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Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik Möglickeit Gate-Source Spannung zu begrenzen?


Autor: trude (Gast)
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suche eine Möglickeit Gate-Source Spannung zu begrenzen, am einfachsten
wäre eine Z-Diode parallel zu Gate-Source, aber die können zu wenig
Strom.

Hat jemand schon mal so was aufgebaut?

(siehe auch: Beitrag "Mosfet-Treiber so in Ordnung ?")

Autor: zotti (Gast)
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Was soll das bringen ? Strom in eine ueberdimensionierte Z-diode lassen 
? Besser man vermeidet das.

Z.

Autor: trude (Gast)
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ja aber wenn Ubatt = +35V raucht Q1 aufjedenfall ab

Autor: Tim (Gast)
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Besser zum Gate treiben eine separate 12 V Spannung verwenden?
Ich vermute du siehst Probleme bei den genannten 5 bis 35 V 
Eingangsspannung mit der Spannungsfestigkeit der gates?

Autor: Falk (Gast)
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>suche eine Möglickeit Gate-Source Spannung zu begrenzen, am einfachsten
>wäre eine Z-Diode parallel zu Gate-Source, aber die können zu wenig
>Strom.

??? Es gibt 1,3W Z-Dioden bei Reichelt. Passender Vorwiderstand (oder 
besser Stromquelle) und fertig.

MFG
Falk

Autor: trude (Gast)
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@Tim, ja genau dass Problem ist die hohe Eingangsspannung und dass ich 
dass Gate jeweils nach Masse ziehe beträgt Ugsmax = 35V

was meinst du mit "Besser zum Gate treiben eine separate 12 V Spannung 
verwenden?"

Autor: Uwe Nagel (ulegan)
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Diese Schaltung taugt nur für Versorgungsspannungen, die die maximale 
Vgs der FETs nicht überschtreiten.
Nehmen wir mal an, die wäre 15V, dann muss der Vorwiderstand, das ist 
der mit 100 Ohm, die 20V Differenz zwischen 35 und 15V verbraten. Dabei 
fliesst ein Strom von 200mA durch ihn hindurch und heizt ihn mit 4W!
Der Strom fliesst weiter durch die Z-Diode, die verbrät nochmal 3W. Die 
Treibertransistoren dürften bei 200mA auch an ihre Grenzen kommen.
Passende Teile gibt es zwar, aber du willst sicherlich nicht 7W 
Steuerleistung verbaten, oder?
Man bräuchte für jeden FET eine Z-Diode zwischen Gate und Source, der 
Vorwiderstand muss auch zweimal eingebaut werden.
Das wird so nichts, überleg dir eine andere Schaltung, eventuell mit 
einem Halbbrückentreiber von IR.

Autor: Matthias (Gast)
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hallo trude:
ich dachte ich hätte dir meinen schaltungsentwurf zu dem problem in dem 
anderen topic schon zukommen lassen??

Autor: trude (Gast)
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@Matthias

jein, dass mit UGS größer 20V ist dort nicht berücksichtigt, oder liege 
ich da falsch?

Autor: Matthias (Gast)
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@ trude, doch. die Ugs wird auf 12V begrenzt, siehe Z-diode D4

Autor: Matthias (Gast)
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aber diese schaltung geht nur für den P-FET. für den N-FET brauchst du 
ne gesonderte Ansteuerschaltung

Autor: gast (Gast)
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@matthias aber wenn ich auf Dauer größer wie die Ugs = 20V bin, muss 
doch die Z-Diode die ganze Leistung verheizen

Autor: Matthias (Gast)
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nein. nicht alles. nur einen Teil, da die Z-Diode ja immer einen 
Vorwiderstand hat. Und eine Last gibt es trotzdem ja auch noch...

Autor: trude (Gast)
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ich habe die folgende Schaltung mal aufgebaut (siehe "Uout sicher auf 
GND ziehen.png"), leider habe ich gewisse Störungen wenn ich den zweiten 
P-Kanal anschließe (siehe "tek001.png").

Kann ich das mit einer Spule eventuell kompensieren?

Autor: trude (Gast)
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