Hallo, habe einmal einen 2N3055 aufgesägt. Ist es nun ein solches Fake, wie im Beitrag beschrieben oder ein "echter"? Zitat aus dse-faq (ganz unten) http://www.dse-faq.elektronik-kompendium.de/dse-faq.htm#F.23 "....Alte 2N3055 hielten mehr aus als Neuere ab 1970. Gab es damals auch schon Fälschungen ? Quasi, es gab 2N3055 in einem anderen, billigeren Verfahren, epitaxial statt Mesa (hometaxial), sogar vom Originalhersteller (RCA). Als das auffiel, stempelte man die guten als 2N3055H. Motorola (OnSemi) stempelte aber einfach auch die epitaxialen 2N3055H, die guten hiessen 2N3055A bei denen....." Bin schon auf Euer Expertengutachten gespannt. ciao gustav
Von einer "Fälschung" kann doch nur gesprochen werden, wenn der Transistor die Datenblattwerte nicht einhält, also sozusagen "unterbietet". In welcher Technologie der Chip gefertigt ist, ist doch nebensächlich. Es mag sein, dass manche Transistoren früher mehr ausgehalten haben als heute, aber die Datenblattwerte sollten sie immer schaffen. Allerdings ist es bei den Bastelexperten doch üblich, die Datenblätter weitgehend zu ignorieren und die Transistoren knallhart zu überlasten, am besten in mehrenen Parametern gleichzeitig. Da fällt es natürlich auf, wenn die Transistoren weniger aushalten. Wenn man dagegen vernünftig dimensioniert,etwas Abstand von den Grenzen hält und nicht mehrere Parameter an den Anschlag fährt, dann bleiben die alten wie die neuen ganz.
Beim 2N3055 hat man eher selten Fakes, einfach weil das schon die billigen im TO3 sind. Eher bekommt man schon einen echten 2N3055, mit neuer Beschriftung als einen Fake MJE.... verkauft. Beim 2N3055 gibt es halt die 2 Typen: einen langsamen robusten (ggf. 3055H) und den neueren schnelleren aber nicht so robusten. Das hat aber weniger mit Fälschungen zu tun, sondern mit der etwas ungünstigen Namenswahl von Anfang an. Die hätten die neue Type nicht auch 3055 nennen sollen, sondern anders.
Interessanterweise kann man den 2N3055 mit sehr verschiedenen Die-Grössen bauen, den Fotos nach zu schliessen: https://commons.wikimedia.org/wiki/Category:2N3055 Was zweifellos von erheblicher Bedeutung ist, wenn man ihn als Solarzelle verwenden will: http://overunity.com/311/2-watts-from-an-old-2n3055-as-a-solarcell/
gustav schrieb: > Alte 2N3055 hielten mehr aus als Neuere ab 1970. Gab > es damals auch schon Fälschungen ? Wenn ich mich nich irre, machte damals die Runde das bei einigen Herstellern die Bonding-Drähte zu schwach wären. Das Problem scheint Deiner offensichtlich nicht zu haben:)
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ArnoR schrieb: > Von einer "Fälschung" kann doch nur gesprochen werden, wenn der > Transistor die Datenblattwerte nicht einhält, also sozusagen > "unterbietet". Willst du damit andeuten, dass ein gut nachgemachter Geldschein nicht als Fälschung zu bezeichnen ist?
Ich hatte auch mal einen geöffnet: Beitrag "2N3055 defekt, Innenansicht" Bei deinem Transistor ist die Halbleiterfläche wesentlich größer.
ArnoR schrieb: > Von einer "Fälschung" kann doch nur gesprochen werden, wenn der > Transistor die Datenblattwerte nicht einhält, also sozusagen > "unterbietet". In welcher Technologie der Chip gefertigt ist, ist doch > nebensächlich. Naja, wenn statt des Originalchips ein Chip eines Kleinleistungs- transistors montiert wurde, kann man das wohl erst nach dem Durchbrennen feststellen. Und mir fällt z.Z. auch keine Methode ein, die Grenzwerte des Zweiten Durchbruchs zu überprüfen. Da kann man sich m.E. nur auf die Angaben im Datenblatt verlassen.
Weshalb in kritischen Anwendungen auch zerstörende Stichprobentests eingesetzt werden sollten.
> Und mir fällt z.Z. auch keine Methode > ein, die Grenzwerte des Zweiten Durchbruchs zu überprüfen. Das lässt sich genauso gut (oder schlecht) überprüfen, wie den "normalen" Durchbruch.- Vor x-Jahren versuchte ich mal, einen 2N3055, wohl noch in "hometaxial", mit einem Netzteil 30V 2A zu "killen" (ohne Kühlkörper, versteht sich): Ging nicht, man konnte zwar auf dem Gehäuse löten, aber defekt war er immer noch nicht. (Der günstigste Preis für solch ein Teil war damals: DM 1,11 !)
Ich würde sagen: Ein Fake ist, wenn Motorola draufsteht, aber kein Motorola drin ist. Wenn der Transistor seine spezifizierten Daten nicht hält, ist er einfach nur scheisse. Der ganze Chinaschrott, der bei uns (wunschgemäß) abgeladen wird, ist doch nicht automatisch Fake? Doch eher nur "grenzwertig" dimensioniert. Der Transistor oben sieht doch erst mal gar nicht schlecht aus. Gibt es ein Bild vom Deckel?
Interessant wird es bei den recht häufig anzutreffenden 2N3055 mit Aufdruck von Toshiba. Bei denen einerseits Toshiba behauptete, nie 2N3055 produziert zu haben und andererseits sich in den üblichen Datasheet-Archiven auch eines von Toshiba befindet. Ist da auch das Datasheet ein Fake, oder ist Toshiba selbst ein Fake? ;-)
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Elektrofan schrieb: > Das lässt sich genauso gut (oder schlecht) überprüfen, wie den > "normalen" Durchbruch.- Normalerweise versteht man unter (erstem) Durchbruch ein durchschlagen der Sperrschicht durch eine zu hohe Spannung. Dieser Durchbruch lässt sich recht gut mit einem strombegrenztem, einstellbaren Netzteil testen ohne den Transistor dabei zu beschädigen.
Eddy C. schrieb: > Der Transistor oben sieht doch erst mal gar nicht schlecht aus. Gibt es > ein Bild vom Deckel? Ja. Hab noch ein ganzes Exemplar übrig. Es ist ein als für den BD130 verkaufter Äquivalenttyp. (70 Watt Verstärker Fehler: Glimmerscheibe zu wenig Paste - Kunde hörte immer mit 95 dB (oder so) Thermoschutz-Bimetall am Kühlkörper sprang auch öfter raus... bis irgendwann... peng. Aber lassen wir das.) ciao und Dank erstmal für die vielen Antworten! gustav
A. K. schrieb: > Ist da auch das > Datasheet ein Fake, oder ist Toshiba selbst ein Fake? ;-) Die sind von Toshiba - Bielefeld :D
Heinz V. schrieb: > A. K. schrieb: >> Ist da auch das >> Datasheet ein Fake, oder ist Toshiba selbst ein Fake? ;-) > > Die sind von Toshiba - Bielefeld :D Vermutlich ist A. K. ein Fake.
Tobias schrieb: > Heinz V. schrieb: >> A. K. schrieb: >>> Ist da auch das >>> Datasheet ein Fake, oder ist Toshiba selbst ein Fake? ;-) >> >> Die sind von Toshiba - Bielefeld :D > > Vermutlich ist A. K. ein Fake. Wohnt der auch in Bielefeld?
... schrieb: > Bielefeld ist doch auch ein Fake.... Quatsch. Wer sollte schon Interesse haben SOWAS zu Faken. Wir werden ja noch nich mal das Original los. (das gibt Haue:)
gustav schrieb: > Ist es nun ein solches Fake, Das ist kein Original RCA 2N3055 aber ein wohl robuster Nachbau der Epitaxialvariante, sieht etwas russisch aus. Ok, Siemens und uralt, kommt hin.
MaWin schrieb: > Das ist kein Original RCA 2N3055 aber ein wohl robuster Nachbau der > Epitaxialvariante, sieht etwas russisch aus. > Ok, Siemens und uralt, kommt hin. Wobei man in den üblichen Datasheet-Archiven den Ausschnitt eines Siemens-Datenbuches findet, in dem eindeutig die Mesa-Version beschrieben ist.
Warum sollte Siemens die Bezeichnung Mesa vewenden? Dreifachdiffundiert reicht ja. Bipolare Silizium-Leistungstransistoren - Bipolar Silicon Power ... www.dl7avf.info/charts/semi/silt2.html - Diese Seite übersetzen 13.12.2014 - TO-53, Dreifach-diffundiert Mesa = Hochfrequenz-Leistungstransistor, Txi69. 2N1722A, NPN, 120, 50, C-3D7 · TO-53, Dreifach-diffundiert Mesa ...
Im Anhang noch ein Bild einer sehr seltenen Sonderausfuehrung des 3055. Olaf
Olaf schrieb: > Im Anhang noch ein Bild einer sehr seltenen Sonderausfuehrung des 3055. LOL April welchen Jahres wurde das veröffentlicht?
Teo D. schrieb: > LOL > April welchen Jahres wurde das veröffentlicht? Wie Aprillscherz? Das ist so zu sagen der Vorläufer des heute erhältlichen, bluetoothprogrammierbaren 2N3055BT...
> April welchen Jahres wurde das veröffentlicht?
Elrad 4/84. Also vor der Erfindung der Computer unterstuetzten
Bildverarbeitung. Daher schon glaubwuerdig!
Olaf
Olaf schrieb: > Also vor der Erfindung der Computer unterstuetzten Bildverarbeitung. Aber nach Erfindung der Kopiererunterstützten Bildverarbeitung. :-)
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