Ich möchte IRF3205 MosFETS mit nur 5V am Gate ansteuern. Nun handelt es sich nicht um Logiclevel-FETs (U_thres 2-4V), aber in der Praxis erfüllen alle 20 von 20 getesten FETs die Anforderungen, jedenfalls im Neuzustand. Daher meiner Frage ob und in welcher Weise MosFETs altern, konkret ob sich die individuelle I_ds-zu-U_gs-Kennlinie signifikant (>20%) verändert.
dercr schrieb: > Anforderungen Die da exakt wären? Nur, damit man nicht wieder allgemein in die Falle tappt, beim 70. Beitrag festzustellen, warum das alles doch nicht geht. Normalerweise tut man das nicht, und es gibt auch Gründe dafür. Hast Du bei allen FETs die V(ds) unter geplantem Laststrom und bei 5V V(gs) gemessen, Verluste berechnet, und bist mit dem R(ds) im Abschnürbereich glücklich?
dercr schrieb: > Daher meiner Frage ob und in welcher Weise MosFETs altern, konkret ob > sich die individuelle I_ds-zu-U_gs-Kennlinie signifikant (>20%) > verändert. Homo Habilis schrieb: > dercr schrieb: >> Anforderungen > > Die da exakt wären? > > Nur, damit man nicht wieder allgemein in die Falle > tappt, beim 70. Beitrag festzustellen, warum das > alles doch nicht geht. > > Normalerweise tut man das nicht, und es gibt > auch Gründe dafür. > > Hast Du bei allen FETs die V(ds) unter geplantem Laststrom > und bei 5V V(gs) gemessen, Verluste berechnet, > und bist mit dem R(ds) im Abschnürbereich glücklich? Was soll dieses Oberlehrerhafte eigentlich schon wieder ohne wirklich auch nur einen Funken zu helfen? Er hat doch eine ganz klare Frage gestellt auf die man entweder ganz klar Antworten kann, wenn man etwas dazu weiß oder man hält einfach mal die F...
dercr schrieb: > ob > sich die individuelle I_ds-zu-U_gs-Kennlinie signifikant (>20%) > verändert. Während der üblichen Lebensdauer von Geräten nicht. Theoretisch besteht die Möglichkeit, dass Elektronen in das Gateoxid tunneln und sich dort in den von Verunreinigungen (herstellungsbedingt meist Na-Ionen) gebildeten Potentialmulden festsetzen, was zu einer Verschiebung der Schwellenspannung führt. Aber das passiert merklich erst bei Gatespannungen jenseits der erlaubten Werte. Dann aber besteht auch die Gefahr eines Durchschlags des Gateoxids. Da deine Steuerspannung eher knapp als üppig ist, sehe ich keine Chance, dass du in absehbarere Zeit eine Veränderung wirst messen können.
Karl schrieb: > oberlehrerhaft wollte ich gar nicht erscheinen, Mimose Karl. Es handelt sich um außergewöhnliche Anforderungen, und ich habe exakt die nötigen Fragen gestellt. Karl schrieb: > oder man hält einfach mal die F... Das gebe ich ob Deiner bereitwilligen Gabe von "Antwort auf seine Frage" gerne zurück.
Homo Habilis schrieb: > Normalerweise tut man das nicht, und es gibt > auch Gründe dafür. Die wären? Homo Habilis schrieb: > Hast Du bei allen FETs die V(ds) unter geplantem Laststrom > und bei 5V V(gs) gemessen, Verluste berechnet, > und bist mit dem R(ds) im Abschnürbereich glücklich? Ja, alle unter geplantem Laststrom und bei 5V VGS gemessen. Verluste wurden auch berechnet und der Rdson passt. Und wie lautet dann nun die Antwort nach Klärung dieser Fragen?
dercr schrieb: > Ich möchte IRF3205 MosFETS mit nur 5V am Gate ansteuern. Nun handelt es > sich nicht um Logiclevel-FETs (U_thres 2-4V), aber in der Praxis > erfüllen alle 20 von 20 getesten FETs die Anforderungen, jedenfalls im > Neuzustand. Du kennst die Temperaturabhängigkeit der Thresholdspannung? > Daher meiner Frage ob und in welcher Weise MosFETs altern, konkret ob > sich die individuelle I_ds-zu-U_gs-Kennlinie signifikant (>20%) > verändert. Unter extremen Bedingungen schon, aber längst vorher machen dir andere Effekte Ärger.
Ich finde es zwar etwas unheimlich, das Karl die an mich gerichteten Fragen so zielsicher beantworten kann, habe dem aber dann nichts mehr hinzuzufügen. Danke dafür ^^ Danke auch an Hp M., dann werde ich das wie geplant bauen :) Homo Habilis schrieb: > Hast Du bei allen FETs die V(ds) unter geplantem Laststrom > und bei 5V V(gs) gemessen, Verluste berechnet, > und bist mit dem R(ds) im Abschnürbereich glücklich? Nicht nur das, sogar bei 4,5V U_gs, 3-fachem Laststrom und über mehr als den gesamten möglicherweise auftretenden Temperatur- und Frequenzbereich. Dieses Forum erstickt an der Angewohnheit, immer zwanghaft sämtliche Aussagen zu hinterfragen und destruktive Kritik an jedem Handgriff und jedem Wort aller anderen abzugeben, statt zur Beantwortung der eigentlichen Frage beizutragen.
hinz schrieb: > Unter extremen Bedingungen schon Die da wären? hinz schrieb: > aber längst vorher machen dir andere > Effekte Ärger. Die da wären? hinz schrieb: > Du kennst die Temperaturabhängigkeit der Thresholdspannung? Ja.
dercr schrieb: > Nun handelt es sich nicht um Logiclevel-FETs (U_thres 2-4V), aber in > der Praxis erfüllen alle 20 von 20 getesten FETs die Anforderungen, > jedenfalls im Neuzustand. Für Nachbausicherheit würde man allerdings auch Wert drauf legen, dass die Schaltung auch mit FETs aus einer anderen Charge oder gar von einem Second-Source Lieferanten funktioniert. Und da gilt einzig und alleine das Datenblatt - alle anderen Werte können sich ändern.
dercr schrieb: > Ich möchte IRF3205 MosFETS mit nur 5V am Gate ansteuern. Nun handelt es > sich nicht um Logiclevel-FETs (U_thres 2-4V), aber in der Praxis > erfüllen alle 20 von 20 getesten FETs die Anforderungen, jedenfalls im > Neuzustand. Warum man sowas nie tut: Eine Elektronik mit einem solchen FET kann man niemals ordentlich produzieren. Die FET streuen auch mit dem Herstellungsprozess. Jetzt funktionieren die 10 vermutlich (und werden das auch weiter tun, denke ich), aber wenn man in 1-2 Jahren mal die Produktion erneut anwirft, kann man die böse Überraschung erleben, dass das nicht mehr so ist. Weil die nächste Charge eben anders ausfällt. Oder weil der Hersteller den Prozess umgestellt hat. Alternativ muss man ALLE FET für die Neuproduktion wieder qualifizieren. Was unnötig aufwändig ist. --> Speziell in diesem Fall, ist das wirklich nicht schön. FET mit 5V (garantierter) Treshold gibt es wie Sand am Meer. PS: Du hast hoffentlich berücksichtigt, dass die Treshold Temperaturabhängig ist?
dercr schrieb: >> Du kennst die Temperaturabhängigkeit der Thresholdspannung? > > Ja. Steakholder schrieb: > Du hast hoffentlich berücksichtigt, dass die Treshold Temperaturabhängig > ist? Ich bin immer wieder begeistert wie kompetent man hier beraten wird
dercr schrieb: > hinz schrieb: >> Unter extremen Bedingungen schon > > Die da wären? Hohe Spannungen und/oder hohe Temperaturen. > hinz schrieb: >> aber längst vorher machen dir andere >> Effekte Ärger. > > Die da wären? die-attach und hot-carrier degradation > hinz schrieb: >> Du kennst die Temperaturabhängigkeit der Thresholdspannung? > > Ja. Prima.
dercr schrieb: > Dieses Forum erstickt an der Angewohnheit, immer zwanghaft sämtliche > Aussagen zu hinterfragen und destruktive Kritik an jedem Handgriff und > jedem Wort aller anderen abzugeben, statt zur Beantwortung der > eigentlichen Frage beizutragen. Absolut richtige Beobachtung. Das ist unter Anderem der Grund dafür, warum ich immer öfter kopfschüttelnd und grinsend weiterblättere.
Ja, einige versuchen hier auch ohne Ahnung das ganze auf Nebenschauplätze zu ziehen auf denen sie dann über den TO herziehen können. Nervig ist auch die Angewohnheit den Thread überhaupt nicht zu lesen und Fragen zu stellen die längst beantwortet wurden. Homo Habilis schrieb: > Nur, damit man nicht wieder allgemein in die Falle > tappt, Jede Wette das aus der Richtung absolut nichts hilfreiches mehr kommt. Obwohl seine Fragen ja nun beantwortet wurden. Oder es wird dem TO vorgeworfen nicht die Ganze Wahrheit zu sagen usw. Weil nicht direkt sämtliche Projektdateien inklusive Lasten- und Pflichtenheft hochgeladen wurden. Immer dieses scheinheilige "man müsse erst alles wissen". Klare Frage -> klare Antwort. Aber da muss man halt leider etwas wissen und kann nicht nur labern.
Die ersten Radios, Fernseher und sogar Stereoanlagen enthielten häufig hand-selektierte Transistoren. Selbst die Dioden wurden teilweise von Hand nach ihren Eigenschaften sortiert und ausgewählt. Für Massenproduktion möchte man diesen aufwändigen Vorgang sicher vermeiden. Wir sind hier allerdings in einem Forum, wo die meisten Teilnehmer über ihr Hobby Diskutieren. Solange nicht anderes gefragt ist, würde ich euch allen empfehlen, von Hobby-Projekten und kleinst-Serien auszugehen. Also, immer schön den Ball flach halten. Was der Hersteller in seinem Datenblatt verspricht, hat der TO ja längst zur Kenntnis genommen.
Karl schrieb: > Jede Wette das aus der Richtung absolut nichts hilfreiches mehr kommt. Naja von dir auch nicht. Oder seid ihr etwa die gleiche Person? Karl schrieb: > Homo Habilis schrieb: >> Hast Du bei allen FETs die V(ds) unter geplantem Laststrom >> und bei 5V V(gs) gemessen, Verluste berechnet, >> und bist mit dem R(ds) im Abschnürbereich glücklich? > > Ja, alle unter geplantem Laststrom und bei 5V VGS gemessen. Verluste > wurden auch berechnet und der Rdson passt. Und wie lautet dann nun die > Antwort nach Klärung dieser Fragen? Warum schreibt ausgerechnet ein "Karl" etwas das eigentlich vom TO stammen müsste? Woher weist du das?
Wolfgang schrieb: > Für Nachbausicherheit... Steakholder schrieb: > wenn > man in 1-2 Jahren mal die Produktion erneut anwirft... Richtig, ist aber ein Einzelstück, daher kein Problem. Stefan U. schrieb: > Also, immer schön den Ball flach halten. Dein Wort in Gottes Ohr. *Deckung vor militanten Mit-Atheisten aufsuch D'oh! schrieb: > Warum schreibt ausgerechnet ein "Karl" etwas das eigentlich vom TO > stammen müsste? Woher weist du das? Wundert mich auch, da die Antwort aber punktgenau trifft, was solls, der Diskussion hats gut getan. D'oh! schrieb: > Karl schrieb: >> Jede Wette das aus der Richtung absolut nichts hilfreiches mehr kommt. > > Naja von dir auch nicht. Oder seid ihr etwa die gleiche Person? IMO hat Karl wie gesagt bereits kontruktiv beigetragen, danke dafür.
D'oh! schrieb: > Karl schrieb: >> Jede Wette das aus der Richtung absolut nichts hilfreiches mehr kommt. > > Naja von dir auch nicht. Oder seid ihr etwa die gleiche Person? Da kann ich nicht widersprechen. Wir beide haben hier nicht wirklich inhaltlich etwas beigetragen. Ich bin aber weder der TO noch der homo D'oh! schrieb: > Warum schreibt ausgerechnet ein "Karl" etwas das eigentlich vom TO > stammen müsste? Woher weist du das? Naja, es ist doch hier immer das Gleiche. Es wird rumlamentiert und sich wichtig getan, aber halt doch nichts gesagt. Und statt eine Diskussion vom Zaun zu brechen in dem man sagt, dass er einfach mal damit rausrücken soll, wenn es so wäre das alles abgeklärt ist, kann man ja auch einfach frech behaupten es wäre alles abgeklärt (was ja sogar so war, wie der TO dann bestätigte). Ich verstehe einfach nicht was einige hier haben. Warum kann man nicht so wie Hp M. einfach schreiben was man dazu weiß und wenn es dann noch Dinge gibt die ggf. problematisch sein könnten schreibt man sie dazu. So wie Hp M. es gemacht hat. So ist es doch echt klasse. Stattdessen wird hier immer so getan, als wäre der TO zu blöd dazu die Zusammenhänge selber zu erkennen, wenn man schreibt was es noch für Fallstricke geben könnte. Es wird dann eine völlige Offenlegung von allem gefordert, weil außer diesen Großgeistern hier niemand in der Lage wäre das dann einzuordnen. Nach Sichtung der Fakten geben sie dann EVENTUELL großzügig ihren Rat dazu ab. Was aber in Wirklichkeit fast immer passiert ist, dass ein Nebenschauplatz eröffnet wird und versucht wird dort den TO zu zerfleischen, weil er ja an irgendetwas gar nicht gedacht hat. Eine Antwort auf die Frage wird dabei immer noch nicht gegeben. Genauso wie hier. Es wird großspurig nachgehakt und wenn dann dummerweise alles mit "ja" beantwortet wird, dann wird es ganz still um die großen Denker hier. Warum das so ist kann sich wohl jeder selber denken.
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