Servus, kurze Frage. Will ein Linear Netzteil für meine Azubis mit LT-Spice Simulieren... Wenn ich die Kapazität des Glättelkos erhöhe geht nix mehr (siehe Bild) Weiß jmd. wieso? Danke und Gruß
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Mister L. schrieb: > Weiß jmd. wieso? Dein Trafo ist nicht 50Hz tauglich. Diese haben HENRY als Induktivitäten, nicht MIKROhenry. Siehe Transformatoren und Spulen. Außerdem ergibt ein 100:1 Verhältnis der Induktivitäten ein 10:1 Verhältnis der Wicklungszahlen, denn es gilt L = N^2 * Al Eine Angabe wie 000.00001 für R1 ist kompletter Schwachsinn. Wenn schon, schreibt man das als 0.01m oder 10u. Zweitens ist es bezüglich der Messung ungünstig, die Sekundärwicklung zu erden. Real ist das auch nicht der Fall. Man erdet den Minusanschluß der Ausgangsspannung, sprich den Minusanschluß von C1. Der ist mit 190nH auch "leicht" unterdimensioniert. Der Hauptfehler wird sein, für D1-D4 keine explizite Diode ausgewählt zu haben. Denn die Standarddiode ist sehr mickrig, was Strombelastbarkeit etc. angeht. Ein Klassiker wie 1N4007 gibt es in LTSpice nicht, angeblich damit irgendwelche Deppen damit kein Schaltnetzteil simulieren. Naja, schwaches Argument. Man kann die Diode aber per .model Anweisung leicht einfügen.
Falk B. schrieb: > Dein Trafo ist nicht 50Hz tauglich. Diese haben HENRY als > Induktivitäten, nicht MIKROhenry. Gibt halt einen irre hohen Magnetisierungsstrom...
Falk B. schrieb: > Der ist mit 190nH > auch "leicht" unterdimensioniert. 190 nF Falk B. schrieb: > Man kann die Diode aber per .model > Anweisung leicht einfügen. .model 1N4007 D(IS=7.02767n RS=0.0341512 N=1.80803 EG=1.05743 XTI=5 BV=1000 IBV=5e-08 CJO=1e-11 VJ=0.7 M=0.5 FC=0.5 TT=1e-07 mfg=OnSemi type=silicon)
Nur die Frage von H. H. ist sinnvoll. Alle anderen Antworten mögen in der Praxis eine Rolle spielen, aber dieses ist eine Simulation, und da gibt es keine Spannungs-, Strom- oder Leistungsgrenzen und auch keine Fehldimensionierungen, falschen Modelle o. Ä.. Der Trafo kann auch 1 nH haben - dann sind es halt MA (MegA), die da fließen. Das macht der Simualtion im Rahmen von Double-Float nichts. Und es erklärt noch viel weniger, warum eine Erhöhung von lediglich 190 nF auf 200 nF zu einer fehlerhafte Simulation führt. Das ist die Frage.
Timo N. schrieb: > .model 1N4007 D(IS=7.02767n RS=0.0341512 N=1.80803 EG=1.05743 XTI=5 > BV=1000 IBV=5e-08 CJO=1e-11 VJ=0.7 M=0.5 FC=0.5 TT=1e-07 mfg=OnSemi > type=silicon) Bemerkenswert schnelle 1N4007... TT=5e-06 wäre passender.
Falk B. schrieb: > Eine Angabe wie 000.00001 für R1 ist kompletter Schwachsinn. Wenn schon, > schreibt man das als 0.01m oder 10u. Ist zwar unübersichtlich, aber im Prinzip egal. > Zweitens ist es bezüglich der Messung ungünstig, die Sekundärwicklung zu > erden. Real ist das auch nicht der Fall. Man erdet den Minusanschluß der > Ausgangsspannung, sprich den Minusanschluß von C1. Der ist mit 190nH > auch "leicht" unterdimensioniert. Vermutlich beschwert sich Spice dann darüber, dass die Primärseite keinen DC-Pfad nach GND hat. Dann muss man die beiden Seiten wenigstens mit einem hochohmigen Widerstand verbinden. Anderseits ist es wiederum völlig egal, wenn beide Seiten an GND angeschlossen sind. Es vereinfacht die Messung der Potentiale. Ob C1 jetzt 190nF oder 100µF hat, ist auch egal, schließlich will der TO vermutlich nur den Ripple zeigen. Übrigens, auch mit den generischen Dioden hat das bei 220nF wieder simuliert ... > Denn die Standarddiode ist sehr mickrig, was Strombelastbarkeit > etc. angeht. Ein Klassiker wie 1N4007 gibt es in LTSpice nicht, > angeblich damit irgendwelche Deppen damit kein Schaltnetzteil > simulieren. Naja, schwaches Argument. Man kann die Diode aber per .model > Anweisung leicht einfügen. Oder man nimmt einfach eine andere vorhandene Diode, z.B. die MUR460 oder eine der vielen anderen mit großer Sperrspannung. Zudem geht fast jede, wenn man die 50k Last betrachtet und die Primärspannung nicht unbedingt auf 230V setzt. Das Prinzip geht mit 12V oder 24V genauso.
H. H. schrieb: > Bemerkenswert schnelle 1N4007... > > TT=5e-06 wäre passender. Mein Modell für die 1N4007 hat TT=9.8e-6. .model 1N4007 D (IS=1.09774E-008 N=1.78309 RS=0.0414388 EG=1.11 XTI=3 CJO=2.8173E-011 VJ=0.50772 M=0.318974 FC=0.5 TT=9.85376E-006 BV=1100 IBV=0.1 AF=1 KF=0 mfg=Vis type=silicon Iave=1 Vpk=1000)
H. H. schrieb: > Bemerkenswert schnelle 1N4007... > > TT=5e-06 wäre passender. Wirklich? TT ist die "transit time", die in den Halbleitermodellen verwendet wird. Es ist NICHT die reverse recovery time! Wie beide zusammen hängen bzw. die Formalen aussehen, weiß ich nicht.
HildeK schrieb: > Mein Modell für die 1N4007 hat TT=9.8e-6. Interessant sind die vielen Nachkommastellen der Parameter, das schindet Eindruck ;-)
Falk B. schrieb: > H. H. schrieb: >> Bemerkenswert schnelle 1N4007... >> >> TT=5e-06 wäre passender. > > Wirklich? TT ist die "transit time", die in den Halbleitermodellen > verwendet wird. Es ist NICHT die reverse recovery time! Wie beide > zusammen hängen bzw. die Formalen aussehen, weiß ich nicht. Direkt aus Berkley: "Charge storage effects are modeled by a transit time, TT, and a nonlinear depletion layer capacitance which is determined by the parameters CJO, VJ, and M."
HildeK schrieb: > Mein Modell für die 1N4007 hat TT=9.8e-6. Auch noch plausibel. Die wenigsten Hersteller geben da ja konkrete Werte an.
H. H. schrieb: > Direkt aus Berkley: > > "Charge storage effects are modeled by a transit time, TT, and a > nonlinear depletion layer capacitance which is determined by the > parameters CJO, VJ, and M." Super, und was sagt und das jetzt?
Falk B. schrieb: > H. H. schrieb: >> Direkt aus Berkley: >> >> "Charge storage effects are modeled by a transit time, TT, and a >> nonlinear depletion layer capacitance which is determined by the >> parameters CJO, VJ, and M." > > Super, und was sagt und das jetzt? Bestimmt gibts auch eine ausführliche Beschreibung, aber die darfst du selbst suchen: http://bwrcs.eecs.berkeley.edu/Classes/IcBook/SPICE/
H. H. schrieb: > Bestimmt gibts auch eine ausführliche Beschreibung, aber die darfst du > selbst suchen: Toll, wozu eigentlich noch Fragen stellen, wenn alle Antworten im Internet zu finden sind? Muss man halt nur mal googlen!
Falk B. schrieb: > H. H. schrieb: >> Bestimmt gibts auch eine ausführliche Beschreibung, aber die darfst du >> selbst suchen: > > Toll, wozu eigentlich noch Fragen stellen, wenn alle Antworten im > Internet zu finden sind? Muss man halt nur mal googlen! Ich hab keine Lust das zu tippen.
H. H. schrieb: > Bemerkenswert schnelle 1N4007... > > TT=5e-06 wäre passender. Hab es nicht hinterfragt: https://www.onsemi.com/design/resources/design-resources/models?rpn=1N4007
Diskutiert ihr immer noch, dass die Schaltung in der Praxis nicht sinnvoll ist??? Schon geklärt ist, dass das offensichtlich an den Dioden liegt, was sich aus irgendeinem völlig unerklärlichen Grund bei 190 nF -> 200 nF auswirkt. Aber warum? Wird deren Nicht-Idealität simuliert? Und wenn ja, das kann doch so was gar nicht bewirken! TT ist bestimmt auch keine Ursache. Ich tippe eher auf eher einen Fehler in LT-Spice. Mit meinem SiMetrix und 1N4007 klappt es zumindest - auch mit höheren Kapazitäten.
Der Zahn der Zeit (🦷⏳) schrieb: > Diskutiert ihr immer noch, dass die Schaltung in der Praxis nicht > sinnvoll ist??? Wenn du des sinnerfassenden Lesens mächtig wärst, würde dir auffallen, daß dem nicht so ist. > Schon geklärt ist, dass das offensichtlich an den Dioden > liegt, was sich aus irgendeinem völlig unerklärlichen Grund bei 190 nF > -> 200 nF auswirkt. Schein so. > Aber warum? Wird deren Nicht-Idealität simuliert? Nö. Es sind Gurken. Dazu kommen die unbrauchbare Trafoparameter. > Und wenn ja, das kann > doch so was gar nicht bewirken! TT ist bestimmt auch keine Ursache. Stimmt. > Ich tippe eher auf eher einen Fehler in LT-Spice. ;-) DORT liegt der Fehler als ALLERLETZTES, denn LT-Spice wurde von Profis entwickelt. > Mit meinem SiMetrix > und 1N4007 klappt es zumindest - auch mit höheren Kapazitäten. Super!
Falk B. schrieb: > Interessant sind die vielen Nachkommastellen der Parameter, das schindet > Eindruck ;-) Sags Vishay! Der Zahn der Zeit (🦷⏳) schrieb: > Aber warum? Wird unklar bleiben. > Ich tippe eher auf eher einen Fehler in LT-Spice. Mit meinem SiMetrix > und 1N4007 klappt es zumindest - auch mit höheren Kapazitäten. Mit den 1N4007 klappt das auch in LTSpice. Auch mit anderen Kapazitäten. Wie ich oben schon bemerkte, simuliert auch die Variante des TO mit 220nF oder noch größeren Kapazitäten wieder - warum da bei 200nF ein Problem ist, k.A. Es liegt vermutlich nicht nur am Diodenmodell, sondern auch am idealen Kondensator und dem Zusammenspiel der beiden. Mit realen Kondensatorwerten geht es auch.
Falk B. schrieb: > Nö. Es sind Gurken. Dazu kommen die unbrauchbare Trafoparameter. Erkläre bitte, was daran unbrauchbar ist, und sich bei 190 nF -> 200 nF auswirken könnte. Mister L. schrieb: > Weiß jmd. wieso? Die Antwort ist gesucht. Alles andere ist Smalltalk. (Ja, es geht anscheinend hauptsächlich nicht mehr um den Sinn der Dimensionierungen, sondern um TT bei den Dioden. Aber wenn ich schon TT oder ähnliches im Augenwinkel sehe, weiß ich, das der Beitrag für die Frage irrelevant ist.)
Der Zahn der Zeit (🦷⏳) schrieb: >> Nö. Es sind Gurken. Dazu kommen die unbrauchbare Trafoparameter. > Erkläre bitte, was daran unbrauchbar ist, und sich bei 190 nF -> 200 nF > auswirken könnte. Nimm doch einfach LTspice und simulier die Geschichte. Dann siehst du, woran es liegt. Das schöne an solchen digitalen Geschichten ist doch, dam man sie millionenfach absolut 1:1 nachbilden kann.
Falk B. schrieb: > Nimm doch einfach Ok, du hast also auch keine Antwort. Im Gegensatz zu: HildeK schrieb: > Mit den 1N4007 klappt das auch in LTSpice. Da brauche ich ja wohl gar nicht erst selber zu simulieren, um herauszufinden, dass das nix mit dem Trafo zu tun hat. Und wieso die Dioden "Gurken" sind, kannst du vermutlich auch nicht beantworten. Wenig sachlich. Sonst sind deine Beiträge fundierter.
Falk B. schrieb: >> Ich tippe eher auf eher einen Fehler in LT-Spice. > > ;-) > DORT liegt der Fehler als ALLERLETZTES, denn LT-Spice wurde von Profis > entwickelt. Das wurde die Titanik auch. ;) Der Zahn der Zeit (🦷⏳) schrieb: > Mister L. schrieb: >> Weiß jmd. wieso? > Die Antwort ist gesucht. Alles andere ist Smalltalk. Dem TO scheint es inzwischen egal zu sein, da er seine Simulation zum Laufen gebracht hat. Trotzdem stimme ich zu, dass 1. diese Frage noch nicht beantwortet ist und finde sie 2. durchaus interessant. Auch ich kenne den Effekt, dass LTSpice eine Schaltung flüssig simuliert und nachdem man einen Bauteilwert verändert hat sich plötzlich schwertut. Dann passiert (scheinbar) gar nichts oder die Simualtion geht sehr sehr langsam von statten und bleibt an irgend einer Stelle stehen. Vermutlich konvergiert die ganze Sache manchmal bei ungünstig gewählten Bauteilwerten schlecht, die Schrittweite wird stark verkleinert oder irgend sowas. Es ist halt angewandte Mathematik, deren Gültigkeitsbereich gewisse Grenzen hat. Wenn man davon nichts versteht, läuft man Gefahr, in gewisse Fallen zu tappen, wie in dem altbekannten Witz von den Ingenieuren und Mathmatikern, die zusammen zugfahren. Z.B. hier (der zweite von oben): http://oliverhelber.de/index-Texte/Mathewitze.htm Das ist ausdrücklich keine Kritik meinerseits an LTSpice. Das Programm arbeitet im allgemeinen phantastisch und ist sehr performant. Und mit Sicherheit kann man irgendwo nachlesen, was in solchen Fällen getan werden kann (es gibt diverse Einstellungen im Control Panel, die hier Einfluss haben könnten). Ich habe mich damit noch nicht auseinandergesetzt, musste es auch nicht.
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Nun, wie es scheint sind es tatsächlich nur die Dioden. Die "ideale" SPICE-Diode hat keinen Reihenwiderstand, das bringt die numerische Lösung durcheinander. Man kann am Trafo rumdrehen wie man will, der Strom durch L1 und L2 wird immer als NAN (not a number), INV (infinity) angezeigt. Ist aber doof, daß LTspice keinerlei Warnung oder Error produziert. Bug oder Feature? Ich hab mal die Standarddiode simuliert. Wenn dort GA (ja, GIGA-Ampere) rauskommen, KANN da was nicht stimmen ;-)
M.A. S. schrieb: > Das Programm > arbeitet im allgemeinen phantastisch und ist sehr performant. Ja. > Und mit > Sicherheit kann man irgendwo nachlesen, was in solchen Fällen getan > werden kann (es gibt diverse Einstellungen im Control Panel, die hier > Einfluss haben könnten). Man stößt immer mal wieder auf Problemfälle. Meist sind einige Bauelemente zu ideal, manchmal sind Ungenauigkeiten vorhanden, die man mit kleinerem Timestep beheben kann, manchmal hilft Startup oder uic oder eben ein anderer Solver. Ich denke, solche Grenzfälle sind nicht LTSpice-spezifisch, sondern grundsätzlich bei Spicesimulationen vorhanden. LTSpice hat z.B. einen hochohmigen Parallelwiderstand zu Cs, optional kleinste Leitwerte und Kapazitäten nach GND an jedem Knoten und noch anderes. Weitere parasitäre Elemente sind wählbar. Es hilft in vielen Problemfällen, wenn man einige parasitäre Effekte mit ins Modell aufnimmt oder, wie bei Cs und Ls einen auswählt, den man ggf. sogar kaufen kann. Wie man auch an diesem Thread sieht, sind Simulationen mit den generischen Modellen selten eine gute Idee. Schlimmer sind eigentlich die Fremdmodelle, die irgendwelche Spezialfunktionen nutzen die in LTSpice nicht bekannt sind; wie bei manchen Infineon-Modelle.
HildeK schrieb: > Ich denke, solche Grenzfälle sind nicht LTSpice-spezifisch, sondern > grundsätzlich bei Spicesimulationen vorhanden. Das ist richtig.
Ich hatte eher den Verdacht, dass die ideale Diode keinen Parallelwiderstand hat und deswegen die Initialisierungswerte/-potentiale für R2/C1 nicht ermittelt werden können (floating Nodes). Aber dieser Verdacht ist zerplatzt, weil es bei 190 nF klappt, bei 200 nF aber nicht. Falk B. schrieb: > Ist aber doof, daß LTspice keinerlei Warnung oder Error > produziert. Ich hätte auch das anders erwartet. > Bug oder Feature? Oder nicht erkennbare Situation für den Solver? Aber 190/200???
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