74HCT03 pull down

[ChristophK (Gast)]

Ich will mit einem 74HCT03 (O.C. NAND) eine Spannung runterziehen, die 
höher ist, als die Versorgungsspannung (+5V). Geht das?

Grüße
Christoph

[HildeK (Gast)]

Nein. Datenblatt? Dort steht als max. Spannung VCC für den Ausgang.
Du hast 35V-12V= 23V, liegt deutlich darüber.
So was macht man mit einem zusätzlichen Transistor.

[ChristophK (Gast)]

HildeK schrieb:
> Nein. Datenblatt? Dort steht als max. Spannung VCC für den
> Ausgang.
> Du hast 35V-12V= 23V, liegt deutlich darüber.
> So was macht man mit einem zusätzlichen Transistor.

OK. Danke.
--
Christoph

[michael_ (Gast)]

Wenn es passt, schau dir mal den 74LS06 an.
Geht bis 30V.

[Wolfgang (Gast)]

Oder einen BC546, geht bis 80V und Strom verträgt der auch deutlich 
mehr.

Das Runterziehen der Spannung ist bestimmt kein Selbstzweck.
Was ist den das Ziel der Aktion?

Alleine die Z-Diode an der Stelle ist schon sehr merkwürdig. Die 35V 
dürfen jedenfalls nicht von einer (idealen) Spannungsquelle kommen. 
Sonst ist Ungemach absehbar.

[ChristophK (Gast)]

Wolfgang schrieb:
> Oder einen BC546, geht bis 80V und Strom verträgt der auch
> deutlich
> mehr.

BC846A nehme ich in der Tat.


>
> Das Runterziehen der Spannung ist bestimmt kein Selbstzweck.
> Was ist den das Ziel der Aktion?
>
> Alleine die Z-Diode an der Stelle ist schon sehr merkwürdig. Die 35V
> dürfen jedenfalls nicht von einer (idealen) Spannungsquelle kommen.
> Sonst ist Ungemach absehbar.

Die 35V haben noch einen 15k Vorwiderstand davor.
Mit idealen Spannungsquellen arbeite ich im wirklichen Leben nicht :)

Ich poste nachher mal die Schaltung. Vielleicht kann Schwarmintelligenz 
sie ja noch optimieren. :)


--
Christoph

[Axel S. (a-za-z0-9)]

HildeK schrieb:
> Datenblatt? Dort steht als max. Spannung VCC für den Ausgang

Wenn es ein vernünftiges Datenblatt ist, enthält es auch den relevanten 
Teil der Innenschaltung, nämlich das, was jeweils an den Ein- bzw. 
Ausgängen der Gatter sitzt. Beim Ausgang kann man daraus ableiten, daß 
die Body-Diode eines p-MOSFET zwischen Ausgang und Vcc liegt. Bei (zu) 
hoher Spannung am Ausgang leitet diese Diode.

[ChristophK (Gast)]

Axel S. schrieb:
> HildeK schrieb:
>> Datenblatt? Dort steht als max. Spannung VCC für den Ausgang
>
> Wenn es ein vernünftiges Datenblatt ist, enthält es auch den relevanten
> Teil der Innenschaltung, nämlich das, was jeweils an den Ein- bzw.
> Ausgängen der Gatter sitzt. Beim Ausgang kann man daraus ableiten, daß
> die Body-Diode eines p-MOSFET zwischen Ausgang und Vcc liegt. Bei (zu)
> hoher Spannung am Ausgang leitet diese Diode.


Der 74HCT03 ist kein Muß, wenn es eine andere Familie gibt, die höhere 
Spannung erlaubt, hätte ich auch nichts dagegen, aber der Stromverbrauch 
war ursprünglich ausschlaggebend für HC. Aber die Schaltung ist noch 
nicht fertig. Sie folgt hier.

Darin befindet sich jetzt kein IC mehr, sondern der Aufbau besteht aus 
diskreten Transistoren. Mir läge daran, die Zahl der Transistoren und 
Dioden zu minimieren.


--
Christoph

[ChristophK (Gast)]

Hier noch mal eine Grafik. Der untere Teil ist nur eine andere 
XOR-Schaltung, die ich als ALternative hinzugefügt habe.

[ChristophK (Gast)]

Vdd=35V