Hallo, ich beschäftige mich gerade mit SDRAMs. Mit den Signalen DQM, LDQM wird das Masking der In/Out Pins durchgeführt. dies ermöglicht das gezielte Sperren der Datensignale während eines Bursts für einen Teil der IO-Pins - was bedeutet das? Und ein SDRAM ist intern in Banks unterteilt - z.B. 4 Stück... dadurch kann ich nacheinander 4 zeilen anwählen, diese bereits laden und ohne große zeitliche verzögerung nacheinander direkt rauslesen oder beschreiben? Patrick
http://www.micron.com/support/designsupport/documents/technotes da hats mehrere Applikationsschriften zu SDRams Komisch, dass plötzlich alle sich mit SDRAM befassen... Beitrag "Refresh-Mode SDRAM" Beitrag "Precharge-Command bei SDRAM"
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