Ich schalte einen SPP06N80C3 mit einem ICL7667. Angeblich sollen 20ns Schaltzeit drin sein. Ich messe aber 100ns. Aufbau auf Lochraster mit LowESR Elko und FolienKondensator. Kurze Leitung (<2cm) ohne Gatewiderstand. Betrieb mit 5V Spannung. Die 20ns Schaltzeit gelten allerdings für 15V. Die Frage: Woran könnte die lange Schaltzeit liegen? Meine Vermutung den 5V? Eure Meinung?
Du lieferst zu wenig Strom an das Gate. Entweder du nimmst einen anderen Treiber, der mehr Strom liefern kann, oder du erhöhst die Spannung, dann wird ebenfalls mehr Strom fließen. Du musst eben das Gate schneller umladen. Du hast Qg = 31nC Q = I * t
Macht Sinn... Bin von anderen Angaben im Datenblatt ausgegangen. Dort steht, dass bei 1000pF Last die Schaltzeit 20ns (aber bei 15V) beträgt. Der Mosfet hat nur knapp 800pF Ciss... Worin liegt der Sinn dieser Angabe, wenn doch nur der Ausgangstrom und die Gate-Ladung wichtig sind. Weniger Aufwand, als die Spannungsversorgung zu ändern, wäre die beiden Treiber (ICL7667 hat zwei) parallel zu schalten. Geht das? Bringt das was in dem Fall?
Guest schrieb: > SPP06N80C3 ... Betrieb mit 5V Spannung. Das geht garnicht. Das ist kein Logic-Level Mosfet, du brauchst mindestens 8V am Gate, damit der überhaupt vernünftig durchschaltet, darunter ist er nur Heizung. Immerhin, gut vorgewärmt, so bei 150°, reichen dann auch 7V am Gate. Deine Vermutung mit den 5V ist also richtig.
U_GS(th) = 3V (typ)! Warum soll das nicht gehen? Okay, völlig angereichert ist er nicht und maximaler Strom geht deshalb nicht, dafür muss ich aber auch weniger Ladung hin und her schaufeln. Und drüber läuft eh maximal 1A.
Guest schrieb: > U_GS(th) = 3V (typ)! Und max? Wie auch immmer: Im selben Datenblatt sind die Schaltzeiten mit der Randbedingung VGS=0/10V angegeben. Und da sind 5V immer noch nur die Hälfte... :-o
> U_GS(th) = 3V (typ)!
Weil das die Spannung ist, bei der er gerade eben nicht mehr hochohmig
sperrt sondern die ersten Mikroamperes an Strom durchlässt,
und: Es sind die typischen Werte. Das kann locker um 1:2 schwanken.
3V Ugsth heisst 10V zur sicheren Vollaussteuerung.
Schau dir mal an, welche Ugsth LogicLevel MOSFETs haben!
MaWin schrieb: > Weil das die Spannung ist, bei der er gerade eben nicht mehr hochohmig > sperrt sondern die ersten Mikroamperes an Strom durchlässt, > und: Es sind die typischen Werte. Das kann locker um 1:2 schwanken. Zur Info: Der maximale UGSth beträgt laut Datenblatt 3.9V. Kleine Erklärung: In meiner Anwendung sollen NIE mehr als 1 Ampere fliessen. Falls es doch passieren würde, ist es mir lieber der Mosfet raucht ab, als der Rest der Schaltung. > 3V Ugsth heisst 10V zur sicheren Vollaussteuerung. Das kann ich dem Datenblatt auch entnehmen. Und ja, mir ist klar, dass der Mosfet mit mehr UGS mehr Strom leiten würde. Aber mir ist lieber er wirkt dann eben strombegrenzend. Ich gehe davon aus, dass 5V reichen für meine Paar 100 mA Nennstrom. Mir ging es bei der Auswahl mehr um die Verfügbarkeit, dessen Spannungsfestigkeit und den kleinen Gate-Charge, da ich mit 250kHz sehr schnell schalte. Und warum voll aussteuern, wenn dadurch noch mehr Ladung hin und hergeschaufelt werden muss (= mehr Leistung erforderlich)? Kann man den MOSFET so etwa nicht betreiben? Ist aber eigentlich alles off-topic. Eigentliche Frage: Wie krieg ich den Umschaltvorgang schneller? Spannung umbauen wäre möglich, aber aufwendig. Brachliegenden 2. Treiber verwenden ist sehr schnell realisiert. Die Frage ist, bringt es was und macht der ICL7667 das mit?
Guest schrieb: > Und warum voll aussteuern, wenn dadurch noch mehr Ladung hin und > hergeschaufelt werden muss (= mehr Leistung erforderlich)? > Kann man den MOSFET so etwa nicht betreiben? Klar doch. Aber du darfst nicht mit 5V Ugs die Daten fordern, die das Datenblatt für 10V garantiert. > Wie krieg ich den Umschaltvorgang schneller? Nur mit mehr Spannung am Gate.
Lothar Miller schrieb: > Klar doch. Aber du darfst nicht mit 5V Ugs die Daten fordern, die das > Datenblatt für 10V garantiert. Meine Hoffnung war, dass der kleinere Gate-Charge (Man lädt ja nicht komplett um), das zumindest teilweise kompensiert. Mit dem Faktor 5 habe ich nicht gerechnet. >> Wie krieg ich den Umschaltvorgang schneller? > Nur mit mehr Spannung am Gate. Parallelschalten mehrerer Treiber bringt nichts? Oder geht das so einfach nicht?
Habe einen neuen Thread gestartet, da die ursprüngliche Frage eigentlich beantwortet ist: Beitrag "Mehrere Treiber & ein Mosfet"
Alles auf 15V umgebaut, Schaltzeit trotzdem deutlich > 20ns. Aber auch deutlich schneller, als mit 5V. Liegts am Layout? An der Technologie (Lochraster und Through-hole)? Vielleicht doch die beiden Treiberstufen kombinieren....
Also gar nicht erst versuchen schneller zu werden. Induktive Effekte (z.B.: Schwingungen) sind übrigens nicht festzustellen.
Guest schrieb: > Schaltzeit trotzdem deutlich > 20ns. Ja, und besser als 40ns wirst du typisch kaum werden:
1 | Turn-on delay time td(on) - 25 - ns |
2 | Rise time tr - 15 - ns |
25 + 15 = 40ns...
> Also gar nicht erst versuchen schneller zu werden.
Nicht, wenn du damit noch zum EMV-Messen willst...
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