Mal kurz eine Frage: Ihr kennt ja das Problem bestimmt, dass ihr bei Entwicklungen in der Firma manchmal auf Bauteile angewiesen seid, die "eh schon da sind" und ihr nicht für jedes Projekt alle Teile komplett neu raussuchen könnt. Angenommen ich möchte z.B. zwei Schottky-Dioden in Reihe schalten, um eine höhere Sperrspannungsgrenze zu erreichen, weil die Dioden die da sind nicht ausreichend sind, ist das ja grundsätzlich nicht allzu sinnvoll weil die Dioden gewisse Fertigungstoleranzen haben und sich die Spannung nicht sauber 1/2 und 1/2 auf beide Dioden verteilen wird. Jetzt wurde mir vor kurzem in der Firma von einem erfahrenen Analogtechniker ein "Trick" verraten, bei dem man parallel zu jeder Diode einen Widerstand parallel schaltet, der quasi eine Art Biasing-Strom rückwärts fließen lässt und dabei hilft dass sich die Spannung sauber aufteilt über beide Dioden. Errechnet wird der Widerstandswert mit der Pi-Mal-Daumen Formel r= 2*(u/i). U die maximal zu erwartende Spannung die abfällt und als i der reverse leakage current bei Raumtemperatur aus dem Datenblatt. Habe das bei einem DC/DC Boost-Converter der sekundärseitig 50 Volt erzeugt ausprobiert, benutzt wurden zwei 40V Schottky-Dioden in Reihe mit besagten Widerständen. Funktionieren tut der Boost-Converter auf jeden Fall. Aber das hat er auch schon als ich noch nicht die zwei Widerstände dazu gelötet hatte. Ich möchte natürlich nicht das Wissen und die Fähigkeiten des Mannes aus unserer Firma anzweifeln, aber irgendwie habe ich davon noch nie gehört und finde dazu auch nichts im Internet und wollte mal fragen ob man hier diesen "Trick" kennt? Grüße und schönes Wochenende!
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egal schrieb: > zwei Schottky-Dioden in Reihe schalten Schottky nimmt man eigentlich nur wegen der geringeren Flußspannung, d.h. Reihenschaltung vernichtet diesen (einzigen) Vorteil. Eine Schottky-Reihenschaltung wird man daher in der Praxis nicht finden.
Hi, also ich kann mir das nicht so ganz vorstellen. Klar wenn du 2 gleich große Widerstände nimmst, wird die Spannung in Sperrichtung gleich groß an den Dioden sein. Trotzdem hättest du einen Stromfluss über die Widerstände. Du würdest also in Sperrichtung die Diodenkennlinine durch die lineare Widerstandskennlinie ersetzen. In Durchlassrichtung würdest du bis ca. 0.6V die Diodenkennlinie linearisieren und dann in die normale Diodenkennlinie mit dem offset durch den Widerstand durchlaufen. Wenn du den Stromfluss verhindern willst/musst, ist diese Idee vlt unpraktisch (müsste man testen mit hochohmigen Widerständen). Wenn es NUR um die gleichmäßige Aufteilung der (Sperr-)Spannungen an den Dioden geht dann kann man das wohl machen. Gehört oder gesehen habe ich das aber noch nie (bin aber auch nicht so erfahren). Gruß
egal schrieb: > ob man hier diesen "Trick" kennt? Für Hochspannungsgleichrichter (bspw. früher in Röhren-PAs für die Funktechnik) durchaus. Bei Schottkys wäre meine ad-hoc-Vermutung, dass man das gar nicht braucht: die haben ohnehin deutlich mehr Sperrstrom als Sperrschicht-Dioden, der das besser ausgleichen dürfte. Ansonsten Zustimmung zu Peter.
Der Sperrstrom stellt sich selbstregulierend auf das mögliche Minimum ein. OHNE parallele Widerstände. Die Spannung wird sich dabei nicht sauber 1/2 und 1/2 auf beide Dioden verteilen. So what?
Homo Neandertalensis schrieb: > Die Spannung wird sich dabei nicht sauber 1/2 und 1/2 auf beide Dioden > verteilen. Bei normalen Sperrschichtdioden können die Exemplarstreuungen aber dann recht groß sein. Wenn du nun 2 kV Sperrspannung brauchst und hast nur Dioden mit 1,2 kV, dann kann das halt knapp werden. Für ein Einzelexemplar kann man es natürlich auch immer einfach mal nachmessen.
egal schrieb: > Ich möchte natürlich nicht das Wissen und die Fähigkeiten des Mannes aus > unserer Firma anzweifeln Grundsätzlich kann man das schon so machen, aber die Auslegung ist meiner Ansicht nach falsch: egal schrieb: > Errechnet wird der Widerstandswert mit der Pi-Mal-Daumen Formel r= > 2*(u/i). U die maximal zu erwartende Spannung die abfällt und als i der > reverse leakage current bei Raumtemperatur aus dem Datenblatt. Das reicht keineswegs. Wenn schon, dann muss man sicherheitshalber den höchstmöglichen Sperrstrom* in die Formel einsetzen, aber dann ist der "Trick" womöglich garnicht mehr brauchbar wegen des hohen Stroms durch die Widerstände. *der maximale(!) Sperrstrom bei der maximal zu erwartenden Temperatur Georg
egal schrieb: > parallel zu jeder Diode einen Widerstand Das müßte eigentlich überflüssig sein. Eine Diode wird zuerst durchbrechen und damit die Spannung auf die andere geben. Damit gleichen sie sich automatisch aus. Die Diode geht ja nicht durch die Spg kaputt, sondern durch die Leistung, und die ist gering wegen des kleinen Sperrstroms. Nehmen wir mal eine keine BAT42: die kann 30V und hat bei 25V einen Sperrstrom von typ. 0,1µA und max 0,5µA. Davon geht sie nicht kaputt und die Spg verteilt sich vernünftig.
Zwei in Reihe geschaltete Schottky-Dioden kannst Du auch gleich durch eine einzelne Si-Diode passender Sperrspannung ersetzen.
Hermann schrieb: > Das müßte eigentlich überflüssig sein. Eine Diode wird zuerst > durchbrechen und damit die Spannung auf die andere geben. Damit gleichen > sie sich automatisch aus. Da gab's mal was. IIRC nennt sich das "controlled avalanche recovery". Manche Dioden (für höhere Spannungen) sind gezielt darauf optimiert.
> Zwei in Reihe geschaltete Schottky-Dioden kannst Du auch gleich durch > eine einzelne Si-Diode passender Sperrspannung ersetzen. Ist klar; es geht hier aber um das Verständnis in Reihe geschalteter Dioden. > Bei normalen Sperrschichtdioden können die Exemplarstreuungen aber > dann recht groß sein. Wenn du nun 2 kV Sperrspannung brauchst und > hast nur Dioden mit 1,2 kV, dann kann das halt knapp werden. Mal angenommen, die eine Diode hat bei 1kV 1µA Sperrstrom, die andere bei 1kV 3µA. Beide Sperrströme würden bei weiter erhöhter Spannung ansteigen, irgendwann mit exponentieller Tendenz. Bei 2 kV angelegter Spannung an die Reihenschaltung dieser Dioden stellt sich ein Sperrstrom grösser 1µA aber kleiner 3µA ein. Selbst wenn an der einen Diode 1,3kV anliegen würden und an der anderen 0,7kV, wäre das kein Problem.
@ soul eye (souleye) >> Das müßte eigentlich überflüssig sein. Eine Diode wird zuerst >> durchbrechen und damit die Spannung auf die andere geben. Damit gleichen >> sie sich automatisch aus. Das sollte man mit normalen Dioden nicht machen, denn die gehen dadurch früher oder später kaputt. >Da gab's mal was. IIRC nennt sich das "controlled avalanche recovery". >Manche Dioden (für höhere Spannungen) sind gezielt darauf optimiert. Das ist der entscheidende Punkt! Man darf nur avalanchefähige Dioden ohne Zusatzmaßnahmen in Reihe schalten, nur die halten das dauerhaft aus, so wie Z-Dioden.
@ egal (Gast) >Analogtechniker ein "Trick" verraten, bei dem man parallel zu jeder >Diode einen Widerstand parallel schaltet, der quasi eine Art >Biasing-Strom rückwärts fließen lässt und dabei hilft dass sich die >Spannung sauber aufteilt über beide Dioden. >Errechnet wird der Widerstandswert mit der Pi-Mal-Daumen Formel r= >2*(u/i). U die maximal zu erwartende Spannung die abfällt und als i der >reverse leakage current bei Raumtemperatur aus dem Datenblatt. Das gilt nur bei Gleichspannung bzw. relativ niedrigen Frequenzen von ein paar Dutzend Hertz. Außerdem ist der Sperrstrom temperaturabhängig, oberhalb von 100°C geht die Post ab! Der steigt nämlich expoentiell. >Habe das bei einem DC/DC Boost-Converter der sekundärseitig 50 Volt >erzeugt ausprobiert, benutzt wurden zwei 40V Schottky-Dioden in Reihe >mit besagten Widerständen. Funktionieren tut der Boost-Converter auf >jeden Fall. Aber das hat er auch schon als ich noch nicht die zwei >Widerstände dazu gelötet hatte. Eben. Bei den Schaltfrequenzen wirken solche hochohmigen Widerstände nicht als Symmetrierung.
hmmm, leider finde ich kein DB mehr für die gute alte TV20. Ich kann mir nicht denken, dass die damals schon soetwas wie "controlled avalanche" oder "fast recovery" kannten; und Widerstände waren da drin auch keine parallel.
egal schrieb: > als i der reverse leakage current bei Raumtemperatur aus dem Datenblatt. Eher der bei maximaler Betriebtemperatur (beispielsweise hat eine Schottky 100uA Reststrom bei 20 GradC und 1mA bei Betriebstemperatur),
1 | +--R--+ +--R--+ |
2 | 0 --+ +-+ +-- 200V |
3 | +-|>|-+ +-|>|-+ |
also bei einer Sperrspannung von 100V entweder 1 MOhm oder 100k. Im schlechtesten Fall (eine Diode hat 0 Rückwärtsstrom, die andere hätte 100uA bei 20 GradC was bei dir Widerstandswerte von 4MOhm ergibt)
1 | +--4M--+ +--4M--+ |
2 | 0 --+ +-+ +-- 200V |
3 | +- -+ +-100k-+ |
4 | 197V 3.4V |
So ungleich werden die Dioden nicht sein, aber rechnet man mit dem Sperrstrom bei Betriebstemp von 1mA und (u/i)/2 als Widerstandswert
1 | +--50k-+ +--50k-+ |
2 | 0 --+ +-+ +-- 200V |
3 | +- -+ +-100k-+ |
4 | 120V 80V |
sieht das ganze schon viel besser aus, selbst im schechtesten Fall. Beim Schaltregler wirkt auch sehr stark der kapazitive Spannungsteiler durch die Sperrschchtkapazität der reverse gepolten Dioden, es kann da viel wichtiger sein, parallet zu den Dioden auch Kondensatoren zu schalten, damit auch während der Umschaltens die Spannungsverteilung sich (nahezu) gleich aufteilt.
1 | +--1nF-+ +-1nF--+ |
2 | | | | | |
3 | +--50k-+ +--50k-+ |
4 | 0 --+ +-+ +-- 200V |
5 | +-|>|--+ +-|>|--+ |
Ob nun der höhere Reststrom und die höhere Kapazität nicht so schädlich für die Schaltung sind, daß sich der Kauf einer 200V Diode doch lohnen würde - ist nicht unklar, sondern klar: Besser kaufen.
In den TV-Stäben waren gestapelte Selen-Plättchen drin, die haben eine sehr weiche Sperrkennlinie. Damit stellt sich ein Verhalten ähnlich avalanche ein.
@ Dieter Werner (dds5) >In den TV-Stäben waren gestapelte Selen-Plättchen drin, die haben eine >sehr weiche Sperrkennlinie. Damit stellt sich ein Verhalten ähnlich >avalanche ein. Das waren auch eher leicht richtungsabhängige Widerstände als Dioden ;-)
Falk B. schrieb: > Das waren auch eher leicht richtungsabhängige Widerstände als Dioden ;-) Nette Charakterisierung, gefällt mir. Als Entladewiderstand haben die Dinger wirklich gut funktioniert.
>In den TV-Stäben waren gestapelte Selen-Plättchen drin
Die hatten alle "controlled avalanche recovery",
nur war diese Benennung damals noch nicht erfunden.
Mit Thyristoren geht das übrigens nicht.
Sobald der eine "über Kopf" zündet und voll durchschaltet,
macht das der andere dann auch.
Peter D. schrieb: > Schottky nimmt man eigentlich nur wegen der geringeren Flußspannung, > d.h. Reihenschaltung vernichtet diesen (einzigen) Vorteil. Eigentlich nimmt man die hier wegen der Tauglichkeit bzgl. Schaltfrequenz. egal schrieb: > Errechnet wird der Widerstandswert mit der Pi-Mal-Daumen Formel r= > 2*(u/i). U die maximal zu erwartende Spannung die abfällt und als i der > reverse leakage current bei Raumtemperatur aus dem Datenblatt. Der Strom durch die Widerstände sollte dem 5fachen dieses Reststromes entsprechen. So kenne ich das. Es bleibt aber immer eine Notlösung für Einzelstücke.
Homo Neandertalensis schrieb: > Sobald der eine "über Kopf" zündet und voll durchschaltet, > macht das der andere dann auch. Das ist wie im Freibad auf dem 10-Meter-Turm: Wenn sich Einer traut, dann zünden Alle und springen hinterher. MfG Paul
egal schrieb: > > Ich möchte natürlich nicht das Wissen und die Fähigkeiten des Mannes aus > unserer Firma anzweifeln, aber irgendwie habe ich davon noch nie gehört > und finde dazu auch nichts im Internet und wollte mal fragen ob man hier > diesen "Trick" kennt? > Sowas macht man wenn man mit Dioden arbeitet die im Hochvoltbereich sind und deren Sperrspannung geringer ist als die Spannung an der sie hängen. Der "Trick" wird sich wohl auf Elkos beziehen die in Reihe geschaltet sind. Ausserdem wirst du wohl die Durchlassspannung der Diode(n) nutzen wollen. Und da spielt es eh keine Rolle. Kurt
Falk B. schrieb: > Das sollte man mit normalen Dioden nicht machen, denn die gehen dadurch > früher oder später kaputt. Nö. Ich habe mal aus 500 Stück 1N4007 eine Diode für 200kV/200mA gebaut (Röntgentherapie Netzteil), die über 15 Jahre so lief ohne irgendwelche Ausfälle.
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@ Matthias Sch. (Firma: Matzetronics) (mschoeldgen) >> Das sollte man mit normalen Dioden nicht machen, denn die gehen dadurch >> früher oder später kaputt. >Nö. Ich habe mal aus 500 Stück 1N4007 eine Diode für 200kV/200mA gebaut >(Röntgentherapie Netzteil), die über 15 Jahre so lief ohne irgendwelche >Ausfälle. Jaja, die liebe "Logik". Ich bin auch schon mal bei Rot über die Kreuzung gegangen!!!
Homo Neandertalensis schrieb: > Mal angenommen, die eine Diode hat bei 1kV 1µA Sperrstrom, > die andere bei 1kV 3µA. Hätte. Aber bei einer Serienschaltung zweier Dioden kann ja kaum durch eine Diode mehr Sperrstrom fließen als durch die andere. Ich stelle mir das eher so vor, daß die Dioden eine zwar unterschiedliche, aber halbwegs vergleichbare (solange im annehmbaren Temperaturbereich) Durchbruchspannung haben. Weshalb bei stärkerer Überdimensionierung (Strom- wie auch Spannungs-mäßig) wenig Gefahr besteht, und also... Matthias S. schrieb: > aus 500 Stück 1N4007 eine Diode für 200kV/200mA gebaut > (Röntgentherapie Netzteil), die über 15 Jahre so lief ohne irgendwelche > Ausfälle ...durchaus plausibel ist. Falk B. schrieb: > Das sollte man mit normalen Dioden nicht machen, denn die gehen dadurch > früher oder später kaputt. Falk B. schrieb: > Das ist der entscheidende Punkt! Man darf nur avalanchefähige Dioden > ohne Zusatzmaßnahmen in Reihe schalten, nur die halten das dauerhaft > aus, so wie Z-Dioden. Falk B. schrieb: > Das gilt nur bei Gleichspannung bzw. relativ niedrigen Frequenzen von > ein paar Dutzend Hertz. Außerdem ist der Sperrstrom temperaturabhängig, > oberhalb von 100°C geht die Post ab! Der steigt nämlich expoentiell. Falk B. schrieb: > Eben. Bei den Schaltfrequenzen wirken solche hochohmigen Widerstände > nicht als Symmetrierung. ...stimmt aber m. E. auch, da Falk sich zwar nicht exakt so ausdrückt, aber (so hatte ich´s verstanden, da es in diesem Thread ja nicht darum ging bis jetzt) hier nicht von Fällen extremer Überdimensionierung, und ebenfalls nicht von 50Hz-Anwendungen spricht. Also gar kein Widerspruch, genaugenommen, oder? o.O
s.A. Series operation of fast rectifiers. B. Rivet SGS-Thomson
G. H. schrieb: > leider finde ich kein DB mehr für die gute alte TV20. > Ich kann mir nicht denken, dass die damals schon soetwas wie "controlled > avalanche" oder "fast recovery" kannten; und Widerstände waren da drin > auch keine parallel Am Zeilentrafo war eine Fassung mit einem Entlastungsstreifen. Dieser Bestand aus einer speziellen Plaste und die hat das elektrische Feld entlang dieses Bauteils "gesteuert". Und das bei der Zeilenfrequenz von 15,625 kHz.
Nautilus schrieb: > und die hat das elektrische Feld > entlang dieses Bauteils "gesteuert Interessant. Hast Du dazu noch mehr Infos?
Falk B. schrieb: >>Nö. Ich habe mal aus 500 Stück 1N4007 eine Diode für 200kV/200mA gebaut >>(Röntgentherapie Netzteil), die über 15 Jahre so lief ohne irgendwelche >>Ausfälle. > > Jaja, die liebe "Logik". Ich bin auch schon mal bei Rot über die > Kreuzung gegangen!!! Aber nicht 15 Jahre lang mindestens 10 mal am Tag - das ist der Unterschied. Also ja, es geht auch ohne Balancerwiderstände.
@ Matthias Sch. (Firma: Matzetronics) (mschoeldgen) >> Jaja, die liebe "Logik". Ich bin auch schon mal bei Rot über die >> Kreuzung gegangen!!! >Aber nicht 15 Jahre lang mindestens 10 mal am Tag - das ist der >Unterschied. Woher weißt du das? ;-) >Also ja, es geht auch ohne Balancerwiderstände. Ob das die Profis in der Hochspannungstechnik auch so sehen? Ich kenne deine Geschichte mit dem Gleichrichter in dem Röntgenapparat. Dort ging es um eine 50 Hz Gleichrichtung. Wenn ich mal Zeit habe, werde ich mal ein paar 1N4007 mit ein wenige Sperrstrom quälen, mal sehen was passiert.
Matthias S. schrieb: > Aber nicht 15 Jahre lang mindestens 10 mal am Tag - das ist der > Unterschied. Also ja, es geht auch ohne Balancerwiderstände. “Absence of evidence is no evidence of absense.” Soll heißen: klar kannst du mit so einer Methode Glück haben. Wenn deine 500 Dioden alle aus einigermaßen dem gleichen Bereich der gleichen Siliziumscheiben stammen, dann können sie eine so gut vergleichbare Ur/Ir-Charakteristik haben, dass das gut geht – so wie bei dir. Daraus aber die Schlussfolgerung zu treffen, dass diese Methode immer funktionieren wird, ist einfach unzulässig. Du hast nämlich weder untersucht, warum es bei dir so funktioniert, um dann zu analysieren, ob das immer so eintrifft, noch hast du eine statistisch relevante Anzahl von Beispielen, anhand derer du schlussfolgern könntest, dass es mit hoher statistischer Sicherheit immer so wäre. G. H. schrieb: > hmmm, leider finde ich kein DB mehr für die gute alte TV20. http://www.radiomuseum.org/tubes/tube_tv20.html Wie hier andere schon schrieben, Selengleichrichter hatten den Parallelwiderstand, über den hier diskutiert worden ist, gewissermaßen inhärent eingebaut.
> Im Zeilentrafo war eine Fassung mit einem Entlastungsstreifen. Dieser > Bestand aus einer speziellen Plaste und die hat das elektrische Feld > entlang dieses Bauteils "gesteuert". Und das bei der Zeilenfrequenz von > 15,625 kHz. Das ist womöglich der Punkt: Wg. der Zeilenfrequenz spielt die Sperrschichtkapazität und damit das dynamische Sperrverhalten der Einzeldioden womöglich die grössere Rolle, als das statische Sperrverhalten. Durch die aufgebrachte (schwach leitende ?) Paste erreicht man eine Linearisierung der Spannungsaufteilung.
Elektrofan schrieb: > Durch die aufgebrachte (schwach leitende ?) Paste erreicht man eine > Linearisierung der Spannungsaufteilung. Steht das in Zusammenhang mit: Nautilus schrieb: > Am Zeilentrafo war eine Fassung mit einem Entlastungsstreifen. Dieser > Bestand aus einer speziellen Plaste und die hat das elektrische Feld > entlang dieses Bauteils "gesteuert". Und das bei der Zeilenfrequenz von > 15,625 kHz. Normalerweise dächte ich "ja", nur Plaste nicht gleich Paste. Worum geht es da? Gibt´s da genaueres dazu? Ich habe nichts gefunden. Sollte jemand näher Bescheid wissen (oder mit Dokumenten dienen können), bitte ich in aller Form darum. Hatte das noch nie gehört.
@Jörg Wunsch (dl8dtl) (Moderator) Benutzerseite >deine 500 Dioden alle aus einigermaßen dem gleichen Bereich der >gleichen Siliziumscheiben stammen, dann können sie eine so gut >ob das immer so eintrifft, noch hast du eine statistisch relevante >Anzahl von Beispielen, anhand derer du schlussfolgern könntest, dass >es mit hoher statistischer Sicherheit immer so wäre. Naja, er hat immerhin 500 Dioden im "Test" gehabt. Das ist statistisch schon deutlich besser als die "man kann 2 LEDs problemlos parallel schalten"-Fraktion ;-)
Die Reihenschaltung von SI-Dioden und einigen Schottkys ist kein Problem. Man braucht keine Symmetrierwiderstände. Begründung: SI-Dioden brechen wegen dem Avalanche-Effekt durch, das ist eigentlich wie eine Z-diode, nur halt nicht so genau auf eine Spannung hinoptimiert. Und der ist reversibel, solange man die Diode nicht thermisch tötet. Solange die Sperrspannung beider Dioden nicht überschritten wird, wird sich die Spannung auf irgendeine Art so einstellen, dass beide Dioden sperren. Das wird sich hauptsächlich an der Temperatur orientieren - die kalte wird mehr Spannung abbekommen. Aber nie mehr als die Durchbruchspannung, denn spätedtens dann bekommt die andere Diode den Strom, der zur Symmetrierung nötig ist. Es gibt also keinen Grund, warum man nicht die doppelten Nennspannung an zwei in Serie geschaltete Dioden anlegen können sollte. Das gilt auch für einige (alle?) Schottkys, einige haben das so im Datenblatt angegeben (Avalanche-Energie). Man macht sowas aber nur selten. So teuer sind Dioden nicht :-) Ich habs allerdings schon mal verwendet - für einen Boost 3 -> 700V mit 0,3W. Da waren ein 6 BAV203 günstiger als alle Ultrafast mit 1kV (Leckstrom, Schaltgeschwindigkeit). Die Vorwärtsspannung macht nicht mal 1% der Ausgangsspannung aus und stört viel weniger als der Leckstrom. Ist aber schon sehr speziell ;-)
@ Gästchen (Gast) >Die Reihenschaltung von SI-Dioden und einigen Schottkys ist kein >Problem. Man braucht keine Symmetrierwiderstände. Stimmt nicht. >SI-Dioden brechen wegen dem Avalanche-Effekt durch, das ist eigentlich >wie eine Z-diode, nur halt nicht so genau auf eine Spannung >hinoptimiert. Und der ist reversibel, solange man die Diode nicht >thermisch tötet. Ach ja? Warum werden dann Z-Dioden explizit als solche bezeichnet und behandelt? Nein, normale Dioden halten den Avalanchedurchbruch auch bei Begrenzung der Leistung NICHT unbeschadet aus!!! Goldene Einzelexemplare zählen nicht! https://de.wikipedia.org/wiki/Avalanche-Diode#Gleichrichterdioden "Gleichrichterdioden vom Typ Avalanche weisen beim Rückwärtsdurchbruch, ähnlich Suppressordioden, ein spezifiziertes Verhalten auf, das im Datenblatt mit „surge reverse power dissipation“ angegeben wird. Gewöhnliche Gleichrichterdioden können dagegen „hot-spots“ in der Sperrschicht entwickeln und beschädigt werden."
Falk B. schrieb: > Nein, normale Dioden halten den Avalanchedurchbruch auch bei Begrenzung > der Leistung NICHT unbeschadet aus!!! Goldene Einzelexemplare zählen > nicht! > > https://de.wikipedia.org/wiki/Avalanche-Diode#Gleichrichterdioden Mir wurde das so erzählt - in Schaltungstechnik. Unter deinem Link steht nichts dem wiedersprechendes. Hier steht das mit dem Lawinendurchbruch (Avalanche): https://de.wikipedia.org/wiki/Lawinendurchbruch http://www.hs-augsburg.de/~clemen/lehre/mikro/3-1bis3-7.pdf Alle scheinen sich einig zu sein, dass der reversibel ist. Den Effekt hat meines Wissens nach jeder PN-Übergang, und mir wäre kein Mechanismus (außer der Leistung!) bekannt, der die Dioden dadurch kaputt macht. Natürlich kann ich mich täuschen. Aber eine Quelle dazu wäre schon schön. Desweiteren wird es zum Avalanche Breakdown sowieso nicht kommen. Die Leckströme sind nämlich Spannungs- und Temperaturabhängig. Die Diode mit mehr Spannung liefert auch mehr Leckstrom, die mit mehr Temperatur ebenso. Schon allein darum zieht sich das in die Mitte. Ich bin mir da schon recht sicher, ich hab dazu schon Versuche mit einigen BIPs und Dioden gemacht. Die haben alle überlebt. Speziell die LL4148 ist ein echtes Monster, die lötet sich lieber selber aus, als zu sterben :-)
http://www.amateurfunkpruefung.de/lehrg/a05/a05.html Prüfungsfrage TD307 :) Weitere, interessante Diskussion hier im Forum: Beitrag "Hochspannungsgleichrichter" Viel Spaß noch :)
Peter D. schrieb: > Schottky nimmt man eigentlich nur wegen der geringeren Flußspannung, > d.h. Reihenschaltung vernichtet diesen (einzigen) Vorteil. Reverse Recovery. Grüße.
Falk B. schrieb: >> ob das immer so eintrifft, noch hast du eine statistisch relevante >> Anzahl von Beispielen, anhand derer du schlussfolgern könntest, dass >> es mit hoher statistischer Sicherheit immer so wäre. > > Naja, er hat immerhin 500 Dioden im "Test" gehabt. Das ist statistisch > schon deutlich besser als die "man kann 2 LEDs problemlos parallel > schalten"-Fraktion Das stimmt zwar, aber sofern sie alle aus einem Gebiet der gleichen Scheibe kommen, erfüllen sie damit nicht die Anforderung der statistischen Unabhängigkeit. stromtuner schrieb: > Prüfungsfrage TD307 :) Oder eben die ST-Appnote, die oben bereits gepostet worden ist. Elektrofan schrieb: > Wg. der Zeilenfrequenz spielt die Sperrschichtkapazität und damit das > dynamische Sperrverhalten der Einzeldioden womöglich die grössere Rolle, > als das statische Sperrverhalten. Nö, das spielte bei Selengleichrichtern keine Geige. Die hatten genügend statischen Leckstrom. Da war es völlig üblich, 15 V pro Platte anzusetzen und dann für 300 V Sperrspannung (bspw. für die Anodenspannung eines Röhrenradios) eben 20 Scheiben aufeinander zu stapeln. Gästchen schrieb: > Den Effekt hat meines Wissens nach jeder PN-Übergang, und mir wäre kein > Mechanismus (außer der Leistung!) bekannt, der die Dioden dadurch kaputt > macht. Entscheidend dafür, dass er auch im praktischen Betrieb reversibel ist ist, dass der Durchbruch gleichmäßig verteilt über die Fläche auftritt. Bei Dioden, die dafür vorgesehen sind, garantiert dir der Hersteller das. Bei anderen hast du das Risiko einer lokalen Überhitzung, da zu viel Wärme an einer Stelle entstehen kann, an der sie so schnell nicht abgeführt werden kann. Daher ist es eben doch ein bisschen wie mit dem bei Rot über die Kreuzung gehen: kann gut gehen, je nach Umständen vielleicht sogar oft, ist aber trotzdem Pfusch.
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@ Gästchen (Gast) >Alle scheinen sich einig zu sein, dass der reversibel ist. In der Therorie vielleicht. Praktisch gibt es da immer ein paar Unterschiede! >Den Effekt hat meines Wissens nach jeder PN-Übergang, und mir wäre kein >Mechanismus (außer der Leistung!) bekannt, der die Dioden dadurch kaputt >macht. Steht doch dort! Die Hot Spots machen dir die Diode kaputt. Bei Z-Dioden bzw. Avalanche-Dioden sind die Dotierungsgeometrien EXPLIZIT so gestaltet, daß es keine Hot Sports gibt. Daß es viele normale Dioden scheinbar trotzdem unbeschadet aushalten, ist ein gefährlicher Irrtum scheinbarer Sicherheit! Das darf man nicht verallgemeinern. > Natürlich kann ich mich täuschen. Aber eine Quelle dazu wäre >schon schön. Hab ich auf die Schnelle auch nicht zu bieten. >Desweiteren wird es zum Avalanche Breakdown sowieso nicht kommen. >Die Leckströme sind nämlich Spannungs- und Temperaturabhängig. Die Diode >mit mehr Spannung liefert auch mehr Leckstrom, die mit mehr Temperatur >ebenso. Schon allein darum zieht sich das in die Mitte. Das ist die Vorstufe zum Avalanche-Breakdown. >Ich bin mir da schon recht sicher, ich hab dazu schon Versuche mit >einigen BIPs und Dioden gemacht. Die haben alle überlebt. Speziell die >LL4148 ist ein echtes Monster, die lötet sich lieber selber aus, als zu >sterben :-) Würdest du auf diese Erkenntnis hin Millionen davon in Reihe schalten und in Millionen Geräten verbauen? Ich nicht, und das sogar bei SEHR kleinen Stückzahlen im Hochspannungsbereich.
Gästchen schrieb: > Mir wurde das so erzählt - in Schaltungstechnik. > Unter deinem Link steht nichts dem wiedersprechendes. Im T&S schon. Da hast du dann auch deine "geforderte Quelle". Vor allem die Grafiken sind sehr aufschlussreich. Auch das mit den Unterschieden ist dort sehr gut erklärt. Bisher habe ich leider nur dieses Kapitel durch, aber da lernt man, dass eine Diode schon ein sehr differenziertes Bauteil sein kann.
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Was mich aber bei dem ganzen Thema jetzt beschäftigt, macht es was aus wo in der Reihe die Diode mit dem höchsten Widerstand liegt? An jeder Diode fällt ja eine unterschiedliche Spannung ab. Wenn also schon, sagen wir mal bei 10 Dioden, an den ersten drei Dioden eine gleichmäßige Spannung abgefallen ist, dann kommt als vierte Diode, nennen wir sie hier die schwächste Diode, so macht es doch sicher weniger aus, weil ja schon vorher Spannung abgefallen ist oder begehe ich jetzt einen Denkfehler?
F. F. schrieb: > oder begehe ich jetzt einen Denkfehler? Ja, schon. Das ist, mathematisch gesprochen, alles kommutativ. Du kannst da beliebig Elemente untereinander tauschen. Die tatsächliche Geschwindigkeit der Elektronen spielt da keine große Rolle, sondern am Ende sind die sich einstellenden Spannungen eine Art Gleichgewichtszustand.
Jörg W. schrieb: > Das ist, mathematisch gesprochen, alles kommutativ. Du kannst da > beliebig Elemente untereinander tauschen. Die tatsächliche > Geschwindigkeit der Elektronen spielt da keine große Rolle, sondern > am Ende sind die sich einstellenden Spannungen eine Art > Gleichgewichtszustand. Ich stelle mir das so vor: (Bei pn-Dioden muß zuerst noch die je Diode immer etwas unterschiedliche Anzahl an Elektronenlöchern aufgefüllt werden. Erster Ansatz zur "Ungleichheit"...) Es müssen alle Sperrschichtkapazitäten umgeladen werden (Reverse Recovery). Diese liegen in Serie, und sind leicht unterschiedlich groß. Auch hat jede Diode leicht unterschiedliche Reverse Recovery Time, und dazu ist eine etwas mehr "soft", eine andere eher "snappy", übertrieben ausgedrückt, weil Unterschiede gering. (Bis dahin läßt sich noch alles mit der spannunsmäßig 2,5fachen "Addiert-dann-Überdimensionierung" dann soweit "halbwegs regeln", daß man eine reelle Chance hat... was von zuverlässiger Bauweise allerdings ein Stückchen entfernt liegt.) Nach diesen Ausgleichsvorgängen fließt nur noch der Sperrstrom (in Höhe des Sperrstroms der einen Diode mit dem geringsten Sperrstrom). Aber: Wenn das mit den Hotspots stimmt (und daß auch kleinste Überlastungen irreversibel sind), müssten sich diese ja vielleicht gar nicht unbedingt schon beim ersten Sperrvorgang voll ausbilden (könnten sie ja nicht). Vielmehr könnte man ja annehmen, daß die Gefahr besteht, daß bei jeder Reverse Recovery eine der Dioden - die Schwächste - am meisten abkriegt. Und beginnt, einen Schwachpunkt für einen Hotspot zu bilden. Und daß diese dann nach der billiardsten "Mini-Watschn" irgendwann doch ganz nachgibt. Noch kein Beinbruch. Nach ein wenig Wasser den Bach runter ist´s aber bei der nächstschwächeren so weit. Und so weiter, immer schneller (relativ - könnte ja auch dauern, das). Bis zu einem Punkt, an dem nach dem Tod einer entscheidenden letzten auf diese Art sterbenden Diode ein "echter", voller Durchbruch durch alle verbliebenen eintreten kann. Wäre das eine mögliche Beschreibung der bei Matthias´ Gerät bestehenden Gefahr? Oder sieht der potentielle Fehlermechanismus anders aus?
Meine Idee dabei bezog sich eher auf die zu hohe Spannung. Angenommen die Diode mit dem kleinsten Sperrstrom liegt am Ende und in Sperrrichtung, in diesem Moment liegen alle anderen Dioden noch in Durchlassrichtung und so gesehen würde diese eine schwache Diode die gesamte Sperrspannung aufbringen müssen. Für die sie letztlich nicht gebaut ist.
MM schrieb: > Eigentlich nimmt man die hier wegen der Tauglichkeit bzgl. > Schaltfrequenz. Was meinst Du mit "hier"? Kennst Du die Anwendung des TO. Es gibt heutzutage auch sauschnelle SI-Dioden. Schottky haben haben fast nur Nachteile: Riesiger Sperrstrom, der mit Erwärmung nochmal drastisch ansteigt. Das kann soweit gehen, daß die Sperrverluste größer sind, als die in Flußrichtung. 100mA Sperrstrom bei ner 40A-Diode sind nicht ungewöhnlich. Außerdem haben sie ein geringere Impulsfestigkeit. Beachten muß man auch, das Schottky für hohe Spannung auch höhere Flußspannung haben. Sinnvoll waren sie eigentlich nur bis max 20V Sperrspannung einsetzbar. In Schaltreglern für kleine Spannung wurden sie durch gesteuerte FETs fast vollständig verdrängt.
F. F. schrieb: > Meine Idee dabei bezog sich eher auf die zu hohe Spannung. Meine doch auch. F. F. schrieb: > so gesehen würde diese eine schwache Diode die > gesamte Sperrspannung aufbringen müssen. Für die sie letztlich nicht > gebaut ist. Es muß ja gar nicht die gesamte Sperrspannung sein. Es reicht zuviel. F. F. schrieb: > in diesem Moment liegen alle anderen Dioden noch in > Durchlassrichtung Die gesamte Sperrspannung kann gar nicht an einer Diode anliegen. (Außer, es ist nur (noch) eine da...) Und schon gar nicht, solange alle anderen Dioden noch nicht einmal mit der Reverse Recovery begonnen haben. Eben weil die ganzen Kapazitäten, etc., und siehe auch: Jörg W. schrieb: > Das ist, mathematisch gesprochen, alles kommutativ. Wenn ich das richtig verstehe, bezog sich das exakt darauf. Es ist anscheinend ja weder so, daß alles gutgehen muß, weil die Dioden trotz allem "gleich genug" sind, noch so, daß zwingend sofort eine sterben muß. (Das (be-)schrieb ich auch zuvor haarklein. Sonst würde Mathias´ Gerät gar nicht funktionieren, oder völlig betriebssicher sein. Mein Roman war Dir evtl. zu lang... ;-) Vielleicht bestätigt oder verwirft ja Jörg meine Ausführungen in Bälde, würde mich sozusagen beides freuen. ^^
Homo Habilis schrieb: > Vielleicht bestätigt oder verwirft ja Jörg meine Ausführungen in Bälde, > würde mich sozusagen beides freuen. Nun, ich bin hier ja nicht Mr. Allwissend :), aber denke, dass das so passt, wie du das geschrieben hast. Am meisten Erfahrung mit sowas dürfte hier noch Falk haben, der verdient schließlich mit hohen Spannungen seine Brötchen.
Jörg W. schrieb: > ich bin hier ja nicht Mr. Allwissend :) Naja, wer schon... ^^ Jörg W. schrieb: > denke, dass das so passt, wie du das geschrieben hast. Erfreulich. Scheinbar habe ich das einigermaßen erfaßt. Jörg W. schrieb: > Am meisten Erfahrung mit sowas dürfte hier noch Falk haben, der > verdient schließlich mit hohen Spannungen seine Brötchen. Aha, das war mir nicht bekannt... möglicherweise schreibt ja Falk als Referenz auch noch was speziell dazu. (Das i-Tüpferl, sozusagen.) Obwohl er ja seine Prinzipien schon deutlich gemacht hat, tät´ mich seine Meinung zu meiner Version eines "Fehler-Vorgangs-Ablaufes" sehr interessieren. Fakt ist also, daß man sich da schon bei Prototypen usw. auf dünnem Eis bewegt, auch wenn es funktionieren kann. Und man sowas bei Serienfertigung erst recht nicht in Betracht zieht.
Falk ist eh einer von den schlauen Kerlen hier. Ich lerne ja noch .?
@ Homo Habilis (Gast) >Wäre das eine mögliche Beschreibung der bei Matthias´ Gerät bestehenden >Gefahr? So in etwa kann man sich die Sache vorstellen. Ich bin aber auch kein Halbleiter- oder Diodenexperte.
Ich hab das schon oft gesehen, daß Si-Dioden ohne Parallelwiderstände in Reihe geschaltet wurden. Z.B. in einem 15kV/1000W Netzteil in der HV-Kaskade, 4 * je 10 Stück MUR1100. D.h. sie mußten 30kV Sperrspannung bei 40kV Summe über alle Dioden standhalten. Die Dioden sind auch nicht häufiger ausgefallen, als andere Bauteile. HV-Dioden >1000V sind intern auch aus mehreren Dioden zusammengesetzt, das kann man leicht aus der Flußspannung ersehen.
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@ Peter Dannegger (peda) >Ich hab das schon oft gesehen, daß Si-Dioden ohne Parallelwiderstände in >Reihe geschaltet wurden. >Z.B. in einem 15kV/1000W Netzteil in der HV-Kaskade, 4 * je 10 Stück >MUR1100. D.h. sie mußten 30kV Sperrspannung bei 40kV Summe über alle >Dioden standhalten. Bei einigen Dioden haben die Hersteller "vergessen" reinzuschreiben, daß diese Dioden avalanchefähig sind. Bei der MUR100 steht es nicht offiziell drin, bei der MUT4100 steht es drin. Manchmal muss man nachfragen. >HV-Dioden >1000V sind intern auch aus mehreren Dioden zusammengesetzt, >das kann man leicht aus der Flußspannung ersehen. Ja, aber dort sind die Einzeldioden avalanchefähig bzw. neudeutsch avalance rated.
Wer es mal WIRKLICH messen will, der mache einen "clamped inductance test". Dazu braucht man einen 1600V IGBT, eine kleine Spule von vielleicht 10-100uH und einen Pulsgenerator für die IGBT-Ansteuerung. Spule an den Kollektor und an die Versorgungsspannung, 12V reichen. Die Testdiode schaltet man in Sperrichtung antiparallel zum IGBT zwischen Kollektor und Emitter. Dann den IGBT ein paar Dutzend us einschalten und den Spulenstrom auf 1A steigen lassen und dann ausschalten. Damit springt die Induktionsspannung auf die Durchbruchspannung der Diode und pumpt die gesamte Energie dort rein. Eine Suppressordiode bzw. Alvalancediode hält das dauerhaft aus, wenn man sie dabei nicht abkocht bzw nicht die Einzelpulsenergie überschreitet. Eine normale Diode wird irgendwann den Geist aufgeben. Ich bin mal gespannt, wer das mal testet (ich muss das ja nicht immer selber machen).
Falk B. schrieb: > So in etwa kann man sich die Sache vorstellen. Mir reicht eine "in etwa" Bestätigung. Gut zu wissen. Danke! ;-)
Peter D. schrieb: > Schottky haben haben fast nur Nachteile: Danke für deine tollen Beiträge. Seit langem mal wieder ein interessanter Thread, ohne Polemik.
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Hab mal schnell einen Test zur Durchbruchcharakteristik einer Schottky gemach, Quick&dirty. Eine BAT47 (Schottky, 40V), 100k in Reihe, Spannung in Sperrichtung dran, Spannungen gemessen (gesamt, und and der Diode). Die Ströme sind berechnet, sollten aber recht genau stimmen, das ist ein 1%-Widerstand. Der Fehler durch das Messgerät ist auch klein. Ein Wert scheint unpräzise abgelesen zu sein. Aber insgesamt ist die Messung recht gut reproduzierbar. Man sieht, die Diode tut wie eine hochvoltige Zener. Der Durchbruch ist seht steil bei 48V und definitiv reversibel. Sie lebt noch. Natürlich habe ich ihr nur so <350µA gegönnt. Das ist nur wenig mehr als 10mW. Natürlich ist das - wie Falk schon geschrieben hat - ein Einzelfall und sollte nicht generalisiert werden.
Ich glaube ich lese das Kapitel noch mal. Alles so spannend. :-)
Aber woher weißt du, daß bei 10mW nix beschädigt wurde, wenn der Avalanche-Effekt entsprechend lokal einsetzt. Vielleicht ist sie ja schon beim nächsten Versuch durch.
Jörg W. schrieb: > Homo Neandertalensis schrieb: >> Die Spannung wird sich dabei nicht sauber 1/2 und 1/2 auf beide Dioden >> verteilen. > > Bei normalen Sperrschichtdioden können die Exemplarstreuungen aber > dann recht groß sein. Wenn du nun 2 kV Sperrspannung brauchst und > hast nur Dioden mit 1,2 kV, dann kann das halt knapp werden. > > Für ein Einzelexemplar kann man es natürlich auch immer einfach mal > nachmessen. J...sorry das ist Quark. In dem Moment wenn eine Diode anfängt durchzubrechen - bricht die Spannugn über ihr auch zusammen und verteilt sich auf die restlichen Dioden..kein Widerstand notwendig. Praktiziert in der Ersatzschaltung für den russischen Boosterdioden-Stab im Raduga. Da gabs als offiziellen Ersatz eine Platine mit ca. 10 SY345 (335?) in Reihe und parallel zu jeder Diode einen 82pf Kerko der Unterschiede im Schaltverhalten ausgleichen sollte. Gruß, Holm
Falk B. schrieb: > Wer es mal WIRKLICH messen will, der mache einen "clamped inductance > test". Dazu braucht man einen 1600V IGBT, eine kleine Spule von > vielleicht 10-100uH und einen Pulsgenerator für die IGBT-Ansteuerung. > Spule an den Kollektor und an die Versorgungsspannung, 12V reichen. Die > Testdiode schaltet man in Sperrichtung antiparallel zum IGBT zwischen > Kollektor und Emitter. Dann den IGBT ein paar Dutzend us einschalten und > den Spulenstrom auf 1A steigen lassen und dann ausschalten. Damit > springt die Induktionsspannung auf die Durchbruchspannung der Diode und > pumpt die gesamte Energie dort rein. Eine Suppressordiode bzw. > Alvalancediode hält das dauerhaft aus, wenn man sie dabei nicht abkocht > bzw nicht die Einzelpulsenergie überschreitet. Eine normale Diode wird > irgendwann den Geist aufgeben. Einspruch, Euer Ehren: Niemand hat hier behauptet, dass man an eine Reihenschaltung von Dioden MEHR als das Produkt aus zulässiger Sperrspannung und Anzahl der Dioden legen darf. An eine Reihenschaltung von 2 40V-Schottky-Dioden darf man nicht mehr als 80V anlegen. Der Puls in obigem Test müsste also in diesem Falle durch eine parallelgeschaltete clamp auf 80V begrenzt werden. Sinngemäss müsste man 2 1N4007 in Reihe schalten und den Puls auf 2kV clampen (und vorher einen anderen IGBT einbauen). Gästchen schrieb: > Hab mal schnell einen Test zur Durchbruchcharakteristik einer Schottky > gemach Ich auch. 73 Stück 1N5819 von der indischen Firma CDIL. (max. zulässige Sperrspannung lt. DB: 40V) Bei 40 Volt und 21°C hat die beste einen Sperrstrom von 4,9 µA, die schlechteste einen Sperrstrom von 6,6 µA Bei 44 Volt hat die beste einen Sperrstrom von 6,7 µA, die schlechteste hat 9,4 µA. Bei 48 V 9,3 µA bzw. 14,0 µA. Avalanchespannung ist bei der besten ca. 53 V, bei der schlechtesten ca. 49,8 V. Schaltet man die beiden in Reihe, fliesst ja durch beide der gleiche (Sperr)strom. Wenn man 80V an die Reihenschaltung anlegen würde, würde durch die beste mehr als 4,9 µA fliessen und es würden mehr als 40 V anliegen. An der schlechten würden weniger als 40 V anliegen und und man kann die Aussage machen, dass der resultierende Sperrstrom durch beide Dioden kleiner als 6,7 µA sein würde. Nehmen wir jetzt mal den Extremfall einer ganz lausigen Diode, die bei 40 V und 21°C 100µA Sperrstrom hat. Nehmen wir weiter an, bei 20 V habe sie immer noch 90µA. Bei Reihenschaltung mit der oben gemessenen besten Diode wird diese dann im Avalanche-Bereich betrieben: Es liegen die 53 V an. An der lausigen Diode liegen dann 80-53 = 27 Volt. Der Sperrstrom durch beide liegt dann irgendwo zwischen 90 und 100 µA. Es ist jetzt die Frage, ob diese knapp 100µA für zerstörerische Hot Spots ausreichen würden. Ich habe dafür keine Anhaltspunkte. Normalerweise tritt dieser Fall sowieso nicht ein. Die Exemplarstreuungen sind viel geringer. Bei obiger Messung 35% beim Sperrstrom und 10% bei der zugehörigen Sperrpannung. Das Gros der Dioden liegt in einem noch viel engeren Bereich. Wie man an der Kurve von @Gästchen sehen kann, steigen die Sperrströme vor Erreichen des Avalanche-Bereichs zunehmend an und in diesem Kniebereich verteilen sich die Sperrspannungen der einzelnen Dioden in einem engen Bereich.
Holm T. schrieb: > In dem Moment wenn eine Diode anfängt durchzubrechen - bricht die > Spannugn über ihr auch zusammen und verteilt sich auf die restlichen > Dioden. Holm, du musst den Thread jetzt nicht neu aufrollen. War alles schon durchgekaut worden, und auch wenn's im Einzelfall oft gut geht, ist es eben für nicht "avalanche rated"-Dioden so nicht garantiert. Lies einfach mal den Rest des Threads …
batman schrieb: > Aber woher weißt du, daß bei 10mW nix beschädigt wurde, wenn der > Avalanche-Effekt entsprechend lokal einsetzt. Vielleicht ist sie ja > schon beim nächsten Versuch durch. Das kann man nie wissen. Aber meine kurze Prüfung hat sie bestanden (Flusspannung passt noch, Leckstrom hat sich nicht geändert). Viel mehr kann ich hier jetzt nicht tun. Ich bezweifle die Hotspots eigentlich, weil eine halbe Stunde ist das schon gelaufen. Die Diode ist klein, da sollten sich thermische Effekte schnell stattfinden. Aber wissen kann ich es nicht. Die Zweifler hier haben im Endeffekt aber schon zumindest zum Teil recht: In der Grosserie traut man sich sowas tasächlich eher nicht ohne Rücksprach mit dem Herstller. Eigentlich könnte man das ja mal machen. Also ein Statement von einem Hersteller zum Thema einholen. Das könnte die Frage tatsächlich abschließend klären :-)
Gästchen schrieb: > Also ein Statement von einem Hersteller zum Thema einholen. Dieses Statement haben die Hersteller doch längst abgegegeben: indem sie halt "controlled avalanche"-Dioden anbieten. Außerdem sollte doch die oben referenzierte ST-Appnote auch genügend als "Statement eines Herstellers" fungieren können, meinst du nicht?
@ Homo Neandertalensis (Gast) >Einspruch, Euer Ehren: Abgelehnt ;-) >Niemand hat hier behauptet, dass man an eine Reihenschaltung von Dioden >MEHR als das Produkt aus zulässiger Sperrspannung und Anzahl der Dioden >legen darf. Das hat doch keiner behauptet. Diesen Test will ich doch nur machen, um die Hot Spots schneller und kräftiger wirken zu lassen und damit den Unterschied zwischen normalen und avalancefähigen Dioden aufzuzeigen. >Der Puls in obigem Test müsste also in diesem Falle durch eine >parallelgeschaltete clamp auf 80V begrenzt werden. Nö. Siehe oben. Denn dieser Puls soll u.a. die ungleichmäßige, transiente Belastung bei Schaltvorgängen emulieren. >Schaltet man die beiden in Reihe, >fliesst ja durch beide der gleiche (Sperr)strom. >Wenn man 80V an die Reihenschaltung anlegen würde, >würde durch die beste mehr als 4,9 µA fliessen >und es würden mehr als 40 V anliegen. geringfügig mehr >An der schlechten würden weniger als 40 V anliegen und und man kann die >Aussage machen, dass der resultierende Sperrstrom durch beide Dioden >kleiner als 6,7 µA sein würde. Ja. >Es ist jetzt die Frage, >ob diese knapp 100µA für zerstörerische Hot Spots ausreichen würden. >Ich habe dafür keine Anhaltspunkte. Ich leider auch nicht 8-0 >Normalerweise tritt dieser Fall sowieso nicht ein. >Die Exemplarstreuungen sind viel geringer. Das hoffst du ;-) >Wie man an der Kurve von @Gästchen sehen kann, >steigen die Sperrströme vor Erreichen des Avalanche-Bereichs zunehmend >an und in diesem Kniebereich verteilen sich die Sperrspannungen der >einzelnen Dioden in einem engen Bereich. Stimmt soweit.
@Gästchen (Gast) >> Aber woher weißt du, daß bei 10mW nix beschädigt wurde, wenn der >> Avalanche-Effekt entsprechend lokal einsetzt. Vielleicht ist sie ja >> schon beim nächsten Versuch durch. >Das kann man nie wissen. Eben. >Aber meine kurze Prüfung hat sie bestanden (Flusspannung passt noch, >Leckstrom hat sich nicht geändert). Viel mehr kann ich hier jetzt nicht >tun. >Ich bezweifle die Hotspots eigentlich, weil eine halbe Stunde ist das >schon gelaufen. Die Diode ist klein, da sollten sich thermische Effekte >schnell stattfinden. Aber wissen kann ich es nicht. Eben. Die Diodenhersteller und viele andere Leute an Unis haben DEUTLICH mehr Zeit, Grips und Aufwand in das Thema inverstiert. >Eigentlich könnte man das ja mal machen. Also ein Statement von einem >Hersteller zum Thema einholen. Das könnte die Frage tatsächlich >abschließend klären :-) Die Hersteller werden einen Teufel tun, und auch nur EINE einzige VERBINDLICHE Zusage zu ihren Produkten machen, die außerhalb der garantierten Werte im Datenblatt liegt. Wenn man gute Beziehungen hat bekommt man zwar wertvolle Informationen, wie weit man gewisse Parameter noch ausreizen kann bzw. wieviel Sicherheit in garantierten Parametern schon drinsteckt, aber das Risiko trägt man trotzdem selber.
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