Geschätztes Forum, ein regelbarer Lastwiderstand (Solarpanel-Tester) soll mit BUZ11 im Parallelbetrieb realisiert werden, maximal 20V und 10A (kurzzeitig für ms). 4x BUZ11 und je einen Drain-Widerstand(1 Ohm), als Gegenkopplung, da die BUZ-Exemplare streuen können. Würden es die BUZ11 überleben, wenn nein, warum nicht? Danke Bernhard
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Du brauchst eine Rückkopplung. Die Gate-Empfindlichkeit ändert sich mit der Temperatur, und du befindest dich an einem ziemlich steilen Teil der Kennlinie. Die Source-Widerstände helfen ein wenig, sind aber vmtl. noch zu klein. Also: Opamp, mit 4 Widerständen den Mittelwert aus dem Spannungsabfall der 4 Source-Lastwiderstände bilden, analoge Sollwertvorgabe (z.B. PWM+RC oder DAC oder Poti...)
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hat er doch über den Widerstand. Aus dem Bauch würde ich sagen, das reicht.
Bernhard S. schrieb: > Würden es die BUZ11 überleben, wenn nein, warum nicht? Du solltest im Netz ein SOA-Diagramm für dDeine Transistoren suchen.
Εrnst B. schrieb: > Du brauchst eine Rückkopplung. Die Gate-Empfindlichkeit änder sich mit > der Temperatur. Danke Ernst für Deine Antwort, aber das war nicht die Frage ^^ Die Frage war: "Würden es die BUZ11 überleben, wenn nein, warum nicht?" Die Gate-Steuerungsproblematik soll hier nicht zwingend diskuiert werden.
Bernhard S. schrieb: > "Würden es die BUZ11 überleben, wenn nein, warum nicht?" Antwort: Vermutlich, ja. Falls nicht: Die Gate-Empfindlichkeit steigt mit der Temperatur. Der "heißeste" FET kriegt am meisten Strom ab, wird empfindlicher, und kriegt deswegen noch mehr Strom. Mit z.B. je 4 Ohm an Source sind die Chancen besser, und du kommst trotzdem noch auf deine 10A. Brauchts aber mehr Gatespannung, was aber ja nicht Thema sein soll.
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Harald W. schrieb: >> Würden es die BUZ11 überleben, wenn nein, warum nicht? > Du solltest im Netz ein SOA-Diagramm für dDeine Transistoren suchen. Gefunden und optisch keine Überschreitung erkennen können
Εrnst B. schrieb: > Antwort: Vermutlich, ja. PS: Soll heißen: Wenn die BUZe alle aus derselben Tüte kommen, selber Hersteller, selbe Charge, Werte nah beieinander etc, dann klappt das. Wenn die Schaltung auch funktionieren soll, wenn deine FETs die Limits aus dem Datenblatt in alle Richtungen ausreizen, sollte man nochmal genau nachrechnen. => Für dein Einzelstück-Bastelprojekt: Aufbauen, wenn's nicht klappt war's 1€fuffzich Lehrgeld.
Bernhard S. schrieb: > Harald W. schrieb: >>> Würden es die BUZ11 überleben, wenn nein, warum nicht? > >> Du solltest im Netz ein SOA-Diagramm für dDeine Transistoren suchen. > > Gefunden und optisch keine Überschreitung erkennen können Du hast beachtet was da links unten im Diagramm steht?
Für die Symmetrierung würde ich jedem Transistor einen OPV spendieren, der die eigene Sourcespannung mit dem Vorgabewert vergleicht und ihn nachregelt. Dafür müsste schon ein LM324 aus der Schrottkiste reichen.
Εrnst B. schrieb: >> "Würden es die BUZ11 überleben, wenn nein, warum nicht?" > > Antwort: Vermutlich, ja. Falls nicht: Die Gate-Empfindlichkeit steigt > mit der Temperatur. Der "heißeste" FET kriegt am meisten Strom ab, wird > empfindlicher, und kriegt deswegen noch mehr Strom. Je höher der Strom, je höher der Spannungsabfall über dem Widerstand, desto geringer die Gatespannung, wenn der Widerstand nicht zu klein gewählt wird, müsste das sich das System schnell einpendeln. Εrnst B. schrieb: > => Für dein Einzelstück-Bastelprojekt: Aufbauen, wenn's nicht klappt > war's 1€fuffzich Lehrgeld. Ich werde eine Versuchsschaltung aufbauen und messen. Solltet ihr längere Zeit nichts von mir lesen, ist irgend etwas schiefgegangen ^^ Ingo W. schrieb: > Für die Symmetrierung würde ich jedem Transistor einen OPV spendieren, > der die eigene Sourcespannung mit dem Vorgabewert vergleicht und ihn > nachregelt. Dafür müsste schon ein LM324 aus der Schrottkiste reichen. Danke für den Tipp, aber wären ohne diesen Aufwand die FETs in Gefahr?
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Bernhard S. schrieb: > wenn der Widerstand nicht zu klein > gewählt wird, müsste das sich das System schnell einpendeln Überschlagsweise hast du (angenommen bestmöglicher und schlechtestmögliche BUZ11) bei 1 Ohm an den Sources 2 Ampere mehr durch den "Guten" FET als durch die schlechten. Statt 4×2,5A hast du dann eine Aufteilung von 4A + 3×2A. Das ist schon ganz knapp außerhalb der SOA :)
3A 20V wäre in der Safe Area bei 4 BUZ11 sollten die 10A drin sein. Wenn du aber noch einen Widerstand benutzt dann entlastet dieser deine FETs. Aus einer aktuellen Anwendung 32 x BUD250 schalten 270A bei ca. 35V. Da sind jeweils 8 auf einem Kühlblech montiert welche mit Abstandshaltern zusammen geschraubt sind und dann werden Sie auch noch von einen 250mm Lüfter angeblasen. Man vertraut ihnen so also etwa 8A pro Stück zu. Aber nimm doch zur Sicherheit ein etwas größeres Gehäuse TO247 oder 263 die dürften einen etwas größere Siliziumfläche haben wodurch sich die wärme etwas gleichmäßiger auf die Kühlfahne verteilt und abgeführt werden kann.
Es wird mir immer ein Rätsel bleiben, warum jemand für lineare Anwendungen FET-Transistoren nimmt. Das könnten einfache NPN-Transistoren besser, wobei für diese Anwendung selbst der Uralttyp 2N3055 geeignet wäre. Da die parallel geschalteten Transistoren einen gemeinsamen Basisstrom von bis zu 1 A benötigen, wird ein gemeinsamer Vorstufentransistor (als Darlingtonvorstufe geschaltet) benötigt. Die gemeinsamen Kollektoren der Endstufen und des Vorstufentransistors können auf das Kühlblech ohne Isolation montiert werden, da sie alle auf dem gleichen Potential liegen. Die 1 Ohm Emitterwiderstände der Endstufen reichen für eine Symmetrierung aus.
H. H. schrieb: >> 3A 20V wäre in der Safe Area > > Da braucht der BUZ11 aber verdammt gute Kühlung! Der OP redet von Pulsen im Millisekundenbereich.
Beitrag #7099509 wurde von einem Moderator gelöscht.
Falk B. schrieb: > H. H. schrieb: >>> 3A 20V wäre in der Safe Area >> >> Da braucht der BUZ11 aber verdammt gute Kühlung! > > Der OP redet von Pulsen im Millisekundenbereich. Hab ich das übersehen?
Beitrag #7099512 wurde von einem Moderator gelöscht.
Ingo W. schrieb: > Für die Symmetrierung würde ich jedem Transistor einen OPV > spendieren, der die eigene Sourcespannung mit dem Vorgabewert vergleicht > und ihn nachregelt. Dafür müsste schon ein LM324 aus der Schrottkiste > reichen. Da genügt auch ein LM358. Jeder 1 Ohm Widerstand bekommt seinen eigenen 1k Widerstand, die dann alle gemeinsam an den LM358 Eingang angeschlossen werden.
Michael M. schrieb: > Da genügt auch ein LM358. Jeder 1 Ohm Widerstand bekommt seinen eigenen > 1k Widerstand, die dann alle gemeinsam an den LM358 Eingang > angeschlossen werden. Damit werden dann aber die eventuell unterschiedlichen Gate-Source Threshold-Spannungen nicht ausgeglichen. Bei meinem Vorschlag mit den 4 OPVs würde jeder BUZ die gleiche Last zu tragen haben.
Bernhard S. schrieb: > Geschätztes Forum, > > ein regelbarer Lastwiderstand (Solarpanel-Tester) soll mit BUZ11 im > Parallelbetrieb realisiert werden, Das ist kein Jim Beam, ähh LastWIDERSTAND. Es ist eine reglebare Konstantstromquelle. > maximal 20V und 10A (kurzzeitig für ms). > 4x BUZ11 und je einen Drain-Widerstand(1 Ohm), Sourcewiderstand. > als Gegenkopplung, da die > BUZ-Exemplare streuen können. Ist recht wenig, zumal die Schwellspannungen reichlich variieren können. Der Standardansatz ist ein OPV pro MOSFET, kostet heute ja nix. > Würden es die BUZ11 überleben, wenn nein, warum nicht? Naja, auch schlechte Schaltungen funktionieren erstaunlich oft und lang. Wenn du max. 10A in Summe, sprich 2,5A pro MOSFET haben willst und sowieso eine recht große Mindestspannung von ca. 20V hast, muss man mit dem Sourcewiderstand nicht sparsam sein. Da kann man schon mal 5-10V drüber verbraten. Also eher 2,2-3,3 Ohm. Die Gateansteuerung braucht aber trotzdem einen OPV. https://www.mikrocontroller.net/articles/Konstantstromquelle#Konstantstromquelle_mit_Operationsverst%C3%A4rker_und_Transistor
Ingo W. schrieb: > Bei meinem Vorschlag mit den 4 OPVs würde jeder BUZ die gleiche Last zu > tragen haben. Ich dachte nur dass alle Gates zusammengeschaltet bleiben müssen, aber wenn jedes Gate einzeln angesteuert werden darf, ist deine Lösung natürlich besser.
Beitrag #7099532 wurde von einem Moderator gelöscht.
Falk B. schrieb: > Das ist kein Jim Beam, ähh LastWIDERSTAND. Es ist eine reglebare > Konstantstromquelle. Konstantstromsenke, oder?
Löppt schrieb: > Falk B. schrieb: >> Das ist kein Jim Beam, ähh LastWIDERSTAND. Es ist >> eine reglebare Konstantstromquelle. > > Konstantstromsenke, oder? Ja. ...senke, nicht ...quelle.
Löppt schrieb: > Falk B. schrieb: >> Das ist kein Jim Beam, ähh LastWIDERSTAND. Es ist eine reglebare >> Konstantstromquelle. > > Konstantstromsenke, oder? Nö, das kann man schon als Konstantstromquelle betrachten, auch wenn sie aktiv keinen Strom liefert. In der Schaltungstechnik nennt man es auch Konstantspannungsquelle bzw. Konstantstromquelle.
Bernhard S. schrieb: > Ingo W. schrieb: > >> Für die Symmetrierung würde ich jedem Transistor einen OPV spendieren, >> der die eigene Sourcespannung mit dem Vorgabewert vergleicht und ihn >> nachregelt. Dafür müsste schon ein LM324 aus der Schrottkiste reichen. > > Danke für den Tipp, aber wären ohne diesen Aufwand die FETs in Gefahr? Eindeutig JA
Εrnst B. schrieb: > Überschlagsweise hast du (angenommen bestmöglicher und > schlechtestmögliche BUZ11) bei 1 Ohm an den Sources 2 Ampere mehr durch > den "Guten" FET als durch die schlechten. Bei 2A mehr durch den "guten" FET würde lt. Kennlinie bedeuten, 2V weniger Gatespannung, da er durch seinen Source-R gegenkekoppelt ist. https://www.mikrocontroller.net/attachment/560226/BUZ11_Kennlinie.jpg Thomas O. schrieb: > Wenn du aber noch einen Widerstand benutzt dann entlastet dieser deine > FETs. Da gebe ich Dir Recht, ein R in die Zuleitung verlagert die Verlustleistung. Aber ich kann damit leider nicht den Kurzschlussstrom ermittel, da R alles begrenzt. Günni schrieb: > NPN-Transistoren besser, wobei für diese Anwendung selbst der Uralttyp > 2N3055 geeignet wäre. NPN / PNP haben den Vorteil, dass die Kennlinie nicht so temperaturabhängig ist wie bei den FETs. Uwe S. schrieb im Beitrag #7099509: > Du als TO bist hier nur ein gefundenes Opfer, das alle fertig machen > wollen. Den Eindruck habe ich auch, selten fachlich fundiertes. Falk B. schrieb: > Die Gateansteuerung braucht aber trotzdem einen OPV. Nicht zwingend, man kann, man muss aber nicht ^^ Falk B. schrieb: > Es ist eine reglebare Konstantstromquelle. Ich denke, der Begriff Konstantstromsenke ist angebrachter. Andrew T. schrieb: >> Danke für den Tipp, aber wären ohne diesen Aufwand die FETs in Gefahr? > > Eindeutig JA Ich denke NEIN , begründet durch die 1 Ohm Source-Gegenkopplung, 100mA mehr Source-Strom, bedeutet 0,1V Gatespannungsänderung, lt. Kennlienie doch eine relativ große Stromänderung, wenn die FETs nicht total verschieden sind.
Das Thema haben wir doch im Nachbarthread schon durchgekaut. Der Mann will einfach nicht begreifen das seine Schaltung so dimensioniert Schrott ist. Er wartet einfach nur darauf, das Ihm jemand das OK für den Mist gibt damit er dann später heulen kann weils Ihm um die Ohren geflogen ist.
Dann Bau es einfach auf, Und schau was passiert. So what
Andrew T. schrieb: > Dann Bau es einfach auf, > Und schau was passiert. > > So what genau, und "kurzzeitig für ms" funktioniert das selbst ohne Kühlung, wenn er es nur alle paar Sekunden wiederholt. Alles andere ist unnötiger Krampf!
Εrnst B. schrieb: > Antwort: Vermutlich, ja. Falls nicht: Die Gate-Empfindlichkeit steigt > mit der Temperatur. Der "heißeste" FET kriegt am meisten Strom ab, wird > empfindlicher, und kriegt deswegen noch mehr Strom. Stimmt das so? Ich meine, mal gelesen zu haben (glaub bei Horowitz und Hill), dass dieses "Hoch-schaukeln" bei FETs eben gerade nicht passiert und dass die Parallel-Schaltung von FETs deshalb erheblich weniger problematisch ist als von bipolaren Leistungstransistoren (bei denen dies passiert). Bin allerdings kein Profi der Leistungselektronik und lass mich gerne eines Besseren belehren...
vorbeigesurft schrieb: > Εrnst B. schrieb: >> Antwort: Vermutlich, ja. Falls nicht: Die Gate-Empfindlichkeit steigt >> mit der Temperatur. Der "heißeste" FET kriegt am meisten Strom ab, wird >> empfindlicher, und kriegt deswegen noch mehr Strom. > > Stimmt das so? Ja. > Ich meine, mal gelesen zu haben (glaub bei Horowitz und Hill), dass > dieses "Hoch-schaukeln" bei FETs eben gerade nicht passiert und dass die > Parallel-Schaltung von FETs deshalb erheblich weniger problematisch ist > als von bipolaren Leistungstransistoren (bei denen dies passiert). Da war sicherlich nicht vom Linearbetrieb die Rede, sondern vom Schaltbetrieb. Im Schaltbetrieb lassen sich MOSFETs sehr gut parallel schalten, weil ja der Kanal einen positiven TK hat.
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Praxistest. nach dem Motto "Versuch und Irrtum". 3x BUZ11 verbraten bei angelegten 20V und 5A stolze 200 *Watt* . Der Kühlkörper heizte sich nach einigen Minuten sehr auf, Berührung war schmerzvoll,es roch auch schon nach "Strom" :-) Die Source-Widerstände sind bewußt sehr klein gewählt, nur 0,47 Ohm. Allerdings sind die 40 Jahre alten Widerstände aus der Bastelkiste sind doch etwas ungenau. Fazit: Es funktioniert , da jeder FET durch den Source-R gegengeoppelt ist. Würde man diese Widerstände größer auswählen, z.B. 2 Ohm, dann würden Kennlinienabweichungen der einzelnen FETs noch besser kompensiert. Benötigt dann allerdings mehr Gatespannung (gegen GND gemessen). Messergebnisse bei 20V 5A: Spannung am R von T1: 0,84V Spannung am R von T2: 0,77V Spannung am R von T3: 0,76V
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Bernhard S. schrieb: > 3x BUZ11 verbraten bei angelegten 20V und 5A stolze 200 Watt Adam Riese wäre auf ein anderes Ergebnis gekommen... ;-)
Armin X. schrieb: >> 3x BUZ11 verbraten bei angelegten 20V und 5A stolze 200 Watt > > Adam Riese wäre auf ein anderes Ergebnis gekommen... ;-) Ohhh, sorry, vertippt, besser wäre gewesen 100 Watt.
Bernhard S. schrieb: > 3x BUZ11 verbraten bei angelegten 20V und 5A stolze 200 Watt . Ein Perpetuum Mobile!
H. H. schrieb: > Ein Perpetuum Mobile! Kannste mal sehen, was die Polung und Einbaulage der Widerstände so alles ausmachen^^
Bernhard S. schrieb: > Ohhh, sorry, vertippt, besser Alles Gut, die Geier brauchen auch etwas Futter. Bernhard S. schrieb: > Der Kühlkörper heizte sich nach einigen Minuten sehr auf, Berührung war > schmerzvoll,es roch auch schon nach "Strom" :-) Daher bin ich eh der Meinung, dass 4 Transistoren für 200W sehr Grenzwertig sind. 50W pro T gehen ja laut SOA nur wenn das Die auf 25°C gehalten werden kann. Na Gut, ein klein wenig Luft ist dann noch. Für Dauerbetrieb würde ich aber nicht mehr als 20-30W ansetzen wollen.
Armin X. schrieb: > 50W pro T gehen ja laut SOA nur wenn das Die auf 25°C > gehalten werden kann. Nicht das Die, das Gehäuse!
Armin X. schrieb: > Na Gut, ein klein wenig Luft ist dann noch. Für > Dauerbetrieb würde ich aber nicht mehr als 20-30W ansetzen wollen. Dem stimme ich Dir zu, danke für den Hinweis. H. H. schrieb: > Armin X. schrieb: >> 50W pro T gehen ja laut SOA nur wenn das Die auf 25°C >> gehalten werden kann. > > Nicht das Die, das Gehäuse! ...der Kühlkörper, bzw. das Gehäuse des FETs
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Bernhard S. schrieb: > Bei 2A mehr durch den "guten" FET würde lt. Kennlinie bedeuten, > 2V weniger Gatespannung, da er durch seinen Source-R gegenkekoppelt ist. ja, so hab ich das überschlagen. Die "Typische" Kennlinie schneidet den Ursprung bei der typischen Ugs(th)=3V, diese kann aber zwischen 2.1 und 4 V liegen. Insofern verschiebt sich diese Kennlinie auch, zumindest im "unteren Bereich", um dieselbe Spanne. Macht Pi-Mal-Daumen zwischen bestmöglichem und schlechtestmöglichen BUZ einen Unterschied von 2V Ugs. Damit liegt der "Gute" FET mit 20-4=16V @ 4A ganz knapp außerhalb der SOA. (*) Effekte durch unterschiedliche Temperatur garnicht mit einbezogen. Aber, wie gesagt, so eine extreme Exemplarstreuung siehst du in der Realität eher nicht, und wenn, könntest du für dein Bastelprojekt ja selektieren. Bernhard S. schrieb: > Würde man diese Widerstände größer auswählen, z.B. 2 Ohm, dann würden > Kennlinienabweichungen der einzelnen FETs noch besser kompensiert. Ja. Den Tipp hast du schon mehrfach bekommen. *) Edit: Hab mich mit den Ampere-Linien verzählt. Der Pfeil muss weiter runter, liegt vielleicht sogar noch auf oder in dem DC-SOA-Bereich.
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Günni schrieb: > Es wird mir immer ein Rätsel bleiben, warum jemand für lineare > Anwendungen FET-Transistoren nimmt. Schwierig aufzulösendes Rätsel, weshalb FETs für Analoganwendungen entwickelt und von namhaften Firmen verbaut wurden. > Das könnten einfache NPN-Transistoren besser, Nicht besser, aber auch. Oder auch nicht, mit FETs bekommt man U(DS) deutlich weniger Restspannung als U(CE) beim bipolaren Transistor hin - bei gleicher Speisung eines Verstärkers mehr Ausgangsleistung. Meinen Akkutester habe ich mit FET gemacht, weil ich bipolar kaum unter 1 Volt Endspannung gekommen wäre. > wobei für diese Anwendung selbst der Uralttyp 2N3055 geeignet wäre. Für diese mit 20 Volt vielleicht. Da ist ein nicht unerheblicher Basisstrom notwendig, der Aufwand für die Treiberstufe erfordert. Mein 5A-Labornetzteil habe ich damals mit Darlingstons gebaut, wegen der geringeren Treiberleistung, aber zu Lasten deutlich größerer Emittwiderstände wegen der Stromverteilung. Εrnst B. schrieb: > Soll heißen: Wenn die BUZe alle aus derselben Tüte kommen, selber > Hersteller, selbe Charge, Werte nah beieinander etc, dann klappt das. Das ist eine blauäugig unrealistische Annahme. Ich habe mit IRF540 als Stromsenke gebaut, absolut seriöse Herkunft, selber Hersteller, gleiche Chargennummern - I(DS) bzw. R(DS) gegen U(GS) weichen erheblich ab. Bernhard S. schrieb: > Allerdings sind die 40 Jahre alten Widerstände aus der Bastelkiste sind > doch etwas ungenau. Auch vor 40 Jahren konnte man schon Toleranzen einhalten, vielleicht sogar besser als bei modernem Billigzeugs. > Fazit: > Es funktioniert , da jeder FET durch den Source-R gegengeoppelt ist. Du hast Glück, dass Deine BUZze recht nahe beieinander liegen. > Würde man diese Widerstände größer auswählen, z.B. 2 Ohm, dann würden > Kennlinienabweichungen der einzelnen FETs noch besser kompensiert. So ist das. Obendrein würden sie einen größeren Anteil der Leistung übernehmen, die sind thermisch höher belastbar ein Transistor. > Benötigt dann allerdings mehr Gatespannung (gegen GND gemessen). So ist das, aber das sollte nicht das wesentliche Problem sein. Damit das Gebilde nicht undefiniert arbeitet, brauchst Du sowieso eine Messung des Gesamtstroms und einen Regelkreis.
Hilf Ihm oder lass es... Sitzt du eigentlich jeden Tag beim Abendessen und erzählst deiner Frau wie toll du bist weil du dennen im Forum wieder was "erklärt" hast? Du wirfst nur Brocken rum... permanent...von Kompetenz keine spur... Musste mal raus. Meine Meinung...
Bernhard S. schrieb: > Praxistest. nach dem Motto "Versuch und Irrtum". > > 3x BUZ11 verbraten bei angelegten 20V und 5A stolze 200 Watt . > > Der Kühlkörper heizte sich nach einigen Minuten sehr auf, Berührung war > schmerzvoll,es roch auch schon nach "Strom" :-) Sooo? Das war eigentlich nicht zu erwarten. Welches Tastverhältnis? Du sprachst oben (TE) von Millisekunden. Wie viele davon genau, mit wie langer Abkühlpause dazwischen? Oder hast Du da minutenlang hundert_Watt_DAUERLAST gefahren...? Falls ja: Wozu denn, wenn "in der Praxis" (im späteren Betrieb) doch gar nicht vorkommend? Bernhard S. schrieb: > (Solarpanel-Tester) Was willst Du da eigentlich genau testen? Normalerweise macht man (jeweils bei "dauerhafter Nennbeleuchtung(sstärke)") hierzu doch - Messung U_Leerlauf - Messung I_Kurzschluß (logischerweise nacheinander) und dann noch - MPP, getrackt und sowohl U als auch I Messung UND/ODER - ca. Nennbetriebspunkt und sowohl U als auch I Messung Was genau benutzt Du denn da überhaupt, um sowohl U als auch I in Millisekunden zu messen...? Also nicht daß das unmöglich wäre, nur normalerweise gar nicht nötig. Noch fehlen einige wichtige Infos.
Mittlerweile fand ich zwar das hier: Beitrag "MPP (Maximum Power Point ) Solarmodul Solaranlage messtechnisch ermitteln" Aber auch zusammen ergeben sich nicht wirklich Antworten. :-/
Bernhard S. schrieb: > Aber ich kann damit leider nicht den Kurzschlussstrom ermittel, da R > alles begrenzt. Tja, dann sollte man sich mal klar äußern, welche Parameter und Kennlinien erreicht werden sollen. U.a ein Minimalspannung. >> NPN-Transistoren besser, wobei für diese Anwendung selbst der Uralttyp >> 2N3055 geeignet wäre. > > NPN / PNP haben den Vorteil, dass die Kennlinie nicht so Die nennt man Bipolartransistoren. > temperaturabhängig ist wie bei den FETs. Jain. MOSFETs haben ca. -5mV/K, Bipolare ca. -2mV/K. >> Die Gateansteuerung braucht aber trotzdem einen OPV. > > Nicht zwingend, man kann, man muss aber nicht ^^ Klar, wenn man nur murksen will, spart man sich den UNBEZAHLBAREN OPV . . . > Falk B. schrieb: >> Es ist eine reglebare Konstantstromquelle. > > Ich denke, der Begriff Konstantstromsenke ist angebrachter. Nö. Der Begriff Konstantstromquelle ist etabliert. Nur weil ein paar Bastler das anders sehen, wird deswegen die Begriffsdefionition nicht geändert.
camera obscura schrieb: > Mittlerweile fand ich zwar das hier: > > Beitrag "MPP (Maximum Power Point ) Solarmodul Solaranlage messtechnisch > ermitteln" > > Aber auch zusammen ergeben sich nicht wirklich Antworten. :-/ So ein Quatsch in höchster Perfektion, manche lernen es nie, manche noch süäter, schnapp Dir 'ne Praline-Zeitschrift und geh auf Dein Zimmer.
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Es gibt Menschen die immer Recht haben. Selbst, wenn sie Fragen stellen...
Falk B. schrieb: > Nö. Der Begriff Konstantstromquelle ist etabliert. Nur weil ein paar > Bastler das anders sehen, wird deswegen die Begriffsdefionition nicht > geändert. Magst Du so sehen. Ist aber Falk Quark. Der mehrheitliche Rest der Welt sieht die Konstatstrom-Senke und die -Quelle. Sogar in der Übersetzung macht man sich die Mühe von current source und current sink zu sprechen. Es wird Zeit Falk das Du das erkennst
Nur der Vollständigkeit halber: Keiner von Euch hat scheinbar schon erwähnt, daß die klassische OPV Konstantstromsenkenschaltung anstatt Konstantstrom Modus auch eine Widerstandskennlinie emulieren kann wenn die Einstellspannung an die Lastspannung, vorausgesetzt richtig skaliert, verbunden wird. Der OPV braucht natürlich eine unabhängige Versorgung. Vielleicht wäre so eine Verhaltungsweise sogar erwünscht. Es sollte möglich sein ziemlich nahe auf Null Volt herunterzukommen. Ixys hat übrigens einige tolle lineare MOSFETS im Lieferprogramm in einem großen vier Pin Gehäuse die sich sehr gut kühlen lassen. TTI verwendet solche Bauformen in ihren elektronischen Lasten. Die haben einen Typ der noch bei 60V 10 A SOA-mässig aushält.
Bernhard S. schrieb: > So ein Quatsch in höchster Perfektion, ... > schnapp Dir 'ne ... Wer kostenlose Hilfe haben möchte, sollte um seine Bittstellerrolle wissen. Da sind solche Sätze ein unflätiges Benehmen. Da die Geschwindigkeit nur im ms-Bereich liegt, kannst Du auch über vergleichen der Kennlinien die Unterschiede über Spannungsteiler am Gate näherungsweise ausgleichen. Nachteil ist, dass dies die Treiberschaltung mehr belastet. Das kann für diese Lösung ein no-go-Kriterium sein.
Falk B. schrieb: > Löppt schrieb: >> Falk B. schrieb: >>> Das ist kein Jim Beam, ähh LastWIDERSTAND. Es ist eine reglebare >>> Konstantstromquelle. >> >> Konstantstromsenke, oder? > > Nö, das kann man schon als Konstantstromquelle betrachten, auch wenn sie > aktiv keinen Strom liefert. In der Schaltungstechnik nennt man es auch > Konstantspannungsquelle bzw. Konstantstromquelle. Wenn noch eine Spannungsquelle im gleichen Gerät vorhanden ist, würde ich auch so sehen. So finde ich es zumindest unintuitiv. Der Tietze-Schenk sieht es allerdings auch wie du. Andrew T. schrieb: > Magst Du so sehen. Ist aber Falk Quark. > > Der mehrheitliche Rest der Welt sieht die Konstatstrom-Senke und die > -Quelle. > Sogar in der Übersetzung macht man sich die Mühe von current source und > current sink zu sprechen. > > Es wird Zeit Falk das Du das erkennst Der Tietze-Schenk scheint es wie Falk zu sehen. Analog unterscheidet hingegen zwischen sink und source: https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/application-notes/AN-968.pdf TI auch: https://www.ti.com/lit/an/snoaa46/snoaa46.pdf?ts=1655485740434 Ich habe ansonsten keine wirklichen anderen (professionellen) deutschsprachigen Quellen auf die Schnelle gefunden, bei denen nicht noch eine Versorgungsspannung über der Last angeschlossen war – da halte ich die „Stromquelle“ dann als Begriff für angebracht. Fazit: auf Englisch scheint man zu unterscheiden, auf Deutsch nicht ganz so rigoros.
Bernhard S. schrieb: > ... Zu Ihrer Information: Das war nach den entdeckten Ausbrüchen nur ein kleiner Test, ob Sie sich allen oder nur bestimmten Usern gegenüber so mies aufführen. Ergebnis ist für mich eindeutig genug - damit verabschiede ich mich.
Gerhard O. schrieb: > Ixys hat übrigens einige tolle lineare MOSFETS im Lieferprogramm in > einem großen vier Pin Gehäuse die sich sehr gut kühlen lassen. Diese Mosfets sind nicht billig und nicht unbedingt nötig für die "Linearisierung". Wenn man ein OPV zur Stromregelung verwendet, wird der Strom sowieso über Shunt geregelt. Bei einem R-R OPV (vor allem R-Input) und ab bestimmten Spannung (meist 2V über U_th) kann man separate Vesorgungspannung für den OPV verzichten. 100W wäre bei einem MOSFET in TO247 Pakage, Ptot ab 200W und entsprechendem KK kein Problem.
H. H. schrieb: >> Ich meine, mal gelesen zu haben (glaub bei Horowitz und Hill), dass >> dieses "Hoch-schaukeln" bei FETs eben gerade nicht passiert und dass die >> Parallel-Schaltung von FETs deshalb erheblich weniger problematisch ist >> als von bipolaren Leistungstransistoren (bei denen dies passiert). > > Da war sicherlich nicht vom Linearbetrieb die Rede, sondern vom > Schaltbetrieb. Im Schaltbetrieb lassen sich MOSFETs sehr gut parallel > schalten, weil ja der Kanal einen positiven TK hat. Ah, interessant, dass sich die TK von Kanal und Gate unterscheiden. Wieder was gelernt.
Oh, hatte diese interesanten Fragen irgendwie übersehen, sorry. camera obscura schrieb: > Wie viele davon genau, mit wie langer Abkühlpause dazwischen? im späteren Betrieb: einige ms Strom und Spannung messen, dann 1 Minute Pause > Oder hast Du da minutenlang hundert_Watt_DAUERLAST gefahren...? Nein, wohin mit der Abwärme? > Bernhard S. schrieb: >> (Solarpanel-Tester) > > Was willst Du da eigentlich genau testen? Normalerweise macht man > (jeweils bei "dauerhafter Nennbeleuchtung(sstärke)") hierzu doch > - Messung U_Leerlauf > - Messung I_Kurzschluß Diese beiden Extremmessunen (Leerlauf / Kurzschluß) reichen aber zur Ermittlung der MPP-Spannung nicht aus, da MPP stark Temperaturabhängig ist. > Was genau benutzt Du denn da überhaupt, um sowohl U als auch I in > Millisekunden zu messen...? Ganz einfach U(Spannung am Panel bei BUZ11-Last) und I (Spannungsabfall über Source-R-BZ11), gemessen mit einem ADC des ATmega8. Die Steuerung der Gatespannungen (BUZ11 als Last) per PWM des AVR.
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endlich: macht eine ATmega8 oder sonstigen Prozessor dran, aus der Mücke einen Elefanten und verschiebt das Ding in die Rubrik mikrocontroller-elektronik. Damit man den Overkill Irrsinn nicht mehr lesen muss.
Bernhard S. schrieb: > gemessen mit einem ADC des ATmega8. Naja da ist der ADC vom ATmega8 nicht gerade so das richtige für das Vorhaben, da dieser nur einen 10-bit ADC hat. Hier mal ein paar Eckdaten wie man es machen könnte z.B. mit einem ADS1115 ADC 16bit und dann einen ACS712 nutzen. Wenn das ganze dann auch noch für ein MPPT Regler genutzt werden soll am besten gleich einen etwas Leistungsfähigen Controller nutzen z.B ESP32 oder so. ACS712 ELC-05 -> +/- 5A -> 185 mV/A ACS712 ELC-20 -> +/- 20 A -> 100 mV/A ACS712 ELC-30 -> +/- 30 A -> 66 mV/A
Hobby B. schrieb: > Vorhaben, da dieser nur einen 10-bit ADC hat. Danke für den Tipp, muss es wirklich so genau sein, zumal die MPP-Spannung, also der optimale Arbeitspunkt des Solarpanels sich permanent verschiebt? Momentan strebe ich eine ganz einfache Lösung an mit hinreichender Genauigkeit ^^ Bei 10Bit und 20V Panelspannung ergibt sich eine Genauigkeit von +/- 20mV.
Bernhard S. schrieb: > Bei 10Bit und 20V Panelspannung ergibt sich eine Genauigkeit von +/- > 20mV. Guten Morgen, beim ATmega8 hast 10Bit Auflösung und eine Genauigkeit von 8Bit. Die letzten 2Bit sind zu wacklig die kannst eigentlich gleich wegwerfen. Deshalb wäre es günstiger gleich von Anfang an die Auflösung immer gleich mindestens 2Bit höher zu wählen als die geforderte Genauigkeit die man haben möchte.
Bernhard S. schrieb: > Die Steuerung der Gatespannungen (BUZ11 als Last) per PWM des AVR. Unfug. Aber mach mal, Murksen ist auch ein Hobby.
Bernhard S. schrieb: > Bei 10Bit und 20V Panelspannung ergibt sich eine Genauigkeit von +/- > 20mV. Nö. Das ist bestenfalls die AUFLÖSUNG. Siehe [[Auflösung und Genauigkeit]].
Hobby B. schrieb: > Guten Morgen, > > beim ATmega8 hast 10Bit Auflösung und eine Genauigkeit von 8Bit. Wer sagt das? > Die letzten 2Bit sind zu wacklig die kannst eigentlich gleich wegwerfen. Stimmt nicht. Ich habe schon einigen Schaltung mit dem AVR und ADC gebaut, auch welche wo recht schnell gemessen wurde, auch mit 10 Bit. Der ADC ist erstaunlich rauscharm, selbst das LSB wackelt gefühlt kaum. Das meiste "Rauschen" kommt bei den meisten Schaltungen, erst recht bei Hobbybastlern, aus dem schlechten Analogteil, wo haufenweise Störungen einkoppeln. > Deshalb wäre es günstiger gleich von Anfang an die Auflösung immer > gleich mindestens 2Bit höher zu wählen als die geforderte Genauigkeit > die man haben möchte. Der OP hat für seine 20V max. Meßspannung mit 10 Bit mehr als genug Auflösung. Die Genauigkeit kommt durch einen gescheiten Analogteil und Kalibrierung.
Beitrag #7101788 wurde vom Autor gelöscht.
Falk B. schrieb: > Der OP hat für seine 20V max. Meßspannung mit 10 Bit mehr als genug > Auflösung. Das ADC-Ergebnis wird schlussendlich noch auf 8Bit eingedampft. Bsp: ADC 225=22,5v Die Spannungsmessungen werden durch drei Kurzzeitige hintereinanderfolgende Einzelmessungen realisiert, erst wenn das Ergenis aller drei Einzelmessungen gleich ist, ist das Gesamtergebnis gültig, ansonsten wird neu gemessen :) Falk B. schrieb: >> Die Steuerung der Gatespannungen (BUZ11 als Last) per PWM des AVR. > > Unfug. Aber mach mal, Murksen ist auch ein Hobby. Eine RC-Kombination glättet das PWM-Signal, somit kann stufenweise die Gatespannung variiert werden? Warum Unfug? Eine nachvollziehbare Erkläung wäre mal ganz nett. Nachtrag: Dein Beitrags-Zähler beträgt momentan 56.106 an... ich möchte dazu nichts schreiben, sonst prügeln wieder viele auf mir rum. Uwe, hat's mal so gut erklärt: Bernhard, ich kann es echt kaum noch mit ansehen, muss dir das vielleicht mal etwas erklären... Du als TO bist hier nur ein gefundenes Opfer, das alle fertig machen wollen. Und dein Thread ist nur eine Plattform, auf der sich die hiesigen Schauspieler profilieren wollen, gegenüber ihresgleichen. Mehr nicht! Hast ja gesehen, was im anderen Thread passiert ist. Also wenn das nicht Beweis genug ist, und nun geht das hier schon wieder munter weiter... Du bist mit deinem eigentlichen Vorhaben überhaupt nicht vorangekommen, im Gegenteil, du wurdest total verunsichert. Dein einziger, aber doch ursächlicher Fehler ist nicht elektronischer Natur, sondern der hier:
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Nur der Vollständigkeit halber: Wenn's nicht zu schnell gehen soll kann man durch Mittelung über 64 mal noch zwei freie ADC Bits herausschinden. Das geht weil der ADC oft mit statistischen Fehlern zu kämpfen hat. Wenn nun diese Fehler rein zufällig passieren (weisses Rauschen) dann kann man ohne weiterer HW die Auflösung ohne große Fehler erhöhen. Bevor man den Summenwert dividiert, noch N/2 1/2bit LSB, also 32 dazu addieren. Die Division durch power of 2 kann durch rechts schieben schmerzlos verwirklicht werden. Ich habe das hin und wieder bei PICs mit guten Erfolg gemacht. Bei 12-bit Auflösung hast Du bei 25V und Aref=5V immerhin eine Auflösung von 5mV und die Meßwerte können recht stabil konvertiert werden. Die Genauigkeit ist nur dann gut, wenn die LSB Fehler zufällig erfolgen, also ähnlich weissem Rauschen. Da der AVR ADC relativ schnell ist, brauchen die einzelnen Messzyklen nicht übermässig viel Zeit. Versuch macht kluch. Du kannst ja mit einen genauen DMM die Fehlerwerte quantifizieren.
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Gerhard O. schrieb: > Nur der Vollständigkeit halber: Wenn's nicht zu schnell gehen soll kann > man durch Mittelung über 64 mal noch zwei freie ADC Bits herausschinden. Könnte man, muss man aber meistens gar nicht. Wenn der ADC und die analoge Schaltung davor halbwegs was taugt, kann man mit einem ADC auch OHNE Mittelwertbildung gescheit messen. Es gibt hier immer so eine mehr als nur unterschwellige Angst, daß ohne Mittelwertbildung und Filterung ein ADC unbrauchbar ist. Dem ist nicht so. > 12-bit Auflösung hast Du bei 25V und Aref=5V immerhin eine Auflösung von > 5mV Selbst wenn das so wäre, BRAUCHT man das für DIESE Aufgabe?
Falk B. schrieb: > Gerhard O. schrieb: >> Nur der Vollständigkeit halber: Wenn's nicht zu schnell gehen soll kann >> man durch Mittelung über 64 mal noch zwei freie ADC Bits herausschinden. > > Könnte man, muss man aber meistens gar nicht. Wenn der ADC und die > analoge Schaltung davor halbwegs was taugt, kann man mit einem ADC auch > OHNE Mittelwertbildung gescheit messen. Es gibt hier immer so eine mehr > als nur unterschwellige Angst, daß ohne Mittelwertbildung und Filterung > ein ADC unbrauchbar ist. Dem ist nicht so. > >> 12-bit Auflösung hast Du bei 25V und Aref=5V immerhin eine Auflösung von >> 5mV > > Selbst wenn das so wäre, BRAUCHT man das für DIESE Aufgabe? Naja, war ja nur der Vollständigkeit halber:-) Stimmt Vieles, was Du aufbrachtest. Ich habe derzeit einen AVR128DB64 am Laufen mit einer gut durchdachten und ausgeführten LP und der 12-bit ADC liefert absolut stabile Werte wenn ich z.B eine CR2032 damit messe (Ext. Aref=4.096V). Also, es geht schon, wenn man beim HW Design aufpasst. Was die Thread Thematik betrifft, müsste ich erst wieder nachlesen um nachzuholen um was es hier wirklich geht und was wirklich notwendig ist - zog sich zu lange hin:-)
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Hmm, irgendwie ist meine ziemlich lange Antwort auf den bernhard verschluckt worden. Schöner Mist!
Bernhard S. schrieb: > Das ADC-Ergebnis wird schlussendlich noch auf 8Bit eingedampft. > > Bsp: ADC 225=22,5v also reichen 0,1V Auflösung für dich. >>> Die Steuerung der Gatespannungen (BUZ11 als Last) per PWM des AVR. >> >> Unfug. Aber mach mal, Murksen ist auch ein Hobby. > > Eine RC-Kombination glättet das PWM-Signal, somit kann stufenweise die > Gatespannung variiert werden? > > Warum Unfug? > > Eine nachvollziehbare Erkläung wäre mal ganz nett. 1.) Wenn man jeden der MOSFETs einzeln per OPV regelt, muss man sich um Toleranzen keine Gedanken machen, die regelt der OPV aus. Außerdem kann man mit deutlich kleinerem Shunt arbeiten und damit einen deutlich geringere Minimalspannung erreichen. 2.) Wenn der OPV den Strom regelt, muss sich der AVR nicht darum kümmern. Das ist einfacher, schneller, ggf. sicherer. 3.) Wenn man PWM nutzen will, um den Sollwert für den OPV zu erzeugen, muss man filtern- Wenn man kurze Pulse im Millisekundenbereich haben will, muss das halbwegs "breitbandig" sein. Beispiel Ein AVR mit 16 MHz und 8 Bit PWM macht 62,6kHz. Um das gescheit zu filtern braucht man mindestens einen Tiefpaß 2. Ordnung und schätzungsweise 1-5kHz Bandbreite. Macht 300-60us Anstiegszeit. Das paßt. > Dein Beitrags-Zähler beträgt momentan 56.106 an... ich möchte dazu > nichts schreiben, sonst prügeln wieder viele auf mir rum. Pen_is_neid? Jaja, unser lieber SPAM-Filter. Jetzt weiß ich auch, warum mein Beitrag verschwunden ist.
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