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K30H603.pdf
=400V, VGE15/0V, I C30A, (C =0.43mA) rG=10,5 , test circuit in Fig. E) 9 Rev. 2.2, 2014-03-12 IKW30N60H3 High speed switching series third generation 5 3.0 E E E off Eoff on on E ts Ets ] ] 2.5 J 4 J S S S S S S 2.0 O O 3 G G R R E E 1.5 E E N 2 N H H C C 1.0 I I W W E 1 E 0.5 0 0.0 5 10 15 20 25 30
in „Inverter Schweißgerät, Alternative IGBTs kompatibel? (Datenblätter inside)“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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LTC4365.pdf
l 6 30 µA SHDN = 2.5V, VIN= VOUT l 100 250 µA VIN –40V, V OUT= 0V l 20 50 µA GATE ΔV N-Channel Gate Drive V = V = 5.0V, I = –1µA l 3 3.6 4.2 V GATE IN OUT GATE l (GATE-VOUT) VIN= VOUT = 12V to 34V,GATE= –1µA 7.4 8.4 9.8 V IGATE(UP) N-Channel Gate Pull Up Current GATE = VIN V OUT = 12V
in „LTC4365 - FAULT-Pin current sink?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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LS0208UD06.pdf
mode: I N Contrast Ratio (transmissive) E -20°C 25°C 55°C I ▯ ▯ Min. Typ. Min. Typ. Min. Typ. N O 0° 0° 14 25 40 70 42 73 C 15° 270° 18 32 16 28 11 19 Y 30° 0° - 2 - 4 - 4 A 90° - 2 - 4 - 4 P 180° - 7 - 7 - 6
in „The Siemens S65 132x176, 65536 color display with AVR“ · Projekte & Code ·
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DS_UJ3N120070K3S-1530204.pdf
at TJ= -55°C at TJ= 25°C 60 1.E-03 Vgs = 2V Vgs = 0V 50 ) Tj = -55°C Vgs= - 2V ( Tj = 25°C ) Vgs = -4V D1.E-04 ( Vgs = -6V t Tj = 125°C ID40 Vgs = -8V n t r Tj = 175°C e Vgs = -10V u r 30 C1.E-05 C g n k r 20 e D L i1.E-06
in „SiC Kaskoden Body Diode“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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mmbt4401-d.pdf
B2 = 15 mA 30 ns f Note: 5. Pulse test: pulse width ≤ 300 μs, duty cycle ≤ 2.0%. www.onsemi.com 3 2 N 4 4 Typical Performance Characteristics 0 1 / M ) ( M I E B G500 A0.4 T T VCE 5V L 4 E O β = 10 4 R400 V 0 U E0.3 1 C 125 °C T — D300 M S -0.2 125 °C N U200 R P P 25 °C T 25 °C N A E I100 L0.1 G P -
in „moderner Ersatztyp für BC550 Audio low noise gesucht“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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LM158.pdf
LM158A LM358A LM158/LM258 Units Min Typ Max Min Typ Max Min Typ Max Input Offset Voltage (Note 5), T = 25˚C 1 2 2 3 2 5 mV A Input Bias Current IIN(+)r IN(−)TA= 25˚C, 20 50 45 100 45 150 nA V CM = 0V, (Note 6) Input Offset Current IIN(+) IN(−) CM = 0V, TA= 25˚C 2 10 5 30 3 30 nA + + + + Input Common-Mode
in „Strommessung mit LM358“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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L4971.pdf
temperature Iq D97IN724 D97IN731 (mA) Iq (mA) 200KHz R1=22K 200KHz C2=1.2nF 5 R =22K 5 1 C2=1.2nF 100KHz R 120K 4 C =2.7nF 4 100KHz 2 R1=20K C2=2.7nF 3 3 0Hz 0Hz V =35V CC 2 2 0% DC Tamb=25˚C 0% DC 1 1 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 Vcc(V) -50 -30 -10 10 30 50 70 90 110 Tj(
in „L4791 Step-down stirbt - wieso?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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MCU_-_HR8P506_Datasheet_e.pdf
/COM5 2 PA24/MOSI1/RXD0/T16N1_0/SEG10 3 2 PA7/T16N0_1/AN13/COM6 0 PA25/MISO1/TXD0/T16N1_1/SEG11 4 2 PA6/T16N0_0/AN12/COM7/LVD_IN 1 0 PA26/SCK1/RXD0/T16N_BK2/SEG12 4 2 PA5/SDA0/MOSI1/AN11 PA27/NSS1/TXD0/T16N_BK3/SEG13 4 9 1 PA4/SCL0
in „Re - Programmierung eines Cortex M0“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Ferroxcube_Data_Handbook.pdf
halves for general purpose transformers and power applications Clamping force for AL measurements, 5 ±2 N. A L AIR GAP GRADE (nH) µe (µm) TYPE NUMBER 3C96 275 ±25% ≈ 1030 ≈ 0 E5.3/2.7/2-3C96 3F3 265 ±25% ≈ 990 ≈ 0 E5.3/2.7/2-3F3 3F35 225 ±25% ≈ 840 ≈ 0 E5.3/2.7/2-3F35 3F4 165 ±25% ≈ 615 ≈ 0 E5.3/2.7/2-3F4
in „Maximale Magnetflussdichte im Ferritkern Temperaturangabe“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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74HC4052.pdf
to use these devices only for transmitting digital signals. 3. All typical values are measured at= 25 °C. amb 2004 Nov 11 12 Philips Semiconductors Product specification Dual 4-channel analog multiplexer, 74HC4052; 74HCT4052 demultiplexer handbook, full pagewidth HIGH (from select input) V nYn nZ Vis=
in „Audiosignale mischen bzw. mehrere Töne überlagern“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Infineon_IRLB8721_DataSheet_v01_01_EN-3363432.pdf
Voltage 1000 1000 OPERATION IN THIS AREA LIMITED BY R (on) ) ) DS ( ( n 100 n 100 100μsec e T = 175°C e u J u C C 1msec i r 10msec r 10 u 10 e S r T = 25°C t v J n e r , D D 1 , 1 T = 25°C IS ID C TJ= 175°C VGS = 0V Single Pulse 0.1 0.1 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
in „LED Ansteuerung für Lazertag Projekt“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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WVC-600_SJS_Cert_EN_62109_Report.pdf
the array N/A - providing external residual current detection devices N/A - requiring an external isolation transformer, N/A 5.3.2.4 Transformers required but not provided N/A TRF No. IEC62109_2B Page 11 of 25 Report
in „Mikrowechselrichter WVC Zertifikate“ · Haus & Smart Home ·
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NTS4409N-D.pdf
Switching characteristics are independent of operating junction temperatures. http://onsemi.com 2 NTS4409N, NVS4409N TYPICAL PERFORMANCE CURVES (TJ= 25°C unless otherwise noted) 3.2 3.2 8 V TJ= 25°C V DS≥ 10 V ) ) P 4.5 V P M2.4 3 V M2.4 ( ( T 2.5 V V = 2 V T N GS N R R R1.6 R1.6 U U C C I I R R D,.8 D,.8
in „SMD Identifizieren“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IGBT_Datenblatt.pdf
(th) IC = 0.29mA, V CE V GE 4.1 5.1 5.7 V V CE 600V, V GE0V Zero gate voltage collector current CES T vj 25°C - - 40.0 µA T vj 175°C - - 1500.0 Gate-emitter leakage current GES V CE 0V, V GE20V - - 100 nA Transconductance g V = 20V
in „Verluste eines IGBTs mit integrierter, antiparalleler Diode“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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nightsky_arx15.pdf
VSS VDDQ J2 g N1 VSS VDDQ K13 B G0:K4G41325FE-HC25 / G1R/G2R:K4Z80325BC-HC14 ▯ G0:K4G41325FE-HC25 / G1R/G2R:K4Z80325BC-HC14 ▯ N5 N12 K2 B a TCK F10 N14 VSS VDDQ L1 i TDI VSS VDDQ Close to DRAM FBVDDQ TDO N10 N3 VSS
in „SMD TGAJ TVS Diode USB“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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tas5729md.pdf
, see the orderable addendum at the end of the data sheet. Signal Processing Flow Power at 10% THD+N vs PVDD 14 TA= 25°C 12 )0 r P8 t O6 4 RL = 8Ω, THD+N = 1% RL = 8Ω, THD+N = 10% 2 RL = 4Ω, THD+N = 1% RL = 4Ω, THD+N = 10% 0 8 10 12 Supply Voltage (V) 24 C002 NOTE: Dashed lines represent thermally limited
in „Leistung und Bitanzahl für Musik via BT“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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pm2519ocr.pdf
c e eee e n c e s 21D 2 4 S . C o n t r v 0o. .l. oie. n espe ctu s veeceeecteveeteveeteneeteerterenss 224 2 4 6 , R A M e e e ee ee c r e e ce eeet a n e t t e e e t e e e t e e e ee s s e s2 2 2 25. Display 2
in „Pjilips PM2519“ · Markt ·
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SPP80N06S2L-07.pdf
Logic Level • dv/dt rated •=175°C operating temperature Type Package Ordering Code Marking Pin 1 PIN 2/4 PIN 3 SPP80N06S2L-07 P-TO220-3-1 Q67040-S4285 2N06L07 G D S SPB80N06S2L-07 P-TO263-3-2 Q67040-S4288 2N06L07 Maximum Ratings,at T j 25 °C, unless otherwise specified Parameter Symbol Value Unit Continuous
in „Transistor (Mosfet) Temperatur“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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FQPF6N90C.pdf
sPulseTest -2 -1 10 -1 0 1 10 10 10 10 2 4 6 8 10 V ,Gate-SourceVoltage[V] V DSrain-SourceVoltage[V] GS Figure 1. On-Region Characteristics Figure 2. Transfer Characteristics 4.5 4.0 101 e n V =10V A t3.5 GS t ] s e Ω[ R u N n3.0 VGS20V C S O
in „Suche MOSFET und passenden Treiber mit galvanischer Trennung für Schaltnetzteil“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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IPD053N06N_Infineon.pdf
single pulse -1 10 0.01 10 -1 100 101 102 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 VDS [V] p [s] Rev.2.2 page 4 2012-12-20 IPD053N06N 5 Typ. output characteristics 6 Typ. drain-source on resistance I =f(V ); T =25 °C R =f(I ); T =25 °C D DS j DS(on) D j parameter: V GS parameter: V GS 180 16 10 V 7 V 160 6 V 14
in „12V mit Logic Mosfet schalten - funktioniert nicht“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Handbuch_hager_DE_Internet.pdf
Leitungsschutzschalter HLS SLS Bemessungsstrom 0.5 – 63 A 0.5 – 125 A 16 – 100 A Bemessungsschaltvermögen 6, 10, 15 - 25 kA 15, 30, 50 kA 25 kA Auslösecharakteristik B, C, D C, D CS, E Polzahl 1-, 2-, 3-, 4- polig 1-, 2-, 3-, 4- polig 1-, 3-, 4- polig 1P+N, 3P+N 24 Technische Änderungen vorbehalten Technisches Handbuch
in „20A nach 25A“ · Haus & Smart Home ·
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AG101.pdf
C=56 pF 2 , S11 -15 1 S 10 -20 ID=L2 L=10 nH 9 -25 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2 2.2 2.4 2.6 Frequency (GHz) Circuit Board Material: .014” FR-4, 4 layers, .062” total thickness Reference Design: 70 MHz +4.5 V C=1e4 pF 17 0 16 -5 L=180 nH ) ) 15
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grasshopper_schematic.pdf
Träger 11.02.2008 CHECKED: DATED: LAST SAVED Karsten Stork 11.02.2008 11.02.2008 SHEET: 3 OF 7 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 A A GND 15p 15p C37 C38 GND Y1 25MHz Y_HC49/4HSMX s C106 i 100n T U2 C t R40 R41 e 42 REF_CLK/XT2 XT1 43 CLK25 [1] 49R9 49R9 l C28 R98 0R c 10n J2 [1] ETH_TXD3 17 TXD3
in „Grasshopper Inbetriebnahme“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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LTC224210fc.pdf
7 8 9 0 1 3 4 5 6 7 8 9 0 1 2 + –1 N E C C 20 12 2 D 2 3 4 5 6 7 N N D O N N D D N V D D D D D D E E S D D C C O O 0 +0 1 1 2 2/ D D D D D D D D UP PACKAGE 64-LEAD (9mm × 9mm) PLASTIC QFN EXPOSED PAD (PIN 65) IS GND
in „Projekt Signal-Auswertung mit High-Speed-ADC“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Infineon-IPD180N10N3_G-DS-v02_03-en.pdf
t Z 0.02 101 1 ms 10-1 0.01 single pulse 10 ms DC 100 10-2 10-1 100 101 102 103 10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 10 0 VDS [V] tp[s] Rev. 2.3 page 4 2014-05-19 IPD180N10N3 G 5 Typ. output characteristics 6 Typ. drain-source on resistance ID=f(V DS); Tj=25 °C R DS(on)f(ID); Tj=25 °C parameter: V GS
in „MosFet; unterschiedliche Schaltzeiten aus Datenblatt und Simulation“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Lichttechnik_Richtwerte_und_Anwendungen_Teil_1_Spektralkurven.pdf
48 32 0,55 0,37 0 Schwarz 811 3) St 3 0 4 96 0 25 0,29 0 0 80870 90084 Black 3) St 4 0 4 96 0 25 0,29 0 0 Noir 3) St 5 0 4 96 0 25 0,29 0 0 3) St 6 0 4 96 0 25 0,29 0 0 3) St 8 0 4 96 0 25 0,29 0 0 3) St 10 0 4 96 0 25 0,29 0 0 3) N-St 12 0 4 96 0 25 0,29 0 0 3) N-St 15 0 4 96 0 25 0,29 0 0 3) N-St 20 0 4 96 0 25 0,29 0 0 Grau 812 3) St 3 <1 48 52 <1 <1 0 72680 Grey 837 1) St 3 10 4 86 9 9 48 60 0,69 0,55 0 Gris 1) St 4 10 4 86 9 9 48 60
in „Filterscheibe für rote LED-Displays“ · Mechanik, Gehäuse, Werkzeug ·
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NDS355AN.pdf
Figure 2. On-Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage . 1.6 2 E ID = 1.6A E1.8 VGS = 4.5 V C VGS = 4.5V N E A1.4 D T I S E I1.6 T = 125°C A S I S J M E A R1.4 R -1.2 M N N O R O ) E N E1.2 25°C O C ) C S U 1 o U 1 D O S O -55°C R - D -0.8 I0.8 R I R R D D0.6 0.6 0.4 -50 -25 0 25 50 75
in „nds355/nds356“ · Markt ·
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mic2950.pdf
IN C 5 T 150 T L = 150 mA T I = 150 mA N N N L C 100 C 5 E S S S 3 I 50 I I U U U Q Q Q 0 4 00 1 2 3 4 5 6 7 8 -75-50 -25 0 25 50 75 100 125 150 -75 -50 -25 0 25 50 75 100125150 TEMPERATURE (°C) TEMPERATURE (°C) INPUT VOLTAGE (V) Short Circuit
in „Spannungsstabilisieren“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Sti7105_SDK_Main_Board_V1.2.pdf
LMICLK1 LMID12 E26 A2 LMICLKN1 DDR_VREF 1.8V_DDR 1.8V_DDR G LMID13 E20 LMIDATA12 NOTLMICLK1 G LMID14 C25 LMIDATA13 E27 LMID15 F21 LMIDATA14 LMIVREF0 F13 CL2 100N connect LMIref0 LMIDATA15 LMI LMIVREF1 1G LMIDQM2 LMICKEN0 CL4 and LMIref1 as N N N N N N N N LMIDQS2 A8 LMIDATAMASK2 LMICLKEN0 C23 LMICKEN1 TP4
in „Motorola Vip19x0 (Big brother of Vip1710)“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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FAN7621-36163.pdf
=4V 3.8 5.0 6.2 μA C V OLP Protection Voltage V > 3.5V 4.5 5.0 5.5 V o OLP CON n VOVP LV CCOver-Voltage Protection LVCC > 21V 21 23 25 V o l VAOCP AOCP Threshold Voltage -1.0 -0.9 -0.8 V e f BAO AOCP Blanking
in „Verbindung einer Leuchtdiode mit einem Fototransistor erzeugen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Current_Ref._100uA.pdf
CURRENT SOURCE CURRENT SOURCE OUTPUT CURRENT vs VOLTAGE OUTPUT CURRENT vs VOLTAGE 101 100.5 100.8 100.4 100.6 100.3 100.4 ) )100.2 µ100.2 A100.1 t ( 25°C e 100 n 100 r r C 99.8 u 99.9 C 99.6 99.8 99.4 –55°C 99.7 99.2 99.6 125°C 99 99.5 0 5 10 15 20 25 30 35 40 0 1 2 3 4 5 Voltage (V) Voltage (V) CURRENT
in „Stromreferenz Beschaltung“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Strombelastbarkeit.pdf
Adern Nennquerschnitt Strombelastbarkeit I in A z in mm 2 maximal zulässiger Bemessungsstrom I in A n 1) 1,5 z 16,5 14,5 16,5 14 18,5 16,5 17,5 16 21 18,5 23 19,5 I 16 2 13 16 ) 13 16 16 16 16 20 16 20 16 n 2,5 z 21 19 19,5 18,5 25 22 24 21 29 25 32 27 n 20 16 16 16 25 20 20 20 25 25 32 25 4 I 28 25
in „Kleiner Elektromotor wiegt 350g und zeiht 100A im Dauerbetrieb“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Strombelastbarkeit.pdf
Adern Nennquerschnitt Strombelastbarkeit I in A z in mm 2 maximal zulässiger Bemessungsstrom I in A n 1) 1,5 z 16,5 14,5 16,5 14 18,5 16,5 17,5 16 21 18,5 23 19,5 I 16 2 13 16 ) 13 16 16 16 16 20 16 20 16 n 2,5 z 21 19 19,5 18,5 25 22 24 21 29 25 32 27 n 20 16 16 16 25 20 20 20 25 25 32 25 4 I 28 25
in „32A CEE Steckdose mit 25A absichern?“ · Haus & Smart Home ·
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LCC110-form-C.pdf
50, IL=120mA ) DC (N=50) 25 25 35 30 )20 )20 ) ( ( (25 n n n u15 u15 u20 C C C e10 e10 e15 v v v e e e10 D 5 D 5 D 5 0 0 0 1.2 2.0 2.8 3.6 4.4 5.2 1.2 2.0 2.8 3.6 4.4 5.2 400 420 440 460 480 500 520 LED Current (mA) LED
in „Optokoppler nicht invertierend ohne zusätzliche Schaltung am Ausgang“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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IRF3205Z.pdf
LD) 2 www.irf.com IRF3205ZS/L 1000 VGS 1000 VGS TOP 15V TOP 15V 10V 10V ) 8.0V ) 8.0V ( 7.0V ( 7.0V n 6.0V n 6.0V r 100 5.5V r 5.5V u 5.0V u 5.0V C BOTTOM 4.5V C BOTTOM 4.5V r r u u 100 S S t t n 10 n r r D D , , ID ID 4.5V 20µs PULSE WIDTH 4.5V 20µs PULSE WIDTH Tj = 25°C Tj = 175°C 1 10 0.1 1 10 100
in „Geiger Counter Sparkfun“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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OPV_LT1359CN.pdf
Step Temperature (Noninverting) (Inverting) 65 10 10 ) A VS= ±5V 8 10mV VS= ±15V 8 (60 AV= 1 10mV N 6 6 E 55 1mV R V 4 1mV ( 4 C 50 G G I I 2 I 2 C W W V = ±15V I 45 T 0 T 0 AS = –1 - SINK U P –2 V R 40 T –2 T H SOURCE O –4 O –4 10mV S 35 1mV U –6 –6 T 1mV U 30 –8 –8 O 10mV 25 –10 –10 –50 –25 0 25
in „Operationsverstärker (OPV) wird heiß als Summierer“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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OPV_LT1359CN.pdf
Step Temperature (Noninverting) (Inverting) 65 10 10 ) A VS= ±5V 8 10mV VS= ±15V 8 (60 AV= 1 10mV N 6 6 E 55 1mV R V 4 1mV ( 4 C 50 G G I I 2 I 2 C W W V = ±15V I 45 T 0 T 0 AS = –1 - SINK U P –2 V R 40 T –2 T H SOURCE O –4 O –4 10mV S 35 1mV U –6 –6 T 1mV U 30 –8 –8 O 10mV 25 –10 –10 –50 –25 0 25
in „Operationsverstärker (OPV) wird heiß als Summierer“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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LT1358__25MHz__LT.pdf
Step Temperature (Noninverting) (Inverting) 65 10 10 ) A VS= ±5V 8 10mV VS= ±15V 8 (60 AV= 1 10mV N 6 6 E 55 1mV R V 4 1mV ( 4 C 50 G G I I 2 I 2 C W W V = ±15V I 45 T 0 T 0 AS = –1 - SINK U P –2 V R 40 T –2 T H SOURCE O –4 O –4 10mV S 35 1mV U –6 –6 T 1mV U 30 –8 –8 O 10mV 25 –10 –10 –50 –25 0 25
in „defekte LT1358“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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LT1085.pdf
Current 10 1.27 100 A 9 90 ( T 8 ) A 80 E ( 1.26 ( R 7 E T 70 U A E G 6 L R 60 I 5 V U A T = 150°C E 1.25 N 50 E 4 J N P P TJ= 25°C R T 40 O 3 F U 30 U R 1.24 D I 2 A 20 I M 1 TJ= –55°C 10 0 1.23 0 0 5 10 15 20 25 30 35 –50 –25 0 25 50 75 100 125 150 –50 –25 0 25 50 75 100 125 150 INPUT/OUTPUT DIFFERENTIAL
in „Suche einstellbaren Spannungsregler mit niedriegen Eigenstromverbrauch“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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LT1084CP.pdf
Current 10 1.27 100 A 9 90 ( T 8 ) A 80 E ( 1.26 ( R 7 E T 70 U A E G 6 L R 60 I 5 V U A T = 150°C E 1.25 N 50 E 4 J N P P TJ= 25°C R T 40 O 3 F U 30 U R 1.24 D I 2 A 20 I M 1 TJ= –55°C 10 0 1.23 0 0 5 10 15 20 25 30 35 –50 –25 0 25 50 75 100 125 150 –50 –25 0 25 50 75 100 125 150 INPUT/OUTPUT DIFFERENTIAL
in „LT1083 Regelt nicht“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IL74.pdf
Figure 11. Normalized non-saturated HFE versus temperature g p base current and temperature A 105 n 1.2 - 104 E 70°C Normalized to: e H 50°C Ib = 20 A i 103 1.0 25°C Vce = 10 V m e Ta = 25°C r 102 l t a 0.8 -20°C e 101 Vce = 10V r o N C 100 TYPICAL - - E 0.6 o 10-1 H c N I 10-2 0.4 -20 0 20 40 60 80
in „Hilfe für Schaltung gesucht“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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IL74_ILD74_ILQ74_SIE.pdf
Figure 11. Normalized non-saturated HFE versus temperature g p base current and temperature A 105 n 1.2 - 104 E 70°C Normalized to: e H 50°C Ib = 20 A i 103 1.0 25°C Vce = 10 V m e Ta = 25°C r 102 l t a 0.8 -20°C e 101 Vce = 10V r o N C 100 TYPICAL - - E 0.6 o 10-1 H c N I 10-2 0.4 -20 0 20 40 60 80
in „Eingänge über Optokoppler abfragen“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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irfh4210pbf.pdf
Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics 1000 1.8 c ID= 50A a A i 1.6 VGS = 10V t e e R r 100 n 1.4 C O ) e c e r TJ= 150°C u l o S 1.2 - o r - T = 25°C n N i 10 J a 1.0 r D , ) ID o V = 15V S 0.8 DS D 60µs PULSE WIDTH R 1.0 0.6 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140
in „Akkubohrschrauber 10,8V von Makita und Metabo“ · Mechanik, Gehäuse, Werkzeug ·
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PDC_10-1_Datasheet.pdf
. Typ. Max. Typ. Min. Typ. Min. Typ. MinTyp. Max. Max. Note B N (1-9) L U TDC-6-1 10-400 6.3±0.4 ±0.4 2.0 2.4 2.0 2.4 2.0 2.5 36 30 30 25 20 15 1.5 1.0 2.0 B02 cw 23.95 TDC-10-1 1-400 10.0±0.5 ±0.5 1.2 1.5 1.0 1.3 1.2 1.5 35 25 30 20 20 15 1.5 1.0 2.0 B02 cw 17.95
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TPCS8209.pdf
voltage (diode) VDSF DR = 5 A,GS = 0 V ⎯ ⎯ −1.2 V 3 2007-01-16 TPCS8209 I – V I – V D DS D DS 5 10 2 4 3 2 1.9 Common source 4 3 1.9 1.7 Ta = 25°C 1.8 Pulse test 4 8 ) Common source ) ( Ta = 25°C ( 1.8 Pulse test I 3 ID 6 1.6 n n 1.7 r r c 2 c 4 n n r r 1.6 D 1.5 D 1 2 1.5 VGS = 1.4 V V GS = 1.4 V 0 0
in „DC/DC-Wandler von 2.4 V auf 15 V mit 25 Watt“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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_APT30M40JVFR_A-601394.pdf
CAPACITANCE vs DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE ) S 20 I = I [Cont.] S 400 L D D R O V =60V E ( DS M T =+150°C T =+25°C E 16 V =150V ( 100 J J A DS T T N O R 50 V 12 R E V DS=240V U R N U A S 8 R 10 - D - S 5 E R A 4 V G E ,S , G R V 00 100 200 300 400 500 ID 1 0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 Q , TOTAL GATE CHARGE (nC) V , SOURCE-TO-DRAIN
in „SOT-227 Leistung Gehäuse im Linearbetrieb?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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ISL9V3040P3.pdf
Typical Performance Curves 9 V ) 30 ) 30 3 ( RG= 1kΩ, GE = 5V,dd= 14V ( RG= 1kΩ, GE = 5V,dd= 14V 0 N N 4 E 25 E 25 R R 0 C U D G 20 G 20 3 I I S C H I 15 I 15 / W T = 25°C W I S J S TJ= 25°C S I TJ= 150°C I L T 10 T 10 U U TJ= 150°C 9 N D V , 5 I 5 3 I ,I 0 IS SCIS Curves valid fclampoltages of <430V
in „igbt mit µC direkt ansteuern“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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ISL9V3040P3.pdf
Typical Performance Curves 9 V ) 30 ) 30 3 ( RG= 1kΩ, GE = 5V,dd= 14V ( RG= 1kΩ, GE = 5V,dd= 14V 0 N N 4 E 25 E 25 R R 0 C U D G 20 G 20 3 I I S C H I 15 I 15 / W T = 25°C W I S J S TJ= 25°C S I TJ= 150°C I L T 10 T 10 U U TJ= 150°C 9 N D V , 5 I 5 3 I ,I 0 IS SCIS Curves valid fclampoltages of <430V
in „IGBT Ansteuerung mit +3V3“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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DS99609B_IXGQ90N27PB_.pdf
i 1.4 s a r m 1.3 p 100 o m N 1.2 A 80 9V - - a 1.1 IC = 90A IC E 60 C V 1 40 7V 0.9 IC= 45A 20 0.8 0 0.7 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 V - Volts T - Degrees Centigrade CE J Fig. 5. Collector-to-Emitter
in „Vergleichstyp IGBT IXGQ90N27PB“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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sony_ht-ct260h.pdf
/1A STB+5V E FB30 N 4 0.1uF/50V/Y5V C566 FB26 +25V D C537 3 500/800mA FB502 2 IN GND 4 C545 NC 1 HD+2.1V 3300pF/50V/X7R R 300/2A FB80@100MHz R837 E S 1 R560 3 4 U17 K 2K CE542 5 5 1 4 G5725 3 L18 450MA 10K 7 8 5 470uF/16V
in „(V) 2 Platinen aus einer Sony Soundbar und Nixie Röhren“ · Markt ·