Hallo, ich möchte den IRFD9024 als Zeilentreiber in einer LED Matrix nutzen. LED peak curr. 50mA 25 LED in einer Zeile 8 Zeilen, also 1:8 muxing mit ca. 1Khz. Ansteuerung direkt von einem AVR IO aus. Versorgung 5V Als Spaltentreiber kommen zwei MBI5026 zum Einsatz. Ist das mit dem Transistor möglich? was muss ich dabei vielleicht beachten, brauche ich einen Gatewiderstand oder einen zu 5V vom Gate aus o.ä.? Danke Gruß M
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H. B. schrieb: > Müsste so passen. Ja, aber die 100 Ohm kann man weglassen, die Ausgänge des uC sind schon hochohmig genug.
Ansteuerung mit 5V (nominell oder real?) ist bei dem IRFD9024 schon arg knapp, aber bei dem lächerlichen Strom wird er das wohl schaffen. Rechne aber nicht mit dem auf S.1 im Datenblatt angegebenen R_DS_on.
Hallo, super, vielen Dank für diese Rückmeldung! D = P sorry. Naja, geringer Strom? Ich habe 25x 50mA Peak zu schalten. Das ist schon eher knapp. Ich bin kein FET spezialist, deswegen hier diese Frage, möchte ja was dazu lernen und das passiert gerade dank der Postings hier. :-) OK, im Datenblatt steht ein RDSon mit 0,28 Ohm (bei VGS 10V) und VGSth mit -2.0V bis -4.0V. Mir macht der Satz in der Beschreibung etwas zu schaffen: "Welche Spannung man nun wirklich anlegen muss, um den gewünschten sehr kleinen RDS(on) zu erreichen kann der Tabelle im jeweiligen Datenblatt entnommen werden." Aber ich habe Ihn nun 5x gelesen und ich glaube das zu verstehen. Man benötigt 10V um den gewünschten niedrigsten Innenwiderstand von dem Ding sicher zu erreichen. Dem Text nach benötigt man im schlechtesten Fall 4V * 2 VGS damit es überhaupt sicher klappt. Dazu noch der Strom von im schlechtesten Fall 1,25A (50mA * 25) kann zu starker Erwärmung führen, auch klar. Wenn man beispielweise davon aus geht, das er bei schlechter Ansteuerung vielleicht 1 Ohm hat, dann wären das 1,25V Spannungsabfall daran und schnell 1,6W. Okay. Die Frequenz ist hoffe ich kein Problem. Ich möchte die 8 Treiber auf einer Platine unterbringen die nur ca. 1x4cm (doppelseitig) an Platz hat und gern Bauteile verwenden die sich gut löten lassen, gerne so grob wie möglich. Das klingt vielleicht etwas komsich, aber ich möchte es gut löten können. Nun gibt es ja oft auch FETs dual, zwei in einem so8 Gehäuse, das geht ja schon noch, aber lieber wäre mir DIL8 als Beispiel. To263 vielleicht schon zu groß für das Platzangebot und SOT223 ist auch schon Fummelkram. Gewisse Jahrgänge wissen sicher was ich meine :-) und da ich mehr davon basteln möchte suche ich Gehäusemäßig etwas "pragmatisches". Aus dem Grund wäre ich für einen Hinweis dazu sehr sehr dankbar. Es gibt einfach zu viel an Auswahl, und wären hier im Forum nicht diese FET Tabellen, dann wäre mein Projekt wohl schon gestorben! Viele Grüße
H. B. schrieb: > Müsste so passen. Wo nimmst du bei einer angegebenen max. V_GS_th von 4V und einer nominellen Ansteuerung mit 5V, die dann real betrachtet auch nur 4.5V oder gar weniger betragen kann, diese Gewissheit her. Maddin schrieb: > Naja, geringer Strom? Ich habe 25x 50mA Peak zu schalten. Das ist schon > eher knapp. Wenn du alle 25 LED gleichzeitig bestromen willst, d.h. der FET 1.25A schalten soll, musst du dir mit deinen 5V schon sehr sicher sein (s.Fig 1+3 im DS).
Maddin schrieb: > Gewisse Jahrgänge wissen sicher was ich meine :-) und da ich mehr davon > basteln möchte suche ich Gehäusemäßig etwas "pragmatisches". Die Auswahl an Autos mit Holzvergaser ist auch nicht mehr groß.
...schau mal hier: http://members.mvnet.at/sikado/Cube.html Dort wird ein: IRF9540N https://cdn-reichelt.de/documents/datenblatt/C180/IRF9540N.pdf genutzt. JJ
Jens schrieb: > ...schau mal hier: > > http://members.mvnet.at/sikado/Cube.html > > Dort wird ein: IRF9540N > > https://cdn-reichelt.de/documents/datenblatt/C180/IRF9540N.pdf > > genutzt. Man findet viel Murks im Netz... Der IRF9540 ist kein LL-MOSFET.
Maddin schrieb: > LED peak curr. 50mA > 25 LED in einer Zeile > 8 Zeilen, also 1:8 muxing Macht 1.25A durch den P-Kanal MOSFET und 6.25mA mittleren Strom durch die LEDs. > IRFD9024 ist kein LogicLevel Typ, er müsste mit +5V/-5V angesteuert werden. Das Gehäuse hat sich nicht bewährt, schlecht kühlbar. Man wurde wohl einen Si2369 oder AFP2319 nehmen, aber für dich muss es unbedingt grobmototisch sein. So wie ich sehe, sind IPAK und DIP4 auch kaum noch verfügbar. Bleiben nur TO220 wie NDP6020.
MaWin schrieb: > ist kein LogicLevel Typ, er müsste mit +5V/-5V angesteuert werden. ...aber der Si2369 mit Vgs 20V ist besser? Wie soll das denn gehen? JJ
der NDP6020 hat 60W / 35A, für eine Anwendung mit knapp über 1A? Das ist doch mit Kanonen auf Spatzen schießen. Vgs 8V!
Jens schrieb: > .aber der Si2369 mit Vgs 20V ist besser? Wie soll das denn gehen? Einfach das Datenblatt richtig und aufmerksam lesen.
Wolfgang schrieb: > H. B. schrieb: >> Müsste so passen. > > Wo nimmst du bei einer angegebenen max. V_GS_th von 4V und einer > nominellen Ansteuerung mit 5V, die dann real betrachtet auch nur 4.5V > oder gar weniger betragen kann, diese Gewissheit her. > Klar ist es sehr knapp. Der TO hat ja gefragt ob die Schaltung mit diesem MOSFET realisierbar wäre und laut Datenblatt müsse das gerade noch funktionieren. Ich würde ihm zwar einen anderen empfehlen (geringere VDS, geringerer RDSON, VGS(th) max irgendwo bei 1V oder noch niedriger, höherer ID, kleineres Gehäuse, aber das war ja nicht die Frage.
Hi, wow, danke für eure Rückmeldung. Ich bin jedoch etwas verunsichert. H. B. schrieb: > wäre und laut Datenblatt müsse das gerade noch funktionieren. H.B. Kannst du mir das kurz erläutern, warum das so ist. Er wird bei 25° zwischen 2V und 4V gerindfügig leitend, laut Link von Falk Falk B. schrieb: > https://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Gate-Source_Threshold_Voltage "Gatespannung, ab welcher der Transistor minimal leitend wird (I_D typisch 100-200µA)" Ich suche das Diagramm indem ich ablesen kann, dass es knapp geht. Welchen Widerstand hat der FET bei meinem Beispiel, wenn man 4,5V ausgeht. Ich würde das gern verstehen und nicht nur einfach machen. :-) H. B. schrieb: > Ich würde ihm zwar einen anderen empfehlen Gern, es wäre schon interessant, allein das Datnblatt sichten zu können, und was zu lernen. Danke. Viele Grüße Maddin
H. B. schrieb: > und laut Datenblatt müsse das gerade noch funktionieren. Wie komnst du auf die irreführende Aussage ?
hinz schrieb: > AOI21357 https://www.digikey.at/product-detail/de/alpha-omega-semiconductor-inc/AOI21357/785-1836-ND/9951422 cooler Tip! VGSth 1,3V bis 2,3V - könnte gehen auch vom Platz her, wenn ich beide Seiten der Platine bestücke. Gruß
Maddin schrieb: > Hi, > > wow, danke für eure Rückmeldung. Ich bin jedoch etwas verunsichert. > > H. B. schrieb: >> wäre und laut Datenblatt müsse das gerade noch funktionieren. > > H.B. Kannst du mir das kurz erläutern, warum das so ist. Er wird bei 25° > zwischen 2V und 4V gerindfügig leitend, laut Link von Falk > Laut Datenblatt liegt die VGS (th) zwischen 2 und 4V. Du steuerst den MOSFET mit 5V an - sollte meiner Meinung nach reichen. > Falk B. schrieb: >> https://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Gate-Source_Threshold_Voltage > > "Gatespannung, ab welcher der Transistor minimal leitend wird (I_D > typisch 100-200µA)" > > Ich suche das Diagramm indem ich ablesen kann, dass es knapp geht. > Welchen Widerstand hat der FET bei meinem Beispiel, wenn man 4,5V > ausgeht. Ich würde das gern verstehen und nicht nur einfach machen. :-) > > H. B. schrieb: >> Ich würde ihm zwar einen anderen empfehlen > > Gern, es wäre schon interessant, allein das Datnblatt sichten zu können, > und was zu lernen. > https://www.vishay.com/docs/74399/si8429db.pdf Schau dir mal in den Datenblättern die Tabellen "Transfer Characteristics" und "On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage" an. > Danke. > > Viele Grüße > Maddin
H. B. schrieb: > Du steuerst den MOSFET mit 5V an - sollte meiner Meinung nach reichen. okay, das hatte ich so verstanden das er da beginnt leitend zu werden. Ich habe nun noch mal gesucht, und bin noch über diesen https://cdn-reichelt.de/documents/datenblatt/A100/AOD403_SPEC.pdf gestolpert. Sympatisch, da Reichelt beziehbar. Könnte ich den für meine Anwendung verwenden? Danke MAddin
H. B. schrieb: > Klar ist es sehr knapp. > Der TO hat ja gefragt ob die Schaltung mit diesem MOSFET realisierbar > wäre und laut Datenblatt müsse das gerade noch funktionieren. Aber er hat immer noch nicht verraten, wieviel seine "5V" im Worst-Case wirklich sind.
Wolfgang schrieb: > Aber er hat immer noch nicht verraten, wieviel seine "5V" im Worst-Case > wirklich sind. Zur Versorgung https://www.reichelt.de/ac-dc-wandler-tmpm-85-264-v-ac-5-v-dc-modul-tmpm-10105-p116814.html?&trstct=pos_3&nbc=1 https://cdn-reichelt.de/documents/datenblatt/D400/TMPM04_D.pdf kommt u.a. soetwas zum Einsatz. Aber auch USB. Gruß Maddin
Ich werfe mal IRLML2244 und Si2333DS in die Debatte. Die könne man auch mit 3.3V-Logik ansteuern. Den IRLML2244 gibt's auch bei Reichelt und platinenplatzsparend ist der auch.
Maddin schrieb: > Wolfgang schrieb: >> Aber er hat immer noch nicht verraten, wieviel seine "5V" im Worst-Case >> wirklich sind. > > Zur Versorgung > > kommt u.a. soetwas zum Einsatz. Aber auch USB. > Wenn du über USB versorgst dann würde ich von dem IRFD9024 abraten. Hier kann die Versorgung deutlich unter 5V liegen und dann geht das mit diesem MOSFET nicht mehr.
Wolfgang schrieb: > Ich werfe mal IRLML2244 und Si2333DS in die Debatte. > Die könne man auch mit 3.3V-Logik ansteuern. > Den IRLML2244 gibt's auch bei Reichelt und platinenplatzsparend ist der > auch. Er will doch aber was mit Schraubklemmen! ;-)
H. B. schrieb: > Laut Datenblatt liegt die VGS (th) zwischen 2 und 4V. > Du steuerst den MOSFET mit 5V an - sollte meiner Meinung nach reichen Hört dieser Schwachsinn eigentlich nie auf, ist es wirklich zu viel verlangt das Datenblatt ganz zu lesen. Diese 4V ist die Spannung unterhalb derer der MOSFET sperrt. Bei mehr Spannung beginnt erst mal der Bereich in dem er als steuerbarer Widerstand langsam immer besser leitet. Erst ungefähr bei der doppelten Spannung ist der MOSFET eingeschaltet. Dieser Typ also wenn man Pech hat erst bei 8V. Daher sie die Daten des eingeschalteten MOSFETs, eie RDSon, auch erst bei 10V angegeben. Maddin schrieb: > okay, das hatte ich so verstanden das er da beginnt leitend zu werden. Das hast du sehr richtig verstanden und du bist daher schon deutlich weiter als der Honk H.B. der dir hier was erklâren will
Maddin schrieb: > H. B. schrieb: >> Müsste so passen. > Danke auch für die kleine Zeichnung, sehr gut! Dokumentiert leider nur, dass H. B. den FET nicht verstanden hat, der ist ungeeignet. MaWin schrieb: > So wie ich sehe, sind IPAK und DIP4 auch kaum noch verfügbar. Bleiben > nur TO220 wie NDP6020. NDP6020P bitte, der NDP6020 ist ein N-Kanal! Mit 75mOhm bei 2,5V passt der gut zu µC-Anwendungen, habe ich in der Schublade und schon mehrfach auf Lochrasterschaltungen geschraubt.
Manfred schrieb: > Mit 75mOhm bei 2,5V passt der gut zu µC-Anwendungen, habe ich in der > Schublade und schon mehrfach auf Lochrasterschaltungen geschraubt. Guck mal auf den maximalen I_DS. Meinst du nicht, dass der NDP6020P für das bisschen Strom, um den es hier geht, etwas überdimensioniert ist?
Wolfgang schrieb: > Guck mal auf den maximalen I_DS. Meinst du nicht, dass der NDP6020P für > das bisschen Strom, um den es hier geht, etwas überdimensioniert ist? Natürlich ist er erheblich überdimensioniert, aber das richtet keinen Schaden an. Siehe: MaWin schrieb: > aber für dich muss es unbedingt grobmototisch sein. Wenn jemandem ein LL-P-Kanal im SOT einfällt, möge er den vorschlagen. Es kommt immer drauf an, wie man baut, ich mache Einzelstücke auf Lochraster (schrieb ich schon), da braucht der TO-220 drei Löcher, mit einem SOT-23 komme ich auch nicht günstiger weg. Ich habe eine Schaltung laufen, wo der NDP6020P ganze 1 Milliampere schalten muß - was soll's, ich habe die Dinger da, sind mal aus Industrieüberbestand kostenlos in Menge zugelaufen, also rein damit.
MaWin schrieb: > Maddin schrieb: >> LED peak curr. 50mA >> 25 LED in einer Zeile >> 8 Zeilen, also 1:8 muxing > So wie ich sehe, sind IPAK und DIP4 auch kaum noch verfügbar. Bleiben > nur TO220 wie NDP6020. Wenn ich der Honk bin, dann bist du der Vollhonk. Du schlägst ihm einen N-Kanal MOSFET für die Anwendung eines P-Kanal MOSFET´s vor. http://www.farnell.com/datasheets/59594.pdf
H. B. schrieb: > Du schlägst ihm einen N-Kanal MOSFET für die Anwendung eines P-Kanal > MOSFET´s vor. Spätmerker. Das hatte Manfred schon lange zuvor geklärt Manfred schrieb: > NDP6020P bitte ich hab nur beim Abtippen das folgende P weggelassen weil ich's als Gehäusebuchstaben interpretiert habe, und nicht erwartet hatte, dass es ein Polaritätsbuchstabe war.
Hallo, kann mir jemand sagen ob dieser: https://cdn-reichelt.de/documents/datenblatt/A100/AOD403_SPEC.pdf auch für die Anwendung geht? Ich bin mir bei der ganzen Sache immer noch sehr unsicher, woran man einen LL-Typen erkennt etc. Danke Maddin
Maddin schrieb: > ob dieser: > auch für die Anwendung geht Nein, der ist das Gegenteil von LogicLevel, will lieber 20V als 5V UGS.
Maddin schrieb: > kann mir jemand sagen ob dieser: > > https://cdn-reichelt.de/documents/datenblatt/A100/AOD403_SPEC.pdf > > auch für die Anwendung geht? Er wird wohl funktionieren, ist aber so außerhalb seiner Spezifikation betrieben. > Ich bin mir bei der ganzen Sache immer noch > sehr unsicher, woran man einen LL-Typen erkennt etc. Daran, dass in der Tabelle der Kanalwiderstand (Rds(on)) für die entsprechende, niedrige Spannung spezifiziert ist.
hinz schrieb: > Daran, dass in der Tabelle der Kanalwiderstand (Rds(on)) für die > entsprechende, niedrige Spannung spezifiziert ist. Okay, dankeschön für den Hinweis, es gibt viel zu beachten, und ich bin denke ich weit davon entfernt das selbst beorteilen zu können, würde das aber gern können! Die Rede ist von dem Wert, siehe Anhang? Ich dachte ausschlaggebend ist das VGS(th) entsprechend nierdrig ist. Ich lese teile der Artikel immer wieder um das was ich meine verstanden zu haben dort irgendwie wieder zu finden https://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Gate-Source_Threshold_Voltage ich hoffe dieser Link geht, wusste nicht wie ich das referenzieren kann, habe ich aus Falks Link "gebastelt" https://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Unterschied_Logic-Level_/_"Normal"-Level Auf der ersten Seite ist ja auch noch mal VGS angegeben, mit +/- 25V. Das ist schon erstmal viel zu verstehen für mich. Entschuldigt die Fragerei.
Manfred schrieb: > Wenn jemandem ein LL-P-Kanal im SOT einfällt, möge er den vorschlagen Häh? Da gibts doch massig Auswahl. Ich habe mir beim freundlichen Chinesen mal eine 100er Rolle AO3401 geordert. Der ist bis runter zu 2.5V spezifiziert, allerdings mit bis zu 120mΩ dann etwas knapp für 1A. In der gleicheh Liga spielt der Si2301. Besser wäre der Si2323.
Ich bin auf den o.g. über diesen: http://www.aosmd.com/res/data_sheets/AOI21357.pdf drauf gestoßen, habe mir VGS(th) angesehen, und gedacht, das könnte passen :-) Zu einfach gedacht.
stelle mir die Frage, wie ich die für meine ANwendung passenden FET aus dieser Tabelle: https://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-%C3%9Cbersicht#P-Kanal_MOSFET heraussuchen kann. 1) ID/A muss größer 1,25A sein 2) UGS(th)V sollte möglichst klein sein, alles größer 2,5V kann ein prob. sein 3) RDS(on) kleiner 100 mOhm wäre gut. und sicher noch der Parameter zu VGS bei RDS(on), ist nicht mir gelistet? Und sicher noch einer zur Kapazität. Und er sollte selbstsperrend sein, woran ich das erkenne lese ich noch nach. Ich hoffe ich habe nichts vergessen :-) Aber sicher habe ich das. Gruß M.
...mit meinem jetzigen Wissenstand sieht der: https://www.mikrocontroller.net/part/PMV65XP beispielsweise gut aus!
Maddin schrieb: > Auf der ersten Seite ist ja auch noch mal VGS angegeben, mit +/- 25V. Das ist die Spannung, die er maximal verträgt ohne kaputt zu gehen. Maddin schrieb: > Ich bin auf den o.g. über diesen: > http://www.aosmd.com/res/data_sheets/AOI21357.pdf > > drauf gestoßen, habe mir VGS(th) angesehen, und gedacht, das könnte > passen :-) Der AOI21357 passt ja auch.
Maddin schrieb: > .mit meinem jetzigen Wissenstand sieht der: > beispielsweise gut aus! Jetzt plötzlich also doch mit SOT23 einverstanden, zu Beginn musste es noch ein grobmotorischer MOSFET am Besten mit Schaubklemmen sein, aber natürlich angeblich kein Platz auf der Platine, für DIL8 hätte es doch gereicht. Was für ein Geschwurbel.
Maddin (Gast) >1) ID/A muss größer 1,25A sein Deutlich größer. Denn der im DB angegebene ID_max gilt nur bei der dort angegebenen Gehäuseausentemperatur, idR. 25°C und Gatespannung (manchmal gibt*'s auch weitere Angaben für höhere Temperaturen). Bei diesem Strom erreicht er nämlich (zumindest theoretisch) innerlich die Tj_max, die nicht überschritten werden sollte. Da man diese Gehäusetemperatur praktisch nie einhalten kann, muß der Mosfet für mehr Strom spezifiziert sein, also z.B. 5A oder so, damit er die 1,25A locker mitmacht. >2) UGS(th)V sollte möglichst klein sein, alles größer 2,5V kann ein >prob. sein Das hängt von der Schaltung ab, ob das ein Problem ist. Konkret von der erreichbaren Gatespannung, >3) RDS(on) kleiner 100 mOhm wäre gut. Das hängt ebenfalls von der Schaltung ab. Nämlich vom anvisierten ID, in Zusammenhang mit dem dadurch entstehenden Spannungsabfall und Verlustleistung, und damit auch erlaubter Temperatur.
MaWin schrieb: > Jetzt plötzlich also doch mit SOT23 einverstanden, Wo steht das? Warum maßt du dir an so etwas einfach so zu schreiben? Finde ich unfair das einfach so zu unterstellen und ich bitte dich das zu lassen zumal du selbst welche im SOT 23 vorgeschlagen hattest, da verstehe ich das hier erst recht nicht. Maddin
Dank der Hilfe hier bin ich bei dem Thema für mich aber nun bereits etwas voran gekommen. Ich weiß nun: A) Ein LL-Fet für meine Anwendung gibt es nicht an jeder Ecke und so ohne weiteres in jeder Form. Es gibt eine Menge zu beachten, und auch da habe ich schon das eine oder andere verstanden, dank euch allen hier. B) Ich suche/brauche anscheinend etwas zwischen SOT23 und TO252(DPAK), doch SMD mäßig gibt es da nicht wirklich etwas. THT mäßig wäre es DIP4 Das wäre auch ideal für die Fläche auf der Platine, für mein Projekt und für meine Finger :-)Aber der IRFP9024 kommt nur vielleicht in Frage und warscheinlich eher nicht. Gegebenenfalls muss ich demnach meine Planung ändern, wenn es das so einfach nicht gibt, das wusste ich gestern aber noch nicht. Gruß
Maddin schrieb: > > A) Ein LL-Fet für meine Anwendung gibt es nicht an jeder Ecke Natürlich. > ohne weiteres in jeder Form Es gibt moderne MOSFET halt eher in modernen Gehäusen. TO-220 oder gar TO-92 ist eher letztes Jahrtausend. Aber in SOT-23 oder SO-8 (Dual-MOSFET) hast du die Qual der Wahl. Den von mir oben genannten AO3401 verkauft dir Reichelt z.B. für €0,21. Wenn du den mit mindestens 4.5V ansteuerst, kann der deine 1.25A locker ab. > B) Ich suche/brauche anscheinend etwas zwischen SOT23 und TO252(DPAK), > doch SMD mäßig gibt es da nicht wirklich etwas. Bahnhof. SOT-23 ist doch SMD.
Sollte ich DPAK irgendwie unter bekommen, was wäre mit diesem: https://datasheetspdf.com/pdf-file/564322/Alpha&OmegaSemiconductors/AOD409/1 Danke
Maddin schrieb: > Sollte ich DPAK irgendwie unter bekommen, was wäre mit diesem: > > https://datasheetspdf.com/pdf-file/564322/Alpha&OmegaSemiconductors/AOD409/1 Verlinke mal korrekt auf das DB.
Axel S. schrieb: > Bahnhof. SOT-23 ist doch SMD. Hallo Axel, mir zu klein fummelig. Aber zur Not beiße ich in den Apfel. Ich schaue gerade ob ich DPAK unter bekomme. Den AOI21357 gibt es nur leider nicht an jeder Ecke. Gruß M.
Maddin schrieb: > Ich schaue gerade ob ich DPAK unter bekomme. Den AOI21357 gibt es nur > leider nicht an jeder Ecke. Der AOI21357 ist in IPAK.
Wenn du einen TO220 willst der einfach zu löten ist, dann nimm diesen hier: https://www.conrad.de/de/p/on-semiconductor-ndp6020p-mosfet-1-p-kanal-60-w-to-220-3-1264959.html Wenn du was in SMD willst dann ist der hier gut geeignet: https://www.mouser.de/ProductDetail/Vishay-Semiconductors/SI2377EDS-T1-GE3?qs=WX95TUc1y57PSbFemSa9HQ%3D%3D Sind aber nur Beispiele.
-TO220 viiiiel zu groß (ndp6020p) -SOT 23 zu klein, fummelig. (IRLML2244) uvm -TO92 wäre hanldich aber dennoch klobig. (gibts nicht anscheinend) Faforiten: -TO252 DPAK obwohl etwas zu groß, aber vielleicht machbar. AOD409 ok? -Arrays aus 8 P-Channel Fets im DIP18. Ersatz für UDN2981 der den Strom kann. Gruß M
Maddin schrieb: > AOD409 ok? Jörg R. schrieb: > Maddin schrieb: >> Sollte ich DPAK irgendwie unter bekommen, was wäre mit diesem: >> >> https://datasheetspdf.com/pdf-file/564322/Alpha&OmegaSemiconductors/AOD409/1 > > Verlinke mal korrekt auf das DB.
Wie gefällt die sowas? 2 in einem SO8 Gehäuse - das kann man noch recht gut löten. https://www.vishay.com/docs/72379/si4931dy.pdf
H. B. (communicator9)
>2 in einem SO8 Gehäuse - das kann man noch recht gut löten.
Wenn man das recht gut löten kann, dann SOT23 erst recht ...
Jens G. schrieb: > H. B. (communicator9) > >>2 in einem SO8 Gehäuse - das kann man noch recht gut löten. > > Wenn man das recht gut löten kann, dann SOT23 erst recht ... ACK, aber SOT-223 ist auch was für Halbgrobmotoriker, und da gibts sogar was bei Reichelt... BSP250
Manfred schrieb: > Wenn jemandem ein LL-P-Kanal im SOT einfällt, möge er den vorschlagen. Hatte ich bereits. Wolfgang schrieb: > Ich werfe mal ...
Wenn es SOT223 sein soll dann vielleicht sowas? https://www.onsemi.com/pub/Collateral/NTF6P02T3-D.PDF
MaWin schrieb: > Manfred schrieb: >> NDP6020P bitte > > ich hab nur beim Abtippen das folgende P weggelassen weil ich's als > Gehäusebuchstaben interpretiert habe, und nicht erwartet hatte, dass es > ein Polaritätsbuchstabe war. Das P ist eine saublöde Falle! Mir sind mal welche zugelaufen, ab in die Schublade. Datenblatt NDP6020 her, Schaltung zusammengelötet, Transistor gewechselt ... Anstatt im Forum zu heulen, habe ich dann mal wirklich gemessen und häh, der ist ja falschrum. Da ist in einem anderen Thread auch schon jemand drauf hereingefallen. Axel S. schrieb: > Ich habe mir beim _freundlichen Chinesen_ > mal eine 100er Rolle AO3401 geordert. Hast Du die mal nachgemessen? Ich hatte hier neulich einen Thread zu einem anderen FET aus Chinanesien, wo wohl nicht drin ist was draufsteht :-( Beitrag "IRLML 6344, bin ich zu doof zum Messen?" my2ct schrieb: > Manfred schrieb: >> Wenn jemandem ein LL-P-Kanal im SOT einfällt, möge er den vorschlagen. > Hatte ich bereits. Ich hab's übersehen, bitte um Nachsicht. Inzwischen wurden weitere Typen genannt, genug Auswahl für Maddin. Maddin schrieb: > -TO220 viiiiel zu groß (ndp6020p) > -SOT 23 zu klein, fummelig. (IRLML2244) uvm > -TO92 wäre hanldich aber dennoch klobig. > > Faforiten: auah: Favoriten > -TO252 DPAK obwohl etwas zu groß, Gibt es hier mehrere Maddins? Erst beschimpfst Du MaWin wegen 'Grobmotorik', und nun ist SMD doch wieder zu klein? Überlege Dir, wieviel Bauvolumen Du hast. Für einen TO-220 braucht es drei Löcher, mehrere bekommt man mit 5mm Abstand nebeneinander, wenn die Bauhöhe nicht stört. DPAK ist etwas kleiner, aber benötigt mehr Fläche auf der Platine. Also was darf es denn nun sein?
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