Ich habe einen recht großen permanenterregten Synchronmotor (bzw. BLDC, ist ja das Gleiche): Nennleistung 18 kW bei 2500 U/min, mechanisch bis 6000 U/min zulässig, verträgt im Kurzzeitbetrieb bis zu 200 A bei bis zu 200 V, wobei ich mir noch nicht ganz schlüssig bin, welche Zwischenkreisspannung ich nehmen will (Vielfache üblicher Batteriespannungen im Bereich zwischen knapp 120 V, was bei DC noch Kleinspannung wäre, und den genannten 200 V kommen in Frage, aber das ist nicht meine Kernfrage hier) Der soll mit drei MOSFET-Halbbrücken angesteuert werden. Angenommen, ich habe mich für eine Zwischenkreisspannung entschieden, um wie viel Prozent sollte die Spannungsfestigkeit der MOSFETs höher sein, niederinduktiver Aufbau der Verbindungen zwischen den MOSFETS und von da zum Zwischenkreiskondensator vorausgesetzt? Ich will keine MOSFETs killen, aber auch nicht unnötig überdimensionieren, weil sonst der Rds_On zu groß oder die MOSFETs unnötig teuer werden (sind sowieso schon nicht billig)
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Steffen schrieb: > Angenommen, ich habe mich für eine Zwischenkreisspannung entschieden, um > wie viel Prozent sollte die Spannungsfestigkeit der MOSFETs höher sein, 20%.
Vielen Dank!
>> Angenommen, ich habe mich für eine Zwischenkreisspannung entschieden, um >> wie viel Prozent sollte die Spannungsfestigkeit der MOSFETs höher sein, > 20%. Mutig. Nur Chinesen sind da noch mutiger...
Maximale Spannung mal 1,5 mindestens. Bei bspw. 80V ZK Spannung währen das 120V fähige MOSFET. Wenn dein Layout steht und du erste Messungen an deinem Prototypen machen kannst, kannst du evtl andere Typen nehmen. Kommt auch viel auf parasitäre Effekte an wie hoch die Überschwinger werden.
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