Hallo, ich suche einen P-Kanal Logik-Mosfet mit Gate Threshold bis max. 1V und mind. 1A Leistung, der nicht im SMD-Gehäuse, sondern im TO-220 oder den diversen anderen steckt, sodass ich ihn auf ner 2,54-Platine ohne Hilfsmittel oder Rastertunnelmikroskopie drauflöten kann. Bisher fand ich ich keinen einzigen, bin schier verzweifelt. N-Kanal gibts dagegen jede Menge. Danke für einen Tipp!
Andreas F. schrieb: > N-Kanal gibts dagegen jede Menge. Kein Wunder, die sind aus halbleiterphysikalischen Gründen auch wesentlich besser. Diese Liste hier im Forum hast du durch? MOSFET-Übersicht Abschnitt P-Kanal_MOSFET
In der Liste ist leider keiner dabei, der passt. Muss ich mir jetzt echt erst ne Lötstraße und eine Platinenätzerei aufbauen? Das ist voll nervig mit dem Minizeug. Es geht zwar im Prinzip, aber es kostet enorm Zeit, sowas immer erst auf eine Hilfsplatine zu löten.
SO-8 und SOT-223 lassen sich recht leicht bedrahten, aber man kann sie so nicht mehr voll belasten, RthJA ist so halt größer. Wenns denn unbedingt bedrahtet sein muss: IRLU9343 ist so ein Exot.
Danke, das "wäre" ein Kandidat, wenn man ihn denn auch irgendwo bestellen könnte. Conrad hat ihn nicht und ebay sowie zwei andere Shops, die ich kenne, haben ihn nicht. Aber Du sagst, die Kleinen lassen sich "leicht bedrahten", wie machst Du das denn für gewöhnlich? Bin für Tipps dankbar, die mir Zeit sparen.
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Andreas F. schrieb: > In der Liste ist leider keiner dabei, der passt. Und hast du schon mal bei einem Distributor mit parametrische Suche geguckt, z.B. http://www.digikey.de/product-search/de?pv606=39&pv606=20&pv16=13478&pv16=8250&pv16=13279&pv16=10828&pv16=11828&pv16=12656&pv16=14367&pv16=14326&pv16=12654&pv16=8717&pv16=287&pv16=12742&pv16=8169&pv16=991&pv16=12745&FV=fff40015%2Cfff8007d&mnonly=0&newproducts=0&ColumnSort=0&page=1&stock=1&quantity=0&ptm=0&fid=0&pageSize=25
Vielen Dank, das ist eine interessante Suchseite. Hm, aber auch hier findet sich auf Anhieb niemand im Lande, der davon einzelne Stücke verkauft. Entweder aus China oder 20 Stück auf einmal oder 7 € inkl. Versand für ein Stück. Dann muss ich eben bei der umständlichen Variante bleiben.
Andreas F. schrieb: > Dann muss ich eben bei der umständlichen Variante bleiben. Für Digikey gibt es öfter Sammelbestellungen im Forum Markt. Und Mouser dürfte eine ähnlich Auswahl haben Beitrag "[Rundum] Sammelbestellung de.Mouser.com 2014"
Andreas F. schrieb: > wenn man ihn denn auch irgendwo > bestellen könnte. http://www.tme.eu/de/details/irlu9343pbf/p-kanal-transistoren-tht/international-rectifier/# Ansonsten: SOT23 kann man auch problemlos mit einem normalen Lötkolben auf Lochraster löten: https://www.mikrocontroller.net/attachment/207229/Sot23.png
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Vielen Dank. Ich würde halt gern einen Transistor bevorzugen, den man bei den üblichen Händlern kaufen kann, sodass ich nicht wegen einem Stück irgendwelche gigantischen Versandkosten zahlen muss. Leider wohne ich in der Pampa, weitab von irgendwelchen Elektronikläden. So muss ich immer jeden Kleinkram bestellen und mach das mit möglichst minimalen Versandkosten und ein paar weiteren Kleinteilen, damit sich das lohnt. Aber nochmal zur Frage: Wie verarbeitet man denn am besten diese SMD-Teile, wenn man mit Vesperbrettchen und Standard-Platinen bastelt?
Andreas F. schrieb: > Aber nochmal zur Frage: Wie verarbeitet man denn am besten diese > SMD-Teile, wenn man mit Vesperbrettchen und Standard-Platinen bastelt? Eine Methode ist die "Dead Bug"-Montagemethode http://www.youtube.com/watch?v=aytBfCdnW1A
Cool. Auf jeden Fall ein Weg für die finale Montage. Danke.
Um SO-Gehäuse auf Lochraster zu bringen, schneide ich die Bahnen in Längsrichtung durch (damit reduziert sich dann das Raster auf 1.27mm), und löte den Chip dann auf die Unterseite. Bei Mosfets im SO8-Gehäuse ist das Gate meist auf einer Ecke, und die restlichen Pins auf jeder Seite sind Drain bzw. Source. Man muss also nur an einer einzigen Stelle schneiden, da die restlichen Pins sowieso verbunden werden müssen.
Uwe, ich versteh nicht ganz, was Du meinst mit in Längsrichtung schneiden bzw. an einer einzigen Stelle schneiden. Gibts irgendwo ein Bild, wo man das sehen kann? Aber keine Umstände.
Andreas F. schrieb: > Uwe, ich versteh nicht ganz, was Du meinst mit in Längsrichtung > schneiden bzw. an einer einzigen Stelle schneiden. Gibts irgendwo ein > Bild, wo man das sehen kann? Aber keine Umstände. SO8 ist dead bug sehr einfach. Ansonsten Passt Dpak und D2Pak auf Lochraster Gate th von 1 V ist aber kurios. Was betreibst du denn mit 1V? Wenn das ein Logik-IC ist sind 3 oder 5V auch wunderbar...
Dpak wäre auch ok. Ich will das hier bauen: http://www.mosaic-industries.com/embedded-systems/microcontroller-projects/electronic-circuits/push-button-switch-turn-on/microcontroller-latching-on-off Gibts so eine Schaltung eigentlich auch fertig zu kaufen? Ich meine, so wie all den anderen Kram aus China, z.B. diese Mini-DC-DCs, das würde die Sache drastisch vereinfachen in dem Fall.
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Fabian F. schrieb: > Gate th von 1 V ist aber kurios. Was betreibst du denn mit 1V? > Wenn das ein Logik-IC ist sind 3 oder 5V auch wunderbar... Nein, du hast die Thresholdspannung nicht verstanden.
hinz schrieb: > Fabian F. schrieb: > > Nein, du hast die Thresholdspannung nicht verstanden. Wenn der Fet als Logik-Schalter (Hochohmig) dient ist völlig irrelevant ob der Fet im linearen Bereich oder im Sättigungsbereich ist.
Fabian F. schrieb: > hinz schrieb: >> Fabian F. schrieb: >> >> Nein, du hast die Thresholdspannung nicht verstanden. > > Wenn der Fet als Logik-Schalter (Hochohmig) dient ist völlig irrelevant > ob der Fet im linearen Bereich oder im Sättigungsbereich ist. Darum geht es doch überhaupt nicht. Du hast die Thresholdspannung nicht verstanden. Und der TE auch nicht. Denn für die geplante Anwendung ist die vollkommen irrelevant. Da will man einen MOSFET, der bei -4.5V Gate-Source-Spannung voll durchschaltet. Wo also der Hersteller den rds_on für 4.5V oder weniger garantiert. Und - je nachdem wieviel Strom man damit schalten will, welche Kühlmöglichkeiten man hat und wie groß der Spannungsverlust sein darf - auch einen entsprechend niedrigen Wert von rds_on. XL
Könnt Ihr mal bitte mit den ständigen gegenseitigen Anfeindungen und Besserwissereien hier im Forum aufhören und stattdessen was zum Thema schreiben? Wie wäre es z.B. mit einem konkreten Vorschlag, welche P- und N-Kanal Mosfets ich in der angegebenen Schaltung alternativ verwenden kann und die ich gleichzeitig für ein paar Cent beim durchschnittlichen Elektronikversender bekomme?
Andreas F. schrieb: > Wie wäre es z.B. mit einem konkreten Vorschlag, welche P- und N-Kanal > Mosfets ich in der angegebenen Schaltung alternativ verwenden kann und > die ich gleichzeitig für ein paar Cent beim durchschnittlichen > Elektronikversender bekomme? Der P-Ch dient ja wohl dazu die Versorgung durchzuschalten. Ein IRF 4905 (To220) hätte z.B bei Ugs von -5V einen Rds_on von 0,4Ohm. Bei 1A also 400mW Verlustleistung am Schalter. Auch ohne Kühlkörper möglich. Um das zu reduzieren, könntest du 2 davon paralell schalten. Würde sich aber wohl nur lohnen wenn man Strom sparen muss. Alternativ könnte man ein bistabiles Realis verwenden. Die haben einen Set- und einen Reset-anschluss. Der Schalter würde dann das Relais schließen und die Versorgung so gut wie ohne Widerstand erlauben. Der µC kann sich über den Reset-Pin am Relais selber ausschalten. Für den Forced-Off bräuchte man aber dann noch einen weiteren Taster oder eine Latch-Schaltung
Andreas F. schrieb: > Wie wäre es z.B. mit einem konkreten Vorschlag, welche P- und N-Kanal > Mosfets ich in der angegebenen Schaltung alternativ verwenden kann und > die ich gleichzeitig für ein paar Cent beim durchschnittlichen > Elektronikversender bekomme? Weil du zu faul bist, selber zu suchen? Praktisch alle Hersteller und die meisten Distributoren haben eine parametrische Suche. Da kannst du dein Gehäuse vorgeben und den maximalen rds_on bei z.B. 4.5V und dann zeigen die dir was es gibt. Allerdings wirst du mit deiner SMD-Phobie nicht weit kommen. Wenn ich z.B. mal bei IRF schaue (http://www.irf.com/product/_/N~1njcjg) einem der größeren MOSFET-Hersteller von dem viel bei Reichelt im Sortiment ist. Dann finde ich nur genau einen einzigen logic level P-MOSFET in TO220 oder irgendeinem anderen bedrahteten Gehäuse, aber gleich mehrere Bildschirmseiten voll, wenn ich SO8 als Gehäuse erlaube. Und SO8 ist für SMD vergleichsweise grobschlächtig. Das kriegt man mit ein bißchen gutem Willen auch auf Lochraster unter. Im Fall eines einzelnen MOSFETs im SO8 Gehäuse oft sogar, ohne ein Pad auf der Platine durchtrennen zu müssen, weil ja nur 3 Anschlüsse auf den 8 Beinchen liegen. XL
> Der P-Ch dient ja wohl dazu die Versorgung durchzuschalten. > Ein IRF 4905 (To220) hätte z.B bei Ugs von -5V einen Rds_on von 0,4Ohm. > Bei 1A also 400mW Verlustleistung am Schalter. Auch ohne Kühlkörper > möglich. > Um das zu reduzieren, könntest du 2 davon paralell schalten. Würde sich > aber wohl nur lohnen wenn man Strom sparen muss. Meinst Du, das klappt, wenn nur 4,5V vorhanden (Batteriebetrieb) sind? Daher sollte eben die Threshold so klein wie möglich sein. Der 4905 wäre schon gut, aber kostet auch schon über ein Euro (soviel wie ein Arduino aus China, unglaublich eigentlich). > Alternativ könnte man ein bistabiles Realis verwenden. Die haben einen > Set- und einen Reset-anschluss. Der Schalter würde dann das Relais > schließen und die Versorgung so gut wie ohne Widerstand erlauben. Der µC > kann sich über den Reset-Pin am Relais selber ausschalten. Für den > Forced-Off bräuchte man aber dann noch einen weiteren Taster oder eine > Latch-Schaltung Im Prinzip ja, aber die Dinger sind teuer und ich will die Funktion der genannten Schaltung nutzen, den Button im Betrieb als Steuerungstaster zu verwenden, der auf einen Arduino durchsteuert bzw. dieser soll die Schaltung und sich selbst auch ausschalten können. Es gibt wohl so ein Teil, was ich suche, fertig zu kaufen: http://www.pololu.com/product/750 Aber $7 sind zuviel, die gesamte Schaltung mit Arduino und Display kostet ja nicht soviel. Seltsam, dass es keine Alternative dazu gibt. Ich fand jedenfalls nichts.
> Weil du zu faul bist, selber zu suchen? Deine Antwort ist eine absolute Frechheit! Du hast keine Ahnung, wie lange ich gestern gesucht habe, es waren mehrere Stunden. Außerdem bin ich erst 2 Wochen "im Geschäft" und suchte mir daher im Forum Hilfe, wofür es ja wohl auch gedacht ist. Schließlich hatte ich gehofft, der eine oder andere kann ein Bauteil aus dem Stegreif empfehlen. Aber hier habe ich manchmal den Eindruck, dass die "Experten" nur unter sich bleiben und bloß nicht durch irgendwelche Fragen gestört werden wollen. Du musst mir ja auch gar nicht antworten, wenn Dir das zuviel Arbeit ist oder gar Deine Ehre ankratzt. Aber lass wenigstens Deine Beleidigungen gegenüber anderen sein! > Praktisch alle Hersteller und die meisten Distributoren haben eine > parametrische Suche. Da kannst du dein Gehäuse vorgeben und den > maximalen rds_on bei z.B. 4.5V und dann zeigen die dir was es gibt. Das ist alles wunderbar, aber wenn man die nicht kennt, kann man sie auch nicht nutzen. Außerdem ist Dir schon klar, dass ich als Nicht-Elektroniker Tage damit verbringen könnte, mich durch hunderte in Frage kommende Bauteile zu wühlen? > Allerdings wirst du mit deiner SMD-Phobie nicht weit kommen. Wenn ich > z.B. mal bei IRF schaue (http://www.irf.com/product/_/N~1njcjg) einem > der größeren MOSFET-Hersteller von dem viel bei Reichelt im Sortiment > ist. Dann finde ich nur genau einen einzigen logic level P-MOSFET in > TO220 oder irgendeinem anderen bedrahteten Gehäuse, aber gleich mehrere > Bildschirmseiten voll, wenn ich SO8 als Gehäuse erlaube. Ich habe keine SMD-Phobie, aber ich will nicht unnötig Zeit durch Mikroskoplötereien verschwenden, wenn es vielleicht auch anders geht. Wenn nicht, dann ist das eben eine Erkenntnis, die ich daraus ziehe. > Und SO8 ist für SMD vergleichsweise grobschlächtig. Das kriegt man mit > ein bißchen gutem Willen auch auf Lochraster unter. Im Fall eines > einzelnen MOSFETs im SO8 Gehäuse oft sogar, ohne ein Pad auf der Platine > durchtrennen zu müssen, weil ja nur 3 Anschlüsse auf den 8 Beinchen > liegen. Wie bereits erwähnt habe ich das bisher ja hinbekommen, aber ich hab nicht unbegrenzt Zeit für derlei Filigranes und suchte daher nach einer Alternative. Aber bitte, lass Dich nicht weiter belästigen durch einen Anfänger wie mich.
Es gibt d-Pak mit Drähten drann. TO251? reichelt hat da auch einen p-Kanal, denke ich. http://www.reichelt.de/index.html?&ACTION=446&LA=446&SEARCH=to251&OFFSET=500&SORT=-rank&SHOW=1 ist aber auch schwer... Ob die nun bei 4.5Volt schon durchschalten? Müssen die das denn können?
Andreas F. schrieb: > Meinst Du, das klappt, wenn nur 4,5V vorhanden (Batteriebetrieb) sind? > Daher sollte eben die Threshold so klein wie möglich sein. Der 4905 wäre > schon gut, aber kostet auch schon über ein Euro (soviel wie ein Arduino > aus China, unglaublich eigentlich). Bei 4,5V ist Rds_on ca. 1 Ohm. Wenn die Schaltung 1A zieht kommst du aber nicht weit mit Batterien. Ich weiß ja nicht was da sonst noch so auf dem Board ist, aber ein arduino&Display sollte nicht mehr als 100-200mA ziehen. Also rund 100mW am P-MOS. Nicht schön aber möglich. > >> Alternativ könnte man ein bistabiles Realis verwenden. Die haben einen >> Set- und einen Reset-anschluss. Der Schalter würde dann das Relais >> schließen und die Versorgung so gut wie ohne Widerstand erlauben. Der µC >> kann sich über den Reset-Pin am Relais selber ausschalten. Für den >> Forced-Off bräuchte man aber dann noch einen weiteren Taster oder eine >> Latch-Schaltung > > Im Prinzip ja, aber die Dinger sind teuer und ich will die Funktion der > genannten Schaltung nutzen, den Button im Betrieb als Steuerungstaster > zu verwenden, der auf einen Arduino durchsteuert bzw. dieser soll die > Schaltung und sich selbst auch ausschalten können. Ich versteh deine Prämisse nicht so ganz. Was spielt es bei einem Prototypen für eine Rolle ob ein Bauteil ein paar Cent mehr kostet? Und wenns für Serie/kleinserie ist, würde ich eine Platine ätzen(lassen) und billigere SMD-Bauteile nehmen. Ein Mikrorelais kostet rund 1,50€. Ein npn-transistor zum Treiben der Spule 0,10€. 2 Taster 0,20€.Insgesamt also unter 2€. Wie preissenitiv kann denn das Projekt potoentiell sein? Allein die Zeit die du auf der Suche nach dem exotischen p-Mos investiert sollte dir mehr wert sein...
> Bei 4,5V ist Rds_on ca. 1 Ohm. Wenn die Schaltung 1A zieht kommst du > aber nicht weit mit Batterien. Nein, die Schaltung zieht maximal 100mA, meist nur wenige mA. Da ich aber am liebsten gleich ein paar mehr von den Mosfets kaufen will, für andere Anwendungen, wo ich mehr brauche, hätte ich hier einfach gleich mehr gefordert. Außerdem sind die TO220 ja eh für größere Ströme ausgelegt. > Ich weiß ja nicht was da sonst noch so auf dem Board ist, aber ein > arduino&Display sollte nicht mehr als 100-200mA ziehen. Also rund 100mW > am P-MOS. Nicht schön aber möglich. Was meinst Du, was ist nicht schön? > Ich versteh deine Prämisse nicht so ganz. Was spielt es bei einem > Prototypen für eine Rolle ob ein Bauteil ein paar Cent mehr kostet? Und > wenns für Serie/kleinserie ist, würde ich eine Platine ätzen(lassen) und > billigere SMD-Bauteile nehmen. > Ein Mikrorelais kostet rund 1,50€. Ein npn-transistor zum Treiben der > Spule 0,10€. 2 Taster 0,20€.Insgesamt also unter 2€. Wie preissenitiv > kann denn das Projekt potoentiell sein? Allein die Zeit die du auf der > Suche nach dem exotischen p-Mos investiert sollte dir mehr wert sein... Das ist ja der Punkt. Ich will möglichst übliche Standardkomponenten verwenden, damit ich die für diverse kleine Bastel-Projekte immer verwenden kann. Vielleicht geht das so nicht, wie ich mir das vorstelle, dann muss ich es eben anders machen. Z.B. ist der IRLZ34 als N-Kanal ein gutes Beispiel, was ich ideal finde von der Größe und den technischen Daten, ein guter Allrounder, und vom Preis her ist er gerade noch erschwinglich für Basteleien. Aber bei P-Kanal siehts leider mau aus. Nach jetzigem Dafürhalten muss ich hier wohl den SMD-Weg gehen und beiße eben in den sauren Miniatur-Apfel.
Andreas F. schrieb: > Nach jetzigem Dafürhalten muss ich hier wohl den SMD-Weg gehen und beiße > eben in den sauren Miniatur-Apfel. Nana, ist alles nicht so wild! Einzelne MOSFETs im SO-8-Gehäuse haben üblicherweise eine mit Lochrasterplatinen bestens verträgliche Anschlussbelegeung. OK, auf dem Bild ist zwar als SO-8 kein MOSFET zu sehen und er ist nicht sauber ausgerichtet, aber zur Verdeutlichung des Prinzips reicht es. Dual-MOSFETs im SO-8-Gehäuse erfordern auf Lochrasterplatinen Modifikationen, wie Uwe schon schrieb. Alternativ gibt es auch Lochrasterplatinen im 1.27-mm-Raster. Auch dreipolige SOT-23-Gehäuse vertragen sich bestens mit Lochrasterplatinen. Bei den kleineren Bauformen muss man nur mehr auf die thermische Belastung achten. Zum Ausgleich gibt's dafür MOSFETs mit besseren RDSon-Werten. Andreas F. schrieb: > Daher sollte eben die Threshold so klein wie möglich sein. Wie schon Axel Schwenke schrieb, der Threshold-Wert ist für deine Anwendung irrelevant. Evtl. ist für dich dieser Thread hilfreich: Beitrag "RPI, PWM, MOSFET, LED-Strip"
Andreas F. schrieb: > Nein, die Schaltung zieht maximal 100mA, meist nur wenige mA. Da ich > aber am liebsten gleich ein paar mehr von den Mosfets kaufen will, für > andere Anwendungen, wo ich mehr brauche, hätte ich hier einfach gleich > mehr gefordert. Außerdem sind die TO220 ja eh für größere Ströme > ausgelegt. Dann ist ein Rds_on von 1 Ohm auch kein Thema. Bei 100mA gehen da 10mW flöten. Kein Drama. > >> Ich weiß ja nicht was da sonst noch so auf dem Board ist, aber ein >> arduino&Display sollte nicht mehr als 100-200mA ziehen. Also rund 100mW >> am P-MOS. Nicht schön aber möglich. > > Was meinst Du, was ist nicht schön? Unnötig hohe Verluste an einem Schalter > > Das ist ja der Punkt. Ich will möglichst übliche Standardkomponenten > verwenden, damit ich die für diverse kleine Bastel-Projekte immer > verwenden kann. Vielleicht geht das so nicht, wie ich mir das vorstelle, > dann muss ich es eben anders machen. Ich finde Mikrorelais im 2,54mm-Raster sind der praktische Bastelobjekte. Nahezu unendlicher Widerstand wenn offen, perfekt leitend wenn geschlossen. Und im Fall von Bistabilen brauchen sie weder Strom noch Steuersignal um den Zustand zu halten. Ich hab immer eine Handvoll davon da. Inbesondere als High-Side switches meistens besser als P-MOS > Z.B. ist der IRLZ34 als N-Kanal ein gutes Beispiel, was ich ideal finde > von der Größe und den technischen Daten, ein guter Allrounder, und vom > Preis her ist er gerade noch erschwinglich für Basteleien. Aber bei > P-Kanal siehts leider mau aus. P-Mos hat immer schlechtere Performance als N-Mos, aber auch da gibts billige Standardfets. Generell braucht man P-Mos aber nicht so häufig, nachdem man die meisten durch Änderung der Schaltung vermeiden kann. > Nach jetzigem Dafürhalten muss ich hier wohl den SMD-Weg gehen und beiße > eben in den sauren Miniatur-Apfel. Einen Dead bug löten ist auch kein Weltuntergang. Gerade wenn du nur 3 Pins davon brauchst...
Fabian F. schrieb: > Mikrorelais im 2,54mm-Raster @Fabian F. (fabian_f55) Hast du da einen Link für interessante Bezugsquellen?
> Einzelne MOSFETs im SO-8-Gehäuse haben üblicherweise eine mit > Lochrasterplatinen bestens verträgliche Anschlussbelegeung. OK, auf dem > Bild ist zwar als SO-8 kein MOSFET zu sehen und er ist nicht sauber > ausgerichtet, aber zur Verdeutlichung des Prinzips reicht es. Vielen Dank! Meine 3poligen Mosfets habe ich auch immer genau so verarbeitet, allerdings auf einem Ministück Platine und danach noch Drähte unten drangelötet, damit er auf dem Vesperbrettchen nutzbar ist. Das ist halt immer recht mühsam zu bauen. Andere Transistoren steckt man einfach rein. Naja, vielleicht gibts ja mal irgendwann Software-Transistoren auf dem Breadboard... >> Daher sollte eben die Threshold so klein wie möglich sein. > > Wie schon Axel Schwenke schrieb, der Threshold-Wert ist für deine > Anwendung irrelevant. Evtl. ist für dich dieser Thread hilfreich: > Beitrag "RPI, PWM, MOSFET, LED-Strip" Sehr interessant, habs verstanden. Anstatt allein auf die Threshold-Spannung zu achten, sollte ich also auch den RDSon bzw. die Tranfer-Charakteristik mit betrachten.
Konrad S. schrieb: > Fabian F. schrieb: >> Mikrorelais im 2,54mm-Raster > > @Fabian F. (fabian_f55) > Hast du da einen Link für interessante Bezugsquellen? HFD2-L 5V Ist z.B. ein Bistabiles Relais für 5V-Schaltungen. Gibts bei Reichelt für 1,30€ und bei Mouser unter einen anderen Namen (Hab ich grad nicht im Kopf) für 1,10€ im 50er-Pack
Andreas F. schrieb: > Anstatt allein auf die > Threshold-Spannung zu achten, Nein, noch ein Stück weiter: Die Threshold-Spannung ist für Schalt-Anwendungen, wie in deinem Fall, nur interessant, wenn du Gefahr laufen könntest, dass im Ausschalt-Zustand des MOSFETs die Spannung zwischen Gate und Source höher als die Threshold-Spannung ist, d.h. der MOSFET noch nicht ganz aus ist, sich also im Linearbereich befindet - ein Zustand, den du im Schaltbetrieb ganz bestimmt nicht haben willst. Siehe auch im Artikel FET den Abschnitt "Erklärung der wichtigsten Datenblattwerte". Unter der Tabelle steht noch ein erläuternder Absatz zu "Gate-Source Threshold Voltage".
Konrad, grad noch eine Frage, wenn ich darf: In vielen Datenblättern steht bei der Vgs(th) z.B. ein Wert von Min. -1V und Max. -3V. Doch in der Transfer-Charakteristik fängt die Grafik fast immer erst bei -4V an, obwohl man sieht, dass die Stromlinie nicht bei Null beginnt. Z.B. beim IRF7309 im P-Kanal fängt die Grafik bei 5A an bei -4V, d.h. mit 2-3V würde das in der hier konkret angestrebten Schaltung doch sicher auch schon praktikabel funktionieren, obwohl es kein LL-Mosfet ist. Oder wie siehst Du das? Zumal ich in diesem Fall auch nur kleine Ströme habe. RDSon liegt hier bei 160mOhm bei Vgs -4,5V.
Um Missverständnissen vorzubeugen: Von welcher Grafik (Fig-No) auf diesem Datenblatt http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf7309.pdf sprichst du?
Ich meine Grafik 14, Seite 6. Es betrifft auch den N-Kanal, Grafik 3, Seite 3. PS: Wenn ich den IRF7307 damit vergleiche http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf7307.pdf dann wird dort der Graph bis 1,5V gezeichnet, d.h. das dürfte dem entsprechen, was beim 7309 unterhalb von 4V fehlt, oder?
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Andreas F. schrieb: > Z.B. beim IRF7309 im P-Kanal fängt die Grafik bei 5A an bei -4V, d.h. > mit 2-3V würde das in der hier konkret angestrebten Schaltung doch > sicher auch schon praktikabel funktionieren, obwohl es kein LL-Mosfet > ist. Oder wie siehst Du das? Zumal ich in diesem Fall auch nur kleine > Ströme habe. RDSon liegt hier bei 160mOhm bei Vgs -4,5V. Unterhalb von 4V fallen die Kurven stark ab. Allein schon zwischen 4,5 und 5.5 V liegt ein Faktor 10 im Rds_On Bei 3-4V wirds kritisch. Da hängts von der Produkttoleranz und Umgebungstemperatur ab. Siehts mal so. Du hast automatisch einen Tiefentladeschutz. Wenn die Spannung unter 3V fällt macht der sich selbst aus.. Übrigens. P-Fets mit der Charakteristik kriegst du auch in To220 oder To52 Gehäuse. Da braucht's kein SMD
> Unterhalb von 4V fallen die Kurven stark ab. Allein schon zwischen 4,5 > und 5.5 V liegt ein Faktor 10 im Rds_On Wie gesagt, beim 7307 ist die Kurve weitergezeichnet nach unten und sieht eigentlich gut aus. > Bei 3-4V wirds kritisch. Da hängts von der Produkttoleranz und > Umgebungstemperatur ab. > Siehts mal so. Du hast automatisch einen Tiefentladeschutz. Wenn die > Spannung unter 3V fällt macht der sich selbst aus.. Auch nicht schlecht. Aber bei Batterien ist das eher kontraproduktiv. > Übrigens. P-Fets mit der Charakteristik kriegst du auch in To220 oder > To52 Gehäuse. Da braucht's kein SMD Wenn es ein P-Kanal-Pendant zum IRLZ34N gäbe, muss ja nicht 20A leisten, 5 tätens auch, was zudem bei den üblichen Verdächtigen erhältlich ist, z.B. Kessler-Electronic, wäre das perfekt. Aber genau hieran bin ich bisher gescheitert. Egal, mach ich hier halt notfalls einen Käfer tot.
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Andreas F. schrieb > Ich meine Grafik 14, Seite 6. > Es betrifft auch den N-Kanal, Grafik 3, Seite 3. Das habe ich befürchtet. ;-) Rechts unten in der Ecke steht: "20µs PULSE WIDTH". Ist also für deinen Fall nicht relevant. Da sind nur die "Static"-Werte von Belang. In deinem Fall sieht es beim IRF7309 so aus: N-MOSFET ausgeschaltet: von 0V bis 1.0V (Min. "Gate Threshold Voltage" VGS(th), Seite 2) N-MOSFET eingeschaltet: von 4.5V (Conditions bei "Static Drain-to-Source On-Resistance" RDSon, Seite 2) bis 20V (Max. "Gate-to-Source Voltage" VGS, Seite 1) P-MOSFET ausgeschaltet: von Vsource bis (Vsource - 1.0V) (Min. "Gate Threshold Voltage" VGS(th), Seite 2) P-MOSFET eingeschaltet: von (Vsource - 4.5V) (Conditions bei "Static Drain-to-Source On-Resistance" RDSon, Seite 2) bis (Vsource - 20V (Max. "Gate-to-Source Voltage" VGS, Seite 1) > obwohl es kein LL-Mosfet Den IRF7309 darfst du durchaus als "Logic-Level"-MOSFET betrachten, seine "inneren Werte" sprechen dafür. > Wenn ich den IRF7307 damit vergleiche Der IRF7307 hat im Vergleich zum IRF7309 nochmal leicht bessere Werte (allerdings kann er nur 20V gegenüber 30V ab) und taugt auch in einer 3.3V-Umgebung. Zudem ist er bei Reichelt nur 0.02€ teurer.
> Das habe ich befürchtet. ;-) > Rechts unten in der Ecke steht: "20µs PULSE WIDTH". Ist also für deinen > Fall nicht relevant. Da sind nur die "Static"-Werte von Belang. Das steht doch (fast) immer dabei, oder? Ich hab das aus dem anderen Faden, wo Du auch geschrieben hast, als betrachtungsrelevant herausgelesen. >> Wenn ich den IRF7307 damit vergleiche > > Der IRF7307 hat im Vergleich zum IRF7309 nochmal leicht bessere Werte > (allerdings kann er nur 20V gegenüber 30V ab) und taugt auch in einer > 3.3V-Umgebung. Zudem ist er bei Reichelt nur 0.02€ teurer. Heißt das, obwohl der IRF7309 unterhalb von 4V keine Daten im Diagramm zeigte, man diese in diesem Fall durchaus hätte angeben können? Zumindest interpolieren kann man sie dann wohl. Danke vielmals!
Andreas F. schrieb: > Heißt das, obwohl der IRF7309 unterhalb von 4V keine Daten im Diagramm > zeigte, man diese in diesem Fall durchaus hätte angeben können? > Zumindest interpolieren kann man sie dann wohl. zu Fig 14: Nach der oberen Kurve - also wenn der P-MOSFET "einen kühlen Kopf hat" - haben (besser: hätten) wir bei VGS -4.5V und 9.5A eine (statische) Verlustleistung von 14.44W, aber nicht lange, denn in Verbindung mit RθJA ergibt (besser: ergäbe) sich eine Erwärmung um 1299.6°C. Du siehst daran, dass die kleinen Anmerkungen in irgendwelchen Ecken und die kleinen lustigen Fußnoten, z.B. auch beim RDSon, durchaus ihren Sinn haben. Geh bei den Diagrammen erstmal immer davon aus, dass der Hersteller den Betrieb außerhalb des dargestellten Bereichs nicht für sinnvoll hält und schon erst recht nicht bereit ist, irgendwelche Zusagen zu machen. Falls du einen MOSFET nicht im Schaltbetrieb sondern im Linearbetrieb verwenden willst, dann such dir einen dafür geeigneten Typ aus. Dessen Datenblatt hat dann auch Diagramme, die diesen Bereich abdecken.
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Ach so, ich dachte, man kann die Dinger immer für beides verwenden, wenn die Daten passen. Aber ich bleib jetzt mal beim IRF7307, das passt. Danke.
Andreas F. schrieb: > Aber ich bleib jetzt mal beim IRF7307, das passt. Ja. Methode "Dead Bug" oder bei Lochraster Lötaugen teilen oder nur die Gate-Pins anheben und mit Kupferlackdraht anschließen.
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