Hallo!
Ich brauch mal eure Hilfe! Ich hab nämlich noch nicht so viel Erfahrung
mit Mosfet-Treiber und co.
Im Prinzip ganz einfach: Ich will über eine Spule ein Magnetfeld in zwei
Richtungen aufbauen. Dazu verwende ich eine H-Brücke mit 4 gleichen
MOSFETs die da sind: IRF640N.
Das wichtige ist: Ich will mit einem µC jederzeit alle 4 MOSFETs
unabhängig von einander schalten können. Und alle (Highside und Lowside)
FETs müssen dauerhaft eingeschaltet und ausgeschaltet werden können.
Welche möglichst einfache Treiber könnte ich für da verwenden? Die
Betriebsspannung liegt so um die 10-20V. Ist vorerst nur ein
Konzeptaufbau.
Grüße
Markus
Da hast
1. keine LogicLevel MOSFETs
und
2. N-Kanal MOSFETs.
Du musst also
1. die Ansteuerspannung von 5V auf 10V wandlen können
und
2. die oberen MOSFETs mit 10V mehr ansteuern können als als
Betriebsspannung vorhanden.
Der LT1158 kann das gut, ist für DC-Betrieb, und enthält gleich noch
eine Strombegrenzung. Du wirst sie brauchen :-) Du brauchst aber 2. Der
LT1162 hat 2 aber ohne Strombegrenzung und geht nur bis 15V.
mumpitz schrieb:> Und alle (Highside und Lowside)> FETs müssen dauerhaft eingeschaltet und ausgeschaltet werden können. sadist ;)
i dachte du willst ein magnetfeld aufbauen und keinen FET-killer oder
Sicherungs-killer
vlg
Charly
was hältst du von diskreten push-pull stufen für die FETs? Die haben im
Gegensatz zu den meisten Ladunkspumpentreibern kein OFF Zwang, da sie
nicht nachgeladen werden müssen...
Hallo!
Der Spulenwiderstand begrenzt den Strom, sodass die 18A vom MOSFET
niemals erreicht werden können. Und dass zwei MOSFETS in Serie nicht
gleichzeitig eingeschaltet werden dürfen ist mir auch bewusst. Keine
Sorge, meine Elektronik-Kenntnisse reichen dafür schon... xD
Ich will keine PWM oder sonst irgendeinen Müll. Ich will einfach
dauerhaft für eine Zeit von sagen wir mal 10 - 20 Sekunden einen
Spulenstrom in einer Richtung und dann in die andere Richtung fließen
lassen. Ich will aber auch jeder Zeit alle FETs abschalten können. Das
und nicht mehr soll meine Schaltung können.
Dazu stelle ich mir einen einfach Halbbrückentreiber in der
Größenordnung von IR2104 vor, der ohne viel Schnick-schnack
(Strommessung usw.) einfach schaltet, wenn ich das sage. So etwas muss
es doch geben. Nur finden kann ich ihn nicht. :-(
@Tobbi -> Wenn ich die Mosfets mittels Push-Pull Transistoren ansteuere,
würde ich doch eine Spannung von +15V und zusätzlich noch eine
"floatende +15V" Spannung benötigen. Ist das nicht zu viel Aufwand das
diskret aufzubauen?
Grüße
Markus
mumpitz schrieb:> Ich will keine PWM oder sonst irgendeinen Müll. Ich will einfach> dauerhaft für eine Zeit von sagen wir mal 10 - 20 Sekunden einen> Spulenstrom in einer Richtung und dann in die andere Richtung fließen> lassen. Ich will aber auch jeder Zeit alle FETs abschalten können. Das> und nicht mehr soll meine Schaltung können.
4 Relais?
Hallo!
Ich bin Elektroniker und kein Elektriker. ;-)
Die MOSFETs müssen sein.
Wo steht im Datenblatt eigentlich, dass ich den "high-side" FET nicht
ständig eingeschaltet lassen kann? Bzw. wie lange er max. eingeschaltet
werden kann?
Grüße
Markus
mumpitz schrieb:> Ich bin Elektroniker und kein Elektriker. ;-)> Die MOSFETs müssen sein.
Naja, für wenige Schaltvorgänge sind Relais robust, einfach in der
Ansteuerung.
> Wo steht im Datenblatt eigentlich, dass ich den "high-side" FET nicht> ständig eingeschaltet lassen kann?
Das Problem dabei ist, dass du unbedingt 4 mal denselben FET benutzen
willst. Normalerweise nimmt man aber für Lowside n-Kanal und für
Highside p-Kanal-Mosfets.
So benötigst du eben zum anschalten des Highside-n-Kanal-Mosfets eine
Spannung am Gate, die höher ist als die Sourcespannung. Source liegt an
Last und kann eben Versorgungsspannung sein. Daher muss die Gatespannung
größer als die Versorgungsspannung sein, dafür verwendet man im
Allgemeinen Ladungspumpen. Diese arbeiten prinzipbedingt nicht
durchgehend (100%).
> Bzw. wie lange er max. eingeschaltet> werden kann?
Das verrät dir das Datenblatt deines Treibers. :-)
Hallo!
Das mit dem N-Kanal und P-Kanal MOSFETs in Serie hab ich schon mal
gemacht. Das Problem ist, dass ich da nicht beide gleichzeitig
abschalten kann.
>> Bzw. wie lange er max. eingeschaltet>> werden kann?>> Das verrät dir das Datenblatt deines Treibers. :-)
Ich konnte es bislang nicht finden. Beim IR2104, wie Charly es gemacht
hat, ist die ON-Time des high-side MOSFETs begrenzt. Das ist mein
Problem. Ich konnte aber in keinem Datenblatt nachlesen, wie lange das
inetwa ist. Wenn es sich dabei um 100 Sekunden handelt, dann wäre mein
Problem gelöst. Sind es allerdings millisekunden, dann hab ich das
Problem immer noch :-(
Kennt keiner einen MOSFET Treiber, der dauerhaft oder zumindest im
Sekundenbereich eingeschaltet werden kann? Ich kann doch nicht der Erste
sein, der sowas macht oder?
Grüße
Markus
mumpitz schrieb:> Das mit dem N-Kanal und P-Kanal MOSFETs in Serie hab ich schon mal> gemacht. Das Problem ist, dass ich da nicht beide gleichzeitig> abschalten kann.
???
Aufs Gate des n-Kanal Masse und aufs Gate des p-Kanal Vcc und beide
sperren.
:-)
Hi
>Das mit dem N-Kanal und P-Kanal MOSFETs in Serie hab ich schon mal>gemacht. Das Problem ist, dass ich da nicht beide gleichzeitig>abschalten kann.
Du vielleicht nicht.
>Ich kann doch nicht der Erste sein, der sowas macht oder?
Treiber mit Ladungspumpen sind für der deine Anwendung halt ungeeeignet.
Also musst du schon die notwendigen Spannungen bereitstellen.
>> Ich bin Elektroniker und kein Elektriker. ;-)
Wzbw. (Was zu bezweifeln wäre).
MfG Spess
Hi Markus
Markus:
> Ich konnte aber in keinem Datenblatt nachlesen, wie lange das> inetwa ist.
richtig!, ich auch nicht ;(
steht nirgendwo, ein Armutszeugniss von International Rectifier
habe aber in der praxis festgestell das es ~1 sekunde ist bei
einem C von 220nF
da ich aber Motoren steuere ueber PWM ist mir das egal da ich
bei 'Vollgas' nut noch nadelimpulse schicke und eine einschalt-
zeit von >99% erhalte
vlg
Charly
Charly B. schrieb:> Markus:>> Ich konnte aber in keinem Datenblatt nachlesen, wie lange das>> inetwa ist.>> richtig!, ich auch nicht ;(> steht nirgendwo, ein Armutszeugniss von International Rectifier
IR weiß nichts über
- Kapazitätsgröße
- Leckströme Kapazität
- Leckstrom Gate to drain, Gate to source abhängig von Temperatur, Alter
- Dreck auf der Platine / Platinenmaterial.
Aber danke für die Größenordnung von ~1s.
Hallo!
Danke schon mal für alle produktiven Antworten.
Das mit dem p und n-Kanal Mosfet ist ja schön und gut. Allerdings hab
ich auch ein wenig auf die Verlustleistung zu achten. Zumindest möchte
nicht derjenige sein, der die größeren Kühlkörper oder gar Zwangskühlung
rechtfertigen muss, wenn es mit n-Kanal auch ohne ginge.
Ich hab mich gestern noch lange in das Thema eingelesen und dazu die
Appl. Note von IR durchgearbeitet. 1 sek bei 220nF sind schon mal gut!
Um nicht zu sagen ausreichend gut!
Ich versuch mal die Teile zu besorgen und arbeite mich dann schritt für
schritt vor. Zur Not muss ich halt nach Appl. Note Seite 13: 8.HOW TO
PROVIDE A CONTINUOUS GATE DRIVE den Bootstrap-Kondensator nachladen.
Link dazu:
http://www.mikrocontroller.net/attachment/19951/an-978_Bootstrap.pdf
Mal sehen, ob ich alle Teile zusammen bekomme.
Könnte der IR2111 für meine Zwecke ausreichen?
Grüße
Markus
>Das mit dem p und n-Kanal Mosfet ist ja schön und gut. Allerdings hab
ich auch ein wenig auf die Verlustleistung zu achten. Zumindest möchte
nicht derjenige sein, der die größeren Kühlkörper oder gar Zwangskühlung
rechtfertigen muss, wenn es mit n-Kanal auch ohne ginge.
Uiiiiii. Die Verlustleistung ist im Linearbetrieb nicht von den Fets,
sondern von der Last abhaengig. Da du die IRFP064 gewaehlt hast deutet
das auf hohe Stroeme hin. Da wird nichts ohne grossen Kuehlkoerper.
Nochwas. Das Parallelschaten von Fets im Linearbetrieb ist nicht so
trivial wie die Werbung glauben machen will...
:-)
