Hallo. Ich hab mit Hilfe des Tutorials hier auf der Seite meinen Basiswiderstand berechnet und wollte nur mal nachfragen ob das so stimmt bevor ich mit löten anfange. Transistor: BC547B Spulenwiderstand des angeschlossenen relais: 270ohm bei 12 V ergibt einen Kollektorstrom von 0,0444A hfe=20 (vom Tutorial) ergibt einen Basisstrom von 2,22mA Mit einer spannung von 3,3V (raspberry pi) - 0,8V also 2,5V komme ich auf einen Widerstand von 1,1kohm. Würde dann einen mit 1kohm verwenden. Passt das so?
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Ja passt so gerade eben, denn die I/O Pins vom Raspi soll man n icht über 3mA belasten. Der HFE ist sicher wesentlich größer: Laut diesem seltsamen Datenblatt ist es 200: https://www.farnell.com/datasheets/410427.pdf Im Datenblatt von Fairchild steht 200 bis 450: https://www.farnell.com/datasheets/410427.pdf Im Datenblatt von ST steht auch 200 bis 450: http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheet/stmicroelectronics/8854.pdf Und im Datenblatt von Diotec steht ebenfalls 200 bis 450: http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheets/150/128380_DS.pdf Trotzdem ist es gut, den Transistor um Faktor 2-4 zu übersteuern damit er weniger Verluste in der C-E Strecke hat. Insofern würde ich auf 2,7kΩ wechseln.
Flo schrieb: > Hallo. > > Ich hab mit Hilfe des Tutorials hier auf der Seite meinen > Basiswiderstand berechnet und wollte nur mal nachfragen ob das so stimmt > bevor ich mit löten anfange. > > Transistor: BC547B > Spulenwiderstand des angeschlossenen relais: 270ohm bei 12 V ergibt > einen Kollektorstrom von 0,0444A > > hfe=20 (vom Tutorial) ergibt einen Basisstrom von 2,22mA > > Mit einer spannung von 3,3V (raspberry pi) - 0,8V also 2,5V komme ich > auf einen Widerstand von 1,1kohm. > > Würde dann einen mit 1kohm verwenden. Passt das so? Ja, weil hfe(eigentlich interessiert B) in Wirklichkeit eher 200 ist. In einem Datenblatt lese ich für Ic/Ib = 20 Ic=100mA, Ib=5mA ein Ucemax typ 0,3V (0,5V) max. Umgerechnet auf 44mA wäre das Ib=2,2mA. hfe und B ist nicht das Gleiche. hfe = Kleinsignalstrpmverstärkung = deltaIc/deltaIb B = Ic/Ib B ist für Schaltanwendungen wichtig.
Helmut S. schrieb: > In einem Datenblatt lese ich für Ic/Ib = 20 Kannst du davon mal einen Screenshot machen? Ich frage, weil ich einen Wert zwischen 200 und 450 erwarte.
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Stefanus F. schrieb: > Helmut S. schrieb: >> In einem Datenblatt lese ich für Ic/Ib = 20 > > Kannst du davon mal einen Screenshot machen? > > Ich frage, weil ich einen Wert zwischen 200 und 450 erwarte. Man findet das eher in älteren Datenblättern. Der screenshot ist von einem Datenblatt von Motorola. Die heißen jetzt OnSemi.
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Stefanus F. schrieb: > Im Datenblatt von Fairchild steht 200 bis 450: Nicht schon wieder diesen Quatsch des unverstandenen Datenblattes. Schaltbetrieb Faorchild definiert UCE bei einer Verstärkung von 20, das machen die, um ihrer Transistoren vorsätzlich schlecht zu reden? Aus der Erfahrung heraus denke ich, dass man auch mit v=50 rechnen kann, aber mit mehr wird das windig.
Helmut S. schrieb: > Ja, weil hfe(eigentlich interessiert B) in Wirklichkeit eher 200 ist. > > In einem Datenblatt lese ich für Ic/Ib = 20 Ooops, da warst Du scxhneller :-)
Helmut S. schrieb: > In einem Datenblatt lese ich für Ic/Ib = 20 > Der screenshot ist von einem Datenblatt von Motorola Ich sehe da keine 20. Das kann auch gar nicht sein, so schlechte Transistoren gibt es in dieser Größe gar nicht. Da steht: 200 bis 450 bei 2mA und typisch 180 bei 100mA. Um die Saturation Voltage geht es hier gar nicht, die ist in diesem Anwendungsfall irrelevant.
Helmut S. schrieb: > Umgerechnet auf 44mA wäre das Ib=2,2mA. Das ist aber nicht linear umrechenbar. Bei kleineren Strömen wird das eher besser. Zudem, beim Ansteuern eines 12V-Relais ist es nicht dringend erforderlich, den Transistor voll in die Sättigung bringen, da darf auch mal ein halbes Volt an CE hängen bleiben.
Flo schrieb: > hfe=20 (vom Tutorial) ergibt einen Basisstrom von 2,22mA Helmut S. schrieb: > Ja, weil hfe(eigentlich interessiert B) in Wirklichkeit eher 200 ist. > > In einem Datenblatt lese ich für Ic/Ib = 20 > Ic=100mA, Ib=5mA ein Ucemax typ 0,3V (0,5V) max. > > Umgerechnet auf 44mA wäre das Ib=2,2mA. > > hfe und B ist nicht das Gleiche. Was ist B? Beta? > > hfe = Kleinsignalstrpmverstärkung = deltaIc/deltaIb > Ja. > B = Ic/Ib > > B ist für Schaltanwendungen wichtig. Was ist B? Oder meinst du damit hFE? Besser noch als H21E bekannt. Die Kurzschlußstromverstärkung in Emitterschaltung. Also ohne Kollektorwiderstand. Und der ist hier (Motorola) mit typ. 180 angegeben. Für 50mA rechnet man nicht. Da nimmt man 2,2 od. 2,4K und gut ist es.
Achso, es gibt einen feinen Unterschied zwischen hfe und hFE.
Flo schrieb: > Würde dann einen mit 1kohm verwenden. Passt das so Ja, perfekt. Ach Du grüne Neune schrieb: > 2k2 würde auch noch gehen. Nicht so gut, nicht ohne Grund nennt das Tutorial einen anderen Wert. Stefanus F. schrieb: > Der HFE ist sicher wesentlich größer Irrelevant, denn es geht nicht um den verhungernden Linearbetfieb in dem eine erhebliche Dpannung am Transistor abfällt. Flo schrieb: > Danke euch. Ich nehm mal den 2k7 Besser nicht. Dein eigener Rechenweg war klüger als der von den Dummschwätzern hier. Stefanus F. schrieb: > Ich sehe da keine 20. Das kann auch gar nicht sein, so schlechte > Transistoren gibt es in dieser Größe gar nicht Meine Fresse, immer noch der Unsinn auf die hFE Kurve zu gucken. Solche Trottel nutzen auch UGS(th) um beim MOSFET die nötige Schaltspannjng festzulegen. Hilf dir lieber mal selbst, statt andere in deine Irre zu führen.
MaWin schrieb: > Meine Fresse, immer noch der Unsinn auf die hFE Kurve zu gucken. Ich habe weder auf das Diagramm geguckt, noch dies empfohlen. Stattdessen nutze ich einfach die Informationen im Datenblatt, so wie sie gelehrt wurden. Wenn da steht, dass der DC Current Gain (hFE oder ß) mindestens 200 ist bedeutet dies, dass der Transistor bei 1mA an der Basis bis zu 200mA am Kollektor fließen lässt. Weil dann allerdings die Verlustspannung auf der C-E Strecke recht hoch sein kann, soll man den Steuerstrom verdoppeln oder vervierfachen. Und dann liegt man in einem Arbeitsbereich, der für solche Schaltvorgänge tadellos funktioniert. Die Konkreten zahlen habe ich jetzt im Kopf, aber wenn man das so baut, dann sind so real wenige hundert Millivolt Verlust zu erwarten, auf jeden Fall deutlich weniger unter 1V. Bedenke: Wir schalten hier ein kleines Relais, keine 50 Ampere. > Irrelevant, denn es geht nicht um den verhungernden Linearbetfieb > in dem eine erhebliche Spannung am Transistor abfällt. Wenn man absichtlich Infos weg lässt, kann man sich natürlich jeden Unsinn zusammen zitieren, den man haben will. Ich habe nicht umsonst empfohlen, den Strom um Faktor 2-4 zu erhöhen.
Stefanus F. schrieb: > Der HFE ist sicher wesentlich größer: HFE von 200 gilt für einen Kollektorstrom von 2mA bei VCE = 5V Bei Verwendung des Transistors als Schalter gilt VCE(sat), dieser Wert gibt an, dass für einen Kollektorstrom zwischen 10 und 100mA ein Basisstrom mit einem 20igstel des Kollektorstrom benötigt wird. Der Transistor ist dabei in die Sättigung gesteuert.
Niemand hat verlangt, dass der Transistor in Sättigung gehen soll, außer die Besserwisser, die an jedem Ratschlag etwas zu meckern haben. Wenn da ein paar hundert mV (oder lasse es meinetwegen auch 1 V sein) abfallen, dann ist das in dieser Anwendung vollkommen Ok.
Selbst ein 10k Basiswiderstand ist noch locker in der Lage den Transistor bei 3,3 Volt soweit durchzusteuern, dass er ein 40mA Relais zum Schalten bringen kann. Trotzdem nimmt man aber besser einen 2k7, oder wenn man es wirklich gut meint einen 2k2 Widerstand. Das reicht dann aber vollkommen aus!
Stefanus F. schrieb: > Stattdessen nutze ich einfach die Informationen im Datenblatt, so wie > sie gelehrt wurden. Wenn da steht, dass der DC Current Gain (hFE oder ß) > mindestens 200 ist bedeutet dies, dass der Transistor bei 1mA an der > Basis bis zu 200mA am Kollektor fließen lässt. Genau genommen bei IC = 2mA, VCE = 5V. Von 2mA auf 200mA zu schließen ist nicht richtig, da Faktor 100 Unterschied.
Stefanus F. schrieb: > Stattdessen nutze ich einfach die Informationen im Datenblatt, so wie > sie gelehrt wurden. Wenn da steht, dass der DC Current Gain (hFE oder ß) > mindestens 200 ist bedeutet dies, dass der Transistor bei 1mA an der > Basis bis zu 200mA am Kollektor fließen lässt Wenn du wirklich ins Datenblatt guckst, dann liest du, dass diese 200mA nur fliessen, wenn 5V über C und E anliegen. Der Transistor bildet also einen Bahnwiderstand von 25 Ohm. Nichts, was man vor ein Relais schalten will. Wie oft, ist der Fragende, hier Flo, mal wieder klüger als manch einer der sich berufen fühlt zu antworten, hier Du und Ach Du Grüne Neune. Stefanus F. schrieb: > Niemand hat verlangt, dass der Transistor in Sättigung gehen soll, Doch, natürlich, er will schalten und das heisst die ganzen 12V ans Relais legen und nicht bloss 7V oder 10V. Auch will er den Strom den das Datenblatt maximal erlaubt, beim BC547 oft 100mA, schalten können und das geht nur bei minimaler UCE Spannung. Wäre die doppelt so hoch, geht auf Dauer nur der halbe Strom. Und zudem sind hFE Kurven typisch, so wie UGS/IDS Kurven von MOSFETs, und können real leicht mal um 1:2 abweichen. Für zuverlässige Funktion nutzt man eben nur was das Datenblatt vorschreibt, beim MOSFET RDSon@UGS, beim bipolaten IC=20*IB (oder 10 oder 5, je nach Modell).
Stefanus F. schrieb: > Niemand hat verlangt, dass der Transistor in Sättigung gehen soll, außer > die Besserwisser, die an jedem Ratschlag etwas zu meckern haben. Hier soll eine Relay-Spule bestromt werden. Dafür sollte der Transistor auf jeden Fall voll durchgeschaltet werden. Das muss man gar nicht extra dazuschreiben. Für diesen Fall sind dann die Ucesat Angaben im Datenblatt die interessanten Eigenschaften.
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MaWin schrieb: > Wenn du wirklich ins Datenblatt guckst, dann liest du, dass diese 200mA > nur fliessen, wenn 5V über C und E anliegen. Der Transistor bildet also > einen Bahnwiderstand von 25 Ohm. Was erzählst du hier für einen Müll? Der Transistor ist für 100mA spezifiziert. Gebraucht werden 50mA und du kommst mit 200mA. Den BC247 mit 200mA einzusetzen ist gar nicht lecker. MaWin schrieb: > Stefanus F. schrieb: >> Niemand hat verlangt, dass der Transistor in Sättigung gehen soll, > > Doch, natürlich, er will schalten und das heisst die ganzen 12V ans > Relais legen und nicht bloss 7V oder 10V. Auch will er den Strom den das > Datenblatt maximal erlaubt, beim BC547 oft 100mA, schalten können und > das geht nur bei minimaler UCE Spannung. Wäre die doppelt so hoch, geht > auf Dauer nur der halbe Strom. Und hier wieder theoretisch Angaben, welche auch noch falsch sind. Wenn schon, dann sind es bei 5V und und 5mA Ib (1KOhm) max. 0,6V, Typ. 0,2V. Da entstehen dann wahnsinnige 60mW Verlustleistung. Das kann man der Umwelt nicht zumuten. Alles für 100mA Ic. Vielleicht wäre es mal gut, die Schaltung praktisch aufzubauen und beurteilen.
michael_ schrieb: > Vielleicht wäre es mal gut, die Schaltung praktisch aufzubauen und > beurteilen. Leider hast du dann nur typische Eigenschaften deines Transitor-Exemplars. Den Worst-Case aus Exemplarstreuung und Temperaturbereich kennst du dann aber nicht. Wenn das eine Einmal(=Bastel)-Anwendung sein soll: OK. Aber beim Nachbauen kannst du ein Problem haben. Übrigens: Die zitierten Datenblattangaben bzgl. Vce(sat) gelten für 25°C. Den Temperaturbereich, in dem man die Schaltung einsetzen will, muss man also noch zusätzlich berücksichtigen.
Klar! Den Reststrom der unabdingbaren Diode muß man dann auch noch einrechnen :-) Und die Temperatureigenschaften des Relais. Und die Spannungsstabilität der 5V und 12V. Und dazu muß noch deren Rauschspannung betrachtet werden. ....
Beitrag #5867967 wurde von einem Moderator gelöscht.
michael_ schrieb: > Was erzählst du hier für einen Müll? > Der Transistor ist für 100mA spezifiziert. > Gebraucht werden 50mA und du kommst mit 200mA. > > Den BC247 mit 200mA einzusetzen ist gar nicht lecker Wohl BC547 gemeint. Unfähig zu lesen ? Die 200mA kommen von Stefanus. Ich schreibt nach dem Zitat MaWin schrieb: > Auch will er den Strom den das Datenblatt maximal erlaubt, beim BC547 > oft 100mA, Aber du möchtest dich wohl bei Dumm (Ach Du Grüne Neune) und Dümmer (Stefanus) einreihen. Hast du geschafft.
MaWin schrieb: > Unfähig zu lesen ? > > Die 200mA kommen von Stefanus. Entschuldige, hatte übersehen, dass ihr da abseits vom Thema BC547 wart. Kannst aber trotzdem erklären, welches Datenblatt den 25Ohm Bahnwiderstand. aussagt? Ist hier völlig fehl am Platz. MaWin schrieb: > Doch, natürlich, er will schalten und das heisst die ganzen 12V ans > Relais legen und nicht bloss 7V oder 10V. Wie kommst du darauf? MaWin schrieb: > Auch will er den Strom den das > Datenblatt maximal erlaubt, beim BC547 oft 100mA, schalten können und > das geht nur bei minimaler UCE Spannung. Wäre die doppelt so hoch, geht > auf Dauer nur der halbe Strom. Und was soll das denn? Strom ist Strom! Egal ob 5V, 12V, 24V ...
Hab die Schaltung jetzt mit 1,1kohm aufgebaut und dabei genau die berechneten 2,2mA und das relais schaltet ordentlich. Nur so zur Info aber ihr könnt gerne noch weiter philosophieren ?
Hallo, ich habe die "Schaltung" gerade mal aufgebaut (in Ermangelung des Relais habe ich einen 270 Ohm-Widerstand verwendet, PVT = Verlustleistung am Transistor): Rb = 1,0 KOhm -> Ic = 43,9 mA, PVT = 5,9 mW Rb = 10,0 kOhm -> Ic = 43,2 mA, PVT = 14,8 mW Zum Vergleich: der maximale Relaisstrom beträgt 44,4 mA, im "schlechtesten" Fall wird also immer noch 98% des Maximalstromes erreicht. rhf
Kann man für jeden einzelnen Transistor so machen, bevor man ihn einbaut oder sich an die üblichen Regeln (und Angaben zum Sättigungsbetrieb) halten.
Roland F. schrieb: > Hallo, > ich habe die "Schaltung" gerade mal aufgebaut (in Ermangelung des Relais > habe ich einen 270 Ohm-Widerstand verwendet, PVT = Verlustleistung am > Transistor): > Rb = 1,0 KOhm -> Ic = 43,9 mA, PVT = 5,9 mW > Rb = 10,0 kOhm -> Ic = 43,2 mA, PVT = 14,8 mW > > Zum Vergleich: der maximale Relaisstrom beträgt 44,4 mA, im > "schlechtesten" Fall wird also immer noch 98% des Maximalstromes > erreicht. > > rhf Sodom und Gomorra, diese Verlustleistung! Denk doch mal ans Klima. Fridays for Future! Und überhaupt, das einfach so auszuprobieren. Häresie, sag ich!
GEKU schrieb: > Genau genommen bei IC = 2mA, VCE = 5V. > Von 2mA auf 200mA zu schließen ist nicht richtig, da Faktor 100 > Unterschied. Richtig. Und dann kommt das Diagramm ins Spiel, wo man sehen kann, wie viel (oder wenig) die Verstärkung mit der Stromstärke abnimmt. Unter 100mA passiert da bei diesem Transistor nichts spannendes.
MaWin schrieb: > Der Transistor bildet also einen Bahnwiderstand von 25 Ohm. > Nichts, was man vor ein Relais schalten will. Warum nicht? Das Relais hat immerhin 270 Ohm. > das heisst die ganzen 12V ans Relais legen und nicht bloss 7V oder 10V. Rechnen ist nicht deine Stärke. Und Erfahrung fehlt Dir bei diesem Thema offensichtlich auch. Aber egal, Hauptsache die anderen als dumm darstellen - gell? > Die 200mA kommen von Stefanus. Wieder aus dem Zusammenhang gerissen. Ich habe geschrieben, der Transistor bei 1mA Basis-Strom und seiner minimalen Verstärkung auf 200mA kommt. Ich habe aber nicht geschrieben, dass wird 200mA brauchen.
Helmut, Manfred, MaWin, GEKU: Wetten ihr schafft es nicht, anhand eines tatsächlichen Aufbaus zu belegen, dass der 2,7kΩ Widerstand zu hochohmig ist? Bedingung: - Ein beliebiges 12V Relais mit 270Ω Spule, betrieben an 12V mit maximal 5% Abweichung nach unten. - Steuerspannung: 3,3V mit maximal 5% Abweichung nach unten, angelegt über einen Taster. - Transistor BC547B eines beliebigen Herstellers. Du darfst so viele ausprobieren, wie du willst. Zum Beispiel 1000 Stück https://www.aliexpress.com/item/Bc547b-bc547-to-92-power-triode-100-BRAND-new-FREE-SHIPPING-in-stock/1989075892.html - Widerstand mit 2,7kΩ, maximal 5% Abweichung nach oben. - Die Bauteile dürfen nicht beschädigt sein. Mangelhafte Transistoren (außerhalb der Spezifikation) sind vom Test auszuschließen. - Temperatur: 10 bis 50°C - Ihr habt gewonnen, wenn das Relais bei 100 aufeinander folgenden Tastendrücken mindestens einmal nicht anzieht (oder träger als 300ms). Falls es euch gelingt, mit einem einzigen Transistor aus dem Set nachzuweisen, dass der Widerstand zu hochohmig gewählt ist, bezahle ich euch die Materialkosten bei zu 25€. Ach Du grüne Neune und Flo, mögt ihr die Wette aufwerten, indem ihr noch etwas drauf legst?
Es ist ein Jammer, dass immer die Falschen am Helfersyndrom leiden.
batman schrieb: > Und wenns 100 mal funktioniert hat, beweist das..? Es wird 100.000 mal funktionieren
Stefanus F. schrieb: > Helmut, Manfred, MaWin, GEKU: > > Wetten ihr schafft es nicht, anhand eines tatsächlichen Aufbaus zu > belegen, dass der 2,7kΩ Widerstand zu hochohmig ist? Ein wirklicher Fachmann, als den Du Dich auszugeben versuchst, würde jetzt einfach aufhören. Du ziehst es vor, weiter zu strampeln. Die Berechnung von Flo ist absolut korrekt und wird mit jedem Transistor (Bauteilestreuung, Temperatur, Hersteller) funktionieren. Helmut hat die Sache mit der Schaltverstärkung erklärt. MaWin wie immer etwas grob, aber in der Sache ebenfalls mit korrekten Aussagen. GEKU weist noch mal auf VCE=5V hin, nur da sind dreistellige Verstärkungswerte zuverlässig erreichbar. Aus der Erfahrung heraus, das schrieb ich schon, würde ich eine höhere Verstärkung als 20 erwarten und Deine 2K7 werden fast immer funktionieren. Das ändert nicht daran, dass Deine Aussagen überwiegend falsch sind, Flos Rechnung 1k1 aber unter allen ungünstigen Randbedingungen funktionieren wird. Stefanus F. schrieb: > Es wird 100.000 mal funktionieren Bastler! Ich kenne Serienprodukte, die seit Jahren klaglos funktioniert haben. Auf einmal fallen die in der Endprüfung aus, Halbleiter eines anderen Herstellers oder machen sogar erst beim Kunden Stress. Dann schaut man sich die Schaltung an und stellt fest, dass der ursprüngliche Schaltungsentwickler eben nicht oder sehr großzügig gerechnet hat.
Manfred schrieb: > Bastler! Ich kenne Serienprodukte, die seit Jahren klaglos funktioniert > haben. Auf einmal fallen die in der Endprüfung aus, Halbleiter eines > anderen Herstellers oder machen sogar erst beim Kunden Stress. Sehr geringschätzig, wie du hier sprichst. Hochmut kommt vor dem Fall. Die "Bastler" hier haben oft tiefgründiges Wissen und von der Pike auf gelernt. Mich eingeschlossen. Es haben sich aber Standards gebildet, welche sicher mal berechnet wurden. Aber man kann nicht alles nochmal bis ins kleinste berechnen. Da wird man nie fertig! Und es ist eigentlich keinen Buchstaben wert, das zu diskutieren. Nur um eine LED oder Relais zu schalten. Serien- oder Massenproduktion ist hier nicht das Thema.
michael_ schrieb: > Serien- oder Massenproduktion ist hier nicht das Thema. Nein, Profis müssen sich nicht an allgemeine simple fail-safe Regeln halten, weil sie wissen was sie tun. Die sind schon genau für Bastler.
Manfred schrieb: > Stefanus F. schrieb: >> Helmut, Manfred, MaWin, GEKU: >> >> Wetten ihr schafft es nicht, anhand eines tatsächlichen >> Aufbaus zu belegen, dass der 2,7kΩ Widerstand zu >> hochohmig ist? > > Ein wirklicher Fachmann, als den Du Dich auszugeben > versuchst, würde jetzt einfach aufhören. Du ziehst es > vor, weiter zu strampeln. Ich wäre Dir sehr verbunden, wenn wir diese Attacken ad hominem unterlassen würden. Vielen Dank im voraus. > Die Berechnung von Flo ist absolut korrekt und wird > mit jedem Transistor (Bauteilestreuung, Temperatur, > Hersteller) funktionieren. Das hat ja wohl auch niemand bestritten. > Helmut hat die Sache mit der Schaltverstärkung erklärt. Nein. Helmut hat eigentlich überhaupt nichts erklärt und stiftet mit seinem Verweis auf "Ic/Ib=20" wie üblich nur Verwirrung. Bei "Ic/Ib = 20" handelt es sich nämlich nicht um eine wie auch immer definierte "Schaltverstärkung", sondern im Gegenteil um eine willkürlich vorgegebene Prüfbedingung ! Diese "20" repräsentiert KEINE Bauteileigenschaft, sondern einen bestimmten Betriebszustand, der dem Bauteil von AUSSEN aufgezwungen wird! Um in diesem Punkt keinerlei Unklarheit zuzulassen: Es gibt beim Transistor keine irgendwie definierte "Schaltverstärkung" ! Es gibt einen (in erster Näherung linearen) Zusammenhang zwischen Basisstrom und Kollektorstrom. Dieser gilt, solange der Kollektorstrom VOM TRANSISTOR diktiert wird. Wenn man den Transistor jedoch ÜBERSTEUERT , dann kann der Kollektorstrom gerade NICHT !!! mehr vom Transistor diktiert werden, sondern wird durch die äußere Beschaltung festgelegt. In diesem Falle verliert der übliche Begriff der Verstärkung seinen Sinn, weil ja eben gerade KEINE nennenswerte Abhängigkeit des Kollektorstromes vom Basisstrom mehr besteht: Die Höhe des Kollektorstroms wird beim übersteuerten Transistor NICHT von der Höhe des Basisstromes bestimmt, sondern von der Betriebsspannung und dem Lastwiderstand, und der Begriff der Stomverstärkung VERLIERT SEINEN SINN . Lediglich Uce_sat hängt geringfügig vom Grad der Übersteuerung ab. Und um das mal ganz deutlich zu sagen: Es geht mir tierisch auf die Eier, dass JEDESMAL , wenn vom Bipolartransistor im Schaltbetrieb die Rede ist, dieser Mist von der "Schalt- verstärkung", die auch immer zufällig genau 20 beträgt, aus dem Ärmel gezogen wird. Aber da es gegen Altersstarrsinn kein wirksames Mittel gibt, diskutiere ich darüber in der Regel nicht mehr. Ich weiss, wie es richtig ist, und das genügt mir. Meine Weltverbesserungsphase habe ich hinter mir. > MaWin wie immer etwas grob, aber in der Sache ebenfalls mit > korrekten Aussagen. Wer will, kann an MaWins Beitrag den Unterschied von Kritik und Prinzipienreiterei studieren: Seine Aussagen sind sachlich korrekt, aber im konkreten Einzelfall weitgehend irrelevant: Die anfallende Verlustleistung ist auch im allerschlechtesten Falle zu klein, um den Transistor zu zerstören, und bei einer Relais-Betriebsspannung von 12V ist völlig egal, ob am Transistor nun 0.4V oder 0.6V Sättigungsspannung abfallen. Sein aggressives Beharren darauf, dass man den Transistor UNBEDINGT so weit übersteuern muss, dass Ic/Ib = 20 gilt, ist durch keinerlei Sachargument gestützt. > GEKU weist noch mal auf VCE=5V hin, nur da sind dreistellige > Verstärkungswerte zuverlässig erreichbar. Sachlich richtig, aber wenig relevant -- es ging nämlich gar nicht darum, zuverlässig dreistellige Verstärkungen zu erreichen, sondern darum, ob man UNBEDINGT mit Ic/Ib = 20 rechnen muss, oder ob man auch 30 oder 40 ansetzen darf. Und -- bei allem Respekt: Unter den gegebenen Randbedingungen würde ich das bedenkenlos tun. > Aus der Erfahrung heraus, das schrieb ich schon, würde ich > eine höhere Verstärkung als 20 erwarten und Deine 2K7 werden > fast immer funktionieren. Na also. Geht doch. > Das ändert nicht daran, dass Deine Aussagen überwiegend > falsch sind, Eigentlich nicht. Stefans Aussage war sinngemäß: "Wenn der Transistor im Linearbetrieb eine garantierte Mindestverstärkung von 200 hat, dann sollte man für den Schaltbetrieb im vorliegenden Fall Ic/Ib = 40 ansetzuen dürfen, und das führt zu ungefähr 1mA Basisstrom bzw. 2.5k Vorwiderstand." Wer dem in der Sache widerspricht, betreibt Prinzipienreiterei. > Dann schaut man sich die Schaltung an und stellt fest, dass > der ursprüngliche Schaltungsentwickler eben nicht oder sehr > großzügig gerechnet hat. Mag sein -- ich sehe aber die Relevanz für den hier diskutierten Fall nicht ganz. Bei datenblattkonformen Bauteilen sehe ich keine Möglichkeit für eine Fehlfunktion. (Dass manche Datenblätter "übermäßig optimistisch" sind, um es höflich zu sagen, ist mir bekannt, und das berücksichtige ich auch bei der Dimensionierung. Das ist aber ein anderes Thema.)
Das könnte man jetzt mal als sachlich korrekte Zusammenfassung stehen lassen und mit dem Kindergarten aufhören.
Egon D. schrieb: > vorgegebene Prüfbedingung sind notwendig um gute von schlechte Bauelemente unterscheiden zu können. Daher ist für einen Transistor , der als Schalter eingesetzt wird, gerade dieser Parameter (Vsat bei Icmax/Ib) von Bedeutung. Der zusätzliche Energieaufwand bei Icmax/Ib von 20 für die Ansteuerung der Basis ist zu vernachlässigen und lohnt, genauso wie, wer findet den größten Basisvorwiderstand, nicht. Ziel sollte es sein, eine sichere, zuverlässige Schaltung mit möglichst geringen Aufwand zu entwerfen.
Egon D. schrieb: > Die Höhe des Kollektorstroms wird beim übersteuerten > Transistor NICHT von der Höhe des Basisstromes bestimmt, > sondern von der Betriebsspannung und dem Lastwiderstand, und > der Begriff der Stomverstärkung VERLIERT SEINEN SINN . Stromverstärkung IST aber genau der Sinn und Zweck des Transistors in der Schaltanwendung. Da ist diese Erklärung nicht sehr erhellend. Warum du dann Ic/Ib=40 oder wieviel nun immer bei einem Standard Schalttransistor besser findest als der als dokumentierte sichere Sättigungsbetrieb, bleibt dein Geheimnis. Bei mir gehts eher nach dem gerade greifbaren Widerstand aber das möchte ich auch nicht als Empfehlung für Anfänger ausgeben.
Ich möchte mal sehen, das jemand diese Verstärkung von 20 an einem realen Aufbau nachweist. Dabei müsste dann ja auch heraus kommen, dass es immer weniger als 200 ist, egal mit wie vielen Transistoren man das Experiment wiederholt. Macht es eigentlich niemanden Stutzig, dass der Hersteller für diesen Wert keinen Range (von-bis) nennt?
Meinst du es wäre schwierig, an einem Transistor 1mA Ib und 20mA Ic zu messen? Willst du wieder was wetten?
batman schrieb: > Meinst du es wäre schwierig, an einem Transistor 1mA Ib und 20mA > Ic zu messen? Willst du wieder was wetten? Genau. Das kriegst du nur hin, indem du den Strom durch externe Widerstände auf 20mA begrenzt. Wenn du jedoch eine andere Last verwendest (wie das Relais), die mehr Strom fließen lässt, dann wird da auch mehr fließen. Ich bin absolut sicher, dass bis 100mA Laststrom die Spannung an der C-E Strecke geringer als 1V sein wird. Ihr (Manfred) dürft mich gerne Bastler nennen, ich sehe mich selbst ebenso, obwohl ich eine Berufsausbildung in diesem Fach hinter mir habe. Danach bin ich allerdings Softwareentwickler geworden.
Stefanus F. schrieb: > batman schrieb: >> Meinst du es wäre schwierig, an einem Transistor 1mA Ib und 20mA >> Ic zu messen? Willst du wieder was wetten? > > Genau. Das kriegst du nur hin, indem du den Strom durch externe > Widerstände auf 20mA begrenzt. Glückwunsch, genauso funktioniert eine Schaltanwendung.
Irgendwie erinnert mich diese Diskussion stark an meine erste Vorlesungsstunde allgemeine Elektrotechnik. Dort war es dem Prof offensichtlich ein großen Anliegen, den "lieben Bastlern (gegen die er persönlich gar nichts hätte)" zu zeigen, dass die Diodenkennlinie keinen Knick hat. Das ganze hat er dann mit Diagrammen illustriert, bei denen der scheinbar vorhandene Knick verschwindet, wenn man ihn sich genauer anschaut. Darauf folgte eine Kurvendiskussion der E-Funktion, in der sich - oh Wunder - auch kein Knick finden ließ. Das alles änderte jedoch nichts daran, dass später, bei der Auslegung konkreter Schaltungen sehr oft (nicht immer) mit den magischen "0,7 V" gerechnet werden musste. Analog werden Schaltungen auch oft nicht genau bei den gerne angenommenen "300°K" betrieben. Sachkenntnis besteht eben auch darin zu wissen, wann eine Vereinfachung anwendbar ist und in welche Richtung ein Wert variieren darf, damit man trotzdem auf der sicheren Seite ist. Auch ein spannender Punkt ist, dass der tatsächliche Arbeitspunkt des Beispiels in keinem einzigen Datenblatt exakt drinsteht (wie auch). Tatsächlich gibt es in Datenblättern immer nur Eckpunkte oder verschiedene Diagramme, aus denen man dann mit Erfahrung und Sachkenntnis, mehr oder weniger pessimistisch zur Schaltungsauslegung auf der sicheren Seite kommt. Die ganze Diskussion hier geht nur um den Weg, wo man startet und wie pessimistisch man sein will. Die 20er Fraktion geht z.B. von dieser Datenblattangabe aus: Collector-Emitter Saturation VCE(sat), Test Condition IC=100mA, IB=5mA: typ 200mV, max 600mV. Da kommt die Stromverstärkung 20 her und die Überlegung ist dann, weil Ic und Ib ungefähr proportional sind, kann man das auf den konkreten Fall runterskalieren und Vce bleibt gleich oder wird kleiner, man ist auf der sicheren Seite um das Relais zu schalten. Nachvollziehbar. Andererseits sind 200mV bzw. 600mV nicht zwingend notwendig, das Relais würde auch mit z.B. 1V noch problemlos schalten. D.h. ein größerer Widerstand wäre möglich, aus dieser Richtung lässt sich aber nicht argumentieren wie groß der sein darf. Die hFE-Franktion argumentiert mit dieser (oder einer ähnlichen Datenblattangabe): DC Current Gain hFE, Test Condition Vce=5V, Ic=2mA: min 200, max 450. Natürlich sind 5V Vce zu viel, weswegen man dann den Basisstrom um Faktor 2..5 vergrößert, um auf der sicheren Seite zu sein. Auch nachvollziehbar. Je nach Datenblatt gibt es dann auch noch verschiedene Diagramme, mit denen man sich auch eine plausible Lösung auf der sicheren Seite raussuchen kann. Den Streit hier verstehe ich ehrlich gesagt nicht.
batman schrieb: > Stefanus F. schrieb: >> batman schrieb: >>> Meinst du es wäre schwierig, an einem Transistor 1mA Ib und 20mA >>> Ic zu messen? Willst du wieder was wetten? >> >> Genau. Das kriegst du nur hin, indem du den Strom durch externe >> Widerstände auf 20mA begrenzt. > > Glückwunsch, genauso funktioniert eine Schaltanwendung. Trugschluß. Die Angabe der Stromverstärkung nach einem H-Parameter ist die Kurzschlußstromverstärkung. Also ohne Kollektorwiderstand. Man sollte das in den Diagrammen beachten. Stefanus F. schrieb: > Ihr (Manfred) dürft mich gerne Bastler nennen, ich sehe mich selbst > ebenso, obwohl ich eine Berufsausbildung in diesem Fach hinter mir habe. Mach dir keinen Kopf! Trotz Studium war ich immer "Bastler". Vorher auch. Mit Ü65 ist man sowieso Bastler, egal was man vorher gemacht hat. Tilo R. schrieb: > Die 20er Fraktion geht z.B. von dieser Datenblattangabe aus: > Collector-Emitter Saturation VCE(sat), Test Condition IC=100mA, IB=5mA: > typ 200mV, max 600mV. Die 20 hat einen ganz anderen Grund. Und stammt aus der Zeit, wo Komputer noch mit Transis gemacht wurden. Einziger Parameter war die Schaltgeschwindigkeit. Energie spielte keine Rolle. Mit totaler Übersteuerung kann man die kürzeste Schaltzeit erreichen. Bei heutigen Anwendungen wie LED, Relais usw. ist diese Übersteuerung nicht notwendig.
michael_ schrieb: > Mit totaler Übersteuerung kann man die kürzeste Schaltzeit erreichen. Das ist aber ganz neu! Wenn du den Transistor voll in die Sättigung fährst, bekommst du ein riesiges Delay beim Ausschalten. Warum machtman eine Schottkydiode von C nach B, wenn man schneller schalten will? Um die Sättigung zu vermeiden!
Dann ist ja am Ende doch noch klar geworden, warum es solche idiotensicheren Faustformeln geben muß, die keinerlei Kenntnisse der Materie erfordern. :)
michael_ schrieb: > Einziger Parameter war die Schaltgeschwindigkeit. Energie spielte keine > Rolle. > Mit totaler Übersteuerung kann man die kürzeste Schaltzeit erreichen Falsch. Es ist genau andersrum. Sättigung macht langsam. Daher vermeiden schnelle Digitalschaltungen die Sättigung durch Schottky-Technik. Sättigung braucht man, um den maximalen Strom lsut Datenbkattefliessen zu lassen. Denn der Strom führt an der Restspannung zu Verlustleistung und die macht den Transistor heiss. Beim BC547 führen 100mA schon an 0.5V UCE zu den maximal erlaubten 0.5W, und 0.5V UCE < UBE also Sättigung nötig. Hier im Beispiel sind es ca. 50mA was 1V am Transistor erlauben würde, aber warum sollte man ihn an seiner Maximaltemperatur betreiben, das verkürzt nur sein Leben. Roland F. schrieb: > Rb = 1,0 KOhm -> Ic = 43,9 mA, PVT = 5,9 mW > Rb = 10,0 kOhm -> Ic = 43,2 mA, PVT = 14,8 mW PVT 5.9mW heisst UCE 0.13V also sehr stark in Sättigung. Laut Datenblatt Figure 9. Collector Saturation Region erreicht der BC547 diese 0.13V bei 50mA nur mit 5mA Basisstrom, also IC=10*IB. Dein Exemplar ist besser, aber wir wollen ja Schaltungen die mit jedem Exemplar funktionieren und nicht nurmit den guten.
MaWin schrieb: > Beim BC547 führen 100mA schon an 0.5V UCE zu den maximal erlaubten 0.5W Ähm, nö. Man verschiebe die Stelle um 1.
Ja, da sind wir bei 5V UCE, was man in einer Schaltanwendung praktisch nicht annähernd findet. Die Schmelzgefahr des Transistors ist dann wohl nicht so das Problem bei der Sache.
batman schrieb: > Die Schmelzgefahr des Transistors ist dann wohl nicht so das Problem bei > der Sache Richtig, bei der Kleinleistung wohl nicht, bei dickeren Transistoren schon.
MaWin schrieb: > Laut Datenblatt > Figure 9. Collector Saturation Region erreicht der BC547 diese 0.13V bei > 50mA nur mit 5mA Basisstrom, also IC=10*IB. Da das Thema Basis-Strom gerade wieder hoch kam, habe ich eine kleine anschauliche Messreiche gemacht: Beitrag "Re: BC337-40 als Schalter" Der dort verwendete BC337-40 erfüllt exakt das, was ich vor 25 Jahren in der Ausbildung gelernt habe. Nämlich, dass eine zweifache Übersteuerung ausreicht.
Stefanus F. schrieb: > Messreiche Immer noch genau so doof wie damals. Wir bauen keine Schaltungen die mit einzelnen ausgesuchten Exemplaren unter günstigen Umgebungsbedingungen funktionieren, sondern wir bauen Schaltungen die mit allen Bauteilen der Typennummer unter allen Rahmembedingungen funktionieren. Daher sagt die Messreihe mit 1 Exemplar genau gar nichts und man guckt besser ins Datenblatt.
Stefanus F. schrieb: > Da das Thema Basis-Strom gerade wieder hoch kam, habe ich eine kleine > anschauliche Messreiche gemacht: > https://www.mikrocontroller.net/topic/goto_post/5884817 Den Beitrag habe ich kurz überflogen und als Unsinn abgehakt, so baue ich nicht.
MaWin schrieb: > Wir bauen keine Schaltungen die mit einzelnen ausgesuchten Exemplaren > unter günstigen Umgebungsbedingungen funktioniere Du hast wohl übersehen, dass ich bewusst ein besonders schlechtes Exemplar ausgewählt habe. Wie stellst du Dir denn ungünstige Umgebungsbedingungen vor? Arktische Kälte, oder was? Wie dem auch sei, ich habe dafür Verständnis. Ihr dürft dann mit dem Steuerstrom auch gerne um Faktor 10 übertreiben, wenn dadurch irgend jemand glücklich wird. Es schadet schließlich niemandem. Wenn man das Datenblatt nicht versteht, und auf Erfahrungswerte anderer Pfeift und aktuelle Versuchs-Ergebnisse ebenfalls nicht wahrhaben will, macht man eben so weiter, wie der Opa aus dem Krieg.
Stefanus F. schrieb: > MaWin schrieb: >> Wir bauen keine Schaltungen die mit einzelnen ausgesuchten >> Exemplaren unter günstigen Umgebungsbedingungen funktioniere > > Du hast wohl übersehen, dass ich bewusst ein besonders > schlechtes Exemplar ausgewählt habe. Das ist ja auch in Ordnung. > Wie stellst du Dir denn ungünstige Umgebungsbedingungen vor? > Arktische Kälte, oder was? Naja... abgesehen von dem chronischen Mangel an Diskussions- kultur ist der Einwand ja nicht verkehrt, nicht wahr? Die minimale Stromverstärkung wird, wenn ich mich recht erinnere, üblicherweise bei Raumtemperatur (25°C) angegeben. hfe steigt ungefähr um 1% je Grad Temperaturerhöhung, d.h. sie sinkt mit sinkender Temperatur. Bei Temperaturen unter dem Gefrierpunkt ist man dann schnell bei nur noch 70% des Datenblattwertes. Das macht es noch lange nicht erforderlich, einen BC546 um Faktor 25 zu übersteuern -- es zeigt aber, dass man dennoch nicht zu knapp kalkulieren sollte.
Bekommen wir denn nach dem langen Sermon auch noch die Lösung, wie der Steuerstrom nun richtig "kalkuliert" wird? Ich meine, wer will schon dumm sterben. :)
Ich denke, dass die unterschiedlichen STandpunkte klar dargestellt wurden. Du hast nun die Qual der Wahl, die für dich richtige heraus zu suchen. Keine Sorge, das ist einfacher und weniger kritisch, als die richtige Religion.
Was nützen irgendwelche "Standpunkte", wo man eine zuverlässige Berechnungsformel braucht, um eine Schaltung zu planen. Aber schön, daß wir mal darüber geredet haben. :)
Immerhin sind wir uns einig, dass man den Transistor übersteuern muss.
batman schrieb: > Was nützen irgendwelche "Standpunkte", wo man eine zuverlässige > Berechnungsformel braucht, um eine Schaltung zu planen. > Aber schön, daß wir mal darüber geredet haben. :) Im Datenblatt gibt es nur Specs für Ic/Ib=20. Deshalb ist es vernünftig damit zu arbeiten. Das wurde übrigens schon ziemlich am Anfang der Diskussion erwähnt. Da der Fragesteller ein schlauer/lernwillger Kerl ist, hat er sich daran gehalten.
Stefanus F. schrieb: > Ja passt so gerade eben, denn die I/O Pins vom Raspi soll man n icht > über 3mA belasten. Hast du die Info von den Gebrüdern Grimm?
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Bearbeitet durch User
Helmut S. schrieb: > Im Datenblatt gibt es nur Specs für Ic/Ib=20. Deshalb ist es vernünftig > damit zu arbeiten. Denn dann hat man definierte Eigenschaften, die der Hersteller versprochen hat. Wenn du den Transistor gemäß meiner Empfehlung nur wenig (3x bis 5x) übersteuerst, bekommst du irgendeine Verlustspannung an der C-E Strecke, zu der das Datenblatt ungefähr nichts aussagt. Das heißt nicht, dass es nicht funktioniert, sondern dass das ein Arbeitsbereich ohne zugesicherte Werte ist. Manche Leute benutzen ja auch LEDs als Lichtsensor, obwohl das Datenblatt dazu nichts aussagt. Selbst ein Chiphersteller (Atmel) hat in einer Schaltung empfohlen, die ESD Schutzdioden zu benutzen, um von 230V Netzspannung auf 5V runter zu kommen, obwohl deren eigenes Datenblatt keinerlei Eigenschaften dieser Dioden zusichert. Wenn man sich streng an das Datenblatt hält, darf man die Dioden gar nicht benutzen - weil eben das Ergebnis ungewiss ist. Ich persönlich wende ab und zu mal Erfahrungswerte an, welche die Angaben der Datenblätter ergänzen. Andere hingegen würden das niemals tun. Da muss man Risiko und Anforderungen gegeneinander abgleichen. Sicher wird so eine Entscheidung auch vom Anwendungsfall abhängen. Man kann da nicht pauschal von richtig oder falsch reden.
Ich habe jetzt gerade mal in das Datenblatt von Fairchild reingeschaut das am Anfang der Diskussion verlinkt wurde. In diesem ist auf Seite 2 links oben eine Grafik von typischem Ic versus Uce bei verschiedenen Ib. Gehe ich auf 44mA so ist der Transistor ab einem Ib von 300µA in Sättigung mit Uce um 1V. Das ergibt also ein "B" von ca. 130 Wie groß die Streubreite ist steht allerdings nicht dabei. Mit einem Sicherheitsfaktor von 3 würde ich jetzt einen Ib von >900µA nehmen. Nochmal ein bißchen gerundet paßt der R mit 2,2kOhm
Angehängte Dateien:
batman schrieb: > Bekommen wir denn nach dem langen Sermon auch noch die Lösung, wie der > Steuerstrom nun richtig "kalkuliert" wird? Eine einfache Formel wird es dazu eher nicht geben, wie man dem mal beispielhaft angehängten ersten Diagramm entnehmen kann. Bei kleinen Strömen (10mA) reicht für den gezeigten Transistor ein B=Ic/Ib von 100, bei großen Strömen muss das Verhältnis kleiner werden. Für die bei bipolaren Transistoren nicht sehr großen Exemplarschwankungen und für Temperaturänderungen (Ucesat steigt leicht mit T) muss man noch einen Sicherheitsfaktor einkalkulieren. Pauschal immer ein B von 10 zu verlangen, halte ich nicht für richtig. Es ist immer vom Transistortyp und den jeweiligen Bedingungen abhängig (vergleiche dazu erstes und zweites Bild).
Gut, was man also alles NICHT machen soll. Anders gefragt, warum soll man nicht einfach den Wert aus dem DaBla nehmen, für den die Bedingungen im Sättigungsbereich angegeben sind? Es kann ja auch mal sein, daß man einen Transistor einfach als möglichst idealen Schalter (Ri=0) einsetzen will, ohne sich dabei auf eine simple konstante und bekannte ohmsche Last zu beschränken. Z.B bei einer RC-Motoranwendung. Da möchte man nicht gern das Autochen am Berg anschieben müssen um ein paar µA Ansteuerstrom gespart zu haben. Klar ist wohl, daß die Emitterschaltung als Stromtreiber ohnehin nicht das Mittel der Wahl ist aber darum gings ja nicht.
soll er mal lieber die Freilaufdiode nicht vergessen, sonst stirbt der transistor noch an Überspannung. 3K3 in die Basis und mal direkt überm transistor messen, wieviel Spannung "verloren" geht, wenn das Relas geschaltet hat.
batman schrieb: > Klar ist wohl, daß die Emitterschaltung als Stromtreiber ohnehin nicht > das Mittel der Wahl ist aber darum gings ja nicht. Was denn dann? Stefanus F. schrieb: > Immerhin sind wir uns einig, dass man den Transistor übersteuern muss. Müssen überhaupt nicht! Wenn ich nicht übersättige, wird es auch gehen. Aber die x10 Fraktion gewinnt hier sowieso immer. Also so machen und man hat ein reines Gewissen und seine Ruhe. Aber wieso gerade die glatte Zahl 10? Technisch nicht begründbar, nur wllkürlich so festgelegt. Warum nicht x6,74, x2,355, x13,55987 ... ?
batman schrieb: > Anders gefragt, warum soll man nicht einfach den Wert aus dem DaBla > nehmen, für den die Bedingungen im Sättigungsbereich angegeben sind? Wenn du z.B. mit einem BC337-40 ein Relais ansteuern willst, das 500mA benötigt, bräuchtest du bei 20x Übersteuerung satte 40mA. Viele Mikrocontroller wären damit überlastet. Anstatt nun auf einen Darlington Transistor auszuweichen (der bei 3,3V schon wieder fragwürdig wäre), begnüge ich mich mit dem Wissen, dass die Schaltung bereits mit 10mA sehr gut funktionieren wird.
Stefanus F. schrieb: > batman schrieb: >> Anders gefragt, warum soll man nicht einfach den Wert aus dem DaBla >> nehmen, für den die Bedingungen im Sättigungsbereich angegeben sind? > > Wenn du z.B. mit einem BC337-40 ein Relais ansteuern willst, das 500mA > benötigt, bräuchtest du bei 20x Übersteuerung satte 40mA. Viele > Mikrocontroller wären damit überlastet. Anstatt nun auf einen Darlington > Transistor auszuweichen (der bei 3,3V schon wieder fragwürdig wäre), > begnüge ich mich mit dem Wissen, dass die Schaltung bereits mit 10mA > sehr gut funktionieren wird. Bei 500mA will man gar keinen BC337-40 nehmen wegen Vcesat bis zu 0,7V. Damit funktioniert das 3,3V Relais nicht mehr zuverlässig. Collector−Emitter Saturation Voltage (IC = 500 mA, IB = 50mA) VCE(sat) 0.7Vdc https://www.onsemi.com/pub/Collateral/BC337-D.PDF Das ist ein klarer Fall für einen Mosfet.
Helmut S. schrieb: > Bei 500mA will man gar keinen BC337-40 nehmen wegen Vcesat bis zu 0,7V. Hmm, das habe ich bei diesem hinkenden Beispiel nicht bedacht.
Helmut S. schrieb: > Bei 500mA will man gar keinen BC337-40 nehmen wegen Vcesat bis zu 0,7V. > Damit funktioniert das 3,3V Relais nicht mehr zuverlässig. > > Collector−Emitter Saturation Voltage > (IC = 500 mA, IB = 50mA) VCE(sat) 0.7Vdc > https://www.onsemi.com/pub/Collateral/BC337-D.PDF Welches 3,3V Relais? Der TO schreibt von einem 12V Relais und 3,3V Steuerspannung vom Raspi.
Jörg R. schrieb: > Helmut S. schrieb: >> Bei 500mA will man gar keinen BC337-40 nehmen wegen Vcesat bis zu 0,7V. >> Damit funktioniert das 3,3V Relais nicht mehr zuverlässig. >> >> Collector−Emitter Saturation Voltage >> (IC = 500 mA, IB = 50mA) VCE(sat) 0.7Vdc >> https://www.onsemi.com/pub/Collateral/BC337-D.PDF > > Welches 3,3V Relais? Der TO schreibt von einem 12V Relais und 3,3V > Steuerspannung vom Raspi. Danke. Da hatte ich zu schnell gedacht. Die 3,3V waren ja die Versorgungsspannung der Ansteuerung und nicht die des Relais.
Helmut S. schrieb: > Jörg R. schrieb: >> Helmut S. schrieb: >>> Bei 500mA will man gar keinen BC337-40 nehmen wegen Vcesat bis zu 0,7V. >>> Damit funktioniert das 3,3V Relais nicht mehr zuverlässig. >>> >>> Collector−Emitter Saturation Voltage >>> (IC = 500 mA, IB = 50mA) VCE(sat) 0.7Vdc >>> https://www.onsemi.com/pub/Collateral/BC337-D.PDF >> >> Welches 3,3V Relais? Der TO schreibt von einem 12V Relais und 3,3V >> Steuerspannung vom Raspi. > > Danke. Da hatte ich zu schnell gedacht. Die 3,3V waren ja die > Versorgungsspannung der Ansteuerung und nicht die des Relais. Richtig, und deshalb funktioniert auch ein Darlington, wenn es ein bipolarer sein soll.
batman schrieb: > Bekommen wir denn nach dem langen Sermon auch noch die Lösung, wie der > Steuerstrom nun richtig "kalkuliert" wird? > Warum? Es war doch nach dem Widerstand gefragt. Da fängt man bei 1k5 an und guckt höchstens, ob der µC den Strom überschlägig treiben kann - meist passt das dann schon. Es geht hier um eine Anwendung - ausschließlich mit Standardbauteilen und Standard-Umgebungsbedingungen, da nimmt man halt das, was schon immer funktioniert hat. Klar kann man unheimlich was dabei zusammenrechnen. Aber wozu? Unglaublich wie die Koniferen hier an einer einfachen (einfacher gehts wirklich nicht) Transistor-Schaltanwendung diskutieren und teilweise grandios scheitern.
Klar, man kann auch die Widerstände nach Lieblingsfarben aussuchen, das klappt meistens (irgendwie) also ist das gut so.
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