www.mikrocontroller.net

Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik Gate-Vorwiderstand MOSFET


Autor: Fall Out (fall-out)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Über einen µC steuer ich einen Treiber-IC an, der P/N-Kanal MOSFETs 
schalten soll. Das Ganze darf ruhig "gemütlich" passieren, soll heißen, 
gutes EMV-Verhalten ist wichtiger als schnelle Schaltvorgänge.

Qg ca. 100nC/20nC

Sind da 100 Ohm ok, oder gehen auch noch 1k Widerstände?

Autor: Falk Brunner (falk)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
@  Fall Out (fall-out)

>Über einen µC steuer ich einen Treiber-IC an, der P/N-Kanal MOSFETs
>schalten soll.

Sag mal genauer, was da geschaltet wird.

> Das Ganze darf ruhig "gemütlich" passieren, soll heißen,
> gutes EMV-Verhalten ist wichtiger als schnelle Schaltvorgänge.

Jaja, das mag sein. Aber wenn dir dabei die MOSFETS abkochen ist das 
auch eher uncool.

>Sind da 100 Ohm ok, oder gehen auch noch 1k Widerstände?

Dann kannst du den Treiber gleich weglassen und direkt per Logikgatter 
und schlechtem Pegelwandler schalten.

MFG
Falk

Autor: Fall Out (fall-out)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
max. schalten die MOSFETs 5A, keine PWM oder sonstiges.
Oft schalten sie zudem auch nicht.
Logikgatter haben ich keine gefunden (kaufbar) die mir über 9V schalten 
können, deswegen den Treiber.

Autor: Falk Brunner (falk)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
@  Fall Out (fall-out)

>max. schalten die MOSFETs 5A, keine PWM oder sonstiges.

Welche Spannung? Siehe Netiquette!!!

>Logikgatter haben ich keine gefunden (kaufbar) die mir über 9V schalten
>können, deswegen den Treiber.

Eine einfacher Pegelwandler mit Open Collektor sollte reichen. 
Einfach und preiswert.

MFG
Falk

Autor: Fall Out (fall-out)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Spannung wird max. 6V sein.

Die Treiber haben schon ihren Sinn, der Stromverbrauch soll minimal 
sein, da Batteriebetrieb.

Autor: Falk Brunner (falk)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
@  Fall Out (fall-out)

>Spannung wird max. 6V sein.

>Die Treiber haben schon ihren Sinn, der Stromverbrauch soll minimal
>sein, da Batteriebetrieb.

Es gibt auch CMOS. Der HEF4104 ist dein Freund. Zumal man bei 6V auch 
noch ein klassiches HC/HCT Gatter ganz normal nutzen kann. Die gibt es 
auch einzeln als Single Gates im SOT23 Gehäuse.

MfG
Falk

Autor: Fall Out (fall-out)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Ok, sagen wir mal, ich liebe diesen Treiber und da wir verheiratet sind, 
muss ich ihn verwenden.

Kommen wir wieder auf meine Frage zurück:

Kann man als Pi*Daumen Wert, oder kann mir jemand aus seiner Erfahrung 
(mir fehlt sie in dieser Hinsicht, deswegen ja auch die Frage) sagen, 
dass wenn ich keinen Wert auf ultraschnelles Schalten lege, 100-1000 Ohm 
Gatewiderstände mir ein gutes EMV-Verhalten bescheren? Bei den oben 
genannten Gate Kapazitäten?
Klar kann man da alles Mögliche ausrechnen, aber die Schaltzeiten etc. 
sagen mir (ohne Messung in ner EMV-Kammer) dann auch nichts aus.
Brauch einfach nur mal nen Anhaltspunkt.

Autor: Falk Brunner (falk)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
@  Fall Out (fall-out)

>Kann man als Pi*Daumen Wert, oder kann mir jemand aus seiner Erfahrung
>(mir fehlt sie in dieser Hinsicht, deswegen ja auch die Frage) sagen,
>dass wenn ich keinen Wert auf ultraschnelles Schalten lege, 100-1000 Ohm
>Gatewiderstände mir ein gutes EMV-Verhalten bescheren?

Pi mal Daumen, ja. Wobei das eh nicht messbar ist, wenn du nur selten 
schaltest. Die kurzen Peaks siehst du gar nicht bei der Messung auf dem 
Spektrumanalysator.

>Brauch einfach nur mal nen Anhaltspunkt.

Nimm 1K und gut.

MFG
Falk

Autor: Fall Out (fall-out)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Geht doch ;)

Die liegen nämlich in der Schublade.

Autor: Knut (Gast)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Ich verwende meist 47R bis 100R, da machst du nichts falsch. Sogar ein 
100A IGBT schaltet eine PWM mit 1-2kHz völlig verlustfrei mit einem Rg 
von 100R. Allerdings liegt die Gatespannung bei mir immer zwischen 
12-15V.

Von CMOS Bausteinen als Treiber kann ich nur abraten, da diese dafür 
nicht geeignet sind, höchstens mit ner B-Endstufe hinter. Aber wofür 
gibt es denn günstige Treiber (IR21XX)?!


Gruß Knut

Autor: Jens G. (jensig)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
>Ich verwende meist 47R bis 100R, da machst du nichts falsch. Sogar ein
>100A IGBT schaltet eine PWM mit 1-2kHz völlig verlustfrei mit einem Rg

Huiiii - gibts inzwischen schon verlustfreie Teile ??? Kühlkörper 
adeeeee (oder wie man das sonst schreibt ;-)

>Von CMOS Bausteinen als Treiber kann ich nur abraten, da diese dafür
>nicht geeignet sind, höchstens mit ner B-Endstufe hinter. Aber wofür

CMOS ist üblicherweise B-Endstufe. OK, meist nicht für hohe Leistung, 
aber für gelegentliches Schalten im unteren kHz-Bereich isses nicht 
verkehrt - je nach CMOS-Reihe.

Aber egal - wie Falk schon meinte - wenn der Mosi mit 5V klarkommt, 
selten geschaltet wird, und ein LogicLevel-Typ ist, dann kann der µC den 
Mosi direkt via 1k ansteuern - auch bei 30A.

Autor: Michael (Gast)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
>Huiiii - gibts inzwischen schon verlustfreie Teile ??? Kühlkörper
>adeeeee (oder wie man das sonst schreibt ;-)

Hab ich mir auch grade gedacht ^^

Der Treiber-IC scheint mir generell etwas deplaziert zu sein. Schon bei 
der Aussage, dass gemütlich geschaltet werden darf, zeugt ja eigentlich 
davon, dass man nicht wirklich hohe Schaltströme braucht. Einen IRFZ44 
und ähnliche, die durchaus mal ihre 5A schalten sollen und das mit so 
ein/zwei Kiloherz, da käme ich nicht mal auf die Idee nach dem µC einen 
Treiber-IC oder ähnliches zu verschwenden. Nimmt doch nur Platz weg auf 
der Platine.

Autor: Fall Out (fall-out)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Wie gesagt, den Treiber kann ich problemlos mit Spannungen über 9V 
betreiben, der Platzbedarf ist mir Jacke wie Hose und der Rest steht 
irgendwo übendrüber im Thread!

Autor: Michael (Gast)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Ja, oben steht, dass du den Treiber verwendest weil du möglichst wenig 
Strom verwenden/verbrauchen willst. Den Mosfet einfach über einen 
1k-Widerstand direkt an den µC anschließen würde dir den Stromverbrauch 
nochmal senken (Strom wird nur noch beim Schalten benötigt), der Treiber 
selbst wird ja auch ein wenig Strom brauchen und das nicht nur beim 
Schalten.

Autor: Knut (Gast)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
>Huiiii - gibts inzwischen schon verlustfreie Teile ??? Kühlkörper
>adeeeee (oder wie man das sonst schreibt ;-)


Etwas falsch ausgedrückt... => Der MOSFET/IGBT wird nicht warm!

Autor: Fall Out (fall-out)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Michael schrieb:
> Ja, oben steht, dass du den Treiber verwendest weil du möglichst wenig
> Strom verwenden/verbrauchen willst. Den Mosfet einfach über einen
> 1k-Widerstand direkt an den µC anschließen würde dir den Stromverbrauch
> nochmal senken (Strom wird nur noch beim Schalten benötigt), der Treiber
> selbst wird ja auch ein wenig Strom brauchen und das nicht nur beim
> Schalten.

3,3 V reichen leider nicht bei Source-Drain-Spannung > 3,3 V

Autor: Michael (Gast)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
>3,3 V reichen leider nicht bei Source-Drain-Spannung > 3,3 V

Wieso das denn? Wahrscheinlich hat dein Mosfet ein Vto von weit über 3V. 
Wie die Drain-Source-Spannung ausschaut ist für die Ansteuerung völlig 
egal. Ob das nun 1V ist oder 100V, solange der Mosfet für diese Spannung 
ausgelegt ist und er eine Vto von z.B. 2.5V hat kann man den ohne 
Probleme mit 3.3V schalten.

Autor: Fall Out (fall-out)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Ok, vll falsch beschrieben von mir. Ist ein P-Kanal der nicht gegen 
Masse schaltet. Erst wenn Ugate > Uth+Uds sperrt er voll.

Autor: Michael (Gast)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
Hm, also bei mir schalten P-Kanale auch nicht gegen Masse sondern i.d.R. 
gegen positive Betriebsspannung. Aber jeder verschaltet ja anders. Beim 
µC gehts bei mir immer auf einen Pegelwandler und dann erst auf das Gate 
des eigentlichen FETs (oder die Basis des Bipolartransistors).

Autor: Jens G. (jensig)
Datum:

Bewertung
0 lesenswert
nicht lesenswert
>>Huiiii - gibts inzwischen schon verlustfreie Teile ??? Kühlkörper
>>adeeeee (oder wie man das sonst schreibt ;-)

>Etwas falsch ausgedrückt... => Der MOSFET/IGBT wird nicht warm!

Auch falsch ausgedrückt. Es sind trotzdem K oder mK oder µK oder nK, um 
die er sich erwärmt (ok - will heute mal nicht so kleinlich sein ;-)

Antwort schreiben

Die Angabe einer E-Mail-Adresse ist freiwillig. Wenn Sie automatisch per E-Mail über Antworten auf Ihren Beitrag informiert werden möchten, melden Sie sich bitte an.

Wichtige Regeln - erst lesen, dann posten!

  • Groß- und Kleinschreibung verwenden
  • Längeren Sourcecode nicht im Text einfügen, sondern als Dateianhang

Formatierung (mehr Informationen...)

  • [c]C-Code[/c]
  • [avrasm]AVR-Assembler-Code[/avrasm]
  • [code]Code in anderen Sprachen, ASCII-Zeichnungen[/code]
  • [math]Formel in LaTeX-Syntax[/math]
  • [[Titel]] - Link zu Artikel
  • Verweis auf anderen Beitrag einfügen: Rechtsklick auf Beitragstitel,
    "Adresse kopieren", und in den Text einfügen




Bild automatisch verkleinern, falls nötig
Bitte das JPG-Format nur für Fotos und Scans verwenden!
Zeichnungen und Screenshots im PNG- oder
GIF-Format hochladen. Siehe Bildformate.
Hinweis: der ursprüngliche Beitrag ist mehr als 6 Monate alt.
Bitte hier nur auf die ursprüngliche Frage antworten,
für neue Fragen einen neuen Beitrag erstellen.

Mit dem Abschicken bestätigst du, die Nutzungsbedingungen anzuerkennen.