieb:
> Mein eigentliches Problem ist aber noch die Diode. Ob LTspice da
> irgendwas verrechnet weiß ich nicht, wenn ich einen bestimmten FET-Typ
> angeben, müsste das in etwas wie mit dem ideellen FET und extra Diode
> sein - aber es verhält sich eben doch ganz anders.

Da mußt du das Modell analysieren - die LTspice-Hilfe ist gerade bei den 
Parametern für das VDMOS-Modell recht ausführlich.
1
.model FDS6975 VDMOS (pchan Rg=3 Rd=18m Rs=13.5m Vto=-1 Kp=20
2
3
  Cgdmax=.6n Cgdmin=.08n Cgs=1n      ;MOSFET Kapazitäten
4
  Cjo=.3n Is=30p Rb=22.5m            ;Bodydiode (Rest auf Defaultwerten)
5
6
  mfg=Fairchild Vds=-30 Ron=45m Qg=15n)

von ArnoR (Gast)


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Peter G. schrieb:
> doch ich habe Arnos Beitrag gelesen, auch Vielen Dank für Eure Hilfe
> bzgl. der Cs und des Spannungsteilers am Q1.

Ja, du hast aber nur bis zum Problem Nr.1 gelesen.

> Mein eigentliches Problem ist aber noch die Diode.

Das ist Problem Nr.2 und auch im verlinkten Tread behandelt (die 
Durchkopplung). Die Diode vergrößert die zwischen Eingang und Ausgang 
wirksame Kapazität und diese schaltet den Bipo und den Mosfet bei 
Anlegen der Eingangsspannung ein. Du kannst dem Bipo eine Kapazität 
zwischen Basis und Emitter legen, um das zu verhindern.

von Tany (Gast)


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Hab Fehler bei deiner Sumulation gefunden...
du simulierst ohne Bezugmasse.
Setze mal .tran 100m startup.

von ArnoR (Gast)


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Tany schrieb:
> Hab Fehler bei deiner Sumulation gefunden...
> du simulierst ohne Bezugmasse.

Wovon redest du eigentlich?

von Tany (Gast)


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von Felix A. (madifaxle)


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Gemeint ist wohl, dass man in der Simu ohne "Startup at 0V" das 
Einschalten nicht sieht, sondern nur das Ergebnis ab dem stabilen 
Zustand.

von Werner H. (werner45)


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... geht stattdessen nicht ein 5-V-Relais?

Spule über einen Vorwiderstand an U-out, Taster von U-in direkt an die 
Spule.
Arbeitskontakt zwischen U-in und U-out.
Die Größe des Widerstands hängt vom Haltestrom des Relais ab, kann 
entfallen, wenn der Stromverbrauch egal ist.

Gruß   -   Werner

von Peter G. (Gast)


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Guten Abend,
ich habe die Schaltung jetzt mal auf dem Steckbrett aufgebaut und 
wirklich ausführlich getestet.

Sie funktioniert zuverlässig bei zig Einschaltzyklen!

Es liegt also an LTspice!

und auch das was ArnoR sagt ist nachvollziehbar, habe dem BC817 ein C 
zugeschalten und alles läuft zufriedenstellen!


Manchmal ist das Steckbrett dem HighEnd-PC vorzuziehen! ;-)

Vielen, vielen Dank Euch allen und schönen Abend!

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