Hallo, ich möchte 3 (gleiche) MOSFETs parallel mit TTL Logik schalten. (Passende MOSFETs habe ich schon rausgesucht) Kann ich dazu die MOSFETs einfach parallel schalten; sprich einfach alle 3 Gates an den uc pin hängen? Ich habe bei meinen Recherchen immer wieder was von nem Gatewiderstand gelesen, den man bei Parallelschaltungen einbauen sollte. Ist da was dran? Ich verstehe das nicht, da doch über Spannung und nicht Strom geschaltet wird...
Im SCHALTBetrieb kannst du MOSFETs problemlos direkt parallel schalten. Ob deine TTL-Logik aber ausreichend Spannung und ausreichend viel Strom für ausreichend schnelles Umschalten (Umladen der ca. 3nF Gate-Kapazität) liefern kann, ist eine andere Frage, vielleicht brauchst du einen MOSFET-Treiber wie MC34151. Gate-Widerstände verringern die Umschaltgeschwindigkeit, die man ja eigentlich wegen der Schaltverluste möglichst kurz halten will. Sie sind nur sinnvoll, wenn man beim Strom im Umschaltmoment unter den Datenblattlimits der ansteuernden ICs bleiben will (obwohl die allermeisten ICs kurzzeitig kurzschlussfest sind, man also das Datenblatt da nicht so genau nehmen müsste). Aber bei EMV Problemen kann es sinnvoll sein, die Umschaltgeschwindigkeit zu verringern.
Kannste einfach parallelschalten, aber TTL-Logikpegel werden nicht reichen, einen üblichen Mosfet vernünftig durchzuschalten. Da musste also nocht mal ins DB gucken, ob die auch mit den wenigen V, die ein TTL abgibt, auch klarkommen (notfalls Pegelwandler/Schaltverstärker/Mosfet-Treiber dazwischen, der mit diesen Pegeln sicher was anfangen kann)
Gatewiderstände sind schon ne feine Sache, sonst schaltest du ja auf ne leere Kapazität, also einen Kurzschluss. Des Weiteren symmetrieren die Widerstände und sorgen für ein Gleichzeitiges einschalten. Je nach dem wie groß deine Transistoren bzw. Gatekapazitäten sind, brauchst du zwingend eine Treiberstufe um den entsprechenden Lade/Entladestrom zur Verfügung zu stellen. Dies minimiert die Schaltverluste und entlastet die Ausgangsstufe des µC. Im einfachsten Fall stellt ein Emitterfolger so eine Treiberstufe da. Hoffe ich konnte dir helfen
1) Bei reinen Schalteranwendungen kann man MOSFETs durchaus direkt parallel schalten. 2) Der (Serien-)Gatewiderstand begrenzt den max. möglichen Umladestrom der ins Gate hinein- bzw. herausfliesst, da sich das Gate wie ein Kondensator verhält. Damit hat man zusätzlich auch (ein wenig) die Kontrolle über die Schaltgeschwindigkeit des MOSFETs - mit größer werdendem Widerstand nimmt die Schaltgeschwindigkeit ab. 3) Einen µC-Ausgangs-Pin mit drei(!) MOSFETs gleichzeitig zu 'quälen' würde ich so nicht machen - insbesondere wenn schnell geschaltet werden soll/muss. Benutze dann besser einen Logic-Level-MOSFET-Driver, wie ihn z.B. International Rectifier (IR2xxx) zu hauf im Repertoir hat. Oder schalte mit zwei Kleinsignal- bzw. Kleinleistungstransistoren zumindest eine Push/Pull-Stufe dazwischen.
ich hab nachgeguckt und ich brauche 0,4A@30V. Laut DB reicht mein BUZ da aus. Die Frage ist wieviele von den Dingern ich parallel schalten kann. So ganz Leistungslos lässt sich nen MOSFET doch sicher nicht schalten... MaWin schrieb: > Gate-Widerstände verringern die Umschaltgeschwindigkeit, die man ja > > eigentlich wegen der Schaltverluste möglichst kurz halten will. Sie sind > > nur sinnvoll, wenn man beim Strom im Umschaltmoment unter den > > Datenblattlimits der ansteuernden ICs bleiben will Also es soll ein PWM Signal mit 500Hz zum schalten verwendet werden. Was passiert beim Umschalten? Bei 3 MOSFETs würde sich dieser Strom ja verdreifachen..
1.Über Stromausgleichswiderstände wurde hier schon heiß dikutiert. Mußt nur mal im Forum lesen. Auch die Anschlussleitung hat einen Widerstandswert. Der Aufbau kann jedoch sehr verschieden sein womit wir wieder am Anfang sind. Spätestens bei der nächsten Reparatur mußt Du wieder 3 genau gleiche einbauen, da sonst das Gleichgewicht verschoben wird. 2. Viele MOSFETS direkt an einen schwächlichen Ausgang betreiben ist meist keine gute Idee, da der Ausgang dafür reichen müßTE auch die kapazitiven Umladevorgaänge zu verkraften. Wenn die Schaltflanken dann zu Dreiecken verkrüppelt werden, wird während dieser Schaltzeit jede Menge Leistung in den MOSFETS verheizt, die sonst im Schaltbetrieb nicht vorkommen sollte. Im Störfall kommts noch schlimmer wenn das flüssige Silizium Deinen Ausgang kurzschließt.
Das Gate ist ein Kondensator beim Umladen fliesst sehrwohl Strom, hinein oder heraus. Daher werden auch, besonders bei den 'dicken' Teilen Gatewiderstände zur Steombegrenzung eingefügt. Sind im allgemeinen so 10-100 Ohm gross. Die Mosfet kann man, sofern sie im Schaltbetrieb arbeiten, parallel schalten. Wenn es MosFET mit Logic Level Gates ist und die Schaltfrequenz niedrig ist kann es mit TTl Ausgängen funktionieren, aber dann je ein Gatter für jeden FET. Bei FETs höherer Leistung oder solche ohne Logic Level Gate sind Gatetreiber, diskret mit Transistoren oder als IC, unbedingt notwendig damit die FET richtig und schnell genug gesteuert werden können.
> Bei 3 MOSFETs würde sich dieser Strom ja verdreifachen. Ja. Viel schlimmer aber ist, daß dein BUZ bei TTL-Signal noch nicht leitet. Der braucht 10V am Gate um voll durchzuschalten. Du musst also aus dem TTL-Signal die 10V machen. Dazu gibt es, schon erwähnt, MOSFET-Treiber wie MC34151. Aber du bist lernresistent. > Über Stromausgleichswiderstände wurde hier schon heiß dikutiert. Richtig oszi40, und wenn du die Beiträge dazu gelesne hättest dann wüsstest du, daß man die nur im Analogbetrieb braucht, und dein Einwurf für Harald bloss Verwirrung bewirkt.
@Harald (Gast) >ich hab nachgeguckt und ich brauche 0,4A@30V. Laut DB reicht mein BUZ da >aus. Das sind Peanuts. Aber der BUZ als ld School MOSFET ungeeignet. Du brauchst eine Logic Level MOSFET, siehe MOSFET-Übersicht. IRF 7103 ist dein Freund, der ist mit 5V am Gate schon voll dabei. >Die Frage ist wieviele von den Dingern ich parallel schalten kann. Warum? Für deine 0,4A? > So >ganz Leistungslos lässt sich nen MOSFET doch sicher nicht schalten... >Also es soll ein PWM Signal mit 500Hz zum schalten verwendet werden. Was >passiert beim Umschalten? Das gate wird umgeladen, wie ein kleiner Kondensator. > Bei 3 MOSFETs würde sich dieser Strom ja verdreifachen.. Ja, aber für 0,4A brauchst du keine drei MOSFETs. Nichtmal für 3x0,4A, das macht EIN MOSFET spielend. MFG Falk
Den Begriff "leistungslose Ansteuerung" habe ich früher auch nie verstanden, immerhin ist die Verlustleistung zum Beispiel bei 1A Umladestrom bei nem dicken 10nF Gate-Kapazität Mosfet auch nich ohne! Allerdings relativiert sich das, wenn man die Alternative bei hohen Strömen sieht. Ein Hochstrom-Transistor hätte einen relativ niedrigen Verstärkungsfaktor. Da bräuchtest du bei 1kA schon min. 50A Basisstrom ;-) So seh ich das jedenfalls.
Du liebe Güte ... 0.4A... da lacht doch ein BUZ11 drüber. Da brauchst nit mal nen Kühlkörper. Wozu also BUZZE parallel schalten... und wenn, dann die Gates bitte mit getrennten Treibern. S und D parallel ist OK.
Ein BUZxxL kann diese Last schalten bei TTL logik Pegel, ein BUZxx ohne L kann es in der Regel nicht. Da der TO nicht sagt WELCHEN BUZ er konkret einsetzt, > ich hab nachgeguckt und ich brauche 0,4A@30V. Laut DB reicht mein BUZ da > aus. und was er im Datenblatt angeguckt hat: Kann man nur spekulieren. Soviel zur obigen pauschalen Aussage, das BUZ generell ungeeignet sei bei TTL ansteuerung.
>Ein BUZxxL kann diese Last schalten bei TTL logik Pegel, ein BUZxx ohne >L kann es in der Regel nicht. Das ist wohl als falsch zu bezeichnen. TTL definiert L mit <=0.4V, und H mit >=2,4V. Im Grenzfall haben wir also nur 2,4V. Nehmen wir mal einen L-Typ wie http://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/79520/INFINEON/BUZ21L.html (21A-Typ) , dann läßt der selbst bei im Leerlauf TTL-typischen 3-3,5V nur paar Klecker-Elektronen durch. Der errreicht noch nicht mal bei 4V seinen Idmax. Was man dagegen als gesichert betrachten kann, ist, daß die bei 5V schon sinnvoll durchgeschaltet sind (also Rdson recht niedrig, und Mosfet wird bis zu Idmax nicht mehr zur Konstantstromquelle) Um wirklich sinnvoll mit TTL einen Mosi ansteuern zu können, sollte der Mosi schon gezielter ausgewählt werden. Oder eben einen Schaltverstärker irgendeiner Form davor schalten. Und was weiter oben über Ausgleichswiderstände bei Parallelschaltung gesagt wurde, ist Humbug - die braucht man beim Ein-/Ausschalten nicht.
Jens G. schrieb: > Das ist wohl als falsch zu bezeichnen. TTL definiert L mit <=0.4V, und H > mit >=2,4V. Im Grenzfall haben wir also nur 2,4V. > Nehmen wir mal einen L-Typ wie > http://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/79520/INFINEON/BUZ21L.html > (21A-Typ) , dann läßt der selbst bei im Leerlauf TTL-typischen 3-3,5V > nur paar Klecker-Elektronen durch. Der errreicht noch nicht mal bei 4V > seinen Idmax. naja wenn man aus der Tabelle das minimale gfs mit 8 S nehme und das maximale uth von 2 V kommt man schon auf 0,64 A, ein bisserl mehr als die 0,4 A die gefordert sind ;-)
Jens G. schrieb: >>Ein BUZxxL kann diese Last schalten bei TTL logik Pegel, ein BUZxx ohne >>L kann es in der Regel nicht. > > Das ist wohl als falsch zu bezeichnen. Bevor Du wieder soviel überflüssigen Sermon schreibst, versuche mal: Lesen, denken, verstehen, dann schreiben. Bei Dir hapert es schon an Schritt 1, das erklärt Dein Versagen bei den übrigen Schritten. Es ging um 0.4A die mit TTL Pegel zu steuern sind laut TO. Und das paßt zu L-Typen.
@ Andrew Taylor (marsufant) Die scheinbare Allgemeingültigkeit deines Satzes ist das, was mich stört. Wenn Du 0,4A schalten willst, sollte man unter 1Ohm Rdson anstreben, um in akzeptable Udson-Bereiche zu kommen. Ein Mosi mit paar A Idmax sollte eigentlich reichen, aber auch die L-Typen sind da z.T. sehr hochohmig bei 3V. Beispiel http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/44944/SIEMENS/BUZ11AL.html Ebenfalls ein L-Typ - der isoliert selbst bei 2,5V noch prächtig. Ist zwar ein uraltes Ding, aber trotzdem als L klassifiziert. Ich würde also selbst bei solchen Hochstromdingern (völlig überdimensioniert für 0,4A, der es nach deiner Aussage mit links macht) nicht blind irgendeinen nehmen, sondern auch mal die Kurven anschauen. @ Thomas Klima (rlyeh_drifter) >naja wenn man aus der Tabelle das minimale gfs mit 8 S nehme und das >maximale uth von 2 V kommt man schon auf 0,64 A, ein bisserl mehr als >die 0,4 A die gefordert sind ;-) Jo - ist aber wie mit Kanonen auf Spatzen schießen. Wenn Du einen noch dickeren Mosi nimmst, und taktest den mit hoher Frequenz, dann kommt irgendwann mal der Punkt, wo Ansteuerleistung (wegen Gate-C) die Nutzleistung übersteigt - nicht mehr sehr sinnvoll (ist hier noch nicht der Fall, aber man kann das ja mal weiterspinnen, wo es langsam sinnlos wird)
Sehr schön, an Harald geht die ganze Diskussion schon mal wieder vorbei, weil marsufant seinen Senf dazugeben muß. Wenn Harald die genaue Typennummer seines BUZ nennen würde, würde marsufant schon merken, wie falsch er wieder mal liegt.
MaWin schrieb: > Sehr schön, an Harald geht die ganze Diskussion schon mal wieder vorbei, > weil marsufant seinen Senf dazugeben muß. Wenn Harald die genaue > Typennummer seines BUZ nennen würde, würde marsufant schon merken, wie > falsch er wieder mal liegt. Danach habe ich harald schon gefragt, was Du oben nachlesen kannst. Statt desen lallst Du nur wieder wie so oft hier dumm rum, Mawin.
es geht :-) Ein bisschen warm wird er schon, aber alles im Rahmen. Danke P.S.: streitet euch nich immer so viel
Harald schrieb: > es geht :-) > > Ein bisschen warm wird er schon, aber alles im Rahmen. > > Danke > Ist es zuviel verlangt das Du die konkrete mehrfach gestellte Frage nach dem exakten Typ des von Dir eingesetzten BUZ beantwortest? Das hätte die Diskussion hier deutlich verkürzt. > P.S.: streitet euch nich immer so viel ja, nee, iss klar
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