ESP32-C3 per MOSFET ein- und ausschalten

[L.S. (lagerschaden)]

Ich möchte einen ESP32-C3 per MOSFET ein- und ausschalten, am besten 
wohl nicht über VSS sondern über VDD 3.3 Volt, d.h also einen P-Channel 
MOSFET, z.B. den IRLML6402. Meine Frage ist nun, wie steuere ich das 
Gate des MOSFET an, kann ich das direkt mit einem PIC ansteuern (siehe 
Bild) oder brauche ich da zusätzliche Teile?

[Εrnst B. (ernst)]

L.S. schrieb:
> kann ich das direkt mit einem PIC ansteuern (siehe
> Bild) oder brauche ich da zusätzliche Teile?

Ja, geht direkt so, braucht nix zusätzlich.

Manche würden einen kleinen Gate-Widerstand vorsehen, um die 
Schaltflanken flacher und damit EMV-Verträglicher zu machen. z.B. 12 
Ohm. Ist aber nicht essentiell.

[Wastl (hartundweichware)]

L.S. schrieb:
> Ich möchte einen ESP32-C3 per MOSFET ein- und ausschalten

Suchen hilft meistens, und wer suchen kann ist klar im Vorteil.

z.B:
Beitrag "HighSide Switch mit MosFet"

[Εrnst B. (ernst)]

Wastl schrieb:
> z.B:
> Beitrag "HighSide Switch mit MosFet"

Da wird mehr Aufwand getrieben, weil 5V mit einem 3.3V-Steuersignal 
geschaltet werden sollen. Ist hier unnötig, wenn PIC und ESP an 
denselben 3.3V hängen.

Alternative ganz ohne Transistor: Den CHIP_EN-Eingang vom ESP mit dem 
PIC-IO verbinden.
Damit schaltest du den ESP auch mehr oder weniger ganz ab (auf ~1µA)

Wenn das natürlich ein Breakout-Board mit eigenem Spannungsregler, 
Power-LED usw. ist, spart das nicht ganz soviel Strom.

[L.S. (lagerschaden)]

@Ernst B.
Danke für die Hinweise, werde mich gleich mal drüber machen.

[Manfred P. (pruckelfred)]

L.S. schrieb:
> Ich möchte einen ESP32-C3 per MOSFET ein- und ausschalten,

Das Problem gab es ja im Forum noch nie ...
Beitrag "Re: Selbsthalteschaltung (mit µC) gesucht"

Man muß den P-FET nicht per Schalter überbrücken, sondern kann auch mit 
einem externen Signal das Gate runter ziehen. Anstatt der BSS138 N-FETs 
würde ich einen BC_irgendwas NPN verwenden. Wenn man dessen Basis extern 
ansteuert, würde ein High-Signal den ESP einschalten.

Die Selbsthaltung kann Dein ESP selbst machen und sich trennen, wenn er 
fertig hat.

[Steve van de Grens (roehrmond)]

Εrnst B. schrieb:
> Manche würden einen kleinen Gate-Widerstand vorsehen, um die
> Schaltflanken flacher und damit EMV-Verträglicher zu machen.

Allerdings enthält das ESP Modul Kondensatoren, die bei einem hohen 
Ladestrom die Versorgungsspannung einbrechen lassen.

[Εrnst B. (ernst)]

Manfred P. schrieb:
> Das Problem gab es ja im Forum noch nie ...
> Beitrag "Re: Selbsthalteschaltung (mit µC) gesucht"

Er will doch keine Selbsthalteschaltung. Er hat einen PIC-µC dauernd an 
3.3V, und will den ESP dazuschalten. --> Nix davon ist nötig.

Steve van de Grens schrieb:
> Allerdings enthält das ESP Modul Kondensatoren, die bei einem hohen
> Ladestrom die Versorgungsspannung einbrechen lassen.

Das stimmt. Er hat in seiner Original-Skizze keinerlei Kondensatoren 
gezeigt. Ich hatte die Hoffnung, dass das der Skizze geschuldet ist, und 
nicht echt so geplant ist.

Sicherheitshalber: Vor dem FET deutlich mehr Kapazität als hinter dem 
FET verbauen...

[Steve van de Grens (roehrmond)]

Alternativ zum Transistor kann man einen Spannungsregler mit 
Enable-Eingang verwenden. Denn die meisten Spannungsregler begrenzen den 
Strom auf einen grob spezifizierten Wert.

Das setzt natürlich eine Spannungsquelle mit etwas mehr als 3,3V voraus.

[L.S. (lagerschaden)]

Εrnst B. schrieb:
> Manfred P. schrieb:
>> Das Problem gab es ja im Forum noch nie ...
>> Beitrag "Re: Selbsthalteschaltung (mit µC) gesucht"
>
> Er will doch keine Selbsthalteschaltung. Er hat einen PIC-µC dauernd an
> 3.3V, und will den ESP dazuschalten. --> Nix davon ist nötig.

Genau, habe das schon gebaut (mit Kondensator) und es läuft so wie 
gewünscht. Es ging mir NUR darum, ob der P-Channel-MOSFET noch eine 
zusätzliche Beschaltung braucht, so wie ich das in meinem Startbeitrag 
gefragt habe.

[Manfred P. (pruckelfred)]

L.S. schrieb:
> Es ging mir NUR darum, ob der P-Channel-MOSFET noch eine
> zusätzliche Beschaltung braucht

Es kommt drauf an. Damit der P-FET sauber geschlossen bleibt, muß das 
Gate auf dem selben Potential wie Source sein. In der Grundschaltung 
macht das der Widerstand rechts oben. Den würde ich generell setzen, man 
kann ihn auch Angstwiderstand nennen, irgendwas bei 100kOhm.

Wenn nun ein PIC oder sonstwas am Gate hängt, liefert der das Potential. 
Der IRLML6402 hat eine recht niedrige Gate-Threshold-Voltage und könnte 
schon bei 0,4V zu leiten beginnen. Ich würde dazu tendieren, einen 
N-Transistor dran zu setzen. Dann darf der PIC aus oder hochohmig sein 
oder nicht 100% High erreichen, ohne dass unerwünschter Strom fließt.