Hallo, wie kann ich eine HF Spannung (Power 0-200W 0-75V (100W) 50 Ohm 1-30MHZ) auf z.B. 2,5V begrenzen? Dämpfungsglied fällt wegen den Peaks bei normalen KW Tranceiver aus. Z.B FT 2000D 200W auf 10W eigestellt, der TRX gibt mit PEP Messgerät geprüft zuerst viel mehr raus, dann ist der Transistor hin. Ich habe eine Endstufe mit dem LDMOS BLF578 aufgebaut. Bis dato habe ich eine sichere 100mW Ansteuerung. Danke für die Hilfe Holger
Hallo, ja das ist beim BLF578 ein Problem (Überspannung). Ich verbaue die Teile allerdings in 2m PAs. Die Überspannung killt doch den Transistor Ausgangsseitig oder? Also mit sehr schnellen Dioden am Ausgang kann man da eine Regelspannung erzeugen, sollte aber gut entkoppelt sein wegen den dadurch entstehenden Oberwellen. Am Eingang hilft dann ein Pin-Dioden Abschwächer oder VGA Amplifier im Zulauf. So einfach ist das leider nicht wie gesagt. Gruß Sascha
LD-Mos Transistoren sterben wegen zu hoher Spannung am Eingang, weil die maximal zulässige Gate Source-Spannung überschritten werden. Am Ausgang sind sie eigentlich unkaputtbar. Da hilft nichts am Ausgang und auch keine Regelung sondern höchstens Begrenzerdioden am Eingang, welche auch schnell genug sein müssen, und generell vorhanden sein sollten. Mit 100W direkt aufs Gate zu gehen ist eine ganz schlechte Idee. Auch dann wenn man die Leistung des TX vorher runterregelt. Hier gehört zwingend ein Leistungsabschwächer zwischen TX und LD-Mos, oder alternativ baut man seinen TX dahingehend um das man die HF vor der Endstufe abgreift. Ralph Berres
Das Bauteil heisst Limiter http://194.75.38.69/products/Limiters.shtml allerdings nicht direkt für diese Leistungsklasse "Nullode" war das entsprechende Röhernbauteil aus der Radartechnik
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Mal ein Beispiel von Mini-Circuits: http://194.75.38.69/pdfs/RLM-43-5W+.pdf Broadband, 20 MHz to 4 GHz "Mini-Circuits’ RLM-43-5W+ is a passive PIN diode RF limiter ideal for protecting sensitive receiver circuitry from high-power signals, while allowing low-powered signals to be received. Providing limiting range from +10 to +37 dBm and +12 dBm typical output power..." Ich sehe keine Angaben zu impulsförmiger Belastung, die 5 Watt_max scheinen im Dauerbetrieb zu sein. Wie die aus dem kleinen SMD-Gehäuse abgeführt werden steht da auch nicht, muss wohl über die Massepads erfolgen.
Christoph K. schrieb: > Ich sehe keine Angaben zu impulsförmiger Belastung, die 5 Watt_max > scheinen im Dauerbetrieb zu sein. Wie die aus dem kleinen SMD-Gehäuse > abgeführt werden steht da auch nicht, muss wohl über die Massepads > erfolgen. Nein, die PIN-Diode braucht keine hohe Leistung abzuführen, sondern wird sehr niederohmig und erhöht lediglich den Reflexionsfaktor.
Dabei ist zu beachten dass Verstaerker mit Leistungen ueber 100mW nicht mit zu hohen Reflexionen am Ausgang arbeiten, ueblicherweise gehen sie kaputt. Dh ein Limiter am Ausgang ist dann ganz schlecht. Was bedeutet nicht mal ein Treiberverstaerker darf per reflektierendem Limiter limitiert werden.
Christoph K. schrieb: > Ich sehe keine Angaben zu impulsförmiger Belastung, die 5 Watt_max > scheinen im Dauerbetrieb zu sein. Wie die aus dem kleinen SMD-Gehäuse > abgeführt werden steht da auch nicht, muss wohl über die Massepads > erfolgen. nee ist auch nicht Dauerstrich. 2 watt pulse 50 μsec pw 1kHz duty cycle recovery to within 90% of final value @ -5 dBm Ralph Berres
Guten Abend, ich habe gerade das Datenblatt gelesen. Für mich als Newcomer (DO.... trau mich nicht) sind viele Angaben vorhanden, aber nicht nachvollziehbar. Aber nach welcher Formel wird die maximale Eingangsleistung berechnet. Ich habe mal gerechnet, 500mW sind 19Vss an 50 Ohm. Holger 1 hat nur 100mW Input angegeben, warum? Tschuess Holger
> wird die maximale Eingangsleistung berechnet
nicht mit Uss, sondern mit Ueff. Ein Effektivwert wird so bezeichnet,
weil er an einer ohmschen Last die gleiche Wirkleistung freisetzt, wie
eine Gleichspannung mit der selben Höhe.
Leistung
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Ueff = Uss / (2 x wurzel(2))
= 19V / 2.828
= 6,72V
P = (Ueff)^2 / R
= 45,16V^2 / 50r
= 0,9 Watt
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Hallo, Danke für die Antwort. Dann sind 0,9 W die maximale Eingangsleistung. Wie kommt man auf die 45,16V, im Datenblatt habe ich den Wert nicht gefunden. Danke Holger
auch Holger schrieb: > Wie kommt man auf die 45,16V, im Datenblatt habe ich den Wert nicht > gefunden. wie wäre es mit lesen des Beitrages? B e r n d W. schrieb: > P = (Ueff)^2 / R > = 45,16V^2 / 50r > = 0,9 Watt Es kommt einfach durch quadrieren des Ueff Wertes. Ralph Berres
Hallo, ich möchte etwas lernen, ich habe in Datenblatt von Farnell keine Angabe mit Ueff gefunden. Das Problem von Holger 1 wollte ich nur einfach nacharbeiten. Seit nicht böse, ich werde es schon noch lernen. Vielen Dank Holger
auch Holger schrieb: > ich habe in Datenblatt von Farnell welches Datenblatt? welches Bauelement? In der HF Technik werden Pegel oft in dbm also db bezogen auf 1mW an 50 Ohm angegeben. Ralph Berres
Hallo, ich habe meine Frage auf den LDMOS BLF578 bezogen. Ich würde gerne wissen, wie ich das Datenblatt lesen muss. Es kann keine Angaben von max. Input oder max. Rücklaufleistung SWR erkennen. Schönen Abend Holger
auch Holger schrieb: > Hallo, > > ich habe meine Frage auf den LDMOS BLF578 bezogen. Ich würde gerne > wissen, wie ich das Datenblatt lesen muss. Es kann keine Angaben von > max. Input oder max. Rücklaufleistung SWR erkennen. In Kapitel 4 stehen die "Limiting values".
Beitrag #4998400 wurde von einem Moderator gelöscht.
Hallo, wie kann ich daraus den maximalen input und die höchste Rücklaufleistung errechnen? VDS drain-source voltage - 110 V VGS gate-source voltage 0.5 +11 V ID drain current - 88 A Tstg storage temperature 65 +150 C Tj junction temperature - 225 C Danke MfG Petra
Petra schrieb: > wie kann ich daraus den maximalen input und die höchste Rücklaufleistung > errechnen? Hallo Petra zunächst must du für die gewünschte Frequenz am Eingang und Ausgang das Anpassnetzwerk berechnen, damit man sowohl am Eingang als auch am Ausgang 50 Ohm sieht. Der Transistor wird mit 50V Betriebsspannung betrieben. Daraus ergibt sich bei gegebener Ausgangsleistung dann auch das Übersetzungsverhältnis des Anpassnetzwerkes. Bei solchen Endstufen wird man die Güte der Schwingkreise möglichst gering halten, damit Spannungsüberhöhungen im Schwingkreis die VDSS nicht überschreiten können. Oft ist es kein Schwingkreis sondern ein Transformator. Man muss aber auch drauf achten das das nachfolgende Oberwellenfilter keine zu großen Schwingkreisgüten hat. Bei Fehlanpassungen am Ausgang kann es im Extremfall zwischen doppelter Ausgangsspannung und doppelten Ausgangsstrom variieren. ( Je nach Lastfall ob Leerlauf oder Kurzschluss und Leitungslänge in Lambda, welches auch noch transformiert ). ( Das ist vor allem wichtig wenn vergessen wurde die Last anzuschließen). Aus der Verstärkung die dieser Transistor hat kann man dann berechnen welche Eingangsleistung benötigt wird. Daraus und aus der Eingangsimpedanz muss man das Anpassnetzwerk am Eingang berechnen. Die VGS darf auf keinen Fall auch nur für Mikrosekunden überschritten werden, dann ist der Transistor sofort defekt. ( Übrigens der häufigste Fall für eine defekte Endstufe ). VGS setzt sich zusammen aus der Spitzenspannung des HF Signals direkt am Gate und der DC-Spannung für den Transistor in den gewünschten Arbeitspunkt der Eingangskennlinie zu schieben. Sauber dimensionierte LD-Mos Endstufen sind gegen Fehlanpassung am Ausgang eigentlich fast unkaputtbar, wenn nicht irgendwelche Anpassgeräte mit Kreise hoher Güte am Ausgang hängen um den Schraubenzieher im Blumentopf an 50 Ohm anzupassen. Am Eingang sind alle LD-Mos Endstufen extrem empfindlich gegen zu hohe Eingangsleistung. Da waren die alten Endstufen mit bipolaren Endstufen besser. Ralph Berres
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