Hallo! Ich brauch mal eure Hilfe! Ich hab nämlich noch nicht so viel Erfahrung mit Mosfet-Treiber und co. Im Prinzip ganz einfach: Ich will über eine Spule ein Magnetfeld in zwei Richtungen aufbauen. Dazu verwende ich eine H-Brücke mit 4 gleichen MOSFETs die da sind: IRF640N. Das wichtige ist: Ich will mit einem µC jederzeit alle 4 MOSFETs unabhängig von einander schalten können. Und alle (Highside und Lowside) FETs müssen dauerhaft eingeschaltet und ausgeschaltet werden können. Welche möglichst einfache Treiber könnte ich für da verwenden? Die Betriebsspannung liegt so um die 10-20V. Ist vorerst nur ein Konzeptaufbau. Grüße Markus
Da hast 1. keine LogicLevel MOSFETs und 2. N-Kanal MOSFETs. Du musst also 1. die Ansteuerspannung von 5V auf 10V wandlen können und 2. die oberen MOSFETs mit 10V mehr ansteuern können als als Betriebsspannung vorhanden. Der LT1158 kann das gut, ist für DC-Betrieb, und enthält gleich noch eine Strombegrenzung. Du wirst sie brauchen :-) Du brauchst aber 2. Der LT1162 hat 2 aber ohne Strombegrenzung und geht nur bis 15V.
mumpitz schrieb: > Und alle (Highside und Lowside) > FETs müssen dauerhaft eingeschaltet und ausgeschaltet werden können. sadist ;) i dachte du willst ein magnetfeld aufbauen und keinen FET-killer oder Sicherungs-killer vlg Charly
was hältst du von diskreten push-pull stufen für die FETs? Die haben im Gegensatz zu den meisten Ladunkspumpentreibern kein OFF Zwang, da sie nicht nachgeladen werden müssen...
Hallo! Der Spulenwiderstand begrenzt den Strom, sodass die 18A vom MOSFET niemals erreicht werden können. Und dass zwei MOSFETS in Serie nicht gleichzeitig eingeschaltet werden dürfen ist mir auch bewusst. Keine Sorge, meine Elektronik-Kenntnisse reichen dafür schon... xD Ich will keine PWM oder sonst irgendeinen Müll. Ich will einfach dauerhaft für eine Zeit von sagen wir mal 10 - 20 Sekunden einen Spulenstrom in einer Richtung und dann in die andere Richtung fließen lassen. Ich will aber auch jeder Zeit alle FETs abschalten können. Das und nicht mehr soll meine Schaltung können. Dazu stelle ich mir einen einfach Halbbrückentreiber in der Größenordnung von IR2104 vor, der ohne viel Schnick-schnack (Strommessung usw.) einfach schaltet, wenn ich das sage. So etwas muss es doch geben. Nur finden kann ich ihn nicht. :-( @Tobbi -> Wenn ich die Mosfets mittels Push-Pull Transistoren ansteuere, würde ich doch eine Spannung von +15V und zusätzlich noch eine "floatende +15V" Spannung benötigen. Ist das nicht zu viel Aufwand das diskret aufzubauen? Grüße Markus
mumpitz schrieb: > Ich will keine PWM oder sonst irgendeinen Müll. Ich will einfach > dauerhaft für eine Zeit von sagen wir mal 10 - 20 Sekunden einen > Spulenstrom in einer Richtung und dann in die andere Richtung fließen > lassen. Ich will aber auch jeder Zeit alle FETs abschalten können. Das > und nicht mehr soll meine Schaltung können. 4 Relais?
Hallo! Ich bin Elektroniker und kein Elektriker. ;-) Die MOSFETs müssen sein. Wo steht im Datenblatt eigentlich, dass ich den "high-side" FET nicht ständig eingeschaltet lassen kann? Bzw. wie lange er max. eingeschaltet werden kann? Grüße Markus
und warumm nimmst du nicht einfach den IR2104 oder was aehnliches ? i verwende zb. den IR2184 in meiner Motorsteuerung vlg Charly
mumpitz schrieb: > Ich bin Elektroniker und kein Elektriker. ;-) > Die MOSFETs müssen sein. Naja, für wenige Schaltvorgänge sind Relais robust, einfach in der Ansteuerung. > Wo steht im Datenblatt eigentlich, dass ich den "high-side" FET nicht > ständig eingeschaltet lassen kann? Das Problem dabei ist, dass du unbedingt 4 mal denselben FET benutzen willst. Normalerweise nimmt man aber für Lowside n-Kanal und für Highside p-Kanal-Mosfets. So benötigst du eben zum anschalten des Highside-n-Kanal-Mosfets eine Spannung am Gate, die höher ist als die Sourcespannung. Source liegt an Last und kann eben Versorgungsspannung sein. Daher muss die Gatespannung größer als die Versorgungsspannung sein, dafür verwendet man im Allgemeinen Ladungspumpen. Diese arbeiten prinzipbedingt nicht durchgehend (100%). > Bzw. wie lange er max. eingeschaltet > werden kann? Das verrät dir das Datenblatt deines Treibers. :-)
Hallo! Das mit dem N-Kanal und P-Kanal MOSFETs in Serie hab ich schon mal gemacht. Das Problem ist, dass ich da nicht beide gleichzeitig abschalten kann. >> Bzw. wie lange er max. eingeschaltet >> werden kann? > > Das verrät dir das Datenblatt deines Treibers. :-) Ich konnte es bislang nicht finden. Beim IR2104, wie Charly es gemacht hat, ist die ON-Time des high-side MOSFETs begrenzt. Das ist mein Problem. Ich konnte aber in keinem Datenblatt nachlesen, wie lange das inetwa ist. Wenn es sich dabei um 100 Sekunden handelt, dann wäre mein Problem gelöst. Sind es allerdings millisekunden, dann hab ich das Problem immer noch :-( Kennt keiner einen MOSFET Treiber, der dauerhaft oder zumindest im Sekundenbereich eingeschaltet werden kann? Ich kann doch nicht der Erste sein, der sowas macht oder? Grüße Markus
mumpitz schrieb: > Das mit dem N-Kanal und P-Kanal MOSFETs in Serie hab ich schon mal > gemacht. Das Problem ist, dass ich da nicht beide gleichzeitig > abschalten kann. ??? Aufs Gate des n-Kanal Masse und aufs Gate des p-Kanal Vcc und beide sperren. :-)
Hi >Das mit dem N-Kanal und P-Kanal MOSFETs in Serie hab ich schon mal >gemacht. Das Problem ist, dass ich da nicht beide gleichzeitig >abschalten kann. Du vielleicht nicht. >Ich kann doch nicht der Erste sein, der sowas macht oder? Treiber mit Ladungspumpen sind für der deine Anwendung halt ungeeeignet. Also musst du schon die notwendigen Spannungen bereitstellen. >> Ich bin Elektroniker und kein Elektriker. ;-) Wzbw. (Was zu bezweifeln wäre). MfG Spess
Hi Markus Markus: > Ich konnte aber in keinem Datenblatt nachlesen, wie lange das > inetwa ist. richtig!, ich auch nicht ;( steht nirgendwo, ein Armutszeugniss von International Rectifier habe aber in der praxis festgestell das es ~1 sekunde ist bei einem C von 220nF da ich aber Motoren steuere ueber PWM ist mir das egal da ich bei 'Vollgas' nut noch nadelimpulse schicke und eine einschalt- zeit von >99% erhalte vlg Charly
Charly B. schrieb: > Markus: >> Ich konnte aber in keinem Datenblatt nachlesen, wie lange das >> inetwa ist. > > richtig!, ich auch nicht ;( > steht nirgendwo, ein Armutszeugniss von International Rectifier IR weiß nichts über - Kapazitätsgröße - Leckströme Kapazität - Leckstrom Gate to drain, Gate to source abhängig von Temperatur, Alter - Dreck auf der Platine / Platinenmaterial. Aber danke für die Größenordnung von ~1s.
Hallo! Danke schon mal für alle produktiven Antworten. Das mit dem p und n-Kanal Mosfet ist ja schön und gut. Allerdings hab ich auch ein wenig auf die Verlustleistung zu achten. Zumindest möchte nicht derjenige sein, der die größeren Kühlkörper oder gar Zwangskühlung rechtfertigen muss, wenn es mit n-Kanal auch ohne ginge. Ich hab mich gestern noch lange in das Thema eingelesen und dazu die Appl. Note von IR durchgearbeitet. 1 sek bei 220nF sind schon mal gut! Um nicht zu sagen ausreichend gut! Ich versuch mal die Teile zu besorgen und arbeite mich dann schritt für schritt vor. Zur Not muss ich halt nach Appl. Note Seite 13: 8.HOW TO PROVIDE A CONTINUOUS GATE DRIVE den Bootstrap-Kondensator nachladen. Link dazu: http://www.mikrocontroller.net/attachment/19951/an-978_Bootstrap.pdf Mal sehen, ob ich alle Teile zusammen bekomme. Könnte der IR2111 für meine Zwecke ausreichen? Grüße Markus
>Das mit dem p und n-Kanal Mosfet ist ja schön und gut. Allerdings hab ich auch ein wenig auf die Verlustleistung zu achten. Zumindest möchte nicht derjenige sein, der die größeren Kühlkörper oder gar Zwangskühlung rechtfertigen muss, wenn es mit n-Kanal auch ohne ginge. Uiiiiii. Die Verlustleistung ist im Linearbetrieb nicht von den Fets, sondern von der Last abhaengig. Da du die IRFP064 gewaehlt hast deutet das auf hohe Stroeme hin. Da wird nichts ohne grossen Kuehlkoerper. Nochwas. Das Parallelschaten von Fets im Linearbetrieb ist nicht so trivial wie die Werbung glauben machen will... :-)
der IRFP064 hat 9 mOhm, nicht schlecht i verwende Fets mit kleiner 4 mOhm und bei 15A dauer / 30A Kurz ohne Kuehlkoerper mit einem delta-T von ~14°K
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