AD11 1 C 1 GND AD9 2 V+ GND AD7 % 1 5 -SHUTDOWN2 52.4B< 66.3J< GND AD4 1 HYST -OS OUT 67.1C< GND F 1 LM26 U TEST1 3 . VTEMP U1 0 GND TP8 N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N LM26CIM5_XPA 2 G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G G 0.5 2 (105
U8 Netzteil liefert ca. 600mA CN9 SI1 U3 B40C1000 C142 U12 SRP 6 100mAT 12V/10VA 4700uF/25V LM2941 Stromverbrauch 4 5 +12V ------------------------ 230V 1 IN OUT R2 Esc Down Up Enter Licht 2 D 10k Mondlicht: 140mA 3 2 N 1 Relais: 200mA (4 x 50mA) CO2 4 C141 ON G ADJ C141 C142 Backlight: 130mA
betrachteten Studien (Abbildung 2) bewegt sich bei mittleren Erzgehalten (Erzgehalt von 0,15 % bis 0,26 %) zwischen 2 % und 50 %. Die aktuelle Studie von ISA (2006) ermittelt bei der Energieintensität eine Bandbreite von 10 % bis 30 %, mit einem Mittelwert von 18 %. 160% 150% 140% 120% ] [ p100% u i r
eine maximale Rest lungen mit den Trimmern R 15, R26 nungsabfall exakt ausgleicht. sowie R 35 zu wiederholen. Sollte der Abgleichbereich zu klein sein, spannung von 0,3 mV zulässig ist. Die Nach Abschluß der gleichspannungsmä ist mit Sicherheit der Widerstandsdraht
default UV setting (UV = 4 V) is set using the resistor divider described in Equation 37, which gives R26 = 24 kΩ, 23.7 kΩ was chosen. R ´ UV R 26 = 24 ref UV 1- UV ref (37) The last UV setting (UV = 7 V) is set by adding R25 in parallel to R26. Equation 38 gives R25 = 21.6 kΩ, 21.5 kΩ was chosen. R = R 24 ´UV ref´ R26 25 R 26´(UV 2 -UV ref)- R24 ´ UV ref (38) 4.3.4 Layout Guidelines Please refer to page 31 of the TPS24750 datasheet and Figure 106. Pay special attention to the layout for the sense resistor R . SENSE
SMt ceramic package with silicon Silikonverguss und Linse resin with lens Typischer Lichtstrom: 74 lm bei 350 mA und typical Luminous Flux: 74 lm at 350 mA and bis zu 127lm bei 700 mA (4000 K) up to 127 lm at 700 mA (4000 K) Besonderheit des Bauteils: Kompakte feature of the device: small size high-flux
27 RE3 2 VI VO 1 IO: 2 500 Strom ist schneller als 360VFIL.Also erst Strom messen 5 A1/PC1 PB0/D8 26 LI4 C3 GND C2 - 2x Neutral zur Strommessung dazwischen MOV 2 K4 1 K4 3 2 und 50µs später die Spannung, damit sie passen. LI1 6 A2/PC2 PD7/D7 25 RE4 100n 3 100n - Line ungefiltert zur Profilanalyse und
520 lm/W. 6. The 565 nm input irradiance is supplied by a GaP light-emitting diode with the following characteristics: peak wavelength p= 565 nm, spectral halfwidth λ ‰ = 28 nm, and luminous efficacy = 595 lm/W. 7. The 640 nm input irradiance is supplied by a AlInGaP light-emitting diode with the following characteristics: peak wavelength p= 640 nm, spectral halfwidth λ ‰ = 17 nm, and luminous efficacy =
circuit diagram +5V +5V k 0 0 1 1 k 1 0 2 1 R 4 R R 5 R R R6 100k 1 Q1 C 1 n 8 0 D D B 8 U1A 1 4 3 LM393 3 4 + 1 Rx 0 0 D L J1 V V 1 4 3 2 - A B 1 T 1 B O 5 I 6 8 4 2 H 4 1 2 3 S D L k L 4 NET 2 5 6 R D D 0 0 4 1 1 1 - A A O 6 B B I 1 H 5 2 3 2 F R8 200R P Q21 S Tx C B R 3 0 1 9 R 0 0 0 Figure 4. Ballast
9 D25 4148 D? C11 A1743 A1983 1 0 Q17 3 3 150R 7 1 7 1 R 1 R 3 4148 47pF Q18 TIP42C 4 R 4 R BD139 D26 4148 D10 4007 C12 100\63 0 K A92 1N4007 D33 4 6 1 9 2 9 3 R R 5 4 K 4 K 4 0 R 3 R 3 R 1 100R CN9 4 0 T 1 D 4 R44 R 2 -B P C T O 2 R45 CN10 P C 100R 9 W C13 2 9 3 9 R 0 R46 4N25 U3 R47 +B 4 / 1 K 5 K
6 7 8 + 8 3 1 1 1 1 1 2 3 + 2 3 4 5 6 JP2 2 2 2 2 2 D 2 1 1 29 AIN1/P1.0 / / / / / V TX/CTSN/P0.0 26 R R T 2 30 M M M M M 25 A 3 31 RX/AIN2/P1.2 W W W W W SPISS/RX/RTSN/P0.1 24 BK_CSN U 4 32 TX/AIN3/P1.3 P P P P / SPISS/PWM5/P0.4 23 BK_MOS 1 CPN0/AIN4/P1.4 O MOSI/P0.5 22 CPP0/AIN5/P1.5 P MISO/P0.6 BK_MIS
6 7 8 + 8 3 1 1 1 1 1 2 3 + 2 3 4 5 6 JP2 2 2 2 2 2 D 2 1 1 29 AIN1/P1.0 / / / / / V TX/CTSN/P0.0 26 R R T 2 30 M M M M M 25 A 3 31 RX/AIN2/P1.2 W W W W W SPISS/RX/RTSN/P0.1 24 BK_CSN U 4 32 TX/AIN3/P1.3 P P P P / SPISS/PWM5/P0.4 23 BK_MOS 1 CPN0/AIN4/P1.4 O MOSI/P0.5 22 CPP0/AIN5/P1.5 P MISO/P0.6 BK_MIS
connected to 5V. For Sourcing tests, 5V ≤ V ≤ 10V. For Sinking tests, 0.5V ≤ V ≤ 5V. CM L O O + Note 26: Connected as Voltage Follower with 1.0V step input. Number specified is the slower of the positive and negative slew rates. Input referred, V = 10V and R L= 100 k connected to 5V. Amp excited with 1
connected to 5V. For Sourcing tests, 5V ≤ V ≤ 10V. For Sinking tests, 0.5V ≤ V ≤ 5V. CM L O O + Note 26: Connected as Voltage Follower with 1.0V step input. Number specified is the slower of the positive and negative slew rates. Input referred, V = 10V and R L= 100 k connected to 5V. Amp excited with 1
RT FB 6 C6 3 VCC GND 4 15n/10V B GND GND B Value for R3 (1/fsw - 83ns)/77pF C4 GND GND 12k ~ 1MHz 3 LM5001MA/NOPB 25k ~ 500kHz R 1µ/10V 129k ~ 100kHz GND GND GND D2 VUSB VIN P DFLS240 2 1 T 3 2 1 5 3 JP10 + + IC11 Q1 D3 IRLML5203 1 IN OUT 5 VCAN0 S D C DFLS240 P C16 3 EN C 2 R11 G 2 1 T +C15 1µ/10V 2
1 2 3 4 U1U1LM317KC PIU103 PIU102 +out A +30 0 IN OUT I1 A 2 C1 ADJ P02 I0CO2 1µ U0 R1R 1µ P0300 GND GND P0 OC1 P2 C15 10µ GND GND B B RA2 5 4 3 2 11 GND S D s B A U2U2 A1A C G V AD5290 GND PIA108 COR247 K I O d GND PIA107 R2 PIR201 PIR2022 C S S V W CS2P 5 A 1 R26 47 CLK22P I A 1 0 4 R8 PIR801 PIR8028 P677889911 CS1PIA103 R9 RA8 SDI1PI1102 R4 47 RA9 +30 CLK1 P I A 1 0 1 R9 PIR901 PIR9029 C seriell_prog_female C R2 2,2k R6R R1 +30 Title D D Size Number Revision
270 10k C9 C11 C13 C14 100µ/15V 10p 22p 22p 10p 1 GND D R6 L GND GND GND GND GND 1k 1 6 8 1 IC1 +C26 R1 R2 R4 10k 220k 10k C4 S P A N GND B 100µ/15V 18 B A C10 B MIC_IN V 3 GND C2 470n 5 AF_OUT P1 J3-1 T1 C7 PTT 17 470n IC3 AUDIO_IN BC547EBC 470n D TXD J8-1TXD 1 J3-2 N / 16 E C12 VS G H RXD J8-2RXD
270 10k C9 C11 C13 C14 100µ/15V 10p 22p 22p 10p 1 GND D R6 L GND GND GND GND GND 1k 1 6 8 1 IC1 +C26 R1 R2 R4 10k 220k 10k C4 S P A N GND B 100µ/15V 18 B A C10 B MIC_IN V 3 GND C2 470n 5 AF_OUT P1 J3-1 T1 C7 PTT 17 470n IC3 AUDIO_IN BC547EBC 470n D TXD J8-1TXD 1 J3-2 N / 16 E C12 VS G H RXD J8-2RXD
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