Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik Auswahl P-MOSFET für 3.3V Pegel


von Sebastian L. (arakis)


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Hallo,
eigentlich bin ich auf der Suche nach einem MOSFET, mit dem ich mit 5V 
(Logikpegel, ca. 10mA) am Gate 3.3V (ca. 80mA) Drain-Source schalten 
kann. In der Simulation habe ich festgestellt, dass einige MOSFETs gehen 
und einige nicht (dann wird nicht durchgeschaltet). Ich habe mir ein 
paar Werte wie Vds(V), Ron (Ohm) und Gate Chg (nC) angesehen, aber ich 
finde da kein Schema. Welche Kenndaten sind notwendig, um zu erkennen, 
ob eim P-MOSFET bei 5V Gate 3.3V durch die Source-Drain lässt?

Dann kam ich auf die Idee, einfach einen PNP-Transitor zu nehmen und 
habe feststellen müssen, dass es ja gar keinen 0,7V Spannungsabfall gibt 
(laut Simulation in LTSpice). Ein Spannungsabfall ist zwar absolut 
unerwünscht, aber warum tritt er nicht ein? (die 0,7V).

Weitere Tests haben ergeben, ich könnte in einer anderen Schaltung, wo 
ich mit 5V Logik Pegel (10mA) ebenso 5V (statt 3.3) Last (80mA) schalte 
, ebenfalls einen PNP nutzen.

Kommt mir irgendwie zu einfach vor, den P-MOSFET gegen einen 
PNP-Transistor zu tauschen. Wo ist der Haken? Fehlen denn nicht auch ein 
Haufen Widerstände?

Lieben Gruß,
Sebastian

von especia (Gast)


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> Welche Kenndaten sind notwendig, um zu erkennen,
> ob eim P-MOSFET bei 5V Gate 3.3V durch die Source-Drain lässt?

Ein erster Anhaltspunkt ist der Modelparameter Vto. Ersetzt aber auf 
keinen Fall den Blick ins Datenblatt.
Vgsth bzw. die Kurven Id vs. Vds bei Ugs, Rdson vs. Id bei Ugs, Rdson 
vs. Vgs
http://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Erkl.C3.A4rung_der_wichtigsten_Datenblattwerte

> keinen 0,7V Spannungsabfall
Der ist eigentlich verkehrt herum. Kann man aber unter Umständen nutzen.
Beitrag "collector emmiter stromrichtung egal?"
http://www.elektronik-kompendium.de/public/schaerer/powsw1.htm

Die 0,7V sind übrigens nur eine Hausnummer und werden z.B. bei Betrieb 
in der Sättigung locker unterschritten.

> Fehlen denn nicht auch ein Haufen Widerstände?
Das siehst du, wenn du dir nicht nur die Spannungen, sondern auch die 
Ströme anzeigen läßt (Wenn du das am Steckbrett genau so aufbaust, 
wundert mich das bei dir grassierende Transistorsterben nicht 
sonderlich).

Ich empfehle dir, zuerst einmal die Grundlagenartikel hier und im ElKo 
zu lesen und dann, ausgehend von bekannten (funktionierenden) 
Schaltungen, die Auswirkungen von Änderung einzelner Bauteilwerte zu 
simulieren.
Dabei dürften sich auch eine Menge weiterer Fragen wie von selber 
beantworten.

von Lothar M. (Firma: Titel) (lkmiller) (Moderator) Benutzerseite


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especia schrieb:
> Der ist eigentlich verkehrt herum.
Denn in der Elektornik ist es eigentlich ganz einfach:
1. der Strom fließt in Pfeilrichtung von + nach -
2. man findet solche Pfeile aich in Schaltungssymbolen
Und dann sieht man sofort, dass der Transistor verpolt ist.

>> keinen 0,7V Spannungsabfall
> Die 0,7V sind übrigens nur eine Hausnummer
Die 0,7V gelten auch nur und ausschließlich für die BE- und die 
BC-Dioden. Die CE-Strecke kann locker auf 0,2V runterkommen. Das 
Stichwort heißt da "Sättigungsspannung Ucesat".

> Kann man aber unter Umständen nutzen.
Ist aber meistens falsch. Besonders, wenn es von Anfängern gemacht 
wird...

Sebastian Loncar schrieb:
> Welche Kenndaten sind notwendig, um zu erkennen,
> ob eim P-MOSFET bei 5V Gate 3.3V durch die Source-Drain lässt?
Ab wann ein Mosfet leitet, das sagt die Ugsth. Und deine muss hier 
deutlich kleiner als 2,5V sein...
Und dann ist es so: der Mosfet sperrt wenn Ug>=Us. Er sperrt also 
sicher, wenn du mit 3,3V an der Source eine Spannung von >3,3V ans Gate 
anlegst. Und er beginnt z.B. mit einer Ugsth=2V dann mit Ug=1,3V zu 
leiten. Und leitet hoffentlich gut genug, wenn Ug=0V (und damit 
Ugs=3,3V) ist (die Vorzeichenbetrachtung habe ich mir hier mal 
geschenkt, denn beim P-Kanal muss zum Leiten einfach das Gate 
negativer sein als die Source, beim N-Kanal muss zum Leiten das Gate 
positiver sein).


> Kommt mir irgendwie zu einfach vor, den P-MOSFET gegen einen
> PNP-Transistor zu tauschen. Wo ist der Haken?
Da:
> Fehlen denn nicht auch ein Haufen Widerstände?
Mindestens der Basisstrom muss begrenzt werden. Denn so, wie deine 2. 
Schaltung gerade aussieht, gibt das eine kleine Siliziumschmelze und du 
hast zwei tridirektionale Bauteile...
Um sowas zu erkennen kann man 1. eine Schaltung einfach mal aufbauen.
Oder 2. in der Simulation mal den Strom anzeigen...

von Sebastian L. (arakis)


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Das der Transistor falsch herum ist, ist mir auch aufgefallen, mich 
wundert allerdings, dass es funktioniert. Warum "klappt" das (zumindest 
in der Simulation) und was passiert mit dem Transistor? (Ich tippe auf 
"Siliziumschmelze").

Mit welcher Simulationssoftware kann eigentlich simulieren, ob ein 
Bauelement "durchschmort"? Ansonsten bleibt natürlich die Möglichkeit, 
jeden Komponenteneingang zu überwachen und mit dem jeweiligen Datenblatt 
zu vergleichen.

Lothar Miller schrieb:
> Denn in der Elektornik ist es eigentlich ganz einfach:
> 1. der Strom fließt in Pfeilrichtung von + nach -

Korrket. Dies gilt für die logische Fließrichtung. Aber solltest du die 
physikalische Fließrichtung meinen: Die Elektronen fließen physisch vom 
Minuspol zum Pluspol ;)

Lieben Gruß,
Sebastian

von Michael A. (Gast)


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Sebastian Loncar schrieb:
> Die Elektronen fließen physisch vom Minuspol zum Pluspol ;)
Dafür fließen die Löcher vom Plus- zum Minuspol, so dass die Welt wieder 
in Ordnung ist ;-)

von Wusel D. (stefanfrings_de)


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Die Frage ist, ob der Strom die bewegten Elektronen sind, oder die 
Wirkung der bewegten Elektronen. Elektronen sind negativ geladen, 
deswegen geht deren Wirkung vom Plus-Pol zum Minus Pol.

Wobei ich nie verstanden habe, wie man darauf kommt, dass Elektronen 
negativ geladen sind und die Kerne positiv. Woher will man das wissen? 
Könnte es nicht auch umgekehrt sein?

Worin unterscheiden sich negative und positive Ladungen?

von Sebastian L. (arakis)


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Stefan Frings schrieb:
> Worin unterscheiden sich negative und positive Ladungen?

Da steige ich auch nicht so ganz dahinter. Es bietet sich eins von 
beiden an:

A)
- Negative Ladung = Eletronen, geladen mit -1e
- Positive Ladung = Protonen geladen mit +1e

Problem: Protonen entstehen nur bei Beta-Zerfall, radioaktiven Krams, 
Teilchenbeschleuniger und sie neutralisieren sich sehr schnell in einem 
Nicht-Vakuum mit Elektronen.

B)
- Positiv geladene Materie hat einen Elektronenmangel.
- Negativ geladene Materie hat einen Elektronenüberschuss.

Ich gehe eher vom letzen (B) aus. Positiv und negativ sind also 
lediglich Begrifflichkeiten.

Lieben Gruß,
Sebastian

von Sebastian L. (arakis)


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Nun ist mir klargeworden, warum mir die Transistoren ständig 
durchgebrannt sind und ein Basiswiderstand notwendig ist: In der 
Simulation habe ich entdeckt, dass ohne Basiswiderstand ein BE-Strom von 
1.5A fließt, das ist natürlich viel zu viel und überhaupt nicht nötig.

Ich habe nun die neue Schaltung angehangen, ich hoffe die ist so nun in 
Ordnung. Was den MOSFET angeht, da bin ich mir noch immer nicht sicher, 
welchen ich nehmen sollte. Geschaltet werden muss:

Steuerspannung(ca. 10mA) - Arbeitsspannung (ca. 80mA oder mehr)
--------------------------------------------
3.3V --> 5V
5V --> 5V
3.3V --> 12V
5V --> 12V

Ich gehe mal davonaus, das der BC337 immer gleich bleiben kann, genauso 
wie R2 und R3.

R1 ist übrigens nur eine Last für die Simulation. R1 wäre der entgültige 
Verbraucher, 100Ohm sind nur ein Beispiel.

Am liebsten wäre mir ja ein MOSFET aus der IRF*-Reihe.

Lieben Gruß,
Sebastian

von (prx) A. K. (prx)


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Sebastian Loncar schrieb:
> - Negative Ladung = Eletronen, geladen mit -1e
> - Positive Ladung = Protonen geladen mit +1e

Kommt noch jemand mit Positronen?

Wer sich wundert, wieso hier ganz im Sinne von Neusprech Plus für Mangel 
steht: Erst kam der Strom, viel später die Erklärung. Da war das Kind 
schon im Brunnen.

von ar. (Gast)


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http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDT434P.html
http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDS6375.html

google " Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFFET "

und dann bei farnell einen passenden raussuchen.

http://de.farnell.com/fairchild-semiconductor/fds6375/mosfet-p-so-8/dp/9846212

von ar. (Gast)


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also nochmal: der TO wollte wissen, welchen PMOS er verwenden könne, um 
3.3V schalten zu können. Also nennen wir ihm doch einen, statt über 
Elektronen und Positronen zu diskutieren.
All das ist sicherlich auch sehr interssanr, könnte aber auch in einem 
anderen Thread besprochen werden, denn dem TO hlft das nicht wirklich 
weiter. #Jetzt hingegen kann er bei HBE oder direkt bei Farnell (zB) 
einen der genannten MOSFETs bestellen und testen. Dabei eventuell 
auftauchende Probleme können dann später hier besprochen werden.

Wir sollten wirklich drauf achten, mehr auf die Fragen des TOs 
einzugehen, als uns BigBang Theorien zu verschreiben, die mit der 
eigentlichen Problemstellung nicht mehr viel zu tun haben.

Ich weiß, das es stellenweise schwierig ist, da oftmals wichtige 
Informationen im Eingangspost fehlen und manchen alles aus der Nase 
gezogen werden muss ;)

Gruß
Axelr.

von Sebastian L. (arakis)


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Ich denke, ich habe nun endlich einen passenden gefunden:

http://de.farnell.com/stmicroelectronics/stp80pf55/mosfet-p-to-220/dp/9935703?Ntt=9935703

(jaja, TO-220 gehäuse)

Aber echt schlimm, dass die so teuer sind. Da ist es doch echt eine 
Überlegung wert, einfach nen BC327 einzusetzen für Q2. Laut Simulation 
ist der einzige Nachteil, dass es einen minimalen Spannungsabfall gibt. 
Und der beläuft sich auf "nur" 0.1V, damit kann ich leben. Ich war jetzt 
nur so sehr auf den MOSFET fixiert, wegen den erwarteten 0.7V 
Spannugnsabfall. Und das wäre bei 3.3 äußerst "unangenehm".

Lieben Gruß,
Sebastian

von Zahnfee (Gast)


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Ist der BSH205 etwas für dich?

von especia (Gast)


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> Zahnfee meinte:
BSH205
Bei Vds_max=-12V und Vgs_max=±8V wird er nicht lange Freude damit haben, 
da er auch 12V schalten will.

Logic-Level P-Mos in TO-220 gibt es nicht so viele bzw. sind sie 
wesentlich teurer als die Lösung mit einem PNP oder einem SMD-Typen wie 
dem IRLML6402.

von Sebastian L. (arakis)


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Grundsätzlich ja, aber in der Prototypingphase ist mir die 
Durchsteckmontage lieber.

So, jetzt fluche ich einmal: VERDAMMTES MULTICOMP!!!

Ich war grad echt am verzeifeln. Habe die Schaltung wie im Anhang 
nachgebaut (Der obere ist der BC327, rot oben ist Plus, jedoch 
abgeklemmt (weils ja eh nicht klappt), braun ist GND). Doch der BC327 
hat "immer" durchgeschaltet. Und der arme BC337 wurde sehr heiß - trotz 
10K Basiswiderstand. Alle Pins sind korrekt angeschlossen gewesen. 
Datenblätter:

http://de.farnell.com/multicomp/bc337/transistor-npn-to-92/dp/1574379?Ntt=157-4379
http://de.farnell.com/multicomp/bc327-25/transistor-pnp-to-92/dp/1574378?Ntt=1574378

Tja, und das ist (scheinbar) der Fehler: Falsche Pin-Belegung im 
Datenblatt!!

Pinbelegung BC327.25:
1. Emitter
2. Collector
3. Base <--hatte mich schon beim Anblick stutzig gemacht

Man tausche Pin 2 und Pin 3, und alles klappt. Leider klappt es auch, 
wenn man 2 mit 1 tauscht, d.h. ich weiß natürlich nicht, wo Emitter und 
wo Collector liegen.

Kommen solche Späßchen von Multicomp öfters? Ich meine Qualität mies ist 
die eine Sache, aber falsche Beschriftung ne andere.

Oder ich hab den Denkfehler.

Lieben Gruß,
Sebastian

von Sebastian L. (arakis)


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Nachtrag: Mit vertauschten Pins kann ich zwar schalten, doch der untere 
BC327 wird immer noch sehr heiß.

Irgendwo ist der Wurm drin...

von especia (Gast)


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Es fehlt immer noch ein Basiswiderstand für Q3 - Wert so, dass sich 
~1/10 des gewünschten Emitterstromes einstellt.

von Sebastian L. (arakis)


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Ich wusste nicht, dass ein PNP auch einen Basiswiderstand benötigt. Mit 
einem 330R wird der NPN nicht mehr heiß. Und für mich war es nicht 
logisch, dass durch einen fehlenden Basiswiderstand "für den PNP" der 
"NPN" heiß wird.

Wie auch immer, es klappt nun einwandfrei! Nix wird heiß und es wird wie 
gewünscht geschaltet. Zumindest 5V kann 5V steuern. Muss noch die 
Konstellation mit 12V und 3.3V testen.

Die Pins sind aber dennoch falsch im Datenblatt...
(habe es nochmal mit einem neuen Versucht, nachdem ich den 
Basiswidertsand angebracht habe)

Lieben Gruß,
Sebastian

von Fritz (Gast)


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Sebastian Loncar schrieb:
> nd für mich war es nicht
> logisch, dass durch einen fehlenden Basiswiderstand "für den PNP" der
> "NPN" heiß wird.

Dann denk nochmal drüber nach...ist doch genauso wie am anderen 
Transistor - wo nichts begrenzt wird, da fließt ordentlich was....:-) 
...vielleicht zuviel

von M. K. (sylaina)


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Sebastian Loncar schrieb:
> Und für mich war es nicht
> logisch, dass durch einen fehlenden Basiswiderstand "für den PNP" der
> "NPN" heiß wird.

Bilde doch einfach mal die Masche V1-Q3-Q1. Wenn man dann noch annimmt, 
dass der B327 erst bei ~0.7V leitet müssen über die CE-Strecke des BC337 
~4.3 V abfallen. Bei einem Strom von knapp 100 mA verbräts du dort ~400 
mW. Das ist schon einiges und da darf der Transistor auch schon heiß 
werden.
Da darf man sich dann auch schon mal Fragen, ob der BC327 wirklich knapp 
100 mA Basisstrom braucht um knapp 15 mA Kollektorstrom fließen zu 
lassen oder ob 1 mA es nicht auch tun würden ;)

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