Hallo, ich möchte eine Art Leistungsverteilung bauen, in der ich an verschiedenen Pfaden Lasten zu oder abschalten muss. Als Schalter sollten Halbleiter verwendet werden, keine Relais o.Ä. Spannungsfestigkeit liegt aufgrund erwarteter Transienten im Bereich von ca. 80V, Nennbetrieb ca. 50V. Es gibt ja schöne ICs, wie zB. den LM5050, die als ideale Diode arbeiten. So etwas in der Art suche ich zum Ansteuerung eines N-Kanal MOSFETs als Highside Schalter (IC mit Ladungspumpe drin). Es reicht wenn der Schalt Klar, man könnte auch im Massepfad die Last abwerfen, ist aber etwas unschöner. Gut wäre es, wenn ich den Schalter so aufbauen kann, dass er in beide Richtungen sperren kann. Kennt ja jemand etwas? Grüße Stampede
Danke, das geht schon mal in die richtige Richtung, wobei der MAX16128 auch nur "operating" bis 30V angegeben ist. Ggf. ist der MAX16126 besser, immerhin bis 72V. Und ich will diese ganzen Protectionfunktionen eigentlich auch nicht, das Ding muss nur total stupide an/aus machen.
Da ein wesentlicher Parameter fehlt, kann man da nicht wirklich helfen. Welche Leistungen sollen geschaltet werden? asdfgh
>>Da ein wesentlicher Parameter fehlt, kann man da nicht wirklich helfen. >>Welche Leistungen sollen geschaltet werden? Ich schrieb "So etwas in der Art suche ich zum Ansteuerung eines N-Kanal MOSFETs als Highside Schalter". Demnach suche ich einen Treiber, der den entsprechenden MOSFET ansteuert. Die Ströme sind dann erstmal nicht der entscheidende Punkte, aber wir sprechen hier von 200A bis 250A.
welche Lasten, ohmsche oder induktive? Soll ein 4-Quadrantenbetrieb möglich sein? Stampede schrieb: > Gut wäre es, wenn ich den Schalter so aufbauen kann, dass er > in beide Richtungen sperren kann. Kennt ja jemand etwas? schau dir das Innenleben eines AQV252G an https://www3.panasonic.biz/ac/e_download/control/relay/photomos/catalog/semi_eng_he1a_aqv25_g.pdf
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Bearbeitet durch User
Lasten sind erstmal alles denkbar.
>>schau dir das Innenleben eines AQV252G an
Dass man das so bauen muss ist mir klar. Ich würde aber gerne highside
schalten, und dazu brauche ich am Ende nur IC mit integrierter
Ladungspumpe für das Gate, damit ich N-Channel MOSFETs benutzen kann.
Stampede schrieb: > Lasten sind erstmal alles denkbar. OK dann baue erst und lege später die Spez. fest! Stampede schrieb: > Dass man das so bauen muss ist mir klar. freut mich wenn alles geklärt ist.
Stampede schrieb: > Es reicht wenn > der Schalt schallt? Stampede schrieb: > ich will diese ganzen Protectionfunktionen > eigentlich auch nicht Das will niemand, deswegen solltest du gleich eine Art Nachladefunktion für zerstörte MOSFETs einbauen. Vielleicht eine Kombination aus Trommelmagazin und Buchsenleiste. Ich erinnere mich dunkel, dass einige MOSFET-Gehäuse den Strom so bei 175A begrenzen – nur die Gehäuse! Damit dann 200-250A geschaltet werden können, brauchst du 2-3 und dann wirds auch schon kritisch, sie dynamisch zu begrenzen, d.h. geschickt Leitungsinduktivität einzubauen, dass nicht einer allein die 250A schaltet. Ich finde das sehr ambitioniert, da 50V/250A schon 'ne ordentliche Kupferschiene braucht. Jeder mickrige MOSFET-Treiber bekommt das hin und es gibt sogar welche, die 100% Tastgrad mit High-Side-N-Kanal können. Der Vorteil: Steuerspannung isoliert. Außerdem möchtest du eigentlich mit 5V ansteuern wollen und das galvanisch von der zu schaltenden Last trennen – MOSEFT-Treiber-Klassiker.
Boris O. schrieb: > Ich erinnere mich dunkel, dass einige MOSFET-Gehäuse den Strom so bei > 175A begrenzen – nur die Gehäuse! Damit dann 200-250A geschaltet werden > können, brauchst du 2-3 und dann wirds auch schon kritisch, sie > dynamisch zu begrenzen, d.h. geschickt Leitungsinduktivität einzubauen, > dass nicht einer allein die 250A schaltet. Ich hatte auch schon mal mit 2 MOSFETs geplant, sonst bekommt man die Verluste kaum in den Griff. Es geht in der Anwendung v.a. um den Lastabwurf. Einschalten geht nahezu lastfrei. Es geht also in der Richtung einer eFuse. Boris O. schrieb: > Ich finde das sehr ambitioniert, da 50V/250A schon 'ne ordentliche > Kupferschiene braucht. Jeder mickrige MOSFET-Treiber bekommt das hin und > es gibt sogar welche, die 100% Tastgrad mit High-Side-N-Kanal können. > Der Vorteil: Steuerspannung isoliert. Dass das nicht trivial ist bei der Leistung, ist verständlich. Es geht aber auch weniger um den Treiber als um die Vorsorgung: Klar, ich kann mir einen IXDD614SI schnappen, der bekommt auch bei 100% Tastgrad und im Transientenfall auch 2 Gates von 30nF oder mehr gut umgeladen. Aber dann brauche ich noch einen kleinen galvanischen getrennten DC/DC (wie zB NMK1212SAC) und dann habe ich meine Ansteuerspannung. Ich würde aber gerne auf den 12V DC/DC verzichten (Platz, Größe, Kosten) und lieber eine Ladungspumpe o.Ä verbauen. Sonst wäre ja normales Bootstrapping kein Problem, da aber der Tastgrad nahezu immer 100% beträgt fällt das raus. WEnn du allerdings Treiber kennst, die all das schon integriert haben, dann gerne her damit :) Dennis schrieb: > Ein E-Techniker würde erstmal die Transienten abfangen .... Naja, bei der Leistung schlecht möglich. Die Schaltung muss die halt einfach überleben im Fall der Fälle. Bisschen wird mit man mit TVS Dioden schon entschärfen können.
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