NT mit Mosfet

[Mosfet (Gast)]

Hallo, ist es eigendlich möglich, ein regelbares NT mit Mosfet´s 
aufzubauen? Die Wärmeentwiklung ist doch geringer als bei Längstransis, 
oder ?

[Floh (Gast)]

Mosfet schrieb:
> Die Wärmeentwiklung ist doch geringer als bei Längstransis,

Die Physik wird der Mosfet nicht schlagen.
Bei angelegter Spannung und durchflossenem Strom wird der genauso warm 
wie ein Bipolartransistor.

[MaWin (Gast)]

> Die Wärmeentwiklung ist doch geringer als bei Längstransis, oder ?

?!?

Wieso ?

Ein MOSFET ist ein Längstransi.

Allerdings sind die schwerer parallel zu schalten, also ist es nicht so 
leicht die Verlustleistung auf mehrere Transistoren zu verteilen, und 
sie benötigen eine höhere Ansteuerspannung, also benötigt man in der 
einfachen Emitterfolger/Sourcefolger-Schaltung eine im Vrgleich hzu 
bipolartransistoren höhere Versorgungsspannung bei gleicher gewünschter 
Ausgangsspannung und bekommen dsmit höhere Verluste.

In der komplizierten Labornetzteilschaltung, in der eine eigene 
Hilfsspannung für die Regelung existiert, und jeder MOSFET einzeln aus 
einem OpAmp angesteuert wird der seinen eigenen Strom regelt, hat man 
das Problem, daß sich diese Schaltungen gegenseitig beeinflussen. So was 
ist also kompliziert zu konstruieren.

[Ben _. (burning_silicon)]

er meint bestimmt wie baut man einen schaltregler mit mosfets...

[U. B. (Gast)]

> Allerdings sind die ( MOSFETs ) schwerer parallel zu schalten, ...

Nein. Bei MOSFETs geht es sogar besser, wg. neg. Temperaturkoeffizient
der Leitfähigkeit.

[Falk B. (falk)]

@  U. B. (pasewalker)

>> Allerdings sind die ( MOSFETs ) schwerer parallel zu schalten, ...

>Nein. Bei MOSFETs geht es sogar besser, wg. neg. Temperaturkoeffizient
>der Leitfähigkeit.

Nur im Schaltbetrieb.

http://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Linearbetrieb_von_MOSFETs

[ArnoR (Gast)]

U. B. schrieb:
> Nein. Bei MOSFETs geht es sogar besser, wg. neg. Temperaturkoeffizient
> der Leitfähigkeit.

MaWin hat recht. Du verwechselts hier Eingangskennlinien (die 
angeglichen werden müssen) und On-Widerstand.

[U. B. (Gast)]

> Nur im Schaltbetrieb.

Stimmt.

[M. K. (sylaina)]

U. B. schrieb:
> Nein. Bei MOSFETs geht es sogar besser, wg. neg. Temperaturkoeffizient
> der Leitfähigkeit.

Das gilt im Sättigungsbereich. Wenn man den MOSFET aber als 
Längstransitor zum Regeln nimmt wird er im Linearen Bereich betrieben 
und dann hat sich das mit dem Temperaturkoeffizienten gegessen, der ist 
dann genauso positiv wie bei Bipos.

[Mosfet (Gast)]

Also ist es einfacher es mit Bipolaren zu realisieren.....

[Arno H. (arno_h)]

Michael Köhler schrieb:
>
> Das gilt im Sättigungsbereich. Wenn man den MOSFET aber als
> Längstransitor zum Regeln nimmt wird er im Linearen Bereich betrieben
> und dann hat sich das mit dem Temperaturkoeffizienten gegessen, der ist
> dann genauso positiv wie bei Bipos.

Schaltbetrieb bei MOSFET = linearer oder ohmscher Bereich mit RDSon TK+,
Längstransistor = Betrieb im Sättigungsbereich mit negativem TK.
Man benötigt auch keinen zweiten FET, die Parallelschaltung vieler FET 
befindet sich schon auf jedem Chip.

Arno

[M. K. (sylaina)]

Arno H. schrieb:
> Schaltbetrieb bei MOSFET = linearer oder ohmscher Bereich mit RDSon TK+,
> Längstransistor = Betrieb im Sättigungsbereich mit negativem TK.

Verwechselst du da grad die Bereiche vom MOSFET mit dem des Bipos? Was 
beim Bipo der ohmische Bereich ist im Ausgangskennlinienfeld ist beim 
MOSFET der Sättigungs- (Abschnür-)bereich  und umgedreht. Im ohmischen 
Bereich arbeitet ein MOSFET als steuerbarer Widerstand (daher nennt man 
ja diesen Bereich ja "ohmischer Bereich", gilt für beide 
Transotorarten) und das ist kein Schaltbetrieb. ;)

[Jörg W. (dl8dtl) (Moderator)]

Mosfet schrieb:
> Hallo, ist es eigendlich möglich, ein regelbares NT mit Mosfet´s
> aufzubauen?

Ja, natürlich.  Viele heutige "low-drop"-Regler sind mit einem
p-Kanal-FET aufgebaut.

In der Zeitschrift FUNKAMATEUR läuft gerade ein Beitragsserie über
Längsregler mit FETs.  Nein, die Physik überlisten die auch nicht :),
aber es ist recht interessant, dass man bereits mit sehr einfachen
Schaltungen Regler für vergleichsweise hohe Lasten (Funkgeräte
brauchen gern mal 20 A Spitzenstrom bei 13,8 V) bauen kann.

[Arno H. (arno_h)]

Michael Köhler schrieb:
> Verwechselst du da grad die Bereiche vom MOSFET mit dem des Bipos? Was
> beim Bipo der ohmische Bereich ist im Ausgangskennlinienfeld ist beim
> MOSFET der Sättigungs- (Abschnür-)bereich  und umgedreht. Im ohmischen
> Bereich arbeitet ein MOSFET als steuerbarer Widerstand (daher nennt man
> ja diesen Bereich ja "ohmischer Bereich", gilt für *beide*
> Transotorarten) und das ist kein Schaltbetrieb. ;)

Siehe Anhang, Bild 6.

Arno

[M. K. (sylaina)]

Oder verwechsel ich das grad? However,

Arno H. schrieb:
> Schaltbetrieb bei MOSFET = linearer oder ohmscher Bereich mit RDSon TK+,

das stört mich denn wenn ich nen MOSFET im Schaltbetrieb hab bin ich 
weit weg vom ohmischen Bereich. Ich will dann ja eigentlich (ideal), 
dass mein MOSFET gar keinen Widerstand bzw. einen unendlich hohen 
Widerstand aufweist, je nach Schaltzustand halt. Im ohmischen Bereich 
wäre ich dann aber ganz falsch. ;)

[Arno H. (arno_h)]

Ich habe extra ein Bild rausgesucht, wo es in der Grafik noch mal 
drinsteht.
Schaus dir einfach an.

Arno

[M. K. (sylaina)]

Und was willste nun damit sagen? Oben hast geschrieben, dass der 
Schaltbetrieb im ohmischen Bereich liegt aber das ist falsch, 
Schaltbetrieb beim Mosfet ist im Sättigungsbereich, das zeigt auch das 
Bild...where's the problem?
Richtig ist, dass man im ohmischen Bereich beim Mosfet einen positiven 
Temperaturkoeffizienten hat, falsch ist jedoch, dass der Schaltbetrieb 
im ohmischen Bereich liegt beim Mosfet. Im Schaltbetrieb strebt man 
einen sehr kleinen Rds(on) (∂Uds/∂Id ist idealer Weise 0 Ω, real sinds 
meist einige mΩ-Ω) an und den findet man im Sättigungs- (Abschnür-) 
Bereich und nicht im ohmischen/linearen Bereich.

[Lupin (Gast)]

Wetten, dass der Herr "Mosfet" sich nicht mehr meldet?

[Mosfet (Gast)]

Doch, tut er. Ich habe eine interessante Seite gefunden. Das dort 
beschriebene NT hab ich etwas angepasst, uns läuft in der Simulation 
schonmal ganz gut.

http://www0.fh-trier.de/~berres/Bauanleitungen%20Messtechnik/Labornetzteil%200-30V%200-4Amp/

[Arno H. (arno_h)]

Michael Köhler schrieb:
> Und was willste nun damit sagen? Oben hast geschrieben, dass der
> Schaltbetrieb im ohmischen Bereich liegt aber das ist falsch,
> Schaltbetrieb beim Mosfet ist im Sättigungsbereich, das zeigt auch das
> Bild...where's the problem?
> Richtig ist, dass man im ohmischen Bereich beim Mosfet einen positiven
> Temperaturkoeffizienten hat, falsch ist jedoch, dass der Schaltbetrieb
> im ohmischen Bereich liegt beim Mosfet. Im Schaltbetrieb strebt man
> einen sehr kleinen Rds(on) (∂Uds/∂Id ist idealer Weise 0 Ω, real sinds
> meist einige mΩ-Ω) an und den findet man im Sättigungs- (Abschnür-)
> Bereich und nicht im ohmischen/linearen Bereich.

Da Englisch offensichtlich zu schwierig ist, extra für dich was auf 
Deutsch:
http://olli.informatik.uni-oldenburg.de/weTEiS/weteis/transistor2.htm


Arno

[M. K. (sylaina)]

Arno H. schrieb:
> Da Englisch offensichtlich zu schwierig ist, extra für dich was auf
> Deutsch:

Und was wird das jetzt? Willst du etwa sagen, dass ein Mosfet im 
Schaltbetrieb im ohmischen Bereich betrieben wird? Red doch mal 
Klartext. Wie ich schon sagte, ich kenns nur so, dass man im 
Schaltbetrieb einen möglichst kleinen Rds(on) anstrebt und den findet 
man nicht im ohmischen Bereich sondern im Sättigungsbereich. Das zeigen 
auch alle deine Links.

[M. K. (sylaina)]

Ich hab da so eine Ahnung was du meinen könntest. Ich glaub wir haben da 
ein wenig aneinander vorbei geredet.

[Andrew T. (marsufant)]

Mosfet schrieb:
> Hallo, ist es eigendlich möglich, ein regelbares NT mit Mosfet´s
> aufzubauen?

Ja. Eingie der HP36xx Serie, als Beispiel eiens Serienproduktes.


> Die Wärmeentwiklung ist doch geringer als bei Längstransis,
> oder ?


Nein, warum auch.

[Simon K. (simon)]

Es heißt übrigens entweder ohmsch oder ohmic.